JPS59985A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動回路Info
- Publication number
- JPS59985A JPS59985A JP10931282A JP10931282A JPS59985A JP S59985 A JPS59985 A JP S59985A JP 10931282 A JP10931282 A JP 10931282A JP 10931282 A JP10931282 A JP 10931282A JP S59985 A JPS59985 A JP S59985A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- bias current
- semiconductor laser
- light
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信システムの光源として半導体レーザを用
いた時の半導体レーザ駆動回路に関するものである。
いた時の半導体レーザ駆動回路に関するものである。
光通信システムでは小形、高効率、高出力、高速応答性
等によル光源として半導体レーザが用いられるが、閾値
電流が温度によシ大きく左右され、光出力が不安定にな
る性質がある。このため従来、半導体レーザの光出力の
一部（以下モニタ光と呼ぶ）をフォトダイオード等の光
電変換素子によって検出し、この検出出力の変化をバイ
アス電流に負帰還する半導体レーザ駆動回路が知られて
いる。
等によル光源として半導体レーザが用いられるが、閾値
電流が温度によシ大きく左右され、光出力が不安定にな
る性質がある。このため従来、半導体レーザの光出力の
一部（以下モニタ光と呼ぶ）をフォトダイオード等の光
電変換素子によって検出し、この検出出力の変化をバイ
アス電流に負帰還する半導体レーザ駆動回路が知られて
いる。
この回路を第１図に示し、その動作を略述すると、端子
６よ少入力された電気信号はパルス駆動回路１で電圧−
電流変換され電流重畳回路２でバイアス電流と重畳され
る。この電流によクキ導体レーザ３を駆動して端子７に
光出力を得る。一方、端子３１よ多出力されるモニタ光
は光電変換素子４にて電流に変換される。この電流はバ
イアス電流制御回路５によって平均値検出またはピーク
値検出された後、基準電圧と比較され増幅され、バイア
ス電流を制御して光出力を一定に保つ。
６よ少入力された電気信号はパルス駆動回路１で電圧−
電流変換され電流重畳回路２でバイアス電流と重畳され
る。この電流によクキ導体レーザ３を駆動して端子７に
光出力を得る。一方、端子３１よ多出力されるモニタ光
は光電変換素子４にて電流に変換される。この電流はバ
イアス電流制御回路５によって平均値検出またはピーク
値検出された後、基準電圧と比較され増幅され、バイア
ス電流を制御して光出力を一定に保つ。
この回路は信号パルス電流が一定でアシ、バイアス電流
を制御して光出力の安定化を計っているため、温度が高
くなった場合あるいは半導体レーザが劣化した場合に半
導体レーザの閾値電流が増加し、信号パルス＠Ｏｎの時
の光出力が増大する。
を制御して光出力の安定化を計っているため、温度が高
くなった場合あるいは半導体レーザが劣化した場合に半
導体レーザの閾値電流が増加し、信号パルス＠Ｏｎの時
の光出力が増大する。
これは光受信器に対しては背影光の増大と等価であシ、
光受信器の受信特性を劣化させるため、同じ特性を得る
ためには光受信器の光入力パワーを余分に必要とする。
光受信器の受信特性を劣化させるため、同じ特性を得る
ためには光受信器の光入力パワーを余分に必要とする。
この余分に必要な光パワー（以後パワーペナルティと呼
ぶ）は１１”の時の光出力と智０”の時の光出力の比（
以後消光比と呼ぶ）によシ決まシ、消光比が低下するに
従い、パワーペナルティは増大する。
ぶ）は１１”の時の光出力と智０”の時の光出力の比（
以後消光比と呼ぶ）によシ決まシ、消光比が低下するに
従い、パワーペナルティは増大する。
光出力パルスの占有率が５０％で受光素子として過剰雑
音指数０．３のアバランシェフォトダイオードを使用し
た場合の消光比に対するパワーペナルティの例（Ｉｔ算
値）を第２図に示す。横軸は消光比であシ、消光比ｒは
次式に示される。
音指数０．３のアバランシェフォトダイオードを使用し
た場合の消光比に対するパワーペナルティの例（Ｉｔ算
値）を第２図に示す。横軸は消光比であシ、消光比ｒは
次式に示される。
１
ｒ ＝ １０ ｌｏｇ 〒７（ｄｓ）
ここでＰｌは碇１”のときの光出力であシ、ｐ。
は′０”のときの光出力である＠縦軸は消光比がωに対
する光受信器のパワーペナルティを示しており、本例で
は消光比が２０ ＋１８から１３ｄＢに低下するとｌ
ｄＢ程パワーペナルティが増大することになる。
する光受信器のパワーペナルティを示しており、本例で
は消光比が２０ ＋１８から１３ｄＢに低下するとｌ
