JPS5821336A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS5821336A JPS5821336A JP11763881A JP11763881A JPS5821336A JP S5821336 A JPS5821336 A JP S5821336A JP 11763881 A JP11763881 A JP 11763881A JP 11763881 A JP11763881 A JP 11763881A JP S5821336 A JPS5821336 A JP S5821336A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は牛導体素子の＃進方法にかか）、譬κ酸化シ
リコンｉａｔ有する早導体碁穢に形成されたガラスパシ
ベーシ冒ン膜の除去刃＠０改真に関する。
リコンｉａｔ有する早導体碁穢に形成されたガラスパシ
ベーシ冒ン膜の除去刃＠０改真に関する。
中導体素子Ｏ馴造κお−て．＊面安定化のため０１方法
としてガラスκよるパシベーシ璽ンｔー施す工程を有す
るものがある。この場合、ガラス膜紘電気泳動法等κよ
ってＰＨ９合の露出部分を保護するようＫｊｌ体シ９１
ンａｔマスクとして選択的κ付瑠させる。そのｌＩ錦成
ｔＩＩｊＩシてガテスパッシベーション膜が形成される
が、畝上の電着工４！ｉ！＃ｉ自動化が困難で一般κ手
作東で行なわれている。
としてガラスκよるパシベーシ璽ンｔー施す工程を有す
るものがある。この場合、ガラス膜紘電気泳動法等κよ
ってＰＨ９合の露出部分を保護するようＫｊｌ体シ９１
ンａｔマスクとして選択的κ付瑠させる。そのｌＩ錦成
ｔＩＩｊＩシてガテスパッシベーション膜が形成される
が、畝上の電着工４！ｉ！＃ｉ自動化が困難で一般κ手
作東で行なわれている。
このため、ガラス付着状履のばらつきが太き《、所望の
付着状ｍが得られ２ｌ−ときはガラス粉末電着俵、また
はガラス焼成１１に一旦ガラス展ｔ＃離し、改めてガラ
スミ着を行なうていゐ。一般に用いられる／ｅシベーシ
ョン用のガラスは２烏０系ガラスで、各種Ｏｌ２類κ弱
−ことから、従来はふり化アンモニク▲、箇たはＳ〜１
●一〇ふつ化水嵩溶箪等でエツチング除去する。例えげ
ふう化アンモニウムの場合、酸化シリコンκ対するエラ
チンｆ遍度はｒ＜ｏＬｉ分前螢， ＺｍＯ系ガラスκ対
するエツチングの装置は５０００▲／分曽１ｌ″ｔｌ′
約７倍の差が認められる。しかし、酸化シラクン膿κ比
してガラスパクベーシ履ン膜は厚く形成されてｉるＯて
、ガラスパシベーシ璽ンｌｌＫが完全に＃去でｌＩたト
ｌｉκは電濡時ＯマスクとしてＯＩＩ化シシコン膜の厚
さが薄くなって、ピンホールが増加し、小房ｉＩの部分
にガラスが電着されて好−＊ Ｌ （ ｔｖｈｉｉｌ呆
κなる。
付着状ｍが得られ２ｌ−ときはガラス粉末電着俵、また
はガラス焼成１１に一旦ガラス展ｔ＃離し、改めてガラ
スミ着を行なうていゐ。一般に用いられる／ｅシベーシ
ョン用のガラスは２烏０系ガラスで、各種Ｏｌ２類κ弱
−ことから、従来はふり化アンモニク▲、箇たはＳ〜１
●一〇ふつ化水嵩溶箪等でエツチング除去する。例えげ
ふう化アンモニウムの場合、酸化シリコンκ対するエラ
チンｆ遍度はｒ＜ｏＬｉ分前螢， ＺｍＯ系ガラスκ対
するエツチングの装置は５０００▲／分曽１ｌ″ｔｌ′
約７倍の差が認められる。しかし、酸化シラクン膿κ比
してガラスパクベーシ履ン膜は厚く形成されてｉるＯて
、ガラスパシベーシ璽ンｌｌＫが完全に＃去でｌＩたト
ｌｉκは電濡時ＯマスクとしてＯＩＩ化シシコン膜の厚
さが薄くなって、ピンホールが増加し、小房ｉＩの部分
にガラスが電着されて好−＊ Ｌ （ ｔｖｈｉｉｌ呆
κなる。
すなわち、酸化シリコン履Ｋｌｋ影響を与えることなく
ガラスパシベーション展を完全に除去することは極めて
困難であるという欠点があった。
ガラスパシベーション展を完全に除去することは極めて
困難であるという欠点があった。
この発明は畝上の従来の欠点を除去するための改良され
た半導体素子の製造方法を提供する。
た半導体素子の製造方法を提供する。
この発明はシリコン基板に形成された酸化シリコンｌ［
トＺｍｏ系のガラスパシベーション展とを備えた半導体
素子のガラスパシベーシ冨ン膜だけを選択的にエツチン
グするようにし友もので、以下Ｋｌ実施例につき図面を
参照して詳ａＫａ明する。
トＺｍｏ系のガラスパシベーション展とを備えた半導体
素子のガラスパシベーシ冨ン膜だけを選択的にエツチン
グするようにし友もので、以下Ｋｌ実施例につき図面を
参照して詳ａＫａ明する。
第１図は半導体素子にシける接合の表面安定化のために
設けられた溝の部分を示すもので、（１１は例えばＮ型
基板でコレクタ領域、（２）はｐＨのベース領域、（３
；はＮ型のエミッタ領域で、各領域間の接合面の一部が
側壁に露出させるメサ溝（４）が設けられており、また
、エミッタ領域の上面は１〜２μの膜厚（１）の酸化シ
リコン１１ （５３で覆われている。次に、電気泳動法
によシメサ溝（４３内へＺｙｍＯ系の低融点ガフＺ （
ＺｍＯ−ｊｌｍｏｌ −８１０ｍ ） （第２図（６）
）を付着させて第２図の如くなり、さらに焼成を施し、
第３図に示す如く、上記ガラス【ガラスパシベーシｌン
１１（６’）に形成する。ついでガラスパシベーション
展に対しガラスの付潰量および状態の検査を施し、ガラ
ス付着不良基板に対してはクエン酸（Ｃ，ＨｌＯ，・７
Ｈ＊Ｏ）の１０９６水Ｓ＊中でガラス膜厚に応じて数分
ないし数十分間、６Ｇ’〜１００℃で加ａｉｉｔ施し、
付着ガラスのみを完全ＩＩＣ除去する。
設けられた溝の部分を示すもので、（１１は例えばＮ型
基板でコレクタ領域、（２）はｐＨのベース領域、（３
；はＮ型のエミッタ領域で、各領域間の接合面の一部が
側壁に露出させるメサ溝（４）が設けられており、また
、エミッタ領域の上面は１〜２μの膜厚（１）の酸化シ
リコン１１ （５３で覆われている。次に、電気泳動法
によシメサ溝（４３内へＺｙｍＯ系の低融点ガフＺ （
ＺｍＯ−ｊｌｍｏｌ −８１０ｍ ） （第２図（６）
）を付着させて第２図の如くなり、さらに焼成を施し、
第３図に示す如く、上記ガラス【ガラスパシベーシｌン
