JP2008161779A - 自己組織化単分子膜作製装置とその利用 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るSAM作製装置1は、被処理物Wが導入されるチャンバ10と、該チャンバ内の空間11にSAM形成材料を供給するSAM供給手段20と、該チャンバ内を通して被処理物Wを搬送する被処理物搬送手段40とを備える。SAM供給手段10は、SAM形成材料を含むミストMを生成する霧化器22と、そのミストを加熱する加熱器24とを含み、チャンバ10に導入された被処理物Wにチャンバ内の空間11にあるSAM形成材料が付着するように構成されている。
【選択図】図2
Description
かかる構成の装置によると、チャンバ内の空間に含まれる(典型的には、該空間に蒸気および/またはミストの形態で分散した態様で含まれる)SAM形成材料を、該空間(すなわち気相)から被処理物に供給して該被処理物に付着(堆積)させることができる。したがって、例えばSAM形成材料の溶液を満たした処理槽に被処理物を浸漬して該溶液(バルクの液相)から被処理物にSAM形成材料を供給するタイプの(すなわち、従来の一般的な液相法による)SAM作製装置に比べて、本発明に係るSAM作製装置によると、より高いSAM形成材料利用効率が実現され得る。このことは、例えば、SAMの作製コスト(被処理物の表面にSAMを形成する表面処理に要する処理コスト、あるいは被処理物の表面にSAMを有するSAM付き物品の製造コストとしても把握され得る。)を低減するという観点から有利である。また、SAMの作製時等における環境への負荷をより軽減し得るという利点を有する。
なお、ここに開示されるいずれかの装置は、該装置と同様の構成により、自己組織化単分子膜の製造に限られず種々の用途の薄膜(例えば超撥水性膜)の製造装置として使用され得る。したがって、ここに開示される発明は、他の側面として、そのような薄膜製造装置(例えば撥水膜製造装置)を提供するものであり得る。
上記作製方法では、SAM形成材料を含むガス(典型的には、少なくともSAM形成材料の蒸気を含有するガスであり、該蒸気の他にSAM形成材料を含むミストを含有するガスであってもよい。)を被処理物に供給することで該膜形成材料(蒸気でもミストでもよい。)を該被処理物に付着(堆積)させる。したがって、該方法によると、バルクの液相から被処理物にSAM形成材料を供給するタイプのSAM作製方法(すなわち、従来の一般的な液相法)に比べて、より高いSAM形成材料利用効率が実現され得る。このことは、例えば、SAMの作製コスト等を低減する上で有利である。また、SAMの作製時等における環境への負荷がより軽減され得る。
なお、ここに開示されるいずれかのSAM作製方法は、他の観点として、被処理物の表面にSAMを作成する処理を行う方法(すなわち、被処理物の表面処理方法)として把握され得る。
上記ヘッド基の好適例として、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)等のハロゲン原子が挙げられる。これらのうちClおよびBrが好ましく、特にClが好ましい。上記ヘッド基の他の一つの好適例として、アルコキシ基(アルコキシシリル基等)が挙げられる。例えば、炭素数1〜4(より好ましくは炭素数1〜3)のアルコキシ基が好ましい。メトキシ基またはエトキシ基がさらに好ましく、通常はメトキシ基が最も好ましい。複数のヘッド基を有するSAM形成材料において、それらのヘッド基は同じであっても異なっていてもよいが、通常は複数の同じヘッド基を有する化合物が好ましい。好ましいSAM形成材料として、コア原子としてのシリコン原子に三つのハロゲン原子(例えばCl)と一つのテール基とが結合した構造の化合物(トリハロシラン類)が挙げられる。他の好適例として、コア原子としてのシリコン原子に三つのアルコキシ基と一つのテール基とが結合した構造の化合物(トリアルコキシシラン類)が挙げられる。
上記霧化器の種類(ミストの発生方式等)は特に限定されない。例えば、液体に超音波振動を付与して該液体のミストを生成する方式の霧化器(超音波霧化器)を好ましく採用することができる。このような超音波霧化器の一つの典型的な構成は、上記ミストを生成するための原料として用いられる液体(すなわちSAM形成材料を含む液体。以下「原料液」ということもある。)を貯留する原料容器と、該容器内に上記原料液に接して配置される超音波振動子とを備える。例えば、上記原料容器の底部に上記超音波振動子が設置された態様の超音波霧化器を好ましく使用し得る。
上記原料容器は、上記原料容器に貯留された原料液の量(例えば、上記原料液の液面から上記容器の底面までの深さ)を検出する液量センサを備ることができる。ここに開示される装置は、例えば、上記原料容器内の原料液がミストとなって消費される(原料容器内から失われる)ことに伴う液量の減少を上記液量センサにより検出し、その減少量に応じて該容器に接続された原料液タンクから原料液が補給される構成とすることができる。
上記原料液の霧化は、霧化直後(生成直後)におけるミストの平均粒径(直径)が例えば凡そ500nm〜10μmとなるように行うことができる。通常は、該平均粒径が凡そ500nm〜3μmとなるように上記霧化を行うことが好ましい。ミストの平均粒径が上記範囲よりも大きすぎると、作製されるSAMの品質(例えば撥水性)が低下したり、該品質の安定性が不足しがちとなったりする場合がある。一方、上記範囲よりも小さすぎる平均粒径のミストは生成が困難である。このためSAMの作製効率が低下傾向となる場合がある。
