JPH0130295B2 - - Google Patents
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- JPH0130295B2 JPH0130295B2 JP11763881A JP11763881A JPH0130295B2 JP H0130295 B2 JPH0130295 B2 JP H0130295B2 JP 11763881 A JP11763881 A JP 11763881A JP 11763881 A JP11763881 A JP 11763881A JP H0130295 B2 JPH0130295 B2 JP H0130295B2
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- glass
- silicon oxide
- film
- oxide film
- zno
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子の製造方法にかかり、特
に酸化シリコン膜を有する半導体基板に形成され
たガラスパシベーシヨン膜の除去方法の改良に関
する。
に酸化シリコン膜を有する半導体基板に形成され
たガラスパシベーシヨン膜の除去方法の改良に関
する。
半導体素子の製造において、表面安定化のため
の１方法としてガラスによるパシベーシヨンを施
す工程を有するものがある。この場合、ガラス膜
は電気泳動法等によつてPN接合の露出部分を保
護するように酸化シリコン膜をマスクとして選択
的に付着させる。その後焼成を施してガラスパツ
シベーシヨン膜が形成されるが、叙上の電着工程
は自動化が困難で一般に手作業で行なわれてい
る。このため、ガラス付着状態のばらつきが大き
く、所望の付着状態が得られないときはガラス粉
末電着後、またはガラス焼成後に一旦ガラス膜を
剥離し、改めてガラス電着を行なつている。一般
に用いられるパシベーシヨン用のガラスはZnO系
ガラスで、各種の酸類に弱いことから、従来はふ
つ化アンモニウム、または５〜10％のふつ化水素
溶液等でエツチング除去する。例えばふつ化アン
モニウムの場合、酸化シリコンに対するエツチン
グ速度は740Å／分前後、ZnO系ガラスに対する
エツチングの速度は5000Å／分前後で約７倍の差
が認められる。しかし、酸化シリコン膜に比して
ガラスパシベーシヨン膜は厚く形成されているの
で、ガラスパシベーシヨン膜が完全に除去できた
ときには電着時のマスクとしての酸化シリコン膜
の厚さが薄くなつて、ピンホールが増加し、不所
望の部分にガラスが電着されて好ましくない結果
になる。すなわち、酸化シリコン膜に悪影響を与
えることなくガラスパシベーシヨン膜を完全に除
去することは極めて困難であるという欠点があつ
た。
の１方法としてガラスによるパシベーシヨンを施
す工程を有するものがある。この場合、ガラス膜
は電気泳動法等によつてPN接合の露出部分を保
護するように酸化シリコン膜をマスクとして選択
的に付着させる。その後焼成を施してガラスパツ
シベーシヨン膜が形成されるが、叙上の電着工程
は自動化が困難で一般に手作業で行なわれてい
る。このため、ガラス付着状態のばらつきが大き
く、所望の付着状態が得られないときはガラス粉
末電着後、またはガラス焼成後に一旦ガラス膜を
剥離し、改めてガラス電着を行なつている。一般
に用いられるパシベーシヨン用のガラスはZnO系
ガラスで、各種の酸類に弱いことから、従来はふ
つ化アンモニウム、または５〜10％のふつ化水素
溶液等でエツチング除去する。例えばふつ化アン
モニウムの場合、酸化シリコンに対するエツチン
グ速度は740Å／分前後、ZnO系ガラスに対する
エツチングの速度は5000Å／分前後で約７倍の差
が認められる。しかし、酸化シリコン膜に比して
ガラスパシベーシヨン膜は厚く形成されているの
で、ガラスパシベーシヨン膜が完全に除去できた
ときには電着時のマスクとしての酸化シリコン膜
の厚さが薄くなつて、ピンホールが増加し、不所
望の部分にガラスが電着されて好ましくない結果
になる。すなわち、酸化シリコン膜に悪影響を与
えることなくガラスパシベーシヨン膜を完全に除
去することは極めて困難であるという欠点があつ
た。
この発明は叙上の従来の欠点を除去するための
改良された半導体素子の製造方法を提供する。
改良された半導体素子の製造方法を提供する。
この発明はシリコン基板に形成された酸化シリ
コン膜とZnO系のガラスパシベーシヨン膜とを備
えた半導体素子のガラスパシベーシヨン膜だけを
選択的にエツチングするようにしたもので、以下
に１実施例につき図面を参照して詳細に説明す
る。第１図は半導体素子における接合の表面安定
化のために設けられた溝の部分を示すもので、１
は例えばＮ型基板でコレクタ領域、２はＰ型のベ
ース領域、３はＮ型のエミツタ領域で、各領域間
の接合面の一部が側壁に露出させるメサ溝４が設
けられており、また、エミツタ領域の上面は１〜
2μの膜厚ｔの酸化シリコン膜５で覆われている。
次に、電気泳動法によりメサ溝４内へZnO系の低
融点ガラス（ZnO−B2O3−SiO2）（第２図６）を
付着させて第２図の如くなり、さらに焼成を施
し、第３図に示す如く、上記ガラスをガラスパシ
ベーシヨン膜６′に形成する。ついでガラスパシ
ベーシヨン膜に対しガラスの付着量および状態の
検査を施し、ガラス付着不良基板に対してはクエ
ン酸（C6H8O7・7H2O）の10％水溶液中でガラス
膜厚に応じて数分ないし数十分間、60゜〜100℃で
加熱を施し、付着ガラスのみを完全に除去する。
コン膜とZnO系のガラスパシベーシヨン膜とを備
えた半導体素子のガラスパシベーシヨン膜だけを
選択的にエツチングするようにしたもので、以下