ｄＢ程パワーペナルティが増大することになる。
本発明の目的は前述の如き従来の欠点を改善し、半導体
レーザ光出力の消光比低下による光受信器の受光特性劣
化を防ぐことのできる光出力安定化回路を提供すること
にある・ 本発明の半導体レーザ駆動回路は、信号パルス電流とバ
イアス電流との重畳電流にて半導体レーザを駆動する半
導体レーザ駆動回路において、前記半導体レーザからの
モニタ光を平均値検出またはピーク値検出し、光出力を
一定に保つようにバイアス電流を制御し、かつバイアス
電流を検出して、信号パルス電流を制御することを特徴
とする。
レーザ光出力の消光比低下による光受信器の受光特性劣
化を防ぐことのできる光出力安定化回路を提供すること
にある・ 本発明の半導体レーザ駆動回路は、信号パルス電流とバ
イアス電流との重畳電流にて半導体レーザを駆動する半
導体レーザ駆動回路において、前記半導体レーザからの
モニタ光を平均値検出またはピーク値検出し、光出力を
一定に保つようにバイアス電流を制御し、かつバイアス
電流を検出して、信号パルス電流を制御することを特徴
とする。
以下、実施例について詳細に説明する。
第３図は本発明の実施例のブロック図であり、ｌはパル
ス駆動回路、２は電流Ｎ受回路、３は半導体レーザ、４
Ｆｉ光電変換素子、５はバイアス電流制御回路、６は電
気信号入力端子、７は光信号出力端子、８は信号パルス
電流制御回路である。
ス駆動回路、２は電流Ｎ受回路、３は半導体レーザ、４
Ｆｉ光電変換素子、５はバイアス電流制御回路、６は電
気信号入力端子、７は光信号出力端子、８は信号パルス
電流制御回路である。
端子６に入力された電気信号はパルス駆動回路ｌで電圧
−電流変換され電流重畳回路２でバイアス電流と重畳さ
れる。この電流によシ半導体しニザ３を駆動して端子７
に光出力を得る。一方、端子３１よシ出力される半導体
レーザのモニタ光は光電変換素子４にて電流に変換され
る。この電流はバイアス電流制御回路５によって平均値
検出またはピーク値−すれた後、基準電、圧と比較され
増幅され、バイアス電流を制御する。もし端子３１に出
力されるモニタ光が大きければバイアス電流を減する方
向に、小さけれはバイアス電流を増加する方向に制御し
、半導体レーザの光出力を安定化する。またバイアス電
流は信号パルス電流制御回路８に加えられる。イｈ号パ
ルス電流制御回路８ではもしバイアス電流が増加すれは
信号パルス電流を増加する方向に、バイアス電流が減少
すれは信号パルス電流を減する方向に制御し消光比の低
下を防ぐ。
−電流変換され電流重畳回路２でバイアス電流と重畳さ
れる。この電流によシ半導体しニザ３を駆動して端子７
に光出力を得る。一方、端子３１よシ出力される半導体
レーザのモニタ光は光電変換素子４にて電流に変換され
る。この電流はバイアス電流制御回路５によって平均値
検出またはピーク値−すれた後、基準電、圧と比較され
増幅され、バイアス電流を制御する。もし端子３１に出
力されるモニタ光が大きければバイアス電流を減する方
向に、小さけれはバイアス電流を増加する方向に制御し
、半導体レーザの光出力を安定化する。またバイアス電
流は信号パルス電流制御回路８に加えられる。イｈ号パ
ルス電流制御回路８ではもしバイアス電流が増加すれは
信号パルス電流を増加する方向に、バイアス電流が減少
すれは信号パルス電流を減する方向に制御し消光比の低
下を防ぐ。
以上説明したように、本発明は半導体レーザの光出力を
一定に保ちつつ消光比の低下を防ぐものであるから、温
度が上昇した場合や半導体レーザが劣化した場合でも、
光受信器の受光特性を劣化させずに信号を伝送する仁と
が・できるものである。
一定に保ちつつ消光比の低下を防ぐものであるから、温
度が上昇した場合や半導体レーザが劣化した場合でも、
光受信器の受光特性を劣化させずに信号を伝送する仁と
が・できるものである。
第１図は従来の半導体レーザ駆動回路の例を示すブロッ
ク図、第２図は消光比に対する光受信器の特性劣化（パ
ワーペナルティ）の例（計算値）を示す特性図、第３図
は本発明による半導体レーザ駆動回路の実施例を示すブ
ロック図である。 １・・・・・・パルス駆動回路、２・・・・・・電流重
畳回路、３・・・・・・半導体レーザ、４・・・・・・
光電変換素子、５・・・・・・バイアス電流制御回路、
６・・・・・・電気信号入力端子、７・・・・・・光信
号出力端子、８・・・・・・信号パルス電流制御回路。 第１図 門 第２図 市 第３図 ４０１
ク図、第２図は消光比に対する光受信器の特性劣化（パ
ワーペナルティ）の例（計算値）を示す特性図、第３図
は本発明による半導体レーザ駆動回路の実施例を示すブ
ロック図である。 １・・・・・・パルス駆動回路、２・・・・・・電流重
畳回路、３・・・・・・半導体レーザ、４・・・・・・
光電変換素子、５・・・・・・バイアス電流制御回路、
６・・・・・・電気信号入力端子、７・・・・・・光信
号出力端子、８・・・・・・信号パルス電流制御回路。 第１図 門 第２図 市 第３図 ４０１
Claims (1)
- 信号パルス電流とバイアス電流との重畳電流にて半導体
レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路において、前記
半導体レーザからのモニタ光を平均値検出またはピーク
値検出し、光出力を一定に保つようにバイアス電流を制
御し、かつバイアス電流を検出して、信号パルス電流を
制御することを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10931282A JPS59985A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10931282A JPS59985A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59985A true JPS59985A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14507011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10931282A Pending JPS59985A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59985A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4713819A (en) * | 1985-05-29 | 1987-12-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor laser driver |
| US4772624A (en) * | 1985-01-23 | 1988-09-20 | The Regents Of The University Of California | 1,4-bis-substituted-2,6,7-trioxabicyclo(2.2.2)-octanes having ethynyl substituted phenyl group |
| US4942173A (en) * | 1986-03-12 | 1990-07-17 | The Regents Of The University Of California | Pesticidal compounds |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544581A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-13 | Agency Of Ind Science & Technol | Stabilizing control system of light output levels and light output waveforms of semiconductor laser |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10931282A patent/JPS59985A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544581A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-13 | Agency Of Ind Science & Technol | Stabilizing control system of light output levels and light output waveforms of semiconductor laser |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4772624A (en) * | 1985-01-23 | 1988-09-20 | The Regents Of The University Of California | 1,4-bis-substituted-2,6,7-trioxabicyclo(2.2.2)-octanes having ethynyl substituted phenyl group |
| US4713819A (en) * | 1985-05-29 | 1987-12-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor laser driver |
| US4942173A (en) * | 1986-03-12 | 1990-07-17 | The Regents Of The University Of California | Pesticidal compounds |
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