ここに開示される装置は、上記チャンバ内の空間にあるSAM形成材料が該チャンバ内に導入された被処理物に付着するように構成されている。該被着物に付着する上記SAM形成材料は、該材料を含むミスト(微小液滴)であってもよく、該材料の蒸気であってもよく、該ミストと該蒸気とが混在していてもよい。ここに開示される技術は、製造効率およびエネルギー効率の観点から、SAM形成材料のミストと蒸気とが混在した状態で該材料を被処理物に付着させる態様で好ましく実施され得る。
上記被処理物の搬送パターンは特に限定されない。例えば該被処理物を一定の速度で連続的に搬送してもよく、あるいは該被処理物を間欠的に(例えば、あらかじめ設定された所定のタイミングで止まったり動いたりするように)搬送してもよい。
このように被処理物を雰囲気温度よりも低温に冷却するための具体的な方法または装置構成は特に限定されない。例えば、内蔵された冷却器等により上記雰囲気温度よりも低温に維持された部材(後述する搬送経路、送りロール等)に被処理物を接触させることにより該被処理物を冷却する態様を好ましく採用することができる。
かかる触媒は、遅くとも被処理物上においてSAM形成材料の膜形成反応が完了するよりも前に該被処理物に供給されることによって、上記膜形成反応の進行を促進する機能を発揮し得る。ここに開示される技術では、被処理物にSAM形成材料を供給する(付着させる)とほぼ同時またはそれよりも前に、該被処理物に触媒を供給する(付着させる)ことが好ましい。このことによって、例えば、後述するSAM作製例で使用したn−オクタデシルトリクロロシランをSAM形成材料として、接触角が凡そ90°以上(典型的には凡そ90〜110°)のSAM付き物品(サンプル)を得ることができる。被処理物にSAM形成材料を付着させる前に該該被処理物に触媒を付着させることがより好ましい。このように少なくとも一部の触媒が被処理物に付着した状態でSAM形成材料を供給することによって、より良好な効果が実現され得る。例えば、より高品質の(使用するSAMの種類に応じた性質がより適切に発揮された)SAMを安定して作製することができる。例えば、n−オクタデシルトリクロロシランをSAM形成材料として、接触角が凡そ100°以上(典型的には凡そ100〜110°)、さらには105°以上(典型的には凡そ105〜110°)のSAM付き物品(サンプル)を得ることができる。
本発明に係るSAM作成装置の一構成例を図1および図2に示す。このSAM作製装置1は、チャンバ(反応室)10と、該チャンバ内の空間11にSAM形成材料を供給するSAM形成材料供給手段20と、該チャンバ内を通る所定の搬送経路に沿って被処理物Wを搬送するように構成された被処理物搬送手段40と、該チャンバの上流側に配置されたVUV照射装置50と、該チャンバの下流側に配置されたヒータ60と、を備える。
台車42は、その全体が熱伝導性のよい材料(例えば、アルミニウム、銅等の金属材料)から構成されており、図2に示すように、被処理物Wが載置される支持台422と、該支持台の両脇に配置された車輪426とを有する。支持台422の下面と車輪426の下端とはほぼ同じ高さである。したがって支持台422の下面は搬送経路41の表面に接触または近接している。このことによって、台車42の熱を搬送経路41へと良好に逃す(放熱する)ことができる。換言すれば、搬送経路41への伝熱によって台車42から熱を奪い、該台車42を良好に冷却することができる。なお、図2には被処理物Wを支持台422の上面に直接載置した例を示しているが、例えばクリップ等の固定手段により被処理物Wを板状のトレイに止め、そのトレイを支持台422の上面に載置するようにしてもよい。上記トレイとしては、アルミニウム等の熱伝導性のよい材料から構成されたもの(例えばアルミニウム板)を好ましく用いることができる。
また、チャンバ10の壁面にはヒータ(例えばシースヒータ)24が設置されている。このヒータ24を作動させることにより、チャンバ10内の雰囲気温度を調節するとともに、該チャンバ内の空間にある上記ミストMを加熱してその少なくとも一部を気化させることができる。
上記VUV照射処理を終えた被処理物Wを、上記状態にあるチャンバ10内に10〜100mm/秒の速度(S2)で通過させ、次いでヒータ60から供給される30〜60℃の温風に曝露した。このようにして上質紙の表面に撥水性のSAMを作製した。
なお、上質紙のように通気性を有するシート状の被処理物(紙、布等)では、本例のように主として該被処理物の一方の面側からSAM形成材料が供給される態様によっても、該被処理物に含まれる空隙を通じて該被処理物の全体にSAM形成材料を行き渡らせることが可能である。
また、理想的に形成されたSAMの水滴接触角は、一般に、該SAMの作製に使用する原料(SAM形成材料)の末端官能基(テール基の末端部分)に依存する。撥水性の高いSAM(ひいては撥水性の高いSAM付き物品)の作製を目的とする場合には、末端官能基がフルオロ基、メチル基、メチレン基等の表面エネルギーの小さい基であるSAM作成材料を好ましく使用することができる。例えば、末端官能基がメチル基であるSAM形成材料を用いて理想的に形成されたSAMの接触角は概ね100〜110°程度であり得る。また、末端官能基がフルオロ基であるSAM形成材料を用いて理想的に形成されたSAMの接触角は概ね凡そ115〜125°程度であり得る。
