JP2008160000A - ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体 - Google Patents

ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP2008160000A
JP2008160000A JP2006349479A JP2006349479A JP2008160000A JP 2008160000 A JP2008160000 A JP 2008160000A JP 2006349479 A JP2006349479 A JP 2006349479A JP 2006349479 A JP2006349479 A JP 2006349479A JP 2008160000 A JP2008160000 A JP 2008160000A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
processed
chamber
processing
load lock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006349479A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5084250B2 (ja
Inventor
Yusuke Muraki
雄介 村木
Shigeki Tozawa
茂樹 戸澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2006349479A priority Critical patent/JP5084250B2/ja
Priority to KR1020097005837A priority patent/KR101432327B1/ko
Priority to US12/439,960 priority patent/US20110035957A1/en
Priority to PCT/JP2007/074546 priority patent/WO2008078651A1/ja
Priority to TW096149962A priority patent/TW200847275A/zh
Publication of JP2008160000A publication Critical patent/JP2008160000A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5084250B2 publication Critical patent/JP5084250B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】チャンバーに吸着するガスを用いた場合でもダミーを流すことなく、被処理体間のガス処理のばらつきを低減することができるガス処理装置を提供すること。
【解決手段】ガス処理装置は、ウエハＷを収容するチャンバー４０と、チャンバー４０に対し１枚ずつ被処理体を搬送する搬送機構１７と、チャンバー４０内にウエハＷに対しガス処理を施すための吸着性を有する処理ガスを供給するガス供給機構と、１枚目の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入させ、所定時間後に前記チャンバー内に１枚目の被処理体を搬入させるように前記ガス供給機構と前記搬送機構とを制御する制御部９０とを具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は、吸着性を有する処理ガスにより被処理体にガス処理を施すガス処理装置およびガス処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。
近時、半導体デバイスの製造過程で、ドライエッチングやウエットエッチングに代わる微細化エッチングが可能な方法として、化学的酸化物除去処理（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ；ＣＯＲ）と呼ばれる手法が注目されている。この手法の一例として、例えば被処理体である半導体ウエハの表面に形成された二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜をエッチングするために、減圧状態で被処理体を温度調節しながら、チャンバー内にフッ化水素（ＨＦ）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスの混合ガスを供給し、二酸化シリコンと反応させてフルオロケイ酸アンモニウム［（ＮＨ４）２ＳｉＦ６］を生成させ、次工程でこのフルオロケイ酸アンモニウムを加熱して気化させることより、二酸化シリコン膜を表面側から消費させてエッチングするＣＯＲプロセスが知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
上記ＣＯＲプロセスは、大気雰囲気に設けられた搬入出部と、ロードロック室と、真空雰囲気でＣＯＲ処理後に半導体ウエハを加熱する加熱処理装置、および真空雰囲気で半導体ウエハに対してＣＯＲ処理を行うＣＯＲ処理装置がこの順でゲートバルブを介して直線的に配置された処理システムを用いて行われる。処理に際しては、搬入出部に設けられた大気側の搬送装置によりキャリア内の半導体ウエハを一枚ずつ取り出し、ロードロック室に搬入する。ロードロック室にも搬送装置が設けられており、その中が真空排気された後、その搬送装置により加熱処理装置を介してＣＯＲ処理装置に半導体ウエハを搬送する。そして、ＣＯＲ処理装置でＣＯＲ処理を施した後、ウエハを加熱処理装置に搬送し、加熱処理処理を施す。その後、ロードロック室を介して搬入出部のキャリアへ半導体ウエハを収納する。
ところで、ＣＯＲ装置においては、処理開始前のアイドル状態ではチャンバー内はＮ２ガスでパージされており、処理開始の際にＨＦガスおよびＮＨ３ガスを導入するが、これらＨＦガスおよびＮＨ３ガスはチャンバー壁に吸着しやすいガスであり、Ｎ２ガスでパージされてガス吸着があまりない状態でＨＦガスおよびＮＨ３ガスが供給されると、その一部がチャンバー壁に吸着される。このため、１枚目のウエハに対してはウエハ表面に供給されるガスが実効的に少なくなり、エッチレートの低減等の影響が懸念される。２枚目、３枚目とウエハ処理が進むと、チャンバー壁に吸着されるガス量と放出されるガス量とが釣り合うようになり雰囲気が安定するようになる。このため、従来は、プロセス特性のウエハ間ばらつきを抑制する観点から、１枚または複数枚のダミーウエハを先行して流し、ＣＯＲ処理装置のチャンバー内雰囲気が安定してから実ウエハを流すことが行われている。
しかしながら、ダミーウエハを流すことにより、ロット処理時の実効的なスループットが低減してしまう。また、搬入搬出部にダミーウエハを収容するスペースが必要となり装置が大型化してしまう。
米国特許出願公開第２００４−０１８２４１７号明細書 米国特許出願公開第２００４−０１８４７９２号明細書 特開２００５−３９１８５号公報
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、チャンバーに吸着するガスを用いた場合でもダミーを流すことなく、被処理体間のガス処理のばらつきを低減することができるガス処理装置およびガス処理方法を提供することを目的とする。
また、このような方法を実行させる制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、被処理体を収容するチャンバーと、
前記チャンバーに対し複数の被処理体を連続的に搬送する搬送機構と、
前記チャンバー内に被処理体に対しガス処理を施すための吸着性を有する処理ガスを供給するガス供給機構と、
最初の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入させ、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入させるように前記ガス供給機構と前記搬送機構とを制御する制御機構と
を具備することを特徴とするガス処理装置を提供する。
上記第１の観点において、前記制御機構は、前記チャンバー内における処理ガスの前記チャンバーの壁部への吸着速度が所定の範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入させるようにすることができる。また、前記チャンバー内の圧力を測定する圧力測定機構をさらに具備し、前記制御機構は、前記圧力測定機構により検出された圧力降下から前記処理ガスの吸着速度を把握し、この吸着速度が所定範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入させるようにすることもできる。
本発明の第２の観点では、被処理体を収容して大気状態と真空状態に保持可能なロードロック室と、大気雰囲気下で前記ロードロック室に対して被処理体を搬入する第１の搬送機構と、減圧雰囲気下で、吸着性を有する処理ガスを供給して被処理体にガス処理を施し、被処理体の表面に反応生成物を形成させるガス処理部と、減圧雰囲気下で、前記ガス処理後の被処理体に加熱処理を施し、前記反応生成物を分解させる加熱処理部と、前記ロードロック室に設けられ前記ガス処理部および前記加熱処理部に被処理体を搬送する第２の搬送機構と、各構成部を制御する制御部とを具備し、複数の被処理体を連続的に搬送してガス処理を施すガス処理装置であって、前記ガス処理部は、被処理体を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に前記処理ガスを供給するガス供給機構とを有し、前記制御機構は、最初の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入させ、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入させるように前記ガス供給機構と前記第２の搬送機構とを制御することを特徴とするガス処理装置を提供する。
