JPS61274379A - 半導体レ−ザ駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動装置Info
- Publication number
- JPS61274379A JPS61274379A JP60115579A JP11557985A JPS61274379A JP S61274379 A JPS61274379 A JP S61274379A JP 60115579 A JP60115579 A JP 60115579A JP 11557985 A JP11557985 A JP 11557985A JP S61274379 A JPS61274379 A JP S61274379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- output
- photodetector
- circuit
- light detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
- G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体レーザの駆動装置に関し、特に、該レー
ザの出力光量をモニターして安定な光出力レベルに自動
的に制御する光検出器を備えた半導体レーザの駆動装置
に関する。
ザの出力光量をモニターして安定な光出力レベルに自動
的に制御する光検出器を備えた半導体レーザの駆動装置
に関する。
［従来技術と問題点］
半導体レーザは、駆動電流（電圧）に対して非線形な光
出力特性を有し、かつ、雰囲気温度などの影響を受けや
すく、一定の光出力を得るために通常、自動光出力安定
化装置（以下、ＡＰＣと称する）を備えて駆動されるも
のである（例えば特願昭５９−２４６９０にＡＰＣを備
えた半導体レーザ駆動装置の一従来例を見ることができ
る）、かかる従来技術によれば、半導体レーザの裏面か
らの光束は該レーザに近接して配置されるＰＩＮフォト
ダイオードにより光検出され、モニターされた光出力量
に対してクローズドフィードバックループを形成して前
記半導体レーザの光出力が安定に保持あるいは制御され
るものである。
出力特性を有し、かつ、雰囲気温度などの影響を受けや
すく、一定の光出力を得るために通常、自動光出力安定
化装置（以下、ＡＰＣと称する）を備えて駆動されるも
のである（例えば特願昭５９−２４６９０にＡＰＣを備
えた半導体レーザ駆動装置の一従来例を見ることができ
る）、かかる従来技術によれば、半導体レーザの裏面か
らの光束は該レーザに近接して配置されるＰＩＮフォト
ダイオードにより光検出され、モニターされた光出力量
に対してクローズドフィードバックループを形成して前
記半導体レーザの光出力が安定に保持あるいは制御され
るものである。
しかるに、万一、半導体レーザの出力光量をモニターす
る光検出器が不良の場合、あるいは動作しない場合に゛
は当然前記ＡＰＣは正常に動作せず光出力の安定化が図
れないのみならず、例えば半導体レーザが光学的情報記
録再生装置に利用される場合には、誤動作をし、信頼性
のある情報の記録、再生または消去ができないなどの問
題を生ずるものである。
る光検出器が不良の場合、あるいは動作しない場合に゛
は当然前記ＡＰＣは正常に動作せず光出力の安定化が図
れないのみならず、例えば半導体レーザが光学的情報記
録再生装置に利用される場合には、誤動作をし、信頼性
のある情報の記録、再生または消去ができないなどの問
題を生ずるものである。
更に、ＡＰＣが正常に動作しない場合には半導体レーザ
に過大な駆動電流が流れ、レーザ本体を劣化、破損する
事も起こりうる。また、ＡＰＣ等を含め、レーザ駆動装
置の構成は複雑であるので、単なる光検出器の劣化、ま
たは、不良にもとづくレーザを利用した装置の動作異常
も、その原因解明に手間どり、所謂平均回復時間 （ＭＴＴＲ）が長くなり１例えば高信頼性としての早い
ＭＴＴＲを要求される前記光学的情報記録再生装置に利
用される場合等においては極めて使い難いものとなって
しまう問題を有していた。
に過大な駆動電流が流れ、レーザ本体を劣化、破損する