本発明に係るSAM作成装置の他の構成例を図3に示す。なお、以下の図面において、例1に係るSAM作成装置と同様の機能を果たす部材には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
図3に示すSAM作製装置2は、枚葉状の被処理物を台車42にセットして該台車ごと搬送する例1に係る装置1とは異なり(図1参照)、長尺シート状の被処理物(以下、単に「シート」ともいう。)をチャンバ10内に連続的に通過させるのに適した態様の被処理物搬送手段40を備える。その搬送手段40は、巻出ロール462から巻き出されたシート(被処理物W)がVUV照射装置50に導入され(本例に係る装置2では、シートの両側、すなわち一面側および他面側からVUVが照射されるようにVUV照射装置50が配置されている。)、次いでチャンバ10に導入されて該チャンバ内に配置された複数の送りロール464を経由する間にチャンバ内の空間11にあるSAM形成材料が上記シートの両面側から該シートに付着するように構成されている。そして、チャンバ10を通過したシートが引き続きヒータ60に導入されて該シートの両面側から加熱(例えば温風が供給)された後、該シートが巻取ロールに巻き取られるように構成されている。かかる構成の装置2によると、長尺シート状の被処理物(例えば連続紙)の表面に連続して効率よくSAMを作製することができる。
なお、送りロール464は、該ロール464の表面温度をチャンバ10内の雰囲気温度よりも低温に維持し得るように構成されていてもよい。かかる構成の装置によると、送りロール464と被処理物W(シート)との間の伝熱を利用して、該ロール464に掛け渡されたシートをチャンバ10内において冷却することができる。また、送りロール464の数、サイズ、配置等は図3に示されたものに限定されず、目的に応じて種々変形した態様で実施することができる。
本発明に係るSAM作成装置のさらに他の構成例の要部を図4に示す。本例は、霧化器(ミスト生成部)とチャンバとがSAM形成材料供給ダクトを介して連結された装置の一例である。すなわち、図4に示すSAM作製装置3では、超音波霧化器22とチャンバ10とがダクト28を介して連結されている。この霧化器22は、原料液Lを貯留する原料容器224と、その原料容器内に収容された超音波振動子226と、原料容器224の外周に配置(例えば、該容器の外壁に内蔵)された原料ヒータ228とを備える。この原料ヒータ228は、必要に応じて、容器224内に貯留された原料液Lを適当な温度に加熱(例えば凡そ40〜80℃程度に加熱)し得るように構成されている。このように原料液Lが加熱された状態で超音波振動子226を振動させることにより、原料液Lから効率よくミストMを生成することができる。原料容器224の上端はダクト28内に開放されており、これにより原料液Lから生じたミストMをダクト28内に導入することができる。ダクト28の内部には、図示しない動力源に接続された一または二以上のファン26が設けられている。このファン26を回転駆動することによりダクト28内に霧化器22からチャンバ10に向かう気流を生じさせ、該気流に乗せてミストMをチャンバ10側へと効率よく搬送することができる。かかる構成の装置によると、生成するミストMの大きさ(平均粒径)、該ミストMの生成レート(ひいてはチャンバ10へのミストMの供給レート)等をより適切にコントロールすることができる。また、上記気流に乗せてミストMを強制的に搬送するので、チャンバ10内にミストMを迅速にかつ安定して供給することができる。例えば、チャンバ10内に導入された被処理物(例えば、図1と同様に搬送経路41に沿って移動する台車42に載置されて入口12からチャンバ10内に導入された被処理物)の表面に向けてミストMが層流で吹き付けられるように上記気流をコントロールすることが可能である。
また、本例に係る装置3は、例1に係る装置1または例2に係る装置2と同様に、VUV照射装置50および/またはヒータ60を備える構成とすることができる。
本発明に係るSAM作成装置のさらに他の構成例の要部を図5に示す。本例に係る装置4では、被処理物にSAM形成材料を付着させるチャンバ10の上流側に隣接して、被処理物に触媒Cを付着させる触媒付与チャンバ80が設けられている。触媒Cは、図示しない触媒霧化器と、該霧化器と触媒付与チャンバ80とを連結する触媒供給ダクト78とを含む触媒供給手段70によってチャンバ80内に導入される。この装置4は、触媒付与チャンバ80に導入された触媒が、該触媒付与チャンバ内に導入された被処理物(ここでは、長尺シート状の被処理物Wが複数の送りロール464によって図5の左から右へと送られる例を示している。)に付着するように構成されている。なお、符号82は、被処理物を触媒付与チャンバ80内に搬入する入口を示している。該チャンバ80の出口はチャンバ10の入口と共有されている。
かかる構成の装置4によると、被処理物に触媒を付与するタイミングとSAM形成材料を付与するタイミングとを精度よく(順序よく)コントロールすることができる。このことによって、より高品質のSAMを作製することができる。また、より安定した品質のSAMを作製することができる。また、触媒付与チャンバ80を分割したことによりチャンバ10の容積をより小さくすることが可能となるので、SAM形成材料の利用効率をより高めることができる。
なお、本例に係る装置4は、例1に係る装置1または例2に係る装置2と同様に、VUV照射装置50および/またはヒータ60を備える構成とすることができる。