上記第２の観点において、前記制御機構は、前記チャンバー内における処理ガスの前記チャンバーの壁部への吸着速度が所定の範囲のときに前記第２の搬送機構に被処理体を前記チャンバー内に搬入させるようにすることができる。また、前記チャンバー内の圧力を測定する圧力測定機構をさらに具備し、前記制御機構は、前記圧力測定機構により検出された圧力降下から前記処理ガスの吸着速度を把握し、この吸着速度が所定範囲のときに前記第２の搬送機構に被処理体を前記チャンバー内に搬入させるようにすることもできる。
さらに、前記ロードロック室に隣接して前記加熱処理部が設けられ、前記加熱処理部に隣接して前記ガス処理部が設けられ、ロードロック室、加熱処理部、ガス処理部が直線状に配置されている構成とすることができる。この場合に、前記制御機構は、前記第１および第２の搬送機構に、最初の被処理体をロードロック室から前記ガス処理部へ搬送させ、次いで２回目のウエハをロードロック室に搬送させ、ガス処理が終了した時点で最初の被処理体を前記加熱処理部に搬送させ、次いで２回目の被処理体をガス処理部に搬送させ、最初の被処理体の加熱処理が終了後、最初の被処理体を前記ロードロック室を介して搬出するとともに、３回目の被処理体をロードロック室に搬送させ、２回目の被処理体のガス処理が終了後、２回目の被処理体を前記加熱処理部に搬送させるとともに、３回目の被処理体をガス処理部に搬送させ、さらに同様の搬送動作を４回目以降の被処理体にも行わせるようにすることができる。
さらにまた、前記制御機構は、最初の被処理体および２回目の被処理体の前記ロードロック室での待機時間が３回目以降の被処理体の待機時間と同じになるように最初の被処理体および２回目の被処理体に所定の待機をさせるようにすることができる。また、前記待機時間は、最初の被処理体に対しては前記ロードロック室において３回目以降の被処理体の待機時間と同じになるように待機させ、２回目の被処理体に対しては、前記ロードロック室に搬入される前に前記ロードロック室での待機時間が３回目以降の被処理体と同じになるように待機させるようにすることができる。
さらにまた、前記被処理体が表面酸化膜を有するＳｉ基板であり、前記ガス処理部がＨＦガスとＮＨ３ガスを供給して被処理体表面にフルオロ珪酸アンモニウムを形成し、前記加熱処理部における加熱によりフルオロ珪酸アンモニウムを分解するものであってよい。
本発明の第３の観点では、被処理体を収容するチャンバーに対し複数の被処理体を連続的に搬送し、前記チャンバー内に被処理体に対しガス処理を施すための吸着性を有する処理ガスを供給してガス処理を行うガス処理方法であって、最初の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入し、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入することを特徴とするガス処理方法を提供する。
上記第３の観点において、前記チャンバー内における処理ガスの前記チャンバーの壁部への吸着速度が所定の範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入するようにすることができる。また、前記チャンバー内の圧力降下を検出し、その圧力降下から前記処理ガスの吸着速度を把握し、この吸着速度が所定範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入するようにすることもできる。
本発明の第４の観点によれば、被処理体を収容して大気状態と真空状態に保持可能なロードロック室と、大気雰囲気下で前記ロードロック室に対して被処理体を搬入する第１の搬送機構と、減圧雰囲気下で、吸着性を有する処理ガスを供給して被処理体にガス処理を施し、被処理体の表面に反応生成物を形成させるガス処理部と、減圧雰囲気下で、前記ガス処理後の被処理体に加熱処理を施し、前記反応生成物を分解させる加熱処理部と、前記ロードロック室に設けられ前記ガス処理部および前記加熱処理部に被処理体を搬送する第２の搬送機構とを有するガス処理装置によりガス処理するガス処理方法であって、前記ガス処理部において、被処理体を収容するチャンバーに対し複数の被処理体を連続的に搬送し、前記チャンバー内に前記処理ガスを供給してガス処理を行うにあたり、 最初の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入し、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入することを特徴とするガス処理方法を提供する。
上記第４の観点において、前記チャンバー内における処理ガスの前記チャンバーの壁部への吸着速度が所定の範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入するようにすることができる。また、前記チャンバー内の圧力降下を検出し、その圧力降下から前記処理ガスの吸着速度を把握し、この吸着速度が所定範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入するもできる。
前記ガス処理装置は、前記ロードロック室に隣接して前記加熱処理部が設けられ、前記加熱処理部に隣接して前記ガス処理部が設けられ、ロードロック室、加熱処理部、ガス処理部が直線状に配置され、最初の被処理体をロードロック室から前記ガス処理部へ搬送し、次いで２回目のウエハをロードロック室に搬送し、ガス処理が終了した時点で最初の被処理体を前記加熱処理部に搬送し、次いで２回目の被処理体をガス処理部に搬送し、最初の被処理体の加熱処理が終了後、最初の被処理体を前記ロードロック室を介して搬出するとともに、３回目の被処理体をロードロック室に搬送し、２回目の被処理体のガス処理が終了後、２回目の被処理体を前記加熱処理部に搬送するとともに、３回目の被処理体をガス処理部に搬送し、さらに４回目以降の被処理体にも同様に搬送するようにすることができる。
また、最初の被処理体および２回目の被処理体の前記ロードロック室での待機時間が３回目以降の被処理体の待機時間と同じになるように最初の被処理体および２回目の被処理体に所定の待機をさせるようにすることができる。この場合に、前記待機時間は、最初の被処理体に対しては前記ロードロック室において３回目以降の被処理体の待機時間と同じになるように待機させ、２回目の被処理体に対しては、前記ロードロック室に搬入される前に前記ロードロック室での待機時間が３回目以降の被処理体と同じになるように待機させるようにすることができる。
さらに、前記被処理体が表面酸化膜を有するＳｉ基板であり、前記ガス処理部がＨＦガスとＮＨ３ガスを供給して被処理体表面にフルオロ珪酸アンモニウムを形成し、前記加熱処理部における加熱によりフルオロ珪酸アンモニウムを分解するものであってよい。
本発明の第５の観点では、コンピュータ上で動作し、ガス処理装置を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第３または第４の観点の方法が行われるように、コンピュータに前記ガス処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
本発明によれば、最初の被処理体をチャンバーに搬入する前に、吸着性を有する処理ガスを前記チャンバーに導入し、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入するようにしたので、初期段階において、処理ガスのチャンバー壁部への吸着による処理ガスの被処理体への供給不足が解消され、ばらつきのない安定したガス処理を行うことができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい形態について説明する。
図１に、本発明の一実施形態に係る処理システム１の概略構成を示す。この処理システム１は、半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗを処理システム１に対して搬入出させる搬入出部２と、搬入出部２に隣接させて設けられた２つのロードロック室（Ｌ／Ｌ）３と、各ロードロック室３にそれぞれ隣接させて設けられ、ウエハＷに対してＰＨＴ（Ｐｏｓｔ Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理を行なうＰＨＴ処理装置（ＰＨＴ）４と、各ＰＨＴ処理装置４にそれぞれ隣接させて設けられ、ウエハＷに対してＣＯＲ処理を行なうＣＯＲ処理装置（ＣＯＲ）５とを備えている。ロードロック室３、ＰＨＴ処理装置４およびＣＯＲ処理装置５は、この順に一直線上に並べて設けられている。
搬入出部２は、ウエハＷを搬送する第１ウエハ搬送機構１１が内部に設けられた搬送室（Ｌ／Ｍ）１２を有している。第１ウエハ搬送機構１１は、ウエハＷを略水平に保持する２つの搬送アーム１１ａ，１１ｂを有している。搬送室１２の長手方向の側部には、載置台１３が設けられており、この載置台１３には、ウエハＷを複数枚並べて収容可能なキャリアＣが例えば３つ備えられている。また、搬送室１２に隣接して、ウエハＷを回転させて偏心量を光学的に求めて位置合わせを行なうオリエンタ１４が設置されている。
搬入出部２において、ウエハＷは、搬送アーム１１ａ，１１ｂによって保持され、第１ウエハ搬送装置１１の駆動により略水平面内で直進移動、また昇降させられることにより、所望の位置に搬送させられる。そして、載置台１３上のキャリアＣ、オリエンタ１４、ロードロック室３に対してそれぞれ搬送アーム１１ａ，１１ｂが進退することにより、搬入出させられるようになっている。
各ロードロック室３は、搬送室１２との間にそれぞれゲートバルブ１６が介在された状態で、搬送室１２にそれぞれ連結されている。各ロードロック室３内には、ウエハＷを搬送する第２ウエハ搬送機構１７が設けられている。また、ロードロック室３は、所定の真空度まで真空引き可能に構成されている。
第２ウエハ搬送機構１７は、図２に示すように、多関節構造を有しており、ウエハＷを略水平に保持する搬送アーム１７ａを有している。このウエハ搬送機構１７においては、多関節構造を縮めた状態で搬送アーム１７ａがロードロック室３内に位置し、多関節構造を伸ばすことにより、搬送アーム１７ａがＰＨＴ処理装置４に位置し、さらに伸ばすことによりＣＯＲ処理装置５に位置することが可能となっており、搬送アーム１７ａにウエハＷを載せた状態で第２ウエハ搬送機構１７の多関節構造を伸縮させることにより、ウエハＷをロードロック室３、ＰＨＴ処理装置４、およびＣＯＲ処理装置５間でのウエハＷを搬送することが可能となっている。
