KR20220161166A - 실리콘 잉곳 제조장치 - Google Patents
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Abstract
실리콘 용탕이 위치하는 도가니; 일단부에 단결정 시드를 구비하는 시드 와이어; 상기 시드 와이어를 이동시키는 인상수단; 상기 도가니, 시드 와이어, 인상수단을 수용하는 챔버; 및 상기 챔버의 내측면에 근접하여 하단부가 위치하고, 수직 단면이 ∩형인 가스 쉴드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치를 제공한다.
Description
본 발명은 실리콘 잉곳 제조장치에 대한 것으로, 불활성 기체의 유입으로 인한 시드 와이어의 떨림과, 도가니의 변형으로 인한 실리콘 용탕의 계면 유동을 방지하고, 실리콘 용탕 내부에 잔존하는 기포를 제거하여 단결정 실리콘의 품질을 향상시킬 수 있는 실리콘 잉곳 제조장치에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼의 제조를 위해서는 단결정 실리콘을 잉곳(ingot)의 형태로 성장시켜야 하는데, 단결정 실리콘 잉곳 성장의 대표적인 방법이 초크랄스키(Czochralski; CZ)법이라 할 수 있다.
초크랄스키법으로 실리콘 단결정 잉곳을 생산하는 과정에 있어서, 챔버 내의 압력을 조절하고 챔버 내의 불순물을 외부로 배출하기 위하여, 챔버 내부로 아르곤(Ar)과 같은 불활성 기체을 유입시키게 된다. 유입되는 불황성 기체의 유량은 챔버 내의 압력을 결정하는 중요한 요소이고, 챔버 내부의 기체 유동을 변화시킴으로 인해 챔버 내의 온도분포에도 영향을 미치게 된다.
이를 효과적으로 개선하기 위하여 한국등록특허 제10-0894295호에서는 '유량 컨트롤러를 통해 상기 불활성 기체가 유입되지 않도록 상기 유량 컨트롤러가 제어되며, 상기 밸브는 개방되는 제1개방단계와, 상기 가스라인에 수용되어있던 상기 불활성 기체가 상기 챔버로 확산되도록 상기 제1개방단계를 기준시간 동안 유지하는 확산단계와, 상기 챔버로 상기 불활성 기체가 기준유량으로 공급되도록 상기 유량 컨트롤러가 제어되는 제2개방단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 유량제어방법'에 대해 개시한 바 있다.
종래의 가스 쉴드(7)는 도 1과 같은 형태로 챔버(5) 내에 구비되는데, 요구되는 실리콘의 잉곳 크기가 점점 확대됨에 따라 공정상 불활성 기체의 투입량이 늘어나고 있으며, 불활성 기체의 유입 및 분출에 의한 챔버 내 기체의 흐름은 시드 와이어(Seed Wire, 3)에 근접하여 형성될 수 있고, 이는 시드 와이어(3)의 떨림을 유발하여 성장된 잉곳의 품질에 문제를 일으킬 수 있다.
또한, 실리콘 잉곳 크기의 증가는 공정 시간의 증가가 필요한데, 실리콘 용탕이 수용되는 도가니는 공정 시간이 증가됨에 따라 열에 의해 변형이 발생할 수 있다. 이는 실리콘 용탕의 계면 유동을 발생시킬 수 있으며, 상기 계면의 유동은 결정성장 중인 잉곳의 하부에 영향을 주어 고상화되는 잉곳의 직경 제어를 어렵게 하여 문제를 일으킬 수 있다. 나아가서, 결정성장 초기과정인 재료의 용융과정에서 발생한 기체가 외부로 배출되지 못하고 용탕 내에 잔존하는 경우, 결정성장에 영향을 주어 단결정화에 저해 요소가 됨은 물론 품질에 영향을 줄 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 불활성 기체의 유입으로 인한 시드 와이어의 떨림을 방지할 수 있는 실리콘 잉곳 제조장치를 제공하는 것에 목적이 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 도가니의 변형으로 인한 실리콘 용탕의 계면 유동을 차단할 수 있는 실리콘 잉곳 제조장치를 제공하는 것에 목적이 있다.