に１実施例につき図面を参照して詳細に説明す
る。第１図は半導体素子における接合の表面安定
化のために設けられた溝の部分を示すもので、１
は例えばＮ型基板でコレクタ領域、２はＰ型のベ
ース領域、３はＮ型のエミツタ領域で、各領域間
の接合面の一部が側壁に露出させるメサ溝４が設
けられており、また、エミツタ領域の上面は１〜
2μの膜厚ｔの酸化シリコン膜５で覆われている。
次に、電気泳動法によりメサ溝４内へZnO系の低
融点ガラス（ZnO−B2O3−SiO2）（第２図６）を
付着させて第２図の如くなり、さらに焼成を施
し、第３図に示す如く、上記ガラスをガラスパシ
ベーシヨン膜６′に形成する。ついでガラスパシ
ベーシヨン膜に対しガラスの付着量および状態の
検査を施し、ガラス付着不良基板に対してはクエ
ン酸（C6H8O7・7H2O）の10％水溶液中でガラス
膜厚に応じて数分ないし数十分間、60゜〜100℃で
加熱を施し、付着ガラスのみを完全に除去する。
上述の処理を完了したのち、酸化シリコン膜の
膜厚を測定してみると、第１図に示した状態の膜
厚ｔと全く変つていない。因みに、ZnO系のガラ
スと酸化シリコンとのクエン酸水溶液によるエツ
チング量（いずれも膜に対する膜厚の低減量と
し、単位はμ）と時間との対応の調査結果を第５
図に示す。図におけるＡはZnO系ガラス、Ｂは酸
化シリコンにかかり、この図によつても酸化シリ
コン膜はエツチング時間が60分におよぶもエツチ
ング量はほぼ０であるので本発明の効果は確認で
きる。また、この発明は実施が容易である上に、
特別の装置を設けることなく達成できる利点もあ
る。
膜厚を測定してみると、第１図に示した状態の膜
厚ｔと全く変つていない。因みに、ZnO系のガラ
スと酸化シリコンとのクエン酸水溶液によるエツ
チング量（いずれも膜に対する膜厚の低減量と
し、単位はμ）と時間との対応の調査結果を第５
図に示す。図におけるＡはZnO系ガラス、Ｂは酸
化シリコンにかかり、この図によつても酸化シリ
コン膜はエツチング時間が60分におよぶもエツチ
ング量はほぼ０であるので本発明の効果は確認で
きる。また、この発明は実施が容易である上に、
特別の装置を設けることなく達成できる利点もあ
る。
第１図ないし第４図はこの発明の１実施例を工
程順に示す一部の半導体素子の断面図、第５図は
クエン酸によるZnO系ガラスと酸化シリコンとの
エツチング量を対比して示す図である。 １……コレクタ領域、２……ベース領域、３…
…エミツタ領域、４……メサ溝、５……酸化シリ
コン膜、６′……ガラスパシベーシヨン膜。
程順に示す一部の半導体素子の断面図、第５図は
クエン酸によるZnO系ガラスと酸化シリコンとの
エツチング量を対比して示す図である。 １……コレクタ領域、２……ベース領域、３…
…エミツタ領域、４……メサ溝、５……酸化シリ
コン膜、６′……ガラスパシベーシヨン膜。
Claims (1)
- １ シリコン基板に形成された酸化シリコン膜と
ZnO系のガラスパシベーシヨン膜とを備えた半導
体素子の前記ガラスパシベーシヨン膜を除去する
にあたりクエン酸水溶液中で加熱することを特徴
とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11763881A JPS5821336A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11763881A JPS5821336A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821336A JPS5821336A (ja) | 1983-02-08 |
| JPH0130295B2 true JPH0130295B2 (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=14716649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11763881A Granted JPS5821336A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821336A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2633865B2 (ja) * | 1987-10-02 | 1997-07-23 | 株式会社日立製作所 | トラッキング方法 |
| KR100626382B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2006-09-20 | 삼성전자주식회사 | 식각 용액 및 이를 이용한 자기 기억 소자의 형성 방법 |
| JP4816250B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2011-11-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| JP2008159814A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化亜鉛系薄膜用エッチャント及び酸化亜鉛系薄膜のパターニング方法 |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP11763881A patent/JPS5821336A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5821336A (ja) | 1983-02-08 |
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