ＰＨＴ処理装置４は、図３に示すように、真空引き可能なチャンバー２０と、その中でウエハＷを載置する載置台２３を有し、載置台２３にはヒーター２４が埋設されており、このヒーター２４によりＣＯＲ処理が施された後のウエハＷを加熱してＣＯＲ処理により生成した反応生成物を気化（昇華）させるＰＨＴ処理を行なう。チャンバー２０のロードロック室３側には、ロードロック室３との間でウエハを搬送する搬入出口２０ａが設けられており、この搬入出口２０ａはゲートバルブ２２によって開閉可能となっている。また、チャンバー２０のＣＯＲ処理装置５側にはＣＯＲ処理装置５との間でウエハＷを搬送する搬入出口２０ｂが設けられており、この搬入出口２０ｂはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。さらに、チャンバー２０に例えば窒素ガス（Ｎ２）などの不活性ガスを供給するガス供給路２５を備えたガス供給機構２６、およびチャンバー２０内を排気する排気路２７を備えた排気機構２８が備えられている。ガス供給路２５は、窒素ガス供給源３０に接続されている。そして、ガス供給路２５には、流路の開閉動作および窒素ガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁３１が介設されている。排気機構２８の排気路２７には、開閉弁３２および真空ポンプ３３が設けられている。
ＣＯＲ処理装置５は、図４および図５に示すように、密閉構造のチャンバー４０を備えており、チャンバー４０の内部には、ウエハＷを略水平にした状態で載置させる載置台４２が設けられている。また、ＣＯＲ処理装置５には、チャンバー４０にＨＦガスおよびＮＨ３ガス等を供給するガス供給機構４３、チャンバー４０内を排気する排気機構４４が設けられている。そして、チャンバー４０内にＨＦガスとＮＨ３ガスを導入して所定圧力に維持し、これらガスをウエハＷに接触させて、ウエハＷ上に形成された酸化膜（ＳｉＯ２）に作用させ、反応生成物としてフルオロケイ酸アンモニウム［（ＮＨ４）２ＳｉＦ６］を生成させるようになっている。対象となる酸化膜としては、ウエハＷの表面に形成される自然酸化膜であってもよいし、デバイスを構成する酸化膜であってもよい。
チャンバー４０は、チャンバー本体５１と蓋体５２とによって構成されている。チャンバー本体５１は、底部５１ａおよび略円筒形状の側壁部５１ｂを備えている。側壁部５１ｂの下部は、底部５１ａによって閉塞されており、側壁部５１ｂの上部は開口になっている。この上部の開口に蓋体５２が装着されて閉塞される。側壁部５１ｂと蓋体５２とは、図示しないシール部材により封止されて、チャンバー４０内の気密性が確保されている。
図５に示すように、側壁部５１ｂには、ＰＨＴ処理装置４のチャンバー２０に対してウエハＷを搬入出する搬入出口５３が設けられており、この搬入出口５３はゲートバルブ５４により開閉可能となっている。すなわち、チャンバー４０は、ゲートバルブ５４を介してＰＨＴ処理装置４のチャンバー２０に連結されている。
蓋体５２は、蓋体本体５２ａと、処理ガスを吐出させるシャワーヘッド５２ｂとを備えている。シャワーヘッド５２ｂは、蓋体本体５２ａの下部に取付けられており、シャワーヘッド５２ｂの下面が、蓋体５２の内面（下面）となっている。また、シャワーヘッド５２ｂは、チャンバー４０の天井部を構成し、載置台４２の上方に設置されており、載置台４２上のウエハＷに対して上方から、各種ガスを供給するようになっている。シャワーヘッド５２ｂの下面には、ガスを吐出させるための複数の吐出口５２ｃが、下面全体に開口して形成されている。
載置台４２は、平面視略円形をなしており、底部５１ａに固定されている。載置台４２の内部には、載置台４２の温度を調節する温度調節器５５が設けられている。温度調節器５５は、例えば温度調節用媒体（例えば水など）が循環させられる管路を備えており、かかる管路内を流れる温度調節用媒体と熱交換が行なわれることにより、載置台４２の温度が調節され、載置台４２上のウエハＷの温度制御がなされる。
ガス供給機構４３は、前述したシャワーヘッド５２ｂと、チャンバー４０内にＨＦガスを供給するＨＦガス供給路６１と、ＮＨ３ガスを供給するＮＨ３ガス供給路６２と、不活性ガスとしてＡｒを供給するＡｒガス供給路６３と、Ｎ２ガスを供給するＮ２ガス供給路６４とを備えている。ＨＦガス供給路６１、ＮＨ３ガス供給路６２、Ａｒガス供給路６３およびＮ２ガス供給路６４は、シャワーヘッド５２ｂに接続されており、シャワーヘッド５２ｂを介してチャンバー４０内にＨＦガス、ＮＨ３ガス、ＡｒガスおよびＮ２ガスが吐出され、拡散されるようになっている。
ＨＦガス供給路６１は、ＨＦガス供給源７１に接続されている。また、ＨＦガス供給路６１には、流路の開閉動作およびＨＦガスの供給流量の調節が可能な流量調節弁７２が設けられている。同様に、ＮＨ３ガス供給路６２は、ＮＨ３ガス供給源７３に接続されており、該ＮＨ３ガス供給路６２には、流路の開閉動作およびアンモニアガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁７４が介設されている。Ａｒガス供給路６３は、Ａｒガス供給源７５に接続されており、該Ａｒガス供給路６３には、流路の開閉動作およびＡｒガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁７６が介設されている。Ｎ２ガス供給路６４は、Ｎ２ガス供給源７７に接続されており、Ｎ２ガス供給路６４には、流路の開閉動作および窒素ガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁７８が介設されている。
排気機構４４は、開閉弁８２、強制排気を行なうための真空ポンプ８３が設けられた排気路８５を備えている。排気路８５の端部は、チャンバー４０の底部５１ａの開口に接続されている。
チャンバー４０の側壁からチャンバー４０内に、チャンバー４０内の圧力を計測するための圧力計としての２つのキャパシタンスマノメータ８６ａ，８６ｂが挿入されている。キャパシタンスマノメータ８６ａは高圧力用、キャパシタンスマノメータ８６ｂは低圧力用となっている。
ＣＯＲ処理装置５を構成するチャンバー４０、載置台４２等の各種構成部品の材質としては、Ａｌが用いられている。チャンバー４０を構成するＡｌ材は無垢のものであってもよいし、内面（チャンバー本体５１の内面、シャワーヘッド５２ｂの下面など）に陽極酸化処理を施したものであってもよい。一方、載置台４２を構成するＡｌの表面は耐摩耗性が要求されるので、陽極酸化処理を行って表面に耐摩耗性の高い酸化被膜（Ａｌ２Ｏ３）を形成することが好ましい。
図１に示すように、処理システム１は制御部９０を有している。制御部９０は、図６に示すように、処理システム１の各構成部を制御するマイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたプロセスコントローラ９１を有している。プロセスコントローラ９１には、オペレータが処理システム１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、処理システム１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース９２が接続されている。また、プロセスコントローラ９１には、処理システム１で実行される各種処理、例えばＣＯＲ処理装置５における処理ガスの供給やチャンバー４０内の排気などをプロセスコントローラ９０の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件に応じて処理システム１の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわちレシピ、さらに各種データベース等が格納された記憶部９３が接続されている。レシピは記憶部９３の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース９２からの指示等にて任意のレシピを記憶部９３から呼び出してプロセスコントローラ９１に実行させることで、プロセスコントローラ９１の制御下で、処理システム１での所望の処理が行われる。
特に、本実施形態では、プロセスコントローラ９１により、ＣＯＲ処理装置５において、ＨＦガスおよびＮＨ３ガスがチャンバー４０の壁部へ吸着することにより、１枚目（最初）のウエハＷにおけるウエハ表面へのガス供給量低下による処理のばらつきを回避するために、１枚目のウエハＷの搬入に先立ってＨＦガスおよびＮＨ３ガスが供給されるようにガス供給機構４３を制御し、また、キャパシタンスマノメータ８６ａ、８６ｂの検出値によりチャンバー４０内の雰囲気のオートチェックを行うようになっている。また、プロセスコントローラ９１により、第１および第２ウエハ搬送機構１１、１７を制御して、ロードロック室３でのウエハＷの待機時間が一定になるようにされる。
次に、このような処理システム１の処理動作について説明する。
まず、処理システム１によって処理されるウエハＷの構造について図７および図８を参照しつつ説明する。
図７は、ウエハＷの表面（デバイス形成面）部分の要部断面図である。このウエハＷは、Ｓｉ基板３０１上にＳｉＯ２からなるゲート酸化膜３０２を介してゲート電極としてのポリシリコン膜３０３が形成されており、ポリシリコン膜の側壁部にはサイドウォールとして例えばＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）を用いて成膜されたＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜３０４が形成されている。Ｓｉ基板３０１の表面（上面）は略平坦面となっており、ゲート酸化膜３０２はＳｉ基板３０１の表面を覆うように積層されている。このゲート酸化膜３０２は熱酸化膜として形成される。ゲート電極としてのポリシリコン膜３０３は所定のパターン形状にエッチングされ、ポリシリコン層３０３は、図７において手前側から奥側へ向かう方向に延設された細長い板状に形成されており、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜３０４はポリシリコン層３０３の左右両側面に沿って設けられている。ポリシリコン膜３０３のエッチングにより除去され、かつＴＥＯＳ−ＳｉＯ２層３０４が形成されていない部分はゲート酸化膜３０２が露出した状態となっている。
