JP5292450B2 - エッチング方法、エッチングシステムおよびエッチング装置 - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施形態に係るエッチング方法を示すフローチャート、図2は各工程を説明するための工程断面図である。
11;プラズマエッチング装置
12;HF含有ガスエッチング装置
13;搬送機構
14;制御部
15;プロセスコントローラ
61;搬入出部
62;ロードロック室
63;エッチング処理部
64;熱処理部
80;チャンバー
81;載置台
82;温調機構
90;HFガス供給源
200:シリコン基板
201;第1の酸化膜
202;第2の酸化膜
203;コンタクト部
204;ホール
204a;幅広ホール部分
205;コンタクト材料
W;ウエハ
Claims (16)
- 基板上にBおよびPの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第1の酸化膜と、その上に形成された、BおよびPを含まないシリコン酸化物からなる第2の酸化膜とを有し、さらに前記第1の酸化膜および第2の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体を準備する工程と、
前記第2の酸化膜と前記第1の酸化膜をプラズマエッチングによりエッチングして前記コンタクト部に到達するホールを形成する工程と、
HFガスおよび不活性ガスを用いたプラズマレスエッチングにより前記第1の酸化膜をエッチングし、前記第1の酸化膜の前記コンタクト部上方領域のホール部分を広げる工程と
を有し、
前記コンタクト部上方領域のホール部分を広げる工程は、減圧下にて、前記HFガスおよび不活性ガスによるプラズマレスエッチングを行った後、それによって被処理体上に形成されたフルオロケイ酸系の反応生成物を除去するために、被処理体を加熱することを特徴とするエッチング方法。 - 前記HFガスおよび不活性ガスによるプラズマレスエッチングは、内部に温調機構が設けられたチャンバー内に前記被処理体を収容し、前記チャンバー内にHFガスおよび不活性ガスを供給して、前記温調機構の熱を前記被処理体に伝熱させて前記被処理体の温度を制御しながら行い、前記反応生成物を除去するための被処理体の加熱は、内部に温調機構が設けられたチャンバー内に前記被処理体を収容し、前記チャンバー内に不活性ガスを供給して、前記温調機構の熱を前記被処理体に伝熱させて前記被処理体の温度を制御しながら行うことを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記プラズマレスエッチング終了後、前記HFガスの供給を停止する一方で前記不活性ガスの供給を継続し、前記不活性ガスによって前記チャンバー内をパージすることを特徴とする請求項2に記載のエッチング方法。
- 基板上にBおよびPの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第1の酸化膜と、その上に形成された、BおよびPを含まないシリコン酸化物からなる第2の酸化膜とを有し、かつ前記第1の酸化膜および第2の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有し、さらに前記第2の酸化膜と前記第1の酸化膜を経て前記コンタクト部に到達するホールが形成された構造物に対し、
HFガスおよび不活性ガスを用いたプラズマレスエッチングにより前記第1の酸化膜をエッチングし、前記第1の酸化膜の前記コンタクト部上方領域のホール部分を広げる工程を行い、
前記コンタクト部上方領域のホール部分を広げる工程は、減圧下にて、前記HFガスおよび不活性ガスによるプラズマレスエッチングの後、それによって前記構造物上に形成されたフルオロケイ酸系の反応生成物を除去するために、前記構造物を加熱することを特徴とするエッチング方法。 - 前記HFガスおよび不活性ガスによるプラズマレスエッチングは、内部に温調機構が設けられたチャンバー内に前記構造物を収容し、前記チャンバー内にHFガスおよび不活性ガスを供給して、前記温調機構の熱を前記構造物に伝熱させて前記構造物の温度を制御しながら行い、前記反応生成物を除去するための前記構造物の加熱は、内部に温調機構が設けられたチャンバー内に前記構造物を収容し、前記チャンバー内に不活性ガスを供給して、前記温調機構の熱を前記構造物に伝熱させて前記構造物の温度を制御しながら行うことを特徴とする請求項4に記載のエッチング方法。
- 前記プラズマレスエッチング終了後、前記HFガスの供給を停止する一方で前記不活性ガスの供給を継続し、前記不活性ガスによって前記チャンバー内をパージすることを特徴とする請求項5に記載のエッチング方法。
- 基板上にBおよびPの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第1の酸化膜と、その上に形成された、BおよびPを含まないシリコン酸化物からなる第2の酸化膜とを有し、さらに前記第1の酸化膜および第2の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有する被処理体に対し、前記第2の酸化膜と前記第1の酸化膜を経て前記コンタクト部に到達するホールを形成するエッチングシステムであって、
前記第2の酸化膜と前記第1の酸化膜をプラズマエッチングによりエッチングして前記コンタクト部に到達するホールを形成する第1のエッチング装置と、
HFガスおよび不活性ガスを用いたプラズマレスエッチングにより前記第1の酸化膜をエッチングし、前記第1の酸化膜の前記コンタクト部上方領域のホール部分を広げる第2のエッチング装置と、
前記第1のエッチング装置と前記第2のエッチング装置との間で被処理体を搬送する搬送機構と、
を具備し、
前記第2のエッチング装置は、減圧下で前記プラズマレスエッチングを行うエッチング処理部と、その後前記プラズマレスエッチングにより被処理体上に形成されたフルオロケイ酸系の反応生成物を除去する加熱処理を減圧下で行う加熱処理部とを有することを特徴とするエッチングシステム。 - 前記エッチングシステムは、前記第1のエッチング装置と、前記第2のエッチング装置と、前記搬送機構とを制御する制御部をさらに具備し、
