JP2008169106A - ドープされた上壁部を有するルツボ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】長時間の加熱においてもメルトライン下の壁が亀裂を生じない溶融ガラスルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融ガラスルツボは、ルツボ２２の最上面及び最外面を画定するアルミニウムでドープされたシリカ３４のカラーを含む。ルツボ内の溶融シリコンの表面を画定するメルトラインは、ほぼカラーの下端にあるか、又はカラーよりもわずかに上方に位置することができる。カラーの結晶化によりカラーが硬質化し、したがって、メルトラインの上方のルツボの残りの結晶化されていない部分を支持する。メルトラインはまた、特に融液がプロセスの初期の段階で引き出される、すなわち注がれる場合にカラーの下端よりも下方にあることができる。カラー及び融液がほとんど重ならないか又は全く重ならないため、或いは長くは重ならないため、アルミニウムでドープされたカラーが融液からの熱によって損傷しない。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリカルツボの分野に関し、より詳細には、壁に形成されたドープ層を有するシリカルツボに関する。

チョクラルスキー（ＣＺ）法は、単結晶シリコンのインゴットを製造する技術分野では既知であり、この方法により半導体産業で使用されるシリコンウェーハが製造される。

ＣＺ法では、金属シリコンは、サスセプタの中に収められたシリカガラスルツボに充填される。次に、この充填物がサスセプタを囲むヒーターによって加熱され、充填されているシリコンを溶融する。シリコン単結晶は、シリコンの溶融点付近でシリコン融液から引き上げられる。

ＣＺ法に加えて、溶融シリカルツボは金属シリコンを溶融するのに用いられ、その後、この溶融したシリコンをルツボ内に形成されたノズルからモールド内に注ぎ、多結晶シリコンインゴットを作製する。この多結晶シリコンインゴットは太陽電池を製造するのに用いられる。ＣＺルツボの場合と同様に、ヒーターがルツボを保持するサスセプタを囲む。

溶融ガラスルツボがこのように用いられる場合、ルツボ中の金属シリコンは、ヒーターによりサスセプタ及びルツボを通して放射熱が伝達される結果として、少なくとも部分的に溶融する。放射熱は、融点が約１４１０度であるルツボ内のシリコンは溶融するが、ルツボは溶融しない。しかし、ルツボ内のシリコンが溶融すると、熱伝導により溶融シリコンの表面下のルツボ内面が溶融シリコンと同じ温度まで加熱される。これはルツボ壁を変形させるのに十分熱く、ルツボ壁は融液の重みによってサスセプタの方へ押される。

溶融シリコンの表面とルツボ壁との交差点がメルトラインである。メルトラインの上方の壁は融液の重みによってサスセプタの方へ押されない、すなわち独立して立っているため、変形する可能性がある。シリコンを溶融し、且つこれを溶融状態に保つ一方で、メルトライン上の壁がたるむか、屈曲するか、又は別様に変形しないように熱を制御するのは困難である。熱の正確な制御を維持することはＣＺ法、したがってシリコンインゴットのスループットを低下させる。

外層にドープしたシリカを用いて溶融ルツボを形成することは当該技術分野で既知である。シリカをドープするために用いられる元素は、ルツボが加熱された時に結晶化を促すもの、例えばアルミニウムである。結晶化したシリカは溶融ガラスよりもはるかに強固であり、ＣＺ法又は同様の方法で用いられる種類の炉で加熱されても変形しない。

このような１つの既知の手法は、５０ｐｐｍ〜１２０ｐｐｍの範囲のアルミニウムでルツボの外層をドープする。ＣＺ法の長時間処理における比較的早い時期に、アルミニウムをドープする結果として外壁が結晶化される。結晶化部分はルツボの残りの部分よりも剛性であり、したがってメルトライン上の上壁を支持する。

この従来方法においては、ドーピングレベルによって少なくとも２種類の問題を生じる。第１に、ドーピングレベルは、メルトライン上の上壁を支持する剛性の外壁を作製するように十分高くなければならない。ドーピングレベルが低すぎる場合、壁はドープされていないルツボと同様に変形することになる。しかし、ドーピングレベルが上壁を支持するのに十分に高い場合、メルトライン下の壁部分はＣＺ法処理の間に非常に高い熱を受けることになる。これがメルトライン下の非常に厚い結晶層を形成する。長時間の加熱及び厚い結晶層の結果として、メルトライン下の壁は亀裂を生じる可能性がある。

溶融ガラスルツボを作成するシステムを図１において全体的に１０で示す。当該システムは、縦軸１４を中心に回転可能なルツボモールド１２を含む。モールド１２は、図から分かるようにほぼ水平の面１４を有し、この上にルツボの底部が形成される。モールドはまた、ほぼ直立の面１６を有し、これに当接するようにルツボの壁部分が形成される。図１では、システム１０は、下端にノズルを有するタイプのルツボを形成するように構成される。このために、グラファイトプラグ１８がモールドの下端に位置して、ルツボが溶融された後にルツボに取り付けられるノズル（図示せず）と連通する通路を形成する。このようなノズルを有するルツボを製造するための詳細については、２００５年１１月９日に出願された、ノズルを備えたシリカ容器及びその製造方法についての米国特許出願第１１／２７１，４９１号が参照される。当該出願は全ての目的のために参照により本明細書に援用される。

システム１０は、バルク粒子ホッパ２０及びドープされた粒子ホッパ２２を含む。各ホッパからの粒子の流れは、調整弁２４、２６によってそれぞれ制御される。供給チューブ２８は、弁２４、２６の設定の仕方に応じて片方又は両方のホッパからシリカ粒子の流れをモールド１２内に導入する。供給チューブ２８はモールド１２に出入りするように垂直方向に可動である。これにより、さらに説明するように、粒子を直立の面１６及びほぼ水平の面１４上に選択的に堆積させることが容易になる。ヘラ３０もまた垂直方向に可動であり、さらに、モールド１２が回転するとモールド１２内で粒子を成形するように水平方向に可動である。

ここで、システム１０を用いてルツボを製造する方法を考察する。まず、ホッパ２０にバルクシリカ粒子３２を充填する。そしてホッパ２２にはアルミニウムをドープしたシリカ粒子３４を充填する。シリカ粒子３４は、約８５ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲のアルミニウムをドープすることができる。

次に、モールド１２を約１００ｒｐｍの速度で回転させ、供給チューブ２８を図１に示すように位置付け、弁２６を開いてモールド１２の内周面に帯又はカラー３６の状態にドープされた粒子３４を堆積し始める。供給チューブは垂直方向に動き、ドープされた粒子を図示のように堆積する。回転速度は、カラー３６のドープされた粒子をほぼ直立の面１６の所定レベルの上方に保つ速さである。回転速度が遅すぎる場合、ドープされた粒子がモールドの下部に落下し、これは望ましくない。本実施形態では、カラー３６の半径方向外面は、ルツボ壁の最上部の最外部分を含む。カラーを形成するドープされた粒子は、ヘラ３０の位置により画定される（モールド１２の半径方向軸に沿って測定した）幅を有する層に堆積される。この厚さは、完全に形成されたルツボで約０．７ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲を有している。図から分かるように、溶融されないシリカ粒子の最外層が存在する。これにより、モールドが燃焼するのを防ぎ、ルツボをモールドから取り出しやすくする。この溶融されない粒子の厚さは、最終製品で０．７ｍｍ〜２．０ｍｍの厚さを提供するように考慮されなければならない。

カラー３６を上述したように形成した後、弁２６を閉じ、図２に示すように弁２４を開く。さらに、モールド１２の回転速度を７５ｒｐｍに低減する。これによりバルク粒子３２のいくらかがモールド１２の下部に落下する。バルクシリカ粒子がホッパ２０から供給チューブ２８を通して供給される際に供給チューブは垂直方向に動き、図示されるようにバルク粒子シリカの層３８によりモールドの側部及び底部を覆う。ヘラ３０はバルク粒子層をルツボの形に成形する。図から分かるように、層３８はカラー３６のほぼ全てを覆う。グラファイトプラグ１８が層３８にプラグの形状の開口を画定する。

図３を参照すると、シリカ粒子ルツボが図２に示されるようにモールド１２に画定された後、ヘラ３０及び供給チューブ２８は後退する。電極４０、４２はモールド１２の内部に出入りするように垂直方向に可動である。電極はＤＣ電源４６に取り付けられ、該ＤＣ電源４６は約３００ＫＶＡ〜１２００ＫＶＡの選択可能な範囲で電極に電力を印加することができる。十分な電力が電極に供給されると、非常に高温のプラズマボールが電極の周りに形成される。このように生成された熱はシリカ粒子を溶融する溶融前線を作り出し、この溶融前線は形成されたルツボの内面で始まり外面に進行する。この溶融前線は層３８及びドープされたシリカ粒子のカラー３６のほとんどを溶融する。しかし、この溶融前線は、バルクシリカ粒子３８及びドープされたシリカ粒子３６の両方を含む粒子の最外の溶融されない層４９を溶融する前に、電極４０、４２への電力の印加を止めることにより停止する。前述したように、モールド１２に堆積される粒子の深さは、この溶融されない層４９を考慮しなければならず、それにより溶融されかつドープされた粒子３６の深さが、図４に示すように０．７ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲になるようにする。モールド１２から取り出され、且つグラファイトプラグ１８を取り除いた後の、単体の溶融されたガラスルツボ５０が図４に示される。

ルツボ５０の上部を切り取ることによって、平坦な上部リム５２が形成される。これにより所定の高さのルツボが提供され、また、平坦な上部リムも提供される。図４から分かるように、カラー３６がルツボ５０の最外部及び最上部を提供している。上部が切り取られると、本実施形態では、カラー３６はリム５２から下方向に約５０ｍｍ延びる。しかしながら、カラー３６はルツボのさらに下まで、下方向に２／３又は１／３程度に延びるように形成されることにより、より高いカラーを提供することができる。簡単にいえば、より短いカラーが好ましい。

ここで図５を参照すると、ＣＺ法で使用されているルツボが全体的に５４で示される。ルツボ５４はルツボ５０とほぼ同じように製造されるが、ただし、下部に開口を有しない。これは単純に、連続的な平滑な下面を有し、且つプラグ１８のようなグラファイトプラグを使用しないモールドを使用することによって達成される。ルツボ５４は、アルミニウムドープされたカラー５６を含み、このカラーはルツボ５０と関連して上述したように形成される。ルツボ５０と同様に、ルツボ５４はその長手方向軸に対して直角な平面に沿って切り取られている。これによりほぼ平坦なリム５８が形成される。

ルツボ５４は炉（図示せず）内のサスセプタ６０内に支持されている。サスセプタはヒーター６２に囲まれている。ルツボ５４には、金属シリコンが充填されている。この金属シリコンは炉内のヒーター６２によって生成される熱に反応して溶融しており、ここでは融液６４と称されている。単結晶シリコンの種結晶６１がホルダ６３によって保持され、ホルダ６３はＣＺ法により溶融シリコンから種結晶６１をゆっくりと引き出す。結晶インゴット６５が、やはりＣＺ法によって種結晶６１の下端に形成される。メルトライン６６がルツボ５４の内周面に画定される。メルトラインはインゴット６５が形成されるにつれて徐々に下降し、インゴット６５は融液６４から引き上げられる。

融液６４は温度が約摂氏１４００度である。その結果、メルトライン下のルツボ５４の表面もまたその温度である。融液からの熱がメルトライン６６下のルツボを非常に軟らかくしても、融液の重さによりルツボがサスセプタ６０の方に押され、それによりメルトライン６６下のルツボ５４のいかなる変形も防止される。金属シリコンが溶融すると、カラー５６の内部のアルミニウムドープされたシリコンの作用により熱はカラー内のルツボ５４を結晶化し始める。結晶化されたルツボの部分は硬化する。これによりルツボの周りには比較的硬質の結晶リング又はカラーが形成され、結晶化されていないルツボ壁の部分を安定させる。換言すると、メルトライン６６がルツボの底部まで下降した場合でも、上記した硬質のカラーによりメルトライン上のより軟質の結晶化されていない壁が崩れるか又は別様に変形するのが防止される。