図８は、図７の状態からウエットエッチングで露出したゲート酸化膜３０２を除去した後のウエハＷの状態を示している。エッチングにより、ウエハＷは、露出していたゲート酸化膜３０２とその下地であるＳｉ基板３０１の一部が除去される。これにより、ポリシリコン膜３０３およびＴＥＯＳ−ＳｉＯ２層３０４の両側にエッチングにより生じた凹部３０５が形成される。凹部３０５は、ゲート酸化膜３０２の表面高さから、Ｓｉ基板３０１まで陥没するように形成され、凹部３０５においては、Ｓｉ基板３０１が露出した状態になる。Ｓｉ基板３０１は酸化されやすいので、凹部３０５の表面に自然酸化膜（ＳｉＯ２）３０６が形成される。
このような図８に示す状態のウエハＷをキャリアＣ内に収納し、処理システム１に搬送する。この処理システム１においては、大気側のゲートバルブ１６を開いた状態で搬入出部２のキャリアＣから第１ウエハ搬送機構１１の搬送アーム１１ａ、１１ｂのいずれかによりウエハＷを１枚ロードロック室３に搬送し、ロードロック室３内の第２ウエハ搬送機構１７のウエハ搬送アーム１７ａに受け渡す。
その後、大気側のゲートバルブ１６を閉じてロードロック室３内を真空排気し、次いでゲートバルブ２２および５４を開いて、ウエハ搬送アーム１７ａをＣＯＲ処理装置５まで伸ばして載置台４２にウエハＷを載置する。
その後、搬送アーム１７ａをロードロック室３に戻し、ゲートバルブ５４を閉じ、チャンバー４０内を密閉状態とし、まず、ガス供給機構４３からＮＨ３ガス、ＡｒガスおよびＮ２ガスをチャンバー４０内に導入する。また、温度調節器５５によってウエハＷの温度を所定の目標値（例えば約２５℃程度）に調節する。
その後、チャンバー４０内にガス供給機構４３からＨＦガスが導入される。ここで、チャンバー４０内には、予めＮＨ３ガスが供給されているので、ＨＦガスを導入することによりチャンバー４０内の雰囲気はＨＦガスとＮＨ３ガスとを含む雰囲気となり、ウエハＷに対してＣＯＲ処理が開始される。これにより、ウエハＷの凹部３０５の表面に存在する自然酸化膜３０６は、フッ化水素ガスの分子およびアンモニアガスの分子と化学反応して、図９に示すように反応生成物３０７に変質される。ＣＯＲ処理中は、チャンバー４０内は所定の圧力、例えば、約１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）に維持されるようにする。
反応生成物３０７としては、フルオロケイ酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）や水等が生成される。生成された水は、ウエハＷの表面から拡散せずに、反応生成物３０７の膜中に閉じこめられ、ウエハＷの表面に保持された状態になる。
このような処理が終了した後、ゲートバルブ２２、５４を開き、第２ウエハ搬送機構１７の搬送アーム１７ａにより載置台４２上の処理後のウエハＷを受け取り、ＰＨＴ処理装置４のチャンバー２０内の載置台２３上に載置する。そして、搬送アーム１７ａをロードロック室３に退避させ、ゲートバルブ２２、５４を閉じた後、チャンバー２０内にＮ２ガスを導入しつつ、ヒーター２４により載置台２３上のウエハＷを加熱する。これにより、上記ＣＯＲ処理によって生じた反応生成物３０７が加熱されて気化し、凹部３０５の内面から除去され、図１０に示すようにＳｉ基板３０１の表面が露出させられる。
このように、ＣＯＲ処理の後、ＰＨＴ処理を行なうことにより、ドライ雰囲気で自然酸化膜３０６を除去することができ、ウォーターマーク等が生じない。また、プラズマレスでエッチングできるのでダメージの少ない処理が可能となる。さらに、ＴＥＯＳ−ＳｉＯ２膜に対して選択比の高いエッチングが可能である。さらにまた、ＣＯＲ処理は、所定時間経過後、エッチングが進まなくなるので、オーバーエッチをかけても反応が進まず、エンドポイント管理が不要となる。
このような加熱処理が終了後、第２ウエハ搬送装置１７の搬送アーム１７ａによりウエハＷをロードロック室３に収容し、ゲートバルブ２２を閉じた後、ロードロック室３を大気に戻し、第１ウエハ搬送機構１１によりウエハＷを搬入出部２のキャリアＣに収納する。
以上のような動作を、キャリアＣに収納されているウエハＷの枚数繰り返し、処理を終了する。
以上のような一連の処理の中で、ＣＯＲ処理装置５で用いられるＨＦガスおよびＮＨ３ガスは、チャンバー４０の壁面に吸着あるいは吸収されやすく、Ｎ２ガスによりパージされているアイドル状態で壁面にガスがあまり吸着していない状態から、ＨＦガスおよびＮＨ３ガスを流しても、その直後はこれらが壁面に吸着されてウエハＷの表面に供給されるガスが実効的に少なくなる。ＨＦ等のガスの吸着は、Ａｌ無垢のチャンバーよりも表面が陽極酸化処理されたＡｌのチャンバーのほうが大きく、したがってこのような傾向は陽極酸化処理されたＡｌのチャンバーのほうが顕著である。
このため、従来のように１枚目（最初）のウエハＷをＨＦガスおよびＮＨ３ガスを導入してすぐにＣＯＲ処理装置５のチャンバー４０に搬入すると、これらガスの吸着により、その後のウエハＷに比べてウエハＷの表面に供給されるガスが実効的に少なくなってエッチレートの低減等により酸化膜除去処理のウエハ間ばらつきが生じてしまう。また最初にダミーウエハを流したのでは、上述したように、スループット低下および装置の大型化を招く。
そこで、本実施形態では、ダミーウエハを用いることなくシーケンスを工夫することで酸化膜除去処理のウエハ間ばらつきを解消する。以下図１１のフローチャートを参照して本実施形態のシーケンスを説明する。
まず、オペレータが処理開始のコマンドを入力すると、搬入出部２の第１搬送機構１１によりキャリアＣから１枚目（最初）のウエハＷが取り出される（ステップ１）。次いで、１枚目のウエハＷがロードロック室３へ搬送され、第２ウエハ搬送機構１７の搬送アーム１７ａ上に載置される（ステップ２）。その後、ロードロック室３の真空引きが行われＣＯＲ処理装置５へ搬送可能な状態とされる（ステップ３）。この状態で、本実施形態ではプロセスコントローラ９０からの指令により１枚目のウエハＷをＣＯＲ処理装置に搬送するに先立って、ＨＦガスおよびＮＨ３ガスをチャンバー４０内に導入する（ステップ４）。このガスの導入に際しては、プロセスコントローラ９０がプロセス条件に応じて、その流量、圧力、時間が最適になるように制御する。
このようにして所定時間経過後、チャンバー４０の壁部のガス吸着状態が許容される状態になったか否かについてオートチェックを行う（ステップ５）。オートチェックは、チャンバー４０内に処理ガスであるＨＦガスおよびＮＨ３ガスを導入した状態で排気路のバルブを閉じて封入状態として圧力の変化を見る。このようにガスを封入した状態では、図１２に示すように、ガスの吸着により圧力が低下する。そして、圧力低下の勾配が所定の範囲のときにガスの吸着と放出の関係が正常であると判断し、ウエハＷのチャンバー４０への搬入を行う（ステップ６）。一方、圧力低下の勾配が所定の範囲を外れた場合には、再度ガス導入を行い（リトライ）を行い（ステップ７）、再度チェックを行い、圧力低下の勾配が所定の範囲になるまで続ける。ステップ６の後、ＣＯＲ処理装置５のチャンバー４０内でＨＦガスとＮＨ３ガスによる処理（ＣＯＲ処理）が行われる（ステップ８）。
これにより１枚目のウエハＷのＣＯＲ処理装置５での処理までのシーケンスは終了するが、この処理の間に２枚目（２回目）のウエハＷがロードロック室３に搬送される。１枚目のウエハＷは上述したようにＰＨＴ処理装置４で加熱処理が施され、加熱処理終了後、ロードロック室３を介して搬入出部２のキャリアＣ内に収納される。一方、１枚目のウエハＷのＣＯＲ処理装置５での処理が終了後、２枚目のウエハＷは搬送アーム１７ａによりＣＯＲ処理装置５に搬送されてＨＦガスとＮＨ３ガスによる処理が行われる。このようにして、２枚目以降、３枚目（３回目）、４枚目（４回目）と順次ウエハＷが搬送されて同様の処理が行われる。
このように、１枚目のウエハＷをＣＯＲ処理装置５のチャンバー４０に搬入する前に、チャンバー４０内の雰囲気を調整する期間を設けることにより、ＨＦガスやＮＨ３ガスがチャンバー４０の壁部に吸着してウエハＷに供給されるガス量が減少するという不都合を解消することができる。
なお、ステップ５のオートチェックを設けることにより、高精度でガスの吸着が許容範囲か否かを把握することができるが、ステップ４において、プロセス条件に応じた、最適なガスの流量、圧力、時間が予め正確に把握されていれば、オートチェックは必ずしも必要はなく、ステップ４によりチャンバー４０内のガス雰囲気が安定したとして、そのままＣＯＲ処理装置５のチャンバー４０にウエハＷを搬入してＣＯＲ処理を実施してもよい。
ところで、処理システム１において、初期段階の処理のばらつきの要因として上述のようなＣＯＲ処理装置５の雰囲気の他に、ウエハの温度を挙げることができる。
すなわち、この種の処理システムでは、通常、１枚目のウエハＷは、ロードロック室３に搬入された後、大気状態から真空状態になったらすぐにＣＯＲ処理装置５に搬送され、ロードロック室３での待機時間はほとんどない。一方、２枚目のウエハＷはロードロック室３に搬入された後、１枚目のウエハＷのＣＯＲ処理が終了するまでの長い時間ロードロック室３で待機している。一方、３枚目以降のウエハＷは、従前のウエハのＣＯＲ処理時間とＰＨＴ処理時間の時間差により決定される時間だけロードロック室３で待機した後にＣＯＲ処理装置５に搬送されるから、ロードロック室３での待機時間は２枚目のウエハＷよりも短い。
ロードロック室３はヒーター２４により加熱されてチャンバー壁の温度が８０℃程度になっているＰＨＴ処理装置４に隣接しているため、ロードロック室３内のウエハＷはそれにより暖められるが、上述のように、１枚目、２枚目のウエハのロードロック室３内の待機時間が３枚目以降のウエハＷの待機時間と異なっているため、ウエハＷの温度も異なり、このため処理がばらついてしまう。