事も起こりうる。また、ＡＰＣ等を含め、レーザ駆動装
置の構成は複雑であるので、単なる光検出器の劣化、ま
たは、不良にもとづくレーザを利用した装置の動作異常
も、その原因解明に手間どり、所謂平均回復時間 （ＭＴＴＲ）が長くなり１例えば高信頼性としての早い
ＭＴＴＲを要求される前記光学的情報記録再生装置に利
用される場合等においては極めて使い難いものとなって
しまう問題を有していた。
［発明の目的］
本発明は上記の如き従来技術の有していた問題点を解消
し、信頼性の優れたＭＴＴＲの短い実用的な半導体レー
ザ駆動装置を提供することを目的とする。
し、信頼性の優れたＭＴＴＲの短い実用的な半導体レー
ザ駆動装置を提供することを目的とする。
［発明の概要］
本発明は上記目的を達成するために、半導体レーザ駆動
装置において、少なくとも半導体レーザから出力する光
束の一部を検出する光検出手段と、該光検出Ｆ段の直流
バイアスを順逆に切換える切換手段と、前記順のバイア
スを前記光検出手段に印加したときの前記光検出手段の
出力電圧を所定の基準電圧と比較して適否を識別する識
別回路とを備えることにより半導体レーザの駆動装置を
構成したものである。しかして、本発明によれば、その
作用は次の如くである。即ち、前記識別回路は前記光検
出手段に順のバイアスを印加したときの出力電圧レベル
を識別して当該光検出手段が正常か否か検知し、正常の
ときにのみ前記半導体レーザを駆動するようにしたもの
である。
装置において、少なくとも半導体レーザから出力する光
束の一部を検出する光検出手段と、該光検出Ｆ段の直流
バイアスを順逆に切換える切換手段と、前記順のバイア
スを前記光検出手段に印加したときの前記光検出手段の
出力電圧を所定の基準電圧と比較して適否を識別する識
別回路とを備えることにより半導体レーザの駆動装置を
構成したものである。しかして、本発明によれば、その
作用は次の如くである。即ち、前記識別回路は前記光検
出手段に順のバイアスを印加したときの出力電圧レベル
を識別して当該光検出手段が正常か否か検知し、正常の
ときにのみ前記半導体レーザを駆動するようにしたもの
である。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。なお、
以下の図面において同一作用をなす同一部材には同一符
号を付しその説明を省略する。
以下の図面において同一作用をなす同一部材には同一符
号を付しその説明を省略する。
第１図は本発明の実施例を示°す概略構成図である。ｌ
は半導体レーザ、２はＰＩＮフォトダイオードなどの光
検出器、３はバイアス電圧切換スイッチ、４は光検出器
の順方向バイアス電源、５は光検出器２の逆方向バイア
ス電源、６は光検出器２が順方向にバイアスされている
ときの光検出器出力電圧を基準電圧と比較し適否を識別
する識別回路である。１１は半導体レーザ１の駆動回路
、６１は前記識別回路の出力信号を示す１本実施例によ
れば、半導体レーザ１を駆動回路１１が発振させるに先
立ってスイッチ３を選択して順方向バイアス電源４を光
検出器２に接続し、光検出器２の順方向電圧ドロップを
識別回路６が基準電圧と比較し適否を識別し、識別出力
信号６１を出力し、万一、前記光検出器出力が正常でな
い場合（例えば、通常のフォトダイオードでは０．５ｖ
〜２、Ｏｖの電圧範囲外である場合）には前記出力信号
６１を例えば所謂ローレベル（−Ｌ″レベルとすること
により、半導体レーザ駆動回路１１の駆動信号を抑止す
ると同時に、外部に異常アラーム信号を出力し光検出器
２の異常を知らせる作用をなすものである。なお、光検
出器２の出力電圧が上記した正常範囲内にあるときは、
識別回路６は例えば所謂ハイレベル（” Ｈ”レベル）
の出力信号６１を出力し、スイッチ３を選択して前記光
検出器２に逆方向バイアス電源５を接続し光検出器は逆
バイアスとなるとともに前記半導体レーザ駆動回路１１
は外部よりの例えばＲＦ倍信号図示せず）に従って半導
体レーザ駆動信号を出力し、半導体レーザ１は所定の発
振をすることができる。なお、図示されぬＡＰＣが前記
光検出器２の出力信号を入力して前記半導体レーザ駆動
回路１１をフィードバック制御することもできるもので
ある。
