JP2019004026A - 膜をエッチングする方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 243
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 54
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 25
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 ammonium fluorosilicate Chemical compound 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
Description
Q=(ΔP/Δt)×V×C(=22.4/R)/T(温度) …(1)
・工程ST2
NH3ガスの流量:20sccm
第1のチャンバ12cの圧力:25Pa
第1のチャンバ本体12の温度:60℃
ステージ14の温度:31.5℃
実行時間:10秒
・工程ST3
実行時間:5秒
・工程ST4
HFガスの流量:20sccm
NH3ガスの流量:20sccm
Arガスの流量:150sccm
N2ガスの流量:125sccm
第1のチャンバ12cの圧力:13.3Pa
第1のチャンバ本体12の温度:60℃
ステージ14の温度:31.5℃
実行時間:100秒
・工程ST5
Arガスの流量:200sccm
NH3ガスの流量:20sccm
バキュームパージによる第1のチャンバ12cの圧力:1Pa
第1のチャンバ本体12の温度:60℃
ステージ14の温度:31.5℃
実行時間:5秒
・工程ST6
実行時間:5秒
・工程ST8
HFガスの流量:20sccm
NH3ガスの流量:20sccm
Arガスの流量:150sccm
N2ガスの流量:125sccm
第1のチャンバ12cの圧力:13.3Pa
第1のチャンバ本体12の温度:60℃
ステージ14の温度:31.5℃
実行時間:22秒
・工程ST9
N2ガスの流量:800sccm
第2のチャンバ62cの圧力:133.3Pa
ステージ64の温度:170℃
実行時間:55秒
・第1工程
Arガスの流量:270sccm
N2ガスの流量:100sccm
バキュームパージによる第1のチャンバ12cの圧力:1.5Pa
第1のチャンバ本体12の温度:60℃
ステージ14の温度:31.5℃
実行時間:90秒
・第2工程
HFガスの流量:20sccm
NH3ガスの流量:20sccm
Arガスの流量:250sccm
第1のチャンバ12cの圧力:30Pa
第1のチャンバ本体12の温度:60℃
ステージ14の温度:31.5℃
実行時間:100秒
・第3工程
Arガスの流量:200sccm
NH3ガスの流量:20sccm
第1のチャンバ12cの圧力:3.5Pa
第1のチャンバ本体12の温度:60℃
ステージ14の温度:31.5℃
実行時間:10秒
・第4工程
実行時間:10秒
Claims (7)
- 処理システムを用いて被加工物の膜をエッチングする方法であって、
前記処理システムは、第1の処理装置及び第2の処理装置を有し、
前記第1の処理装置は、
第1のチャンバを提供する第1のチャンバ本体と、
前記第1のチャンバ内に設けられたステージと、
前記第1のチャンバに第1のガス及び第2のガスを供給するガス供給部であり、該第1のガスの流量を制御する流量制御器を有し、該第1のガス及び該第2のガスは前記膜と反応して反応生成物を形成する、該ガス供給部と、
前記第1のチャンバを排気する排気装置と、
前記第1のチャンバと前記排気装置との間で接続されたバルブと、
を有し、
前記第2の処理装置は、
第2のチャンバを提供する第2のチャンバ本体と、
前記第2のチャンバ内で被加工物を加熱するためのヒータと、
を有し、
該方法は、
前記流量制御器を較正する工程であり、前記バルブが閉じられ、且つ、その流量が該流量制御器によって調整された前記第1のガスが前記第1のチャンバに供給されている状態における前記第1のチャンバの圧力の上昇レートから、前記第1のガスの流量の測定値が取得され、該測定値を用いて前記流量制御器が較正される、該工程と、
前記第1のチャンバに前記第2のガスを供給する工程と、
前記第1のチャンバを排気する工程と、
前記ステージ上に物体が載置されていない状態で前記第1のチャンバに前記第1のガス及び前記第2のガスを含む混合ガスを供給する工程と、
前記被加工物が前記ステージ上に載置されている状態で前記第1のチャンバに前記第1のガス及び前記第2のガスを含む混合ガスを供給することにより、前記膜から前記反応生成物を形成する工程と、
前記反応生成物を有する前記被加工物が前記第2のチャンバに収容された状態で、前記反応生成物を有する前記被加工物を加熱することにより、前記反応生成物を除去する工程と、
を含む、膜をエッチングする方法。 - 前記膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第1のガスは、HFガスであり、
前記第2のガスは、NH3ガスである、
請求項1に記載の膜をエッチングする方法。 - 前記膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第1のガスは、HFガスであり、
前記第2のガスは、エタノールを含む、
請求項1に記載の膜をエッチングする方法。 - 前記膜は、シリコン膜であり、
前記第1のガスは、F2ガスであり、
前記第2のガスは、NH3ガスである、
請求項1に記載の膜をエッチングする方法。 - 前記ガス供給部は、更に不活性ガスを供給可能であり、
前記第2のガスを供給する前記工程において、前記第1のチャンバに前記不活性ガスが更に供給される、請求項1〜4の何れか一項に記載の膜をエッチングする方法。 - 前記不活性ガスは、窒素ガス及び希ガスのうち少なくとも一方を含む、請求項5に記載の膜をエッチングする方法。
- 前記反応生成物を形成する前記工程において、前記第1のチャンバ本体の温度は、前記ステージの温度より高い温度に設定され、