このようなウエハ温度の初期ばらつきによる処理のばらつきを防止するためには、図１３に示すようなシーケンスにより処理を行う。まず、１枚目のウエハＷをロードロック室３に搬入する（ステップ１１）。大気状態から真空状態にした時点で、３枚目以降のウエハの定常状態の待機時間に合わせるようにプロセスコントローラ９０から第２ウエハ搬送機構１７に所定時間待機の指令が出され、１枚目のウエハＷを保持した第２ウエハ搬送機構１７をロードロック室３内に所定時間待機させる（ステップ１２）。所定時間待機後、上述のようにして１枚目のウエハＷをＣＯＲ処理装置に搬送してＨＦガスとＮＨ３ガスによるＣＯＲ処理を行う（ステップ１３）。この処理を行っている際に２枚目のウエハＷを取り出し、ロードロック室３に搬入するが、このとき、ロードロック室３での待機時間が３枚目以降のウエハＷと同じになるように、２枚目のウエハをロードロック室３へ搬入する前にプロセスコントローラ９０から第１ウエハ搬送機構１１に所定時間待機の指令が出され、第１ウエハ搬送機構１１を２枚目のウエハＷを保持した状態で所定時間待機させる（ステップ１４）。所定時間待機後、第１ウエハ搬送機構１１により２枚目のウエハＷをロードロック室３に搬入する（ステップ１５）。そして、１枚目のウエハＷのＣＯＲ処理が終了した後、１枚目のウエハＷをＰＨＴ処理装置４に搬送し（ステップ１６）、引き続き２枚目のウエハＷをＣＯＲ処理装置５に搬送する（ステップ１７）。そして、ＣＯＲ処理装置５での２枚目のウエハＷのＣＯＲ処理とＰＨＴ処理装置４での１枚目のウエハＷのＰＨＴ処理を実行する（ステップ１８）。その後、ＰＨＴ処理装置４におけるＰＨＴ処理が終了した１枚目のウエハＷをロードロック室３に搬送し、さらに第１ウエハ搬送機構１１の一方の搬送アームでロードロック室３内の１枚目のウエハを受け取るとともに、他方の搬送アームでキャリアＣから取り出した３枚目のウエハＷをロードロック室３内に搬入する（ステップ１９）。そして、２枚目のウエハＷのＣＯＲ処理が終了した後、２枚目のウエハＷをＰＨＴ処理装置４に搬送し（ステップ２０）、引き続き３枚目のウエハＷをＣＯＲ処理装置５に搬送する（ステップ２１）。そして、その後、２枚目のウエハＷのＰＨＴ処理と３枚目のウエハＷのＣＯＲ処理を実行する（ステップ２２）。その後、３枚目のウエハのＰＨＴ処理を順次行い、４枚目以降のウエハＷについても３枚目と同様に搬送され処理される。
このように、プロセスコントローラ９０からの指令により適切に待機時間を設けることにより、１枚目および２枚目のウエハＷのロードロック室３での待機時間を３枚目以降のウエハＷと揃えることができるので、ウエハ温度のばらつきによる処理のばらつきを回避することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態ではガス処理としてＣＯＲ処理を行った例を示したが、チャンバー壁部に吸着するガスによる処理であれば適用可能である。また、チャンバー壁部に吸着するガスとして、ＨＦガスおよびＮＨ３ガスを用いた場合について示したが、その他のハロゲンガス、例えば塩素系ガスを用いたガス処理にも用いることができることは言うまでもない。また、上記実施形態では、被処理体を１枚ずつ連続的に搬送した例について示したが、２枚以上ずつ連続して搬送するものであってもよい。
本発明は、チャンバーの壁部に吸着しやすいガスを用いた枚葉式のガス処理装置に好適である。
本発明の一実施形態に係る処理システムの概略構成を示す平面面。 図１の処理システムに搭載された第２のウエハ搬送機構の構成を示す平面図。 図１の処理システムに搭載されたＰＨＴ処理装置を示す断面図。 図１の処理システムに搭載されたＣＯＲ処理装置の概略構成を示す側面図。 図１の処理システムに搭載されたＣＯＲ処理装置のチャンバーの構成を示す概略縦断面図。 図１の処理システムの制御部の構成を示すブロック図。 図１の処理システムで処理されるウエハの表面付近の構造を示す要部断面図。 図７の構造のウエハに対してエッチング処理を施した後のウエハ表面付近の要部断面図。 図８の構造のウエハに対してＣＯＲ処理を施した後のウエハ表面付近の要部断面図。 図８の構造のウエハに対してＰＨＴ処理を施した後のウエハ表面付近の要部断面図。 図１の処理システムを用いて本発明の一実施形態に係る方法を実施した際の処理シーケンスを示すフローチャート。 ＣＯＲ処理装置のチャンバー内におけるガスの吸着状態のオートチェックを説明するための図。 図１の処理システムを用いて本発明の他の実施形態に係る方法を実施した際の処理シーケンスを示すフローチャート。
符号の説明
１；処理システム
２；搬入出部
３；ロードロック室
４；ＰＨＴ処理装置
５；ＣＯＲ処理装置
１１；第１ウエハ搬送機構
１７；第２ウエハ搬送機構
４０：チャンバー
８２：開閉バルブ
８６ａ，８６ｂ：キャパシタンスマノメータ
９０；制御部
９１；プロセスコントローラ

Claims (22)

  1. 被処理体を収容するチャンバーと、
    前記チャンバーに対し複数の被処理体を連続的に搬送する搬送機構と、
    前記チャンバー内に被処理体に対しガス処理を施すための吸着性を有する処理ガスを供給するガス供給機構と、
    最初の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入させ、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入させるように前記ガス供給機構と前記搬送機構とを制御する制御機構と
    を具備することを特徴とするガス処理装置。
  2. 前記制御機構は、前記チャンバー内における処理ガスの前記チャンバーの壁部への吸着速度が所定の範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入させることを特徴とする請求項１に記載のガス処理装置。
  3. 前記チャンバー内の圧力を測定する圧力測定機構をさらに具備し、前記制御機構は、前記圧力測定機構により検出された圧力降下から前記処理ガスの吸着速度を把握し、この吸着速度が所定範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入させることを特徴とする請求項２に記載のガス処理装置。
  4. 被処理体を収容して大気状態と真空状態に保持可能なロードロック室と、
    大気雰囲気下で前記ロードロック室に対して被処理体を搬入する第１の搬送機構と、
    減圧雰囲気下で、吸着性を有する処理ガスを供給して被処理体にガス処理を施し、被処理体の表面に反応生成物を形成させるガス処理部と、
    減圧雰囲気下で、前記ガス処理後の被処理体に加熱処理を施し、前記反応生成物を分解させる加熱処理部と、
    前記ロードロック室に設けられ前記ガス処理部および前記加熱処理部に被処理体を搬送する第２の搬送機構と、
    各構成部を制御する制御部と
    を具備し、複数の被処理体を連続的に搬送してガス処理を施すガス処理装置であって、
    前記ガス処理部は、
    被処理体を収容するチャンバーと、
    前記チャンバー内に前記処理ガスを供給するガス供給機構とを有し、
    前記制御機構は、最初の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入させ、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入させるように前記ガス供給機構と前記第２の搬送機構とを制御することを特徴とするガス処理装置。
  5. 前記制御機構は、前記チャンバー内における処理ガスの前記チャンバーの壁部への吸着速度が所定の範囲のときに前記第２の搬送機構に被処理体を前記チャンバー内に搬入させることを特徴とする請求項４に記載のガス処理装置。
  6. 前記チャンバー内の圧力を測定する圧力測定機構をさらに具備し、前記制御機構は、前記圧力測定機構により検出された圧力降下から前記処理ガスの吸着速度を把握し、この吸着速度が所定範囲のときに前記第２の搬送機構に被処理体を前記チャンバー内に搬入させることを特徴とする請求項５に記載のガス処理装置。
  7. 前記ロードロック室に隣接して前記加熱処理部が設けられ、前記加熱処理部に隣接して前記ガス処理部が設けられ、ロードロック室、加熱処理部、ガス処理部が直線状に配置されていることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載のガス処理装置。
  8. 前記制御機構は、前記第１および第２の搬送機構に、最初の被処理体をロードロック室から前記ガス処理部へ搬送させ、次いで２回目の被処理体をロードロック室に搬送させ、ガス処理が終了した時点で最初の被処理体を前記加熱処理部に搬送させ、次いで２回目の被処理体をガス処理部に搬送させ、最初の被処理体の加熱処理が終了後、最初の被処理体を前記ロードロック室を介して搬出するとともに、３回目の被処理体をロードロック室に搬送させ、２回目の被処理体のガス処理が終了後、２回目の被処理体を前記加熱処理部に搬送させるとともに、３回目の被処理体をガス処理部に搬送させ、さらに同様の搬送動作を４回目以降の被処理体にも行わせることを特徴とする請求項７に記載のガス処理装置。
  9. 前記制御機構は、最初の被処理体および２回目の被処理体の前記ロードロック室での待機時間が３回目以降の被処理体の待機時間と同じになるように最初の被処理体および２回目の被処理体に所定の待機をさせることを特徴とする請求項８に記載のガス処理装置。
  10. 前記待機時間は、最初の被処理体に対しては前記ロードロック室において３回目以降の被処理体の待機時間と同じになるように待機させ、２回目の被処理体に対しては、前記ロードロック室に搬入される前に前記ロードロック室での待機時間が３回目以降の被処理体と同じになるように待機させることを特徴とする請求項９に記載のガス処理装置。
  11. 前記被処理体が表面酸化膜を有するＳｉ基板であり、前記ガス処理部がＨＦガスとＮＨ３ガスを供給して被処理体表面にフルオロ珪酸アンモニウムを形成し、前記加熱処理部における加熱によりフルオロ珪酸アンモニウムを分解するものであることを特徴とする請求項４から請求項１０のいずれか１項に記載のガス処理装置。
  12. 被処理体を収容するチャンバーに対し複数の被処理体を連続的に搬送し、前記チャンバー内に被処理体に対しガス処理を施すための吸着性を有する処理ガスを供給してガス処理を行うガス処理方法であって、