本発明に係るSAM作成装置のさらに他の構成例の要部を図6に示す。この図6は、本例に係る装置5を構成するチャンバの内部の様子を示している。該チャンバ内を通過する被処理物W(ここでは、長尺シート状の被処理物Wが図6の上から下へと送られる例を示している。)の両側には、SAM形成材料を含むSAM形成材料含有ガス(典型的には少なくとも該SAM形成材料の蒸気を含むガスであり、さらに該SAM形成材料を含有する原料液のミストを含んでもよい。)を該被処理物に供給し得るように構成されたSAM形成材料供給ダクト28が配置されている。ダクト28の先端部(ノズル部)282では該ダクトの開口径が絞られており、このことによってダクト28内のガス流速を高め、被処理物Wの表面近傍に開口するダクト28の先端から被処理物Wの表面に向けて上記SAM形成材料含有ガスを吹き付けることができる。例えば、SAM形成材料の蒸気およびミストを含有するガスを被処理物Wの表面に層流で吹き付けることが好ましい。
なお、本例に係る装置5は、例1に係る装置1または例2に係る装置2と同様に、VUV照射装置50および/またはヒータ60を備える構成とすることができる。
10:チャンバ
11:チャンバ内空間
18:冷却器
22:超音波霧化器(霧化器)
24:ヒータ(加熱器)
28:膜形成材料供給ダクト
42:台車
464:送りロール
50:VUV照射装置(VUV照射手段)
60:温風ヒータ(加熱手段)
Claims (16)
- 被処理物の表面に自己組織化単分子膜を作製する装置であって、
前記被処理物が導入されるチャンバと、
該チャンバ内の空間に自己組織化単分子膜形成材料を供給する膜形成材料供給手段と、
該チャンバ内を通して前記被処理物を搬送する被処理物搬送手段と、
を備え、
ここで、前記膜形成材料供給手段は前記自己組織化単分子膜形成材料を含むミストを生成する霧化器と該ミストを加熱する加熱器とを含み、前記チャンバに導入された前記被処理物に該チャンバ内の空間にある自己組織化単分子膜形成材料が付着するように構成されている、自己組織化単分子膜の作製装置。 - 前記膜形成材料供給手段は、前記ミストを前記チャンバ内の空間に供給し、該チャンバ内で前記ミストを加熱するように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記チャンバ内に導入された前記被処理物を該チャンバ内において冷却する冷却器をさらに備える、請求項1または2に記載の装置。
- 前記被処理物に真空紫外光を照射する真空紫外光照射手段をさらに備え、
該照射手段は、前記被処理物に前記膜形成材料が付着する前に該被処理物に真空紫外光を照射するように構成されている、請求項1,2または3に記載の装置。 - 前記膜形成材料の付着を終えた前記被処理物を加熱する加熱手段をさらに備える、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置。
- 前記膜形成材料の膜形成反応を促進する触媒を前記被処理物に供給する触媒供給手段をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記膜形成材料が前記被処理物に付着する以前に該被処理物に前記触媒が付着するように構成されている、請求項6に記載の装置。
- 被処理物の表面に自己組織化単分子膜を作製する方法であって:
自己組織化単分子膜形成材料を含むミストを生成すること;
該ミストを加熱して前記膜形成材料の少なくとも一部を気化させること;および、
その気化した膜形成材料を含む膜形成材料含有ガスを前記被処理物に供給して該膜形成材料を前記被処理物に付着させること;
を含む、自己組織化単分子膜の作製方法。 - 前記被処理物を冷却しつつ該被処理物に前記膜形成材料含有ガスを供給する、請求項8に記載の方法。
- 前記膜形成材料を付着させる前に前記被処理物に真空紫外光を供給することをさらに含む、請求項8または9に記載の方法。
- 前記膜形成材料の付着完了後に前記被処理物を加熱することをさらに含む、請求項8,9または10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記膜形成材料の膜形成反応を促進する触媒を前記被処理物に供給することをさらに含む、請求項8から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記被処理物への前記触媒の供給は、該被処理物に前記膜形成材料を付着させる以前に行われる、請求項12に記載の方法。
- 前記被処理物への前記膜材料含有ガスの供給は、前記膜材料含有ガスが供給される箇所に対して前記被処理物を相対的に移動させつつ行われる、請求項8から13のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の装置を用いて被処理物の表面に自己組織化単分子膜を作製することを特徴とする、自己組織化単分子膜付き物品の製造方法。
- 請求項8から14のいずれか一項に記載の方法によって被処理物の表面に自己組織化単分子膜を作製することを特徴とする、自己組織化単分子膜付き物品の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011072922A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 自己組織化膜作製法 |
JP2012098134A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Utsunomiya Univ | 熱伝導率測定用プローブ及びその製造方法 |