나아가서, 본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 실리콘 용탕 내부에 잔존하는 기포를 제거하여 단결정 실리콘의 품질을 향상시킬 수 있는 실리콘 잉곳 제조장치를 제공하는 것에 목적이 있다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기의 문제를 해결하기 위하여 본 발명은 실리콘 용탕이 위치하는 도가니; 일단부에 단결정 시드를 구비하는 시드 와이어; 상기 시드 와이어를 이동시키는 인상수단; 상기 도가니, 시드 와이어, 인상수단을 수용하는 챔버; 및 상기 챔버의 내측면에 근접하여 하단부가 위치하고, 수직 단면이 ∩형인 가스 쉴드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치를 제공할 수 있다.
상기 실리콘 잉곳 제조장치는, 하강하여 상기 실리콘 용탕의 상부영역과 닿으며 도가니로부터 실리콘 용탕으로 파동이 전달되는 것을 방지하는 원통형의 파동 차폐수단을 포함하는 것일 수 있다.
상기 파동 차폐수단은, 산화실리콘(SiO2) 또는 사파이어를 포함하여 형성된 것일 수 있다.
상기 실리콘 잉곳 제조장치는, 실리콘 용탕의 상부에 위치하는 열 차폐수단 포함하고, 상기 파동 차폐수단은, 상기 열 차폐수단과 도가니 내측면 사이에서 상하이동하는 것일 수 있다.
상기 실리콘 잉곳 제조장치는, 상기 도가니에 구비되는 회전축과 결합되는 구동모터를 포함하고, 상기 구동모터는, 재료의 용융과정 중 또는 결정성장 전 대기 상태에서 회전속도 또는 회전 방향을 변경하며 도가니를 회전시킬 수 있다.
상기 구동모터는, 상기 도가니의 회전방향 또는 회전속도를 불규칙적으로 변경하며 상기 실리콘 용탕의 유동을 형성하고, 실리콘 용탕 내부의 기포는 외부로 배출될 수 있다.
상기 구동모터는, 상기 도가니의 회전 방향을 소정의 주기로 변경하며 상기 실리콘 용탕의 유동을 형성하고, 실리콘 용탕 내부의 기포는 외부로 배출될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치는 수직 단면이 ∩형인 가스 쉴드를 구비함으로써, 불활성 기체의 흐름이 시드 와이어에 직접 충돌되는 것을 최소화하여 불활성 기체의 유입으로 인한 시드 와이어의 떨림을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 승하강이 가능한 파동 차폐수단을 구비함으로써, 도가니의 변형으로 인한 실리콘 용탕의 계면 유동을 차단할 수 있는 장점이 있다. 나아가서, 결정성장 전 구동모터를 이용하여 회전속도 또는 회전 방향을 변경하며 도가니를 회전시킴으로써, 실리콘 용탕 내부에 잔존하는 기포를 제거하여 단결정 실리콘의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 실리콘 잉곳 제조장치의 일부를 나타낸 단면도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치를 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치의 파동 차폐수단이 하강된 상태의 도가니를 나타낸 상면도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 결정성장 전 대기 상태에서 도가니의 회전주기를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치를 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치의 파동 차폐수단이 하강된 상태의 도가니를 나타낸 상면도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 결정성장 전 대기 상태에서 도가니의 회전주기를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 종래의 실리콘 잉곳 제조장치의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치의 파동 차폐수단이 하강된 상태의 도가니를 나타낸 상면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 결정성장 전 대기 상태에서 도가니의 회전주기를 나타낸 그래프이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치(10)는 실리콘 용탕(M)이 위치하는 도가니(100); 일단부에 단결정 시드를 구비하는 시드 와이어(200); 상기 시드 와이어(200)를 이동시키는 인상수단(300); 상기 도가니(100), 시드 와이어(200), 인상수단(300)을 수용하는 챔버(400); 및 상기 챔버(400)의 내측면에 근접하여 하단부가 위치하고, 수직 단면이 ∩형인 가스 쉴드(500);를 포함할 수 있다. 상기 실리콘 잉곳 제조장치(10)는 수직 단면이 ∩형인 가스 쉴드(500)를 구비함으로써, 불활성 기체의 흐름이 시드 와이어(200)에 직접 충돌되는 것을 최소화하여 불활성 기체의 유입으로 인한 시드 와이어(200)의 떨림을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상세히 설명하면, 실리콘 용탕(M)이 위치하는 도가니(100)는 회전축(800)이 하부의 중심에 결합된 서셉터(110)와 상기 서셉터(110)의 내측에 결합된 내부 도가니(120)를 포함할 수 있다. 상기 도가니(100) 내부로 다결정 실리콘 및 안티몬, 붕소, 인과 같은 도펀트(dopant)가 함께 장입되어 용융될 수 있다. 상기 용융을 위한 열은 도가니(100) 주변에 위치하는 열원(미도시)에 의해 공급될 수 있다.