    最初の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入し、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入することを特徴とするガス処理方法。
  13. 前記チャンバー内における処理ガスの前記チャンバーの壁部への吸着速度が所定の範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入することを特徴とする請求項１２に記載のガス処理方法。
  14. 前記チャンバー内の圧力降下を検出し、その圧力降下から前記処理ガスの吸着速度を把握し、この吸着速度が所定範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入することを特徴とする請求項１３に記載のガス処理方法。
  15. 被処理体を収容して大気状態と真空状態に保持可能なロードロック室と、大気雰囲気下で前記ロードロック室に対して被処理体を搬入する第１の搬送機構と、減圧雰囲気下で、吸着性を有する処理ガスを供給して被処理体にガス処理を施し、被処理体の表面に反応生成物を形成させるガス処理部と、減圧雰囲気下で、前記ガス処理後の被処理体に加熱処理を施し、前記反応生成物を分解させる加熱処理部と、前記ロードロック室に設けられ前記ガス処理部および前記加熱処理部に被処理体を搬送する第２の搬送機構とを有するガス処理装置によりガス処理するガス処理方法であって、
    前記ガス処理部において、被処理体を収容するチャンバーに対し複数の被処理体を連続的に搬送し、前記チャンバー内に前記処理ガスを供給してガス処理を行うにあたり、
    最初の被処理体を前記チャンバーに搬入する前に前記処理ガスを前記チャンバーに導入し、所定時間後に前記チャンバー内に最初の被処理体を搬入することを特徴とするガス処理方法。
  16. 前記チャンバー内における処理ガスの前記チャンバーの壁部への吸着速度が所定の範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入することを特徴とする請求項１５に記載のガス処理方法。
  17. 前記チャンバー内の圧力降下を検出し、その圧力降下から前記処理ガスの吸着速度を把握し、この吸着速度が所定範囲のときに被処理体を前記チャンバー内に搬入することを特徴とする請求項１６に記載のガス処理方法。
  18. 前記ガス処理装置は、前記ロードロック室に隣接して前記加熱処理部が設けられ、前記加熱処理部に隣接して前記ガス処理部が設けられ、ロードロック室、加熱処理部、ガス処理部が直線状に配置され、
    最初の被処理体をロードロック室から前記ガス処理部へ搬送し、次いで２回目のウエハをロードロック室に搬送し、ガス処理が終了した時点で最初の被処理体を前記加熱処理部に搬送し、次いで２回目の被処理体をガス処理部に搬送し、最初の被処理体の加熱処理が終了後、最初の被処理体を前記ロードロック室を介して搬出するとともに、３回目の被処理体をロードロック室に搬送し、２回目の被処理体のガス処理が終了後、２回目の被処理体を前記加熱処理部に搬送するとともに、３回目の被処理体をガス処理部に搬送し、さらに４回目以降の被処理体にも同様に搬送することを特徴とする請求項１５から請求項１７のいずれか１項に記載のガス処理方法。
  19. 最初の被処理体および２回目の被処理体の前記ロードロック室での待機時間が３回目以降の被処理体の待機時間と同じになるように最初の被処理体および２回目の被処理体に所定の待機をさせることを特徴とする請求項１８に記載のガス処理方法。
  20. 前記待機時間は、最初の被処理体に対しては前記ロードロック室において３回目の被処理体の待機時間と同じになるように待機させ、２回目の被処理体に対しては、前記ロードロック室に搬入される前に前記ロードロック室での待機時間が３回目以降の被処理体と同じになるように待機させることを特徴とする請求項１９に記載のガス処理方法。
  21. 前記被処理体が表面酸化膜を有するＳｉ基板であり、前記ガス処理部がＨＦガスとＮＨ３ガスを供給して被処理体表面にフルオロ珪酸アンモニウムを形成し、前記加熱処理部における加熱によりフルオロ珪酸アンモニウムを分解するものであることを特徴とする請求項１５から請求項２０のいずれか１項に記載のガス処理方法。
  22. コンピュータ上で動作し、ガス処理装置を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項１２から請求項２１のいずれかの方法が行われるように、コンピュータに前記ガス処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
JP2006349479A 2006-12-26 2006-12-26 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体 Expired - Fee Related JP5084250B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006349479A JP5084250B2 (ja) 2006-12-26 2006-12-26 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体
KR1020097005837A KR101432327B1 (ko) 2006-12-26 2007-12-20 가스 처리 장치, 및 가스 처리 방법, 그리고 기억 매체
US12/439,960 US20110035957A1 (en) 2006-12-26 2007-12-20 Gas processing apparatus, gas processing method, and storage medium
PCT/JP2007/074546 WO2008078651A1 (ja) 2006-12-26 2007-12-20 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体
TW096149962A TW200847275A (en) 2006-12-26 2007-12-25 Gas processing apparatus, gas processing method, and storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006349479A JP5084250B2 (ja) 2006-12-26 2006-12-26 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008160000A true JP2008160000A (ja) 2008-07-10
JP5084250B2 JP5084250B2 (ja) 2012-11-28

Family

ID=39562443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006349479A Expired - Fee Related JP5084250B2 (ja) 2006-12-26 2006-12-26 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110035957A1 (ja)
JP (1) JP5084250B2 (ja)
KR (1) KR101432327B1 (ja)
TW (1) TW200847275A (ja)
WO (1) WO2008078651A1 (ja)

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130135233A (ko) 2010-08-03 2013-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20140035832A (ko) 2012-09-14 2014-03-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 장치 및 에칭 방법
JP2014236055A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
KR20150029626A (ko) 2012-06-08 2015-03-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 처리 방법
KR20160001656A (ko) 2014-06-27 2016-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 기억 매체
KR20160003655A (ko) 2013-04-19 2016-01-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법
KR20160010344A (ko) 2014-07-18 2016-01-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 기억 매체
JP2016103597A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20160073373A (ko) 2013-10-17 2016-06-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 장치, 에칭 방법 및 기판 적재 기구
US9384993B2 (en) 2012-05-23 2016-07-05 Tokyo Electron Limited Oxide etching method
US9406524B2 (en) 2013-10-17 2016-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20160100847A (ko) 2015-02-16 2016-08-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US9691631B2 (en) 2014-09-16 2017-06-27 Tokyo Electron Limited Etching method and storage medium