US8911063B2 (en) | 2012-01-31 | 2014-12-16 | Ricoh Company, Ltd. | Thin film forming apparatus, thin film forming method, electro-mechanical transducer element, liquid ejecting head, and inkjet recording apparatus |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163417A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH06310444A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 液体原料用cvd装置 |
JPH06327971A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化学吸着膜の製造方法 |
JP2000192241A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-11 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜堆積装置及び薄膜堆積装置の運用方法 |
JP2001335922A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-07 | Sato Seigyo Kk | 気相成長結晶薄膜製造装置 |
JP2002270539A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Seiko Epson Corp | 被膜形成方法、その方法により製造された半導体装置および被膜形成装置 |
JP2003276110A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体およびその製造方法 |
JP2006035066A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 化学吸着膜の形成方法、及び化学吸着膜 |
WO2006112408A1 (ja) * | 2005-04-15 | 2006-10-26 | National University Corporation Nagoya University | 自己組織化単分子膜の作製方法とその利用 |
-
2006
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06327971A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化学吸着膜の製造方法 |
JPH06163417A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH06310444A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 液体原料用cvd装置 |
JP2000192241A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-11 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜堆積装置及び薄膜堆積装置の運用方法 |
JP2001335922A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-12-07 | Sato Seigyo Kk | 気相成長結晶薄膜製造装置 |
JP2002270539A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Seiko Epson Corp | 被膜形成方法、その方法により製造された半導体装置および被膜形成装置 |
JP2003276110A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体およびその製造方法 |
JP2006035066A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 化学吸着膜の形成方法、及び化学吸着膜 |
WO2006112408A1 (ja) * | 2005-04-15 | 2006-10-26 | National University Corporation Nagoya University | 自己組織化単分子膜の作製方法とその利用 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011072922A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 自己組織化膜作製法 |
JP2012098134A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Utsunomiya Univ | 熱伝導率測定用プローブ及びその製造方法 |
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