は半導体レーザ、２はＰＩＮフォトダイオードなどの光
検出器、３はバイアス電圧切換スイッチ、４は光検出器
の順方向バイアス電源、５は光検出器２の逆方向バイア
ス電源、６は光検出器２が順方向にバイアスされている
ときの光検出器出力電圧を基準電圧と比較し適否を識別
する識別回路である。１１は半導体レーザ１の駆動回路
、６１は前記識別回路の出力信号を示す１本実施例によ
れば、半導体レーザ１を駆動回路１１が発振させるに先
立ってスイッチ３を選択して順方向バイアス電源４を光
検出器２に接続し、光検出器２の順方向電圧ドロップを
識別回路６が基準電圧と比較し適否を識別し、識別出力
信号６１を出力し、万一、前記光検出器出力が正常でな
い場合（例えば、通常のフォトダイオードでは０．５ｖ
〜２、Ｏｖの電圧範囲外である場合）には前記出力信号
６１を例えば所謂ローレベル（−Ｌ″レベルとすること
により、半導体レーザ駆動回路１１の駆動信号を抑止す
ると同時に、外部に異常アラーム信号を出力し光検出器
２の異常を知らせる作用をなすものである。なお、光検
出器２の出力電圧が上記した正常範囲内にあるときは、
識別回路６は例えば所謂ハイレベル（” Ｈ”レベル）
の出力信号６１を出力し、スイッチ３を選択して前記光
検出器２に逆方向バイアス電源５を接続し光検出器は逆
バイアスとなるとともに前記半導体レーザ駆動回路１１
は外部よりの例えばＲＦ倍信号図示せず）に従って半導
体レーザ駆動信号を出力し、半導体レーザ１は所定の発
振をすることができる。なお、図示されぬＡＰＣが前記
光検出器２の出力信号を入力して前記半導体レーザ駆動
回路１１をフィードバック制御することもできるもので
ある。
第２図は本発明の他の実施例を示す回路構成図である。
３１．３４はＮＰＮ ）ランジスタ、３５はＰＮＰトラ
ンジスタ、３２はリレーコイル、３３はリレー接点で、
他の抵抗、レベルクランプダイオード等とバイアス電圧
切換回路３を構成し、６２はバッファアンプ、６３は二
ンパレータ、６４はＯＲ回路、６５はＤタイプフリップ
フロップ回路、６６はフリップフロップ６５のＱ出力と
レーザＯＮ指令信号６７とを入力するＡＮＤ回路で、光
検出器であるＰＩＮフォトダイオード２の出力を適否識
別する識別回路６を構成する。
ンジスタ、３２はリレーコイル、３３はリレー接点で、
他の抵抗、レベルクランプダイオード等とバイアス電圧
切換回路３を構成し、６２はバッファアンプ、６３は二
ンパレータ、６４はＯＲ回路、６５はＤタイプフリップ
フロップ回路、６６はフリップフロップ６５のＱ出力と
レーザＯＮ指令信号６７とを入力するＡＮＤ回路で、光
検出器であるＰＩＮフォトダイオード２の出力を適否識
別する識別回路６を構成する。
６３１．６３２はコンパレータ６３に基準電圧を入力す
る電源である。７はＡＰＣ等に出力するモニター出力回
路、６１１はＡＮＤ回路６６の出力するモニターダイオ
ード異常信号、１２は半導体レーザ１を変調して発振さ
せるＲＦ倍信号ある。
る電源である。７はＡＰＣ等に出力するモニター出力回
路、６１１はＡＮＤ回路６６の出力するモニターダイオ
ード異常信号、１２は半導体レーザ１を変調して発振さ
せるＲＦ倍信号ある。
第３図に本実施例の動作を説明する要部波形図を示す、
なお、図中一点鎖線は光検出器２が正常な場合、破線は
光検出器２がオープン不良の場合、実線は光検出器２が
ショート不良の場合の波形を示す、以下、第３図を参照
して本実施例の動作を説明する。先づ、電源が入ったと
き、フリップフロップ６５はＱ出力にＬレベル出力を生
じ出力信号６１はＬレベルとなりバイアス電圧切替回路
３のＮＰＮトランジスタ３１ｔ−ＯＦＦとし、接続する
ＮＰＮトランジスタ３４をＯＮ、ＰＮＰ）ランジスタ３
５をＯＮにする。その結果、光検出器２はＰＮＰ）ラン
ジスタ３５を介して順方向にバイアスされる（第３図、
３５１）、このため光検出器２はオープン不良である場
合には例えば２ｖ以りの高い出力電圧を、正常な場合に
は０．５Ｖ〜２ｖの範囲内の電圧を、ショート不良の場
合には０．５ｖ以下の低い出力電圧を発生しバッファア
ンプ６２に入力する。第３図、６２１はオープン不良、
６２２は正常、６２３はショート不良時のバッファアン
プ出力をそれぞれ示す。予め設定する基準電圧６３１，
