JP2008159814A - 酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法 - Google Patents

酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法 Download PDF

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徳彦 宮下
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Abstract

【課題】酸化亜鉛系薄膜のエッチングレートを調整してパターニング特性を向上させることができる酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛系薄膜をエッチングしてパターニングするための酸化亜鉛系薄膜用エッチャントであって、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とする。
【選択図】なし

Description

本発明は、酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛系透明導電膜、酸化亜鉛系圧電膜などの酸化亜鉛系薄膜のパターニングに用いる酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法に関する。
透明導電膜は、赤外線遮蔽板や静電遮蔽板の用途、面発熱体やタッチスイッチなどの導電膜、ディスプレー装置などの透明電極などの需要が高まっている。このような透明導電膜としては、従来、錫をドープした酸化インジウム膜(ITO)が利用されているが、ITOはアモルファスで価格の高いものであるため、安価な透明導電膜の出現が待望されている。
そこで、ITOより安価でアモルファスな膜である酸化亜鉛系透明導電膜が注目され、高導電性や安定化を求めて各種元素を添加したものが検討されている(特許文献1〜4など参照)。
しかしながら、このような酸化亜鉛系透明導電膜は、エッチングレートが高すぎ、パターニングし難いという問題がある。
また、このような問題は、酸化亜鉛系圧電膜などの酸化亜鉛系薄膜について一般的な問題である。
特開昭62−154411号公報(特許請求の範囲) 特開平9−45140号公報(特許請求の範囲) 特開2002−75061号公報(特許請求の範囲) 特開2002−75062号公報(特許請求の範囲)
本発明は、上述した事情に鑑み、酸化亜鉛系薄膜のエッチングレートを調整してパターニング特性を向上させることができる酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決する本発明の第1の態様は、酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛系薄膜をエッチングしてパターニングするための酸化亜鉛系薄膜用エッチャントであって、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とすることを特徴とする酸化亜鉛系薄膜用エッチャントにある。
かかる第1の態様では、所定の有機酸を有効成分とするエッチャントであるので、エッチングレートを低く抑えることができ、酸化亜鉛系薄膜を安定してパターニングすることができる。
本発明の第2の態様は、酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛系薄膜をエッチングによりパターニングするに際し、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とするエッチャントを用いてエッチングを行うことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法にある。
かかる第2の態様では、所定の有機酸を有効成分とするエッチャントを用いるので、エッチングレートを低く抑えることができ、酸化亜鉛系薄膜を安定してパターニングすることができる。
本発明の第3の態様は、第2の態様に記載の酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法において、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、周期律表第IV族の元素から選択される少なくとも一種の添加元素を含有するものであることを特徴とする酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法にある。
かかる第3の態様では、添加元素を含有する酸化亜鉛系薄膜においてもエッチングレートを抑えることができ、安定してエッチングを行うことができる。
本発明の第4の態様は、第3の態様に記載の酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法において、前記添加元素が、ケイ素、ゲルマニウム、チタン及びジルコニウムの少なくとも一種であることを特徴とする酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法にある。
かかる第4の態様では、所定の添加元素を含有する酸化亜鉛系薄膜においてもエッチングレートを抑えることができ、安定してエッチングを行うことができる。
本発明の酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法によれば、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸は一般に知られた酢酸を用いるよりもエッチング速度が遅くコントロールしやすいものであるので、酸化亜鉛系薄膜のエッチングレートを低く調整することができ、これによりパターニング特性を向上させることができるという効果を奏する。
本発明の酸化亜鉛系薄膜用エッチャントは、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とするものである。
かかる本発明は、酸化亜鉛系薄膜が特に特定の有機酸に対して耐エッチング性が高いという知見に基づくものであり、かかるエッチャントを用いることにより、酸化亜鉛系薄膜のパターニングを安定して良好に行うことができる。
ここで、本発明の酸化亜鉛系薄膜用エッチャントは、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とするものであればよく、これらの有機酸の水溶液に必要に応じて界面活性剤などの各種添加剤を添加することができる。なお、各成分の濃度等は用途やエッチング対象物によって変更されるものであり、特に限定されるものではない。
また、本発明の酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法は、酸化亜鉛系薄膜をエッチングによりパターニングするに際し、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とするエッチャントを用いてエッチングを行うというものである。