시드와이어(200)의 일단부에는 단결정 시드가 위치한다. 상기 다결정 실리콘이 용융된 실리콘 용탕(M)에 단결정 시드가 담겨진 상태에서 인상수단(300)은 시드와이어(200)를 인상하며, 단결정 시드와 실리콘 용탕(M)은 소정의 직경을 가지는 잉곳(I)으로 제조될 수 있다. 실리콘 단결정 잉곳(I) 제조는 재료 장입, 재료 용융, 시드의 인상 등의 과정으로 이루어지는데, 시드의 인상은 실리콘 용탕(M)에 시드를 접촉한 후, 도가니(100)와 시드를 반대방향으로 회전시켜가면서 시드를 서서히 인상하는 것이며, 이로 인해 실리콘 단결정 잉곳(I)을 성장시킬 수 있다.
상기 도가니(100), 시드 와이어(200), 인상수단(300)을 수용하는 챔버(400)의 내부로 아르곤과 같은 불활성 기체가 공급될 수 있다. 즉, 챔버(400) 내부로 공급되는 불활성 기체는 챔버(400) 내의 일정한 압력을 유지하고, 실리콘 단결정 잉곳(I)의 생산과정 중에 발생할 수 있는 산화안티몬 또는 산소 등과 같은 기체 불순물을 챔버(400) 외부로 배출시킬 수 있다.
상기 챔버(400)의 내측면에 근접하여 하단부가 위치하는 가스 쉴드(500)는 도2와 같이 수직 단면이 ∩형일 수 있다. 도 1과 같은 형태의 종래의 가스 쉴드(7)는 불활성 기체의 투입량이 늘어날 경우, 불활성 기체의 유입 및 분출에 의한 챔버 내 기체의 흐름이 시드 와이어에 근접하여 형성될 수 있고, 이는 시드 와이어의 떨림을 유발하여 성장된 잉곳의 품질에 문제를 일으킬 수 있다.
그러나, 본 발명의 실시예와 같은 가스 쉴드(500)는 상부는 반원형 또는 포물선형의 곡선을 구비하고 하부는 곡선의 단부와 연결된 직선을 구비하는 형태인 ∩형의 수직단면으로 인해 챔버(400) 내부로 유입된 불활성 기체가 시드 와이어(200)에 직접적인 충돌이 되지 않도록 가스 쉴드(500)의 외측면과 챔버(400)의 내측면 사이를 따라 흘러 내려오도록 흐름을 유도할 수 있다. 즉, 불활성 기체의 챔버(400) 내 흐름을 시드 와이어(200) 주변으로부터 분산시킬 수 있으므로, 시드 와이어(200)에 영향이 최소화되어 떨림을 방지할 수 있다. 그로 인해 넥(Neck) 공정과 크라운(Crown) 공정에서 Pull out 되는 회수가 현저히 줄어들어 생산성이 향상될 수 있다. 상기 가스 쉴드(500)는 불활성 기체의 흐름을 고려하여 상부의 반원형 또는 포물선형의 형상과 곡률을 선정할 수 있다.