前記第2のガスを供給する前記工程において、前記ステージの温度は、前記反応生成物を形成する前記工程における前記ステージの前記温度と同一の温度に設定され、前記第1のチャンバ本体の温度は、前記反応生成物を形成する前記工程における前記第1のチャンバ本体の前記温度と同一になるように設定される、
請求項1〜6の何れか一項に記載の膜をエッチングする方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017116932A JP6552552B2 (ja) | 2017-06-14 | 2017-06-14 | 膜をエッチングする方法 |
KR1020180064334A KR102125610B1 (ko) | 2017-06-14 | 2018-06-04 | 막을 에칭하는 방법 |
US16/000,951 US10504743B2 (en) | 2017-06-14 | 2018-06-06 | Method of etching film |
TW107120118A TW201921500A (zh) | 2017-06-14 | 2018-06-12 | 蝕刻膜之方法 |
CN201810614198.0A CN109087854A (zh) | 2017-06-14 | 2018-06-14 | 对膜进行蚀刻的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017116932A JP6552552B2 (ja) | 2017-06-14 | 2017-06-14 | 膜をエッチングする方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019004026A true JP2019004026A (ja) | 2019-01-10 |
JP6552552B2 JP6552552B2 (ja) | 2019-07-31 |
Family
ID=64657598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017116932A Active JP6552552B2 (ja) | 2017-06-14 | 2017-06-14 | 膜をエッチングする方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10504743B2 (ja) |
JP (1) | JP6552552B2 (ja) |
KR (1) | KR102125610B1 (ja) |
CN (1) | CN109087854A (ja) |
TW (1) | TW201921500A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230168652A (ko) * | 2022-06-07 | 2023-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
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JP2014013841A (ja) | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法およびコンデショニング方法 |
US9999907B2 (en) * | 2016-04-01 | 2018-06-19 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process that precipitates yttrium oxy-flouride |
-
2017
- 2017-06-14 JP JP2017116932A patent/JP6552552B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-04 KR KR1020180064334A patent/KR102125610B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-06 US US16/000,951 patent/US10504743B2/en active Active
- 2018-06-12 TW TW107120118A patent/TW201921500A/zh unknown
- 2018-06-14 CN CN201810614198.0A patent/CN109087854A/zh active Pending
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JP2008160000A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体 |
JP2015079876A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2015079877A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構 |
JP2015231043A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 改質処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2016062947A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109087854A (zh) | 2018-12-25 |
KR102125610B1 (ko) | 2020-06-22 |
US20180366337A1 (en) | 2018-12-20 |
TW201921500A (zh) | 2019-06-01 |
KR20180136382A (ko) | 2018-12-24 |
US10504743B2 (en) | 2019-12-10 |
JP6552552B2 (ja) | 2019-07-31 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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