最後に、使用中のルツボ５０が図６に示される。ここでもまたルツボはサスセプタ６８内に支持されている。同様に、ヒーター７０は、炉（図示せず）内に収容されている図６に示す構造の全てと共にサスセプタ６８を囲む。シリコン融液７２は炉内のヒーター７０によって金属シリコンを加熱することによりルツボ５０内の金属シリコンを溶融することによって形成される。グラファイトプラグ１８を用いて形成されるルツボ５０の下部のノズル７４は、シリコンを溶融している間は塞がれている。融液７２が完全に溶融されると、プラグが取り除かれ、融液は、図に示すように、太陽電池を製造するのに用いられるモールド（図示せず）内にノズル７４を通して注がれる。

図５のルツボと同様に、図６のルツボ壁は、カラー３６がＣＺ法において早期に結晶化し始める際に結晶リングが形成される結果として支持される。その結果、ルツボ壁はメルトラインの上方で支持される。

カラー３６、５６のようなアルミニウムでドープされたカラーを形成することができ、カラーの下部は、ルツボが使用される際にほぼメルトラインにあるか又はメルトラインよりもわずかに上方に存在するようになる。或いは、少なくともＣＺ法の開始時には、カラーはメルトラインよりもわずかに下方にあってもよい。カラーの下端は、メルトラインからルツボの高さの約５％未満に位置するのがよい。

以下の実施例により本発明の利点を明らかにする。

（実施例Ａ）
ルツボ５０と同様のルツボが、高さが４００ｍｍ、内径が２７０ｍｍ、及び肉厚が１０ｍｍを有するように形成された。この実施例では、ルツボは１００ｐｐｍのアルミニウムでドープされて、リム５２から下方に１５０ｍｍ延びるカラー３６と同様のカラーを形成した。カラーは厚さが１．４ｍｍであり、図に示すようにルツボの最外面及び最上面を画定する。１２０ｋｇの金属シリコンの充填物が充填され、１２０時間の間ルツボ内で問題なく保持された。

(実施例Ｂ)
ルツボ５０と同様のルツボが、高さが４００ｍｍ、内径が２７０ｍｍ、及び肉厚が１０ｍｍを有するように形成された。実施例Ｂでは、ルツボは５００ｐｐｍのアルミニウムでドープされ、リム５２から下方に５０ｍｍ延びるカラー３６と同様のカラーを形成した。カラーは厚さが１．６ｍｍであり、図に示すようにルツボの最外面及び最上面を画定する。１２０ｋｇの金属シリコンの充填物が充填され、１２０時間の間ルツボ内で問題なく保持された。

(実施例Ｃ)
ルツボ５０と同様のルツボが、高さが４００ｍｍ、内径が２７０ｍｍ、及び肉厚が１０ｍｍを有するように形成された。この実施例では、ルツボは１００ｐｐｍのアルミニウムでドープされ、リム５２から下方に３１０ｍｍ延びるカラー３６と同様のカラーを形成した。当該カラーは、実質的にルツボのほぼ直立の外壁の全てであった。カラーは、図に示すようにルツボの最外面及び最上面を画定する。１２０ｋｇの金属シリコンの充填物がルツボ内に充填された。この実施例では、融液は実質的にカラーと重なる。言い換えると、メルトラインは実質的にカラーの下縁部の上方にあった。融液を５０時間保持した後、ルツボはほぼ直立の壁部分とほぼ水平の底部との間に亀裂を生じた。この亀裂は、ドープされた、つまり結晶化されたカラーに近接している融液に起因する。

実施例はそれぞれドーパントとしてアルミニウムを用いるが、本発明は結晶化を促進する任意のドーパント、たとえばバリウムを用いて実施することができるものである。

図から分かるように、ドープされた部分と融液とが重ならない場合、又はわずかしか重ならない場合、従来技術の全体にドープされたルツボの外壁に関連する問題を回避することができる。さらに、当該方法における使用態様、すなわちルツボに充填するシリコンの量及び融液を引き出す早さが既知である場合、当該方法工程の初期の段階で、ルツボに損傷を与えない程度のほんの数時間、カラー及び融液が重なるようにルツボを設計することができる。その結果、当該方法工程の初期の段階で融液及びドープされたカラーが重なっている場合でも、従来技術に関連する問題を回避することができる。

本発明を好ましい形態で開示したが、本明細書に開示及び説明される本発明の特定の実施形態は、限定する意味で考慮されるべきではない。実際には、本発明は多くの方法で変更することができることを当業者は本明細書を鑑みて容易に理解するであろう。発明者は、本発明の主題を本明細書に開示される種々の要素、特徴、機能及び／又は特性の組み合わせ（コンビネーション）及び部分的組合せ（サブコンビネーション）の全てを含むものと考える。

下端に炉を有するタイプのルツボを形成する連続する段階の１つの段階を示す、モールドの極めて概略的な側部断面図である。 下端に炉を有するタイプのルツボを形成する連続する段階の１つの段階を示す、モールドの極めて概略的な側部断面図である。 下端に炉を有するタイプのルツボを形成する連続する段階の１つの段階を示す、モールドの極めて概略的な側部断面図である。 図１〜図３に従って形成された一つのルツボの断面図である。 ＣＺ法に使用される本発明により形成された他のルツボの断面図である。 太陽電池を作製する方法に使用される図４のルツボの断面図である。

Claims (26)

1. 溶融ガラスルツボを製造する方法であって、
   前記ルツボの底部を形成するほぼ水平の面、及び該ルツボの壁部分を形成するほぼ直立の面を有するルツボモールドを回転させること、
   ドープされたシリカ粒子を前記回転するルツボモールドの前記直立の面の上部に堆積すること、
   バルクシリカ粒子を前記直立の面の下部及び前記ドープされたシリカ粒子上に堆積すること、
   前記バルクシリカ粒子を前記モールドの前記ほぼ水平の面に堆積して前記ルツボの底部を形成すること、及び
   前記粒子のほぼ全てを溶融すること、
   を含む、溶融ガラスルツボを製造する方法。
2. 前記バルクシリカ粒子が前記ドープされたシリカ粒子の上方の前記直立の面に堆積するのを防ぐことをさらに含む、請求項１に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
3. 前記直立の面の上部に前記ドープされたシリカ粒子を堆積することは、アルミニウムでドープされたシリカ粒子を堆積することを含む、請求項１に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
4. 前記アルミニウムでドープされたシリカ粒子を堆積することは、約８５ｐｐｍ〜５００ｐｐｍのアルミニウムでドープされたシリカ粒子を堆積することを含む、請求項３に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
5. 前記溶融ガラスルツボの最上部を切り取ることをさらに含み、かつ前記回転するルツボモールドの前記直立の面の上部に前記ドープされたシリカを堆積することは、該直立の面上に該ドープされたシリカ粒子を堆積することであって、それによって、前記ルツボのリムから前記ルツボの壁部分の約２／３を超えるレベルまで下方へ延びる、前記切り取られたルツボのドープされた外層を形成することを含む、請求項１に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
6. 前記切り取られたルツボの前記ドープされた外層は、前記ルツボのリムから前記ルツボの壁部分の約１／３のレベルまで下方へ延びる、請求項５に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
7. 前記溶融ガラスルツボの最上部を切り取ることをさらに含み、かつ前記回転するルツボモールドの前記直立の面の上部に前記ドープされたシリカ粒子を堆積することは、該直立の面上に該ドープされたシリカ粒子を堆積することであって、それによって、前記ルツボのリムから前記ルツボの壁部分を下方へ約５０ｍｍ延びかつ前記切り取られたルツボのドープされた外層を形成することを含む、請求項１に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
8. 前記回転するルツボモールドの前記直立の面の上部に前記ドープされたシリカ粒子を堆積することは、該ドープされたシリカ粒子を約０．７ｍｍ〜２．０ｍｍの深さまで堆積することを含む、請求項１に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
9. 前記ルツボは、溶融シリコンの上面と該ルツボの壁部分とが接触する部分によって画定されるメルトラインのレベルまで溶融シリコンを保持するのに使用され、前記方法は、
   前記溶融ガラスルツボの最上部を切り取ること
   をさらに含み、前記回転するルツボモールドの前記直立の面の上部に前記ドープされたシリカ粒子を堆積することは、該直立の面上に該ドープされたシリカ粒子を堆積することであって、それによって、前記切り取られたルツボのリムから実質的に前記メルトラインまで前記ルツボの壁部分を下方に延びる、前記ルツボ上のドープされた外層を形成することを含む、請求項１に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
10. 前記切り取られたルツボ上の前記ドープされた外層は、前記ルツボのリムから前記メルトラインのわずかに下のレベルまで前記ルツボの壁部分を下方へ延びる、請求項９に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
11. 前記切り取られたルツボの前記ドープされた外層は、前記ルツボのリムから前記メルトラインから前記ルツボの高さの約５％未満のレベルまで前記ルツボの壁部分を下方へ延びる、請求項１０に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
12. 前記切り取られたルツボの前記ドープされた外層は、前記ルツボのリムから前記メルトラインのわずかに上のレベルまで前記ルツボの壁部分を下方へ延びる、請求項９に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
13. 溶融ガラスルツボを製造する方法であって、
    ドープされたシリカ粒子の層を堆積することであって、それによって、ルツボ壁の上部の外側部分を画定するカラーを形成すること、
    前記カラー上にバルクシリカ粒子の層を堆積することであって、それによって、前記ルツボ壁の残りの部分を形成すること、
    前記バルクシリカ粒子の層を堆積することであって、それによって、前記ルツボの底部を形成すること、及び
    前記シリカ粒子のほぼ全てを溶融すること
    を含む、溶融ガラスルツボを製造する方法。
14. 前記ルツボ壁の前記上部の外側部分を画定する前記カラーを形成するように前記ドープされたシリカ粒子の層を堆積することが、前記ルツボ壁の最外部を形成するように該ドープされたシリカ粒子の層を堆積することを含む、請求項１３に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
15. 前記ルツボ壁の上部の外側部分を画定する前記カラーを形成するように前記ドープされたシリカ粒子の層を堆積することが、前記ルツボ壁の最上部を形成するように該ドープされたシリカ粒子の層を堆積することを含む、請求項１４に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
16. 前記ルツボが使用される際に、ＣＺ法の初期段階において結晶化を促進するドーパントを用いて前記ドープされたシリカ粒子をドープすることをさらに含む、請求項１３に記載の溶融ガラスルツボを製造する方法。
17. 溶融ガラスルツボであって、
    溶融バルクシリカ粒子から形成されるほぼ直立の、実質的に円筒形のつるぼ壁と、
    前記溶融バルクシリカ粒子から形成されるほぼ水平のルツボの底部であって、前記ルツボ壁の下端と接合される、ほぼ水平のルツボの底部と、
    前記壁に含まれる、ドープされた溶融シリカ粒子から形成されるほぼ円筒形のカラーであって、該壁の上部に位置する、ほぼ円筒形のカラーと、
    前記ドープされたシリカ粒子がない、前記カラーと前記底部との間に延びる前記壁の下側部分と、
    を有する、溶融ガラスルツボ。
18. 前記カラーは前記壁の最外部に含まれる、請求項１７に記載の溶融ガラスルツボ。
19. 前記カラーは前記壁の最上部に含まれる、請求項１８に記載の溶融ガラスルツボ。
20. 前記カラーは約５０ｍｍの高さを有する、請求項１９に記載の溶融ガラスルツボ。
21. 前記カラーは前記ルツボのリムから下方へ前記壁の約２／３を延びる、請求項１７に記載の溶融ガラスルツボ。
22. 前記カラーは前記ルツボの前記リムから下方へ前記壁の約１／３を延びる、請求項１７に記載の溶融ガラスルツボ。
23. 前記ドープされたシリカ粒子は、アルミニウムでドープされたシリカ粒子を含む、請求項１７に記載の溶融ガラスルツボ。
24. 前記ドープされたシリカ粒子は、約８５ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲のアルミニウムでドープされる、請求項２３に記載の溶融ガラスルツボ。
25. 前記カラーは約０．７ｍｍ〜約２．０ｍｍの半径方向深さを有する、請求項１７に記載の溶融ガラスルツボ。
26. 前記カラーは約５０ｍｍの高さを有する、請求項２５に記載の溶融ガラスルツボ。

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