상기 실리콘 잉곳 제조장치(10)는, 하강하여 상기 실리콘 용탕(M)의 상부영역과 닿으며 도가니(100)로부터 실리콘 용탕(M)으로 파동이 전달되는 것을 방지하는 원통형의 파동 차폐수단(600)을 포함하는 것일 수 있다. 잉곳(I) 성장을 위한 공정 시간이 증가함에 따라 실리콘 용탕(M)이 수용된 도가니(100)는 열에 의한 변형이 발생할 수 있다. 도가니(100)의 변형은 도가니로부터 내측 방향으로, 즉 고상화되고 있는 잉곳(결정봉) 방향으로 계면 흔들림을 발생시킬 수 있다. 이는 쵸크랄스키법 특징 중 하나인 도가니(100) 회전과 중첩되어 파고의 형상으로 실리콘 용탕(M) 상부 계면에 형성되고, 성장 중인 단결정 실리콘의 액상과 고상 계면에 영향을 주어 결정봉 성장을 저해시킬 수 있다. 즉, 고상화되는 단결정봉의 성장에 필요한 직경 제어를 어렵게 하고, 잉곳(I) 제조에 문제를 일으킬 수 있다.
따라서, 승하강이 가능한 파동 차폐수단(600)을 구비함으로써, 챔버(100) 내부에 장착된 CCD 카메라로부터 도가니(100)의 변형 또는 실리콘 용탕(M) 가장자리의 유동이 관찰되면, 실리콘 용탕(M)의 상부 영역과 닿도록 파동 차폐수단(600)을 하강시키고, 도가니(100)의 변형으로 인한 실리콘 용탕(M)의 계면 유동을 차단할 수 있는 장점이 있다. 특히 합성 도가니를 사용할 경우, 장입 초반부터 실리콘 용탕(M) 계면의 흔들림이 발생할 수 있으므로, 파동 차폐수단(600)을 구비하여 실리콘 용탕(M)의 유동 흔들림을 제어함으로써 공정 안정화 및 제품의 수율 향상에 더욱 도움을 줄 수 있다. 예로써, 상기 파동 차폐수단(600)은, 산화실리콘(SiO2) 또는 사파이어를 포함하여 형성된 것일 수 있다.
상기 실리콘 잉곳 제조장치(10)는, 실리콘 용탕(M)의 상부에 위치하는 열 차폐수단(700)을 포함하고, 상기 파동 차폐수단(600)은, 상기 열 차폐수단(700)과 도가니(100) 내측면 사이에서 상하이동하는 것일 수 있다. 예로써, CCD 카메라 포트에 파동 차폐수단(600)의 승하강유닛을 설치하고, 실리콘 용탕(M) 계면이 정상이면 장입을 하지 않고 대기 상태를 유지하며, 잉곳(I) 성장 중 상기 계면에 유동이 형성되는 경우 승하강유닛을 구동하여 파동 차폐수단(600)을 하강시켜 계면의 유동이 잉곳(I)에 영향을 주는 것을 최소화할 수 있다.
상기 열 차폐수단(700)은 단결정 잉곳(I)의 성장 시 그 주변에 배치되어 단열 작용을 하며, 잉곳(I)의 인상 속도나 성장된 잉곳의 품질 등에 영향을 주는 것으로 양측이 개방된 중공 형상으로 이루어질 수 있다. 일반적으로, 열 차폐수단(700)은 상측 개구부의 직경이 하측 개구부의 직경보다 더 크게 형성될 수 있다.
상기 실리콘 잉곳 제조장치(10)는, 상기 도가니(100)에 구비되는 회전축(800)과 결합되는 구동모터(미도시)를 포함하고, 상기 구동모터는, 결정성장 전 대기 상태에서 회전속도 또는 회전 방향을 변경하며 도가니를 회전시킬 수 있다.