JP2017526181A (ja) * 2014-08-12 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP2017168738A (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の洗浄方法及び基板処理システム
KR20170115962A (ko) 2016-04-08 2017-10-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20180054841A (ko) 2015-11-05 2018-05-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20180056989A (ko) * 2016-11-21 2018-05-30 한국알박(주) 막 증착 장치 및 방법
KR20180099606A (ko) * 2018-08-28 2018-09-05 한국알박(주) 막 증착 장치 및 방법
KR20180137408A (ko) 2017-06-16 2018-12-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 적재 기구, 및 기판 처리 방법
JP2019004026A (ja) * 2017-06-14 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法
KR20190005760A (ko) 2017-07-06 2019-01-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 잔사 제거 방법
KR20190139770A (ko) 2018-06-08 2019-12-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치
KR20200010411A (ko) 2017-05-30 2020-01-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법
US10622205B2 (en) 2015-02-16 2020-04-14 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20200067751A (ko) 2018-12-04 2020-06-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치
KR20210024108A (ko) 2018-07-04 2021-03-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20210141361A (ko) 2020-05-15 2021-11-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치
KR20230058504A (ko) 2020-11-11 2023-05-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치
KR20230066099A (ko) 2020-09-24 2023-05-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반송 방법 및 처리 시스템

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5374039B2 (ja) * 2007-12-27 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
KR20220087623A (ko) * 2020-12-17 2022-06-27 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246377A (ja) * 2001-10-29 2002-08-30 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法
JP2004235349A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置および処理方法
JP2005039185A (ja) * 2003-06-24 2005-02-10 Tokyo Electron Ltd 被処理体処理装置、その被処理体処理方法、圧力制御方法、被処理体搬送方法、及び搬送装置
JP2006121030A (ja) * 2004-03-05 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6420274B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-16 International Business Machines Corporation Method for conditioning process chambers
US7147747B2 (en) * 2003-03-04 2006-12-12 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
US7079760B2 (en) * 2003-03-17 2006-07-18 Tokyo Electron Limited Processing system and method for thermally treating a substrate
US6951821B2 (en) * 2003-03-17 2005-10-04 Tokyo Electron Limited Processing system and method for chemically treating a substrate
US6845651B2 (en) * 2003-04-21 2005-01-25 Porous Materials, Inc. Quick BET method and apparatus for determining surface area and pore distribution of a sample
US20050233477A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method
US20060090703A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, system and program

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246377A (ja) * 2001-10-29 2002-08-30 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法
JP2004235349A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置および処理方法
JP2005039185A (ja) * 2003-06-24 2005-02-10 Tokyo Electron Ltd 被処理体処理装置、その被処理体処理方法、圧力制御方法、被処理体搬送方法、及び搬送装置
JP2006121030A (ja) * 2004-03-05 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130135233A (ko) 2010-08-03 2013-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20160118387A (ko) 2010-08-03 2016-10-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US8956546B2 (en) 2010-08-03 2015-02-17 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US9384993B2 (en) 2012-05-23 2016-07-05 Tokyo Electron Limited Oxide etching method
TWI578393B (zh) * 2012-06-08 2017-04-11 Tokyo Electron Ltd Gas treatment method
KR20150029626A (ko) 2012-06-08 2015-03-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 처리 방법
US9418866B2 (en) 2012-06-08 2016-08-16 Tokyo Electron Limited Gas treatment method
KR20140035832A (ko) 2012-09-14 2014-03-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 장치 및 에칭 방법
US9236272B2 (en) 2012-09-14 2016-01-12 Tokyo Electron Limited Etching apparatus and etching method
KR20160003655A (ko) 2013-04-19 2016-01-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법
US9691630B2 (en) 2013-04-19 2017-06-27 Tokyo Electron Limited Etching method