かかる酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法は、酸化亜鉛系薄膜に対してエッチングレートの低いエッチャントを用いるので、パターニングを安定して行うことができ、良好なパターンを形成することができる。
本発明を適用する酸化亜鉛系薄膜としては、酸化亜鉛からなる薄膜の他、酸化亜鉛に添加元素を含有させた酸化亜鉛系薄膜を挙げることができ、特に、酸化亜鉛を主成分とし、周期律表第IV族の元素から選択される少なくとも一種の添加元素を含有するものを挙げることができる。
このように酸化亜鉛を主成分とし、周期律表第IV族の元素から選択される少なくとも1種の添加元素を含有する酸化亜鉛系薄膜は、酸化亜鉛と比較して、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸を用いてエッチングによりパターニングするに際し、エッチングレートが特に低減するという利点がある。
ここで、周期律表第IV族の元素から選択される少なくとも1種の添加元素としては、好ましくは、ケイ素、ゲルマニウム、チタン、ジルコニウムを挙げることができるが、所望により、炭素、スズ、鉛、ハフニウムなどを添加することができる。また、本発明の目的を損なわない範囲で、周期律表第IV族以外の元素、例えば、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム等を添加元素として併用することができる。
添加元素の含有量は、原子数比で、亜鉛及び添加元素の総数100に対する個数(原子%と表す)で0.1〜20%程度である。これより少ないと添加元素を含有させる効果が顕著ではなく、一方、これを超えると結晶性が著しく悪化してしまうからである。
本発明の対象となる酸化亜鉛系薄膜の製造方法は、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、化学気相成長法、スプレー法、陽極酸化法などの公知の膜形成技術を採用することができる。また、酸化亜鉛系薄膜中に添加元素を含有させる方法も特に限定されないが、膜形成過程で原材料の亜鉛もしくは酸化亜鉛に添加元素を含む合金、水素化物、酸化物、ハロゲン化物及び有機化合物等を導入する方法を採用するのが好適であるが、酸化亜鉛の薄膜を形成した後、当該薄膜中に添加元素を熱拡散したり、イオン注入したりすることも可能である。
また、スパッタリング法により酸化亜鉛系薄膜を形成する場合には、ターゲット材料として、酸化亜鉛系薄膜と同一の組成の焼結体を用いればよい。なお、このような焼結体からなるターゲット材料は、従来からの公知の方法により製造すればよい。
(成膜実施例1)
添加元素Tiを添加した4インチの酸化亜鉛スパッタリングターゲット[ZnO:Ti(Ti/(Zn+Ti)=6at%)]を用い、これをDCマグネトロンスパッタ装置に装着し、以下の成膜条件で成膜した。
成膜条件
RP+TMP+クライオポンプ
到達真空度:2×10−7Torr
Ar成膜圧力:3×10−3Torr
酸素分圧:0
基板加熱温度:250℃
投入電力:130W
基板:コーニング#1737 50×50×0.8t
(エッチャントの製造実施例1)
クエン酸の固体試薬(特級)を純水に溶解した1wt%溶液(液温30℃でpH2.13)をエッチャントとした。
(エッチャントの製造実施例2)
コハク酸の固体試薬(特級)を純水に溶解した1wt%溶液(液温30℃でpH2.52)をエッチャントとした。
(エッチャントの製造実施例3)
プロピオン酸の液体試薬(特級)を純水に溶解した1vol%の溶液(液温30℃でpH2.76)をエッチャントとした。
(エッチャントの製造比較例1)
マロン酸の固体試薬(特級)を純水に溶解した1wt%溶液(液温30℃でpH1.87)をエッチャントとした。
(エッチャントの製造比較例2)
酢酸の液体試薬(特級)を純水に溶解した1vol%の溶液(液温30℃でpH2.91)をエッチャントとした。
(エッチャントの製造比較例3)
酪酸の液体試薬(特級)を純水に溶解した1vol%の溶液(液温30℃でpH2.80)をエッチャントとした。
(エッチング試験1)
成膜実施例1で成膜した膜を、エッチャントの製造実施例1〜3及び製造比較例1〜3の各種エッチャントを用い、室温:23℃、湿度:30%のクリーンルーム内にてガラス基板の準備を行い、エッチング試験を実施した。
・ガラス基板の準備
成膜した基板の50mm角の中心部分のみの膜を使うため、中心部分から10mm×50mmの短冊を1枚採取し、サンプルとした。
・エッチング条件
各種エッチャントを温浴にて30℃に加温
レジスト:シプレイ社マイクロポジットS1808
膜の表面にレジストを一部分のみ塗布、100℃のホットプレート上にて3分間ポストベークを行った。
電極を耐酸テープにて接続後、サンプルのエッチングする部分のみをエッチャントに浸け、エッチング時間を測定した。エッチング時間は、対極にPt線を設けて対象膜に対する電位を観測することによって測定した。
エッチング後、レジストをアセトンにて剥離した後、接触段差計にて膜厚を測定した。
以上のエッチング時間、及び膜厚からエッチングレートを算出した。エッチングレートの結果を表1に示す。
Figure 2008159814
ただし、酪酸については残渣が発生してエッチャントとしては不適であった。
表1のデータから明らかなように、酢酸よりエッチングレートが遅くなったものは、クエン酸、コハク酸、プロピオン酸のみであり、これらのエッチャントはエッチングコントロール性に優れている。
(成膜実施例2)
添加元素Tiを添加した4インチの酸化亜鉛スパッタリングターゲット[ZnO:Ti(Ti/(Zn+Ti)=3at%)]を用い、これをDCマグネトロンスパッタ装置に装着し、以下の成膜条件で成膜した。
成膜条件
RP+TMP+クライオポンプ
到達真空度:2×10−7Torr
Ar成膜圧力:3×10−3Torr
酸素分圧:0
基板加熱温度:250℃
投入電力:130W
基板:コーニング#1737 50×50×0.8t
(エッチング試験)
成膜実施例2で成膜した膜を、室温:23℃、湿度:30%のクリーンルーム内にてガラス基板の準備を行い、エッチング試験を実施した。
・ガラス基板の準備
成膜した基板の50mm角の中心部分のみの膜を使うため、中心部分から5〜6mm×50mmの短冊を2枚採取し、サンプルとした。
・エッチング条件
成膜実施例1で用いた各種エッチング液を温浴にて30℃に加温
レジスト:シプレイ社マイクロポジットS1808
膜の表面にレジストを一部分のみ塗布、100℃のホットプレート上にて3分間ポストベークを行った。
電極を耐酸テープにて接続後、サンプルのエッチングする部分のみをエッチング液に浸け、エッチング時間を測定した。
エッチング時間は、対極にPt線を設けて、対象膜に対する電位を観測することによって、測定した。
エッチング後、レジストをアセトンにて剥離した後、接触段差計にて膜厚を測定した。
以上のエッチング時間、及び膜厚からエッチングレートを算出した。エッチングレートの結果を表2に示す。
Figure 2008159814
表2のデータから明らかなように、酢酸よりエッチングレートが遅くなったものは、クエン酸、コハク酸、プロピオン酸のみであり、これらのエッチャントはエッチングコントロール性に優れている。