６３２を入力するコンパレータ６３及びＯＲ回路６４よ
りなるウィンドコンパレータは、を記バッファアンプ６
２の出力レベルに応じて光検出器２が正常な場合Ｈレベ
ル出力、オープンないしショート不良の場合にはＬレベ
ル出力を発生しく第３図、６４１，６４２゜６４３）Ｄ
タイプフリップフロップ６５のＤ端子に入力する。この
状態において外部よりレーザを発振開始せよの旨のレー
ザＯＮ指令６７を受は該信号レベルがＨとなると（第３
図、６７１５フリツプフロツプ６５はそれまでＤ端子に
入力していたウィンドコンパレータ出力に応じて光検出
器が正常時にはＨレベル出力をＱ端子に出力する。
なお、図中一点鎖線は光検出器２が正常な場合、破線は
光検出器２がオープン不良の場合、実線は光検出器２が
ショート不良の場合の波形を示す、以下、第３図を参照
して本実施例の動作を説明する。先づ、電源が入ったと
き、フリップフロップ６５はＱ出力にＬレベル出力を生
じ出力信号６１はＬレベルとなりバイアス電圧切替回路
３のＮＰＮトランジスタ３１ｔ−ＯＦＦとし、接続する
ＮＰＮトランジスタ３４をＯＮ、ＰＮＰ）ランジスタ３
５をＯＮにする。その結果、光検出器２はＰＮＰ）ラン
ジスタ３５を介して順方向にバイアスされる（第３図、
３５１）、このため光検出器２はオープン不良である場
合には例えば２ｖ以りの高い出力電圧を、正常な場合に
は０．５Ｖ〜２ｖの範囲内の電圧を、ショート不良の場
合には０．５ｖ以下の低い出力電圧を発生しバッファア
ンプ６２に入力する。第３図、６２１はオープン不良、
６２２は正常、６２３はショート不良時のバッファアン
プ出力をそれぞれ示す。予め設定する基準電圧６３１，
６３２を入力するコンパレータ６３及びＯＲ回路６４よ
りなるウィンドコンパレータは、を記バッファアンプ６
２の出力レベルに応じて光検出器２が正常な場合Ｈレベ
ル出力、オープンないしショート不良の場合にはＬレベ
ル出力を発生しく第３図、６４１，６４２゜６４３）Ｄ
タイプフリップフロップ６５のＤ端子に入力する。この
状態において外部よりレーザを発振開始せよの旨のレー
ザＯＮ指令６７を受は該信号レベルがＨとなると（第３
図、６７１５フリツプフロツプ６５はそれまでＤ端子に
入力していたウィンドコンパレータ出力に応じて光検出
器が正常時にはＨレベル出力をＱ端子に出力する。
即ち正常時には出力信号６１はＨレベルとなる。
同時にＡＮＤ回路６６を介してＬ出力をモニターダイオ
ード異常信号６１１として出力する（第３図、６１２）
、従って前記Ｈレベル出力信号６１を受けたトランジス
タ３１はＯＮ、トランジスタ３４はＯＦＦ状態となり、
ＰＮＰ トランジスタ３５をＯＦＦ状態にする。その結
果光検出器２には逆方向バイアス電源５が逆バイアスを
印加し光 。
ード異常信号６１１として出力する（第３図、６１２）
、従って前記Ｈレベル出力信号６１を受けたトランジス
タ３１はＯＮ、トランジスタ３４はＯＦＦ状態となり、
ＰＮＰ トランジスタ３５をＯＦＦ状態にする。その結
果光検出器２には逆方向バイアス電源５が逆バイアスを
印加し光 。
検出しうる状態にさせるとともに前記トランジスタ３１
のコレクタ電流によりリレーコイル３２はリレー３３を
切換えて半導体レーザ駆動回路１１をアクティブ状態と
し、半導体レーザ２をＲＦ信号１２に応じてレーザ発振
させるものである。逆バイアスされた光検出器２は半導
体レーザｌの出力光量をモニターし、モニター出力回路
７を介してＡｒｃ制御をなす。
のコレクタ電流によりリレーコイル３２はリレー３３を
切換えて半導体レーザ駆動回路１１をアクティブ状態と
し、半導体レーザ２をＲＦ信号１２に応じてレーザ発振
させるものである。逆バイアスされた光検出器２は半導
体レーザｌの出力光量をモニターし、モニター出力回路
７を介してＡｒｃ制御をなす。
一方、光検出器２がオープン不良ないしショート不良の
場合にはＬレベル出力を７リツプフロツプ６５のＱ端子
に出力する。その結果、ＡＮＤ回路６６を介してモニタ
ーダイオード異常信号６１１はＨ出力を発生しく第３図
、６１３゜６１４）光検出器２が異常であることを外部
に知らせるものである。更に、前記Ｑ端子のＬレベル出
力はトランジスタ３１をＯＦＦとし、リレーコイル３２