１１（６’）に形成する。ついでガラスパシベーション
展に対しガラスの付潰量および状態の検査を施し、ガラ
ス付着不良基板に対してはクエン酸（Ｃ，ＨｌＯ，・７
Ｈ＊Ｏ）の１０９６水Ｓ＊中でガラス膜厚に応じて数分
ないし数十分間、６Ｇ’〜１００℃で加ａｉｉｔ施し、
付着ガラスのみを完全ＩＩＣ除去する。
上述の処ａｔ完了したのち、酸化シリコンｌＩＯ膜厚ｔ
ｍ定してみると、第１ＩＩＫ示した状態０ＩＩＩ厚（１
）と全く変っていな−。因みに、ＺｍＯ系のガラスと酸
化シリコンとのタエン酸水１１ｍ［Ｋよるエツチング量
（いずれも膜に対する膜厚の低減量とし、単位はμ）と
時間との対応０ＩｌｌＩＥ！！ｉ果を第５図に示す。図
における（４）はＺｍＯ系ガラス、俤）は酸化シリコン
にかか９、この図によっても酸化シリコン膜はエツチン
グ時間が６０分におよぶもエツチング量はｔｌはＯであ
るので本発＠Ｏ効果は確認できる。
ｍ定してみると、第１ＩＩＫ示した状態０ＩＩＩ厚（１
）と全く変っていな−。因みに、ＺｍＯ系のガラスと酸
化シリコンとのタエン酸水１１ｍ［Ｋよるエツチング量
（いずれも膜に対する膜厚の低減量とし、単位はμ）と
時間との対応０ＩｌｌＩＥ！！ｉ果を第５図に示す。図
における（４）はＺｍＯ系ガラス、俤）は酸化シリコン
にかか９、この図によっても酸化シリコン膜はエツチン
グ時間が６０分におよぶもエツチング量はｔｌはＯであ
るので本発＠Ｏ効果は確認できる。
また、この発明は実ｍが１！島である上に、特別の装置
ｔ−設けることな（遺戒できる利点もある。
ｔ−設けることな（遺戒できる利点もある。
第１図ないし＃Ｉ４図はこの発明０１実論例を工程順に
示す一部の半導体素子ＯＷＲ面図、第５図はクエン酸に
よるＺｍＯ系ガラスと酸化シリコンとのエツチング量管
対比して示す園である。 ｌ プレタタ領域 ２ ベース領域 ３ 工建ツタ領域 ４ メサ溝 ｓ ａｉ化シリコン膜 ６′ ガラスΔシベーシ曹ン膜代通人 弁理
士 井 上 −男
示す一部の半導体素子ＯＷＲ面図、第５図はクエン酸に
よるＺｍＯ系ガラスと酸化シリコンとのエツチング量管
対比して示す園である。 ｌ プレタタ領域 ２ ベース領域 ３ 工建ツタ領域 ４ メサ溝 ｓ ａｉ化シリコン膜 ６′ ガラスΔシベーシ曹ン膜代通人 弁理
士 井 上 −男
Claims (1)
- シリコンＩＩｓ板に形成された酸化シリコン農と２亀Ｏ
系のガラス／（シベーシ冒ン績と管備えた牛導体素子の
前記ガラスパシベーションａｒｍ去するＫＴｏた多りエ
ン酸水溶蓋中で加−・することを特徴とする牛導体素子
の負造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11763881A JPS5821336A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11763881A JPS5821336A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821336A true JPS5821336A (ja) | 1983-02-08 |
| JPH0130295B2 JPH0130295B2 (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=14716649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11763881A Granted JPS5821336A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821336A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192932A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Hitachi Ltd | トラッキング方法 |
| JP2006060207A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co Ltd | エッチング溶液及びこれを利用した磁気記憶素子の形成方法 |
| JP2007317856A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| JP2008159814A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法 |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP11763881A patent/JPS5821336A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192932A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Hitachi Ltd | トラッキング方法 |
| JP2006060207A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co Ltd | エッチング溶液及びこれを利用した磁気記憶素子の形成方法 |
| US8092698B2 (en) | 2004-08-03 | 2012-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming semiconductor devices formed by processes including the use of specific etchant solutions |
| JP2007317856A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| JP2008159814A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0130295B2 (ja) | 1989-06-19 |
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