잉곳(I) 성장 공정 중 실리콘 장입으로부터 기인하는 기포는 실리콘 용탕(M)에서 제거되지 못하고 그대로 잔존할 수 있다. 상기 기포는 실리콘 용탕(M)의 용해 중, 실리콘 용탕(M)의 표면, 실리콘 용탕(M)과 성장되는 잉곳(I)의 성장계면, 내부 도가니(120)와 실리콘 용탕(M)의 계면 등에서 발생한 산소를 포함할 수 있다. 특히, 내부 도가니(120)에 장입한 폴리실리콘을 액상화하는 공정 초기에서 내부 도가니(120)와 폴리실리콘의 잠열 및 액상화 과정에서 발생하는 산소는 가장 높은 산소 포화도를 보인다. 제거되지 못하고 실리콘 용탕(M) 내에 잔존하는 기포는 잉곳(I) 성장 시 산소 농도 및 결정성장에 영향을 주어 단결정화에 저해 요소가 됨은 물론 품질에도 영향을 줄 수 있다. 따라서, 결정성장 전 구동모터를 이용하여 회전속도 또는 회전 방향을 변경하며 도가니(100)를 회전시킴으로써, 실리콘 용탕(M) 내부에 잔존하는 기포를 제거할 수 있다. 즉, 단결정 성장 공정(잉곳 성장 공정)을 시작하기 전 도가니(100)의 회전을 이용한 실리콘 용탕(M)의 강제 대류를 통하여 유동을 극대화시키고, 극대화된 유동을 통하여 실리콘 용탕(M)에 잔존한 기포를 외부로 분출시킬 수 있으며, 단결정 실리콘의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 구동모터는, 상기 도가니(100)의 회전 방향 또는 회전속도를 불규칙적으로 변경하며 상기 실리콘 용탕(M)을 강제 대류시켜 유동을 형성하고, 실리콘 용탕(M) 내부의 기포는 외부로 배출될 수 있다. 예로써, 도가니(100)가 시계 방향으로 회전 중 반시계방향으로 급격히 회전 방향과 속도를 변경시켜 줌으로써 실리콘 용탕(M) 내부의 유동 상태를 급격하게 변화시킬 수 있으며, 기포는 실리콘 용탕(M) 외부로 방출될 수 있다.
상기 구동모터는, 상기 도가니(100)의 회전 방향을 소정의 주기로 변경하며 상기 실리콘 용탕(M)의 유동을 형성하고, 실리콘 용탕 내부의 기포는 외부로 배출될 수 있다. 예로써, 구동모터는 도4와 같이 PLC 내부적으로 사인곡선을 적용하여 도가니(100) 회전을 주기적으로 변형시키거나, 소정의 주기를 가지되 시계방향과 반시계방향을 급격히 교체 회전되도록 하여 강제 대류를 발생시켜서 실리콘 용탕(M)의 유동을 급격하게 만들 수 있다. 실리콘 용탕(M)의 유동을 극대화하기 위하여 서보모터를 이용한 도가니(100) 회전을 정속 운전이 아닌 '사인파' 등을 통한 PLC 제어를 이용한 운전으로 유동을 발생시킬 수 있으며, 잉곳 성장 공정 전에 실리콘 용탕(M) 내에 잔존한 기포를 배출시킬 수 있다. 정속 주행의 회전은 도가니(100) 내 실리콘 용탕(M) 계면을 안정화하는 역할을 하여 주지만, 내부에 있는 기포를 실리콘 용탕(M) 외부로 배출하기에는 시간이 더 소모될 수 있다. 따라서, 구동모터의 회전속도를 급속, 급격하게 회전시켜 강제 대류를 발생시켜 줌으로써 실리콘 용탕(M) 내부의 기포를 효과적으로 배출시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 실리콘 잉곳 제조장치(10)는 수직 단면이 ∩형인 가스 쉴드(500)를 구비함으로써, 불활성 기체의 흐름이 시드 와이어(200)에 직접 충돌되는 것을 최소화하여 불활성 기체의 유입으로 인한 시드 와이어(200)의 떨림을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 승하강이 가능한 파동 차폐수단(600)을 구비함으로써, 도가니(100)의 변형으로 인한 실리콘 용탕(M)의 계면 유동을 차단할 수 있는 장점이 있다. 나아가서, 결정성장 전 구동모터를 이용하여 회전속도 또는 회전 방향을 변경하며 도가니(100)를 회전시킴으로써, 실리콘 용탕(M) 내부에 잔존하는 기포를 제거하여 단결정 실리콘의 품질을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10; 실리콘 잉곳 제조장치
100; 도가니
110; 서셉터
120; 내부 도가니
3, 200; 시드 와이어
1, 300; 인상수단
5, 400; 챔버
7, 500; 가스 쉴드
600; 파동 차폐수단
700; 열 차폐수단
800; 회전축
I; 잉곳
M; 실리콘 용탕
100; 도가니
110; 서셉터
120; 내부 도가니
3, 200; 시드 와이어
1, 300; 인상수단
5, 400; 챔버
7, 500; 가스 쉴드
600; 파동 차폐수단