に通じるコレクタ電流を減少しリレー３３を切換えて゛
衿導体レーザ駆動回路１１を動作ｆｆ１Ｔｈ状態とし、
半導体レーザ１の発光を抑止するので、不良状態のまま
光検出器２を介してＡＰＣが動作することもなくなる作
用をなすものである。なお、上記実施例はいづれも本発
明の一実施例としての回路構成を示したもので、光検出
器はＰＩＮフォトダイオードに限られることなく他の光
検出素子に置換でき、各ロジック等も、マイクロＣＰＵ
など他の演算手段に改変できるものである。
場合にはＬレベル出力を７リツプフロツプ６５のＱ端子
に出力する。その結果、ＡＮＤ回路６６を介してモニタ
ーダイオード異常信号６１１はＨ出力を発生しく第３図
、６１３゜６１４）光検出器２が異常であることを外部
に知らせるものである。更に、前記Ｑ端子のＬレベル出
力はトランジスタ３１をＯＦＦとし、リレーコイル３２
に通じるコレクタ電流を減少しリレー３３を切換えて゛
衿導体レーザ駆動回路１１を動作ｆｆ１Ｔｈ状態とし、
半導体レーザ１の発光を抑止するので、不良状態のまま
光検出器２を介してＡＰＣが動作することもなくなる作
用をなすものである。なお、上記実施例はいづれも本発
明の一実施例としての回路構成を示したもので、光検出
器はＰＩＮフォトダイオードに限られることなく他の光
検出素子に置換でき、各ロジック等も、マイクロＣＰＵ
など他の演算手段に改変できるものである。
［発明の効果］
Ｌ記の如く本発明では、レーザ光源の発光以前にレーザ
光量をモニターして光量安定化等を果す光検出器に順方
向バイアスを印加して光検出器の異常の有無を検出し、
万一、異常があるときは異常信号を発し、かつ、レーザ
発振を禁止するので、レーザ本体の過度な駆動を防止で
きるとともに、光検出器の異常をアラーム通報すること
もできるので故障の復帰時間を短縮する効果を奏するも
のである。
光量をモニターして光量安定化等を果す光検出器に順方
向バイアスを印加して光検出器の異常の有無を検出し、
万一、異常があるときは異常信号を発し、かつ、レーザ
発振を禁止するので、レーザ本体の過度な駆動を防止で
きるとともに、光検出器の異常をアラーム通報すること
もできるので故障の復帰時間を短縮する効果を奏するも
のである。
第１図は本発明の実施例を示す概略構成図、第２図は本
発明の他の実施例を示す回路構成図、第３図はその説明
用波形図である。 ｌ・・・半導体レーザ ２・・・光検出器 ３・・・バイアス電圧切換スイッチ ４・・・順方向バイアス電源 ５・・・逆方向バイアス電源 ６・・・識別回路 ７・・・モニター出力回路 １、半導体レーザ ２、光検出器 ３、バイアス電圧切換えスイッチ ４、順方向バイアス電源 ５、逆方向バイアス電源 ６、識別回路
発明の他の実施例を示す回路構成図、第３図はその説明
用波形図である。 ｌ・・・半導体レーザ ２・・・光検出器 ３・・・バイアス電圧切換スイッチ ４・・・順方向バイアス電源 ５・・・逆方向バイアス電源 ６・・・識別回路 ７・・・モニター出力回路 １、半導体レーザ ２、光検出器 ３、バイアス電圧切換えスイッチ ４、順方向バイアス電源 ５、逆方向バイアス電源 ６、識別回路
Claims (1)
- （１）少なくとも半導体レーザと、該レーザからの光束
の少なくとも一部を検出し電気信号を出力する光検出手
段と、該光検出手段の直流バイアスを順逆に切換える切
換手段と、順のバイアスを前記光検出手段に印加したと
きの該光検出手段の出力電圧を所定の基準電圧と比較し
適否を識別する識別回路とを備え、前記光検出手段に順
のバイアスを印加したときの出力電圧レベルを識別して
当該光検出手段が正常か否か検知し、正常のときにのみ
前記半導体レーザを駆動することを特徴とした半導体レ
ーザの駆動装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115579A JPS61274379A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| US06/863,698 US4713819A (en) | 1985-05-29 | 1986-05-15 | Semiconductor laser driver |
