JP2008159655A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 可撓性を有する基板上に、渦巻状の配線を有し相互に電気的接続された複数のインダクタ素子が形成され、
   前記各インダクタ素子は、前記基板を折り曲げることにより積層配置されるとともに、隣接配置される前記インダクタ素子の前記配線に同方向の電流が流れるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 可撓性を有する基板と、
   前記基板上に形成された渦巻状の配線からなる第一及び第二のインダクタ素子とを有し、
   前記第一及び第二のインダクタ素子は、前記基板上で相互に電気的に接続されており、
   前記基板は、前記第一及び第二のインダクタ素子の間の位置にて折り曲げられており、
   前記第一のインダクタ素子の配線と前記第二のインダクタ素子の配線とが重なるように、前記第一及び第二のインダクタ素子が積層配置されていることを特徴とする半導体装置。
3. 前記第一及び第二のインダクタ素子の配線は、同じ方向に電流が流れるように配置されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
4. 前記基板の折り曲げ部分の両側には、前記折り曲げ部分より前記基板を折れ曲がりにくくした補強部が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記基板は、インターポーザとして機能することを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れか１項に記載の半導体装置。
6. 請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
7. 可撓性を有する基板上に、渦巻き状の配線を有し相互に電気的接続された複数のインダクタ素子を形成する工程と、
   前記基板を折り曲げることにより、隣接配置される前記各インダクタ素子の前記配線に同方向の電流が流れるように、前記各インダクタ素子を積層配置する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。