Claims (4)

  1. 酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛系薄膜をエッチングしてパターニングするための酸化亜鉛系薄膜用エッチャントであって、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とすることを特徴とする酸化亜鉛系薄膜用エッチャント。
  2. 酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛系薄膜をエッチングによりパターニングするに際し、プロピオン酸、コハク酸及びクエン酸からなる群から選択される少なくとも一種の有機酸を有効成分とするエッチャントを用いてエッチングを行うことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法。
  3. 請求項2に記載の酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法において、前記酸化亜鉛系薄膜が、酸化亜鉛を主成分とし、周期律表第IV族の元素から選択される少なくとも一種の添加元素を含有するものであることを特徴とする酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法。
  4. 請求項3に記載の酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法において、前記添加元素が、ケイ素、ゲルマニウム、チタン及びジルコニウムの少なくとも一種であることを特徴とする酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011102425A1 (ja) * 2010-02-18 2011-08-25 住友化学株式会社 酸化物焼結体、酸化物混合体、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲット
KR101343503B1 (ko) 2009-10-01 2013-12-19 홍익대학교 산학협력단 산화아연 박막의 패터닝을 위한 식각액 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821336A (ja) * 1981-07-29 1983-02-08 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
JP2000232090A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Toshiba Corp ガラスパッシベーション膜の除去方法
JP2005277402A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 反射電極膜を含む積層膜のエッチング組成物および積層配線構造の形成方法
WO2007072950A1 (ja) * 2005-12-22 2007-06-28 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 酸化亜鉛系透明導電膜のパターニング方法
JP2007317856A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc エッチング液組成物及びエッチング方法
JP2008047645A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Tosoh Corp 透明電極のエッチング液及びエッチング方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821336A (ja) * 1981-07-29 1983-02-08 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
JP2000232090A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Toshiba Corp ガラスパッシベーション膜の除去方法
JP2005277402A (ja) * 2004-02-25 2005-10-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 反射電極膜を含む積層膜のエッチング組成物および積層配線構造の形成方法
WO2007072950A1 (ja) * 2005-12-22 2007-06-28 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 酸化亜鉛系透明導電膜のパターニング方法
JP2007317856A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc エッチング液組成物及びエッチング方法
JP2008047645A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Tosoh Corp 透明電極のエッチング液及びエッチング方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101343503B1 (ko) 2009-10-01 2013-12-19 홍익대학교 산학협력단 산화아연 박막의 패터닝을 위한 식각액 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
WO2011102425A1 (ja) * 2010-02-18 2011-08-25 住友化学株式会社 酸化物焼結体、酸化物混合体、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲット

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