前記第2のエッチング装置の前記エッチング処理部は、
被処理体を収容する第1チャンバーと、
前記第1チャンバー内に設けられ、被処理体を所望の温度に温調する第1温調機構と、
前記第1チャンバーに接続され、前記第1チャンバー内に前記HFガスを供給するHFガス供給ラインと、
前記第1チャンバーに接続され、前記第1チャンバー内に不活性ガスを供給する第1不活性ガス供給ラインと
を有し、
前記第2のエッチング装置の前記加熱処理部は、
被処理体を収容する第2チャンバーと、
前記第2チャンバー内に設けられ、被処理体を所望の温度に温調する第2温調機構と、
前記第2チャンバーに接続され、前記第2チャンバー内に不活性ガスを供給する第2不活性ガス供給ラインと
を有し、
前記制御部は、前記第1チャンバー内に被処理体を収容した状態で、前記第1チャンバーにHFガスおよび不活性ガスを導入させて、前記第1温調機構の熱を被処理体に伝熱させて前記被処理体の温度を制御しながらプラズマレスエッチングが行われるようにし、かつ前記第2チャンバー内に被処理体を収容した状態で、前記第2チャンバーに不活性ガスを導入させて、前記第2温調機構の熱を被処理体に伝熱させて被処理体の温度を制御しながら被処理体の加熱が行われるようにすることを特徴とする請求項7に記載のエッチングシステム。 - 前記制御部は、前記エッチング処理部において前記プラズマレスエッチング終了後、前記第1チャンバーへのHFガスの供給を停止する一方で不活性ガスの供給を継続し、不活性ガスによって前記第1チャンバー内をパージするように前記第2のエッチング装置を制御することを特徴とする請求項8に記載のエッチングシステム。
- 前記第2のエッチング装置の前記エッチング処理部は、前記第1チャンバー内に設けられた、被処理体が載置される第1載置台を有し、前記第1温調機構は前記第1載置台に設けられており、
前記第2のエッチング装置の前記加熱処理部は、前記第2チャンバー内に設けられた、被処理体が載置される第2載置台を有し、前記第2温調機構は前記第2載置台に設けられていることを特徴とする請求項8に記載のエッチングシステム。 - 基板上にBおよびPの少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなる第1の酸化膜と、その上に形成された、BおよびPを含まないシリコン酸化物からなる第2の酸化膜とを有し、さらに前記第1の酸化膜および第2の酸化膜の界面より下方に形成されたコンタクト部を有し、さらに前記第2の酸化膜と前記第1の酸化膜を経て前記コンタクト部に到達するホールが形成された構造物に対し、前記第1の酸化膜の前記コンタクト部上方領域のホール部分を広げるための、HFガスおよび不活性ガスを用いたプラズマレスエッチングを行うエッチング装置であって、
前記エッチング装置は、減圧下で前記プラズマレスエッチングを行うエッチング処理部と、その後前記プラズマレスエッチングにより前記構造物上に形成されたフルオロケイ酸系の反応生成物を除去する加熱処理を減圧下で行う加熱処理部とを有することを特徴とするエッチング装置。 - 前記エッチング装置は、制御部をさらに具備し、
前記エッチング処理部は、
構造物を収容する第1チャンバーと、
前記第1チャンバー内に設けられ、前記構造物を所望の温度に温調する第1温調機構と、
前記第1チャンバーに接続され、前記第1チャンバー内に前記HFガスを供給するHFガス供給ラインと、
前記第1チャンバーに接続され、前記第1チャンバー内に不活性ガスを供給する第1不活性ガス供給ラインと
を有し、
前記加熱処理部は、
構造物を収容する第2チャンバーと、
前記第2チャンバー内に設けられ、前記構造物を所望の温度に温調する第2温調機構と、
前記第2チャンバーに接続され、前記第2チャンバー内に不活性ガスを供給する第2不活性ガス供給ラインと
を有し、
前記制御部は、前記第1チャンバー内に前記構造物を収容した状態で、前記第1チャンバーにHFガスおよび不活性ガスを導入させて、前記第1温調機構の熱を前記構造物に伝熱させて前記構造物の温度を制御しながらプラズマレスエッチングが行われるようにし、かつ前記第2チャンバー内に前記構造物を収容した状態で、前記第2チャンバーに不活性ガスを導入させて、前記第2温調機構の熱を構造物に伝熱させて前記構造物の温度を制御しながら前記構造物の加熱が行われるようにすることを特徴とする請求項11に記載のエッチング装置。 - 前記制御部は、前記エッチング処理部において前記プラズマレスエッチング終了後、前記第1チャンバーへのHFガスの供給を停止する一方で前記不活性ガスの供給を継続し、前記不活性ガスによって前記第1チャンバー内をパージするように制御することを特徴とする請求項12に記載のエッチング装置。
- 前記エッチング処理部は、前記第1チャンバー内に設けられた、前記構造物が載置される第1載置台を有し、前記第1温調機構は前記第1載置台に設けられており、
前記加熱処理部は、前記第2チャンバー内に設けられた、前記構造物が載置される第2載置台を有し、前記第2温調機構は前記第2載置台に設けられていることを特徴とする請求項12に記載のエッチング装置。 - コンピュータ上で動作し、エッチングシステムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項3のいずれかのエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記エッチングシステムを制御させることを特徴とする記憶媒体。
- コンピュータ上で動作し、エッチング装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項4から請求項6のいずれかのエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記エッチング装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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