US9012331B2 (en) 2013-05-31 2015-04-21 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Etching method and non-transitory storage medium
KR101853522B1 (ko) 2013-05-31 2018-04-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 기억 매체
JP2014236055A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
KR20160073373A (ko) 2013-10-17 2016-06-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 장치, 에칭 방법 및 기판 적재 기구
US9406524B2 (en) 2013-10-17 2016-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20160001656A (ko) 2014-06-27 2016-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 기억 매체
KR20160010344A (ko) 2014-07-18 2016-01-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 기억 매체
US9613823B2 (en) 2014-07-18 2017-04-04 Tokyo Electron Limited Etching method and storage medium
JP2017526181A (ja) * 2014-08-12 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US9691631B2 (en) 2014-09-16 2017-06-27 Tokyo Electron Limited Etching method and storage medium
JP2016103597A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10622205B2 (en) 2015-02-16 2020-04-14 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20160100847A (ko) 2015-02-16 2016-08-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US10629446B2 (en) 2015-11-05 2020-04-21 Tokyo Electron Limited Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
KR20180054841A (ko) 2015-11-05 2018-05-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2017168738A (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の洗浄方法及び基板処理システム
KR20170115962A (ko) 2016-04-08 2017-10-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20180056989A (ko) * 2016-11-21 2018-05-30 한국알박(주) 막 증착 장치 및 방법
KR20200010411A (ko) 2017-05-30 2020-01-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법
US11127597B2 (en) 2017-05-30 2021-09-21 Tokyo Electron Limited Etching method
JP2019004026A (ja) * 2017-06-14 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法
US10950417B2 (en) 2017-06-16 2021-03-16 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate loading mechanism
KR20180137408A (ko) 2017-06-16 2018-12-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 적재 기구, 및 기판 처리 방법
KR20190005760A (ko) 2017-07-06 2019-01-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 잔사 제거 방법
US10818506B2 (en) 2017-07-06 2020-10-27 Tokyo Electron Limited Etching method and residue removal method
KR20190139770A (ko) 2018-06-08 2019-12-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치
KR20210024108A (ko) 2018-07-04 2021-03-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101958411B1 (ko) * 2018-08-28 2019-03-14 한국알박(주) 막 증착 장치 및 방법
KR20180099606A (ko) * 2018-08-28 2018-09-05 한국알박(주) 막 증착 장치 및 방법
KR20200067751A (ko) 2018-12-04 2020-06-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치
KR20210141361A (ko) 2020-05-15 2021-11-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치
US11791175B2 (en) 2020-05-15 2023-10-17 Tokyo Electron Limited Etching method and etching apparatus
KR20230066099A (ko) 2020-09-24 2023-05-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반송 방법 및 처리 시스템
KR20230058504A (ko) 2020-11-11 2023-05-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP5084250B2 (ja) 2012-11-28
KR101432327B1 (ko) 2014-08-20
WO2008078651A1 (ja) 2008-07-03
KR20090102730A (ko) 2009-09-30
TWI349967B (ja) 2011-10-01
US20110035957A1 (en) 2011-02-17
TW200847275A (en) 2008-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5084250B2 (ja) ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体
TWI686843B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP5809144B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI692806B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP5881612B2 (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
JP6110848B2 (ja) ガス処理方法
JP6097192B2 (ja) エッチング方法
JP6073172B2 (ja) エッチング方法
WO2013183437A1 (ja) ガス処理方法
US10622205B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI434343B (zh) Etching method, etching system and etching device
JP7313201B2 (ja) エッチング方法およびエッチング装置
WO2021200240A1 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP6417916B2 (ja) 基板搬送方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP5292450B2 (ja) エッチング方法、エッチングシステムおよびエッチング装置
WO2021220834A1 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP2014013841A (ja) 処理方法およびコンデショニング方法
TW202234624A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120904

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120904

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5084250

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees