JPH01258237A - 半導体レーザ出力パワー制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は光磁気ディスク装置等に用いられる半導体レー
ザ出力パワー制御回路に関する。

（従来技術） 第３図は従来の半導体レーザ出力パワー制御回路を示す
、この半導体レーザ出力パワー制御回路では半導体レー
ザ１から後方へ出射された光のパワーが半導体レーザ１
のケース内に組み込まれたモニター用フォトダイオード
２により検出され、このフォトダイオード２の検出電流
が電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換器３により電圧に変換され
る。演算増幅器４．コンデンサ５及び抵抗６〜８からな
る回路は比較機能を有するローパスフィルタを構成し、
１１！流−電圧変換器３の出力電圧を基準電源９の目標
電圧Ｖ　ｒｅｆと比較してその比較結果の高周波成分を
除去する。この回路の出力信号は抵抗１０を通してトラ
ンジスタ１１のベースに加えられる。トランジスタ１１
及び抵抗１２は半導体レーザ駆動回路を構成していて半
導体レーザ１を駆動し、その駆動電流をトランジスタ１
１のベースに加えられた入力信号に応じて制御すること
によって、半導体レーザ１の出力パワーの平均値が目標
値になるように制御する。

しかしこのように構成された半導体レーザ出力パワー制
御回路にあっては例えば光学的情報記録再生装置に用い
られてその光学系が記録媒体からの戻り光が半導体レー
ザに戻らないように通常のＤ　ＲＡＷ（Ｄｉｒｅｃｔ　
Ｒｅａｄ　Ａｆｔｅｒ　Ｗｒｉｔｅ）方式の光学系に構
成されている場合には問題がないが、光磁気ディスク装
置のように記録媒体から半導体レーザへの戻り光が顕著
である光学系に用いられた場合には半導体レーザ１から
後方へ出射された光と記録媒体からの戻り光とがフォト
ダイオード２に入射するので、半導体レーザ１から前方
に出射される光のパワーが目標値より低くなってしまう
。また記録媒体の反射率が変動すると、記録媒体からの
戻り光の量も変動するので、半導体レーザ１の出力パワ
ー制御を正確に行うことができなくなるという不具合を
持つ。

そこで、上記不具合を解消するために、第３図の半導体
レーザ出力パワー制御回路においてフォトダイオード２
の代りに、半導体レーザ１から前方へ出射された光のパ
ワーを検出する検出器を光学系の中に設けて半導体レー
ザ１の出力パワーを制御することが考えられる。しかし
このようにすれば半導体レーザ１から上記検出器への光
路が遮断されることがあると、上記検出器の入射光がな
くなるので、上記検出器の検出光パワーが一定値になる
ように半導体レーザ１へより多くの電流を供給し、遂に
は半導体レーザ１へ過大な電流を供給して半導体レーザ
１を破壊させる恐れがある。

（目　的） 本発明は上記不具合をなくし、簡単な回路構成で半導体
レーザの出力パワー制御を安定に且つ安全に行うことが
できる半導体レーザ出力パワー制御回路を提供すること
を目的とする。

（構　成） 本発明は第１の検出手段と、制御回路と、第２の検出手
段と、検知回路とを具備している。

第１の検出手段は半導体レーザから前方に出射された光
のパワーを検出し、制御回路は第１の検出手段の出力信
号に基づいて半導体レーザの出力パワーを一定に制御す
る。第２の検出手段は半導体レーザから後方へ出射され
た光のパワーを検出し、検知回路は第２の検出手段の出
力信号によす半導体レーザの異常発光を検知して半導体
レーザを保護させる。

以下図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の実施例の概略を示す。

この実施例は例えば記録媒体から半導体レーザへの戻り
光が顕著である光磁気ディスク装置に用いられる。半導
体レーザ２１から前方に出射された光はカップリングレ
ンズ２２を通って平行光となり、ハーフミラ−プリズム
２３で一部が反射されて対物レンズ２４を介して光磁気
ディスクからなる記録媒体２５に照射されると共に、一
部がハーフミラ−プリズム２３を通過して前方出射光検
出用光検出器２６に入射してそのパワーが検出される。

記録媒体２５からの反射光は対物レンズ２４、ハーフミ
ラ−プリズム２３を通して信号検出器２０で検出される
。また光検出器２６の検出電流は検出回路２７を通って
電圧に変換され、制御回路２８により電源２９の制御目
標電圧Ｖ　ｒｅｆ　１と比較されてその誤差電圧が得ら
れる。電力増幅器３０は半導体レーザ２１を駆動し、そ
の駆動電流を制御回路２８からの誤差電圧に応じて制御
することによって半導体レーザ２１の出力パワーの平均
値を目標値になるように制御する。また半導体レーザ２
１のケース内に組み込まれたモニター用フォトダイオー
ドからなる後方出射光検出用光検出器３１は半導体レー
ザ２１から後方に出射された光のパワーを検出し、この
光検出器３１の検出電流が検出回路３２により電圧に変
換されてレベル比較器３３により電源３４の基準電圧Ｖ
ｒｅｆ２と比較される。半導体レーザ２１の異常発光が
発生して検出回路３２の出力電圧が基準電圧Ｖｒｅｆ２
を超えると、レベル比較器３３から出力信号が外部のシ
ステムコントローラへ出力されることにより半導体レー
ザ２１の異常発光が報告され、同時にレベル比較器３３
の出力信号により制御回路２８が半導体レーザ２１の駆
動電流が零となるように動作する。すなわち半導体レー
ザ２１の出力パワー制御は前方出射光検出用光検出器２
６を用いて行い、光路遮断等の事故に対しては後方出射
光検出用光検出器３１を用いて半導体レーザ２１の異常
発光を検知することで半導体レーザ２１の破壊を防ぐ。

第２図は上記実施例を具体的に示す。

前方出射光検出用光検出器２６の検出電流は電流−電圧
（Ｉ−Ｖ）変換器２７により電流−電圧変換がなされ、
演算増幅器３５及び抵抗３６〜３８からなる比較回路で
半導体レーザ２１の出力パワーの目標値に相当する電源
２９の目標電圧Ｖｒｅｆｌと比較されてその誤差電圧が
抵抗３９及びスイッチ４０を介してトランジスタ４１の
ベースに加えられる。ここでスイッチ４０は半導体レー
ザ２１の出力パワーが正常な時には半導体レーザ２１の
出力パワーを制御する制御回路が閉ループとなるように
可動接片が固定接点１に切り換えられている。トランジ
スタ４１及び抵抗４２は電力増幅器３０を構成していて
半導体レーザ２１を駆動し、トランジスタ４１のベース
に入力された信号に応じて半導体レーザ２１の駆動電流
を制御することによって、半導体レーザ２１の出力パワ
ーの平均値を目標値になるように制御する。また後方出
射光検品用光検出器３１の検出電流は電流−電圧（Ｉ−
Ｖ）変換器３２により電流−電圧変換がなされ、レベル
比較器３３で半導体レーザ２１の出力パワーの上限値に
相当する電源３４の電圧Ｖｒｅｆ２と比較される。半導
体レーザ２１の異常発光が発生した場合にはレベル比較
器３３から出力信号が出力され、この信号によりスイッ
チ４ｏの可動接片が固定接点２に切り換えられてトラン
ジスタ４１がオフとなり、半導体レーザ２１は駆動電流
が供給されなくなる。同時にレベル比較器３３の出力信
号が外部のシステムコントローラへ出力されることによ
り半導体レーザ２１の異常発光が報告される。このよう
な構成により、戻り光があっても半導体レーザ２１の出
力パワーを正確に、しかも安全に制御することができる
。

（効　果） 以上のように本発明によれば半導体レーザから前方に出
射された光のパワーを検出する第１の検出手段と、この
第１の検出手段の出力信号に基づいて前記半導体レーザ
の出力パワーを一定に制御する制御回路と、前記半導体
レーザから後方へ出射された光のパワーを検出する第２
の検出手段と、この第２の検出手段の出力信号により前
記半導体レーザの異常発光を検知して前記半導体レーザ
を保護させる検知回路とを具備するので、簡単な回路構
成で、半導体レーザに戻り光が戻っても半導体レーザの
出力パワー制御を安定に且つ安全に行うことができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例の概略を示すブロック図、第
２図は同実施例を具体的に示す回路図、第３図は従来の
半導体レーザ出力パワー制御回路を示す回路図である。 ２６．３１・・・検出手段、２８・・・制御回路、３３
・・・検知手段。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体レーザから前方に出射された光のパワーを検出す
   る第１の検出手段と、この第１の検出手段の出力信号に
   基づいて前記半導体レーザの出力パワーを一定に制御す
   る制御回路と、前記半導体レーザから後方へ出射された
   光のパワーを検出する第２の検出手段と、この第２の検
   出手段の出力信号により前記半導体レーザの異常発光を
   検知して前記半導体レーザを保護させる検知回路とを具
   備したことを特徴とする半導体レーザ出力パワー制御回
   路。