JP5167942B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)CZ法により初期チャージされたシリコン原料を溶解し、さらに目標の充填量を満たすまで追加チャージされたシリコン原料を溶解して、石英ルツボ内に融液を形成したのちシリコン単結晶を製造する方法であって、前記石英ルツボに目標の充填量の2/5〜1/2の重量のシリコン原料を初期チャージし、この初期チャージされたシリコン原料の溶解時間を、目標の充填量を溶解する全溶解時間の1/3〜1/2にすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。
(2)上記(1)のシリコン単結晶の製造方法は、直径が300mm以上となる大口径のシリコン単結晶の引上げに最適な方法である。
3:融液面、 4:石英ルツボ
4a:黒鉛ルツボ
5:シリコン単結晶、 6:ヒーター
7:断熱材、 8:メインチャンバー
9:プルチャンバー、 10:トップチャンバー
11:支持軸、 12:引上げワイヤー
13:巻取り部、 14:種結晶
Claims (2)
- チョクラルスキー法により初期チャージされたシリコン原料を溶解し、さらに目標の充填量を満たすまで追加チャージされたシリコン原料を溶解して、石英ルツボ内に融液を形成したのちシリコン単結晶を製造する方法であって、
前記石英ルツボに目標の充填量の2/5〜1/2の重量のシリコン原料を初期チャージし、この初期チャージされたシリコン原料の溶解時間を、目標の充填量を溶解する全溶解時間の1/3〜1/2にすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 直径が300mm以上となる大口径のシリコン単結晶を引き上げることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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