| DE19863617588 DE3617588A1 (de) | 1985-05-29 | 1986-05-24 | Pruefanordnung fuer die funktion eines photoelektrischen bauteils und halbleiter-treiberschaltung mit einem photoelektrischen bauteil |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115579A JPS61274379A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61274379A true JPS61274379A (ja) | 1986-12-04 |
Family
ID=14666075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60115579A Pending JPS61274379A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4713819A (ja) |
| JP (1) | JPS61274379A (ja) |
| DE (1) | DE3617588A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013229869A (ja) * | 2006-04-27 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP6062110B2 (ja) * | 2014-10-10 | 2017-01-18 | オリンパス株式会社 | 光源装置 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758819B2 (ja) * | 1987-09-25 | 1995-06-21 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ駆動装置 |
| EP0313383B1 (en) * | 1987-10-23 | 1994-06-08 | Fujitsu Limited | Apparatus and Method for Detecting Mode-Hopping in Semiconductor Lasers |
| US4774710A (en) * | 1988-01-07 | 1988-09-27 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for controlling a laser diode to generate a linear illuminative output |
| IT1216540B (it) * | 1988-03-29 | 1990-03-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Metodo e apparecchiatura per la misura del tempo di vita su giunzioni p_n a semiconduttore tramite effetto fotovoltaiico. |
| US5018152A (en) * | 1989-09-07 | 1991-05-21 | Spectra-Physics, Inc. | Apparatus for controlling pulse energy in a Q-switched laser system |
| US4989214A (en) * | 1990-05-11 | 1991-01-29 | Northern Telecom Limited | Laser diode, method for making device and method for monitoring performance of laser diode |
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