700; 열 차폐수단
800; 회전축
I; 잉곳
M; 실리콘 용탕
Claims (7)
- 실리콘 용탕이 위치하는 도가니;
일단부에 단결정 시드를 구비하는 시드 와이어;
상기 시드 와이어를 이동시키는 인상수단;
상기 도가니, 시드 와이어, 인상수단을 수용하는 챔버; 및
상기 챔버의 내측면에 근접하여 하단부가 위치하고, 수직 단면이 ∩형인 가스 쉴드;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치.
- 제1항에 있어서,
상기 실리콘 잉곳 제조장치는, 하강하여 상기 실리콘 용탕의 상부영역과 닿으며 도가니로부터 실리콘 용탕으로 파동이 전달되는 것을 방지하는 원통형의 파동 차폐수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치.
- 제2항에 있어서,
상기 파동 차폐수단은, 산화실리콘(SiO2) 또는 사파이어를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치.
- 제2항에 있어서,
상기 실리콘 잉곳 제조장치는, 실리콘 용탕의 상부에 위치하는 열 차폐수단을 포함하고,
상기 파동 차폐수단은, 상기 열 차폐수단과 도가니 내측면 사이에서 상하이동하는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치.
- 제1항에 있어서,
상기 실리콘 잉곳 제조장치는, 상기 도가니에 구비되는 회전축과 결합되는 구동모터를 포함하고,
상기 구동모터는, 재료의 용융과정 중 또는 결정성장 전 대기 상태에서 회전속도 또는 회전 방향을 변경하며 도가니를 회전시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치.
- 제5항에 있어서,
상기 구동모터는, 상기 도가니의 회전방향 또는 회전속도를 불규칙적으로 변경하며 상기 실리콘 용탕의 유동을 형성하고, 실리콘 용탕 내부의 기포는 외부로 배출되는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치.
- 제5항에 있어서,
상기 구동모터는, 상기 도가니의 회전 방향을 소정의 주기로 변경하며 상기 실리콘 용탕의 유동을 형성하고, 실리콘 용탕 내부의 기포는 외부로 배출되는 것을 특징으로 하는 실리콘 잉곳 제조장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210069007 | 2021-05-28 | ||
| KR20210069007 | 2021-05-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220161166A true KR20220161166A (ko) | 2022-12-06 |
| KR102678229B1 KR102678229B1 (ko) | 2024-06-25 |
Family
ID=
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894295B1 (ko) | 2008-02-15 | 2009-04-24 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 유량제어방법 및 이를이용한 실리콘 단결정 잉곳 생산방법 |
| KR100907908B1 (ko) | 2007-11-06 | 2009-07-16 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 생산장치 |
| KR101425933B1 (ko) | 2012-04-16 | 2014-08-05 | 주식회사 실리콘밸류 | 단결정 실리콘 잉곳 제조장치 |
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100907908B1 (ko) | 2007-11-06 | 2009-07-16 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 생산장치 |
| KR100894295B1 (ko) | 2008-02-15 | 2009-04-24 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 생산장치의 유량제어방법 및 이를이용한 실리콘 단결정 잉곳 생산방법 |
| KR101425933B1 (ko) | 2012-04-16 | 2014-08-05 | 주식회사 실리콘밸류 | 단결정 실리콘 잉곳 제조장치 |
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