JP2005340754A - 超小型電力変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストで、磁気誘導素子特性に優れた超小型電力変換装置を提供すること。
【解決手段】フレキシブル基板１に半導体基板３と磁気誘導素子を構成するコイル導体２を固着し、フレキシブル基板１を折り曲げて半導体基板３の背面にコイル導体２を重ね合わせて固着する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータなどの超小型電力変換装置に関する。

ＤＣ−ＤＣコンバータなどの電力変換装置は、スイッチング素子、整流素子、コンデンサ、制御用ＩＣおよび磁気誘導素子であるコイル、トランスなどの個別部品をセラミックやプラスチックなどのプリント基板上にハイブリッドで搭載したハイブリッド型の電源モジュールが報告されている（例えば、特許文献１）。
このハイブリッド型の電源モジュールの小型化は、ＭＣＭ（マルチチップモジュール）などの技術により進歩してきている。しかしながら、コイルやトランスなどの磁気誘導素子の小型化は困難であり、その占める体積が大きいため、この電源モジュールの小型化にとって制約条件となっている。
近年、この磁気誘導素子の製作に半導体技術を適用し、半導体基板上に薄型の超小型磁気誘導素子（コイル、トランス）を形成した例が報告されている（例えば、特許文献２や特許文献３）。

さらに、複数の半導体チップをフレキシブル基板に固着し、このフレキシブル基板を折り曲げて半導体チップを重ね合わせて、低コストで占有面積を縮小化した半導体装置が報告されている（例えば、特許文献４）。
特開２００１−３３２６８１号公報 特開平９−３３０８１７号公報 特開２００１−１９６５４２号公報 特開２００３−８６７６０号公報

半導体基板上に薄型の超小型磁気誘導素子を形成する場合、磁気誘導素子のコイル導体を形成する磁性絶縁基板に配線や端子電極の形成が必要となり、また磁性絶縁基板の表裏の端子電極を接続するために微小な貫通孔を磁性絶縁基板に形成する必要があり、貫通孔形成する工程とこの貫通孔を金属膜で被覆する工程が必要となり、製造コストが増大する。さらに、配線や端子電極を形成する面積分だけ、磁気誘導素子を形成する面積が小さくなり、良好な磁気誘導素子特性を得ることが困難となる。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、優れた磁気誘導素子特性を持つ薄型の超小型磁気誘導素子を有する低コストの超小型電力変換装置を提供することにある。

前記の目的を達成するために、フレキシブル基板と、該フレキシブル基板の両面に形成された配線および端子電極と、該フレキシブル基板の一方の主面の端子電極と接続する半導体基板と、該フレキシブル基板の一方の主面に前記半導体基板と離して形成した磁気誘導素子のコイル導体と、を有する超小型電力変換装置であって、前記フレキシブル基板を折り曲げて前記半導体基板の背面上に前記コイル導体を配置する構成とする。
また、フレキシブル基板と、該フレキシブル基板の両面に形成された配線および端子電極と、該フレキシブル基板の一方の主面の端子電極と接続する半導体基板と、前記半導体基板の両側に一方が前記フレキシブル基板の一方の面に形成され、他方が前記フレキシブル基板の他方の面に形成された磁気誘導素子の２つのコイル導体と、を有する超小型電力変換装置であって、前記フレキシブル基板の両側を折り曲げて前記半導体基板の真上に前記２つのコイル導体を重ねて配置する構成とする。

また、フレキシブル基板と、該フレキシブル基板の両面に形成された配線および端子電極と、該フレキシブル基板の一方の主面の端子電極と接続する半導体基板と、前記半導体基板の両側の前記フレキシブル基板のうちに一方のフレキシブル基板上に形成される磁気誘導素子のコイル導体と、他方のフレキシブル基板上に形成される薄膜コンデンサと、を有する超小型電力変換装置であって、前記フレキシブル基板の両側を折り曲げて前記半導体基板の真上に、前記薄膜コンデンサと前記磁気誘導素子が重ねて配置される構成とする。
また、前記コイル導体を磁性絶縁膜で被覆するとよい。
また、前記磁性絶縁膜が磁性体微粒子分散樹脂もしくは低温成形フェライト膜であるとよい。

また、前記半導体基板と前記コイル導体とに挟まれて配置される第１磁性絶縁基板を有するとよい。
また、前記コイル導体と前記フレキシブル基板を挟んで対向して配置される第２磁性絶縁基板を有するとよい。
また、前記２つのコイル導体の間に磁性絶縁基板を挟み、一方のコイル導体の一端と他方のコイル導体の一端を前記磁性絶縁基板を貫通する接続導体で接続するとよい。
また、前記第１または第２磁性絶縁基板がフェライト基板であるとよい。
また、前記半導体基板上に第１突起電極を形成し、該第１突起電極を介して前記半導体基板と前記端子電極とを固着するとよい。
また、前記第１突起電極が、スタッドバンプもしくはメッキバンプであるとよい。

また、前記２つのコイル導体を導電性接着剤で固着するとよい。
また、前記２つのコイル導体の間に絶縁膜を挟んでトランスを形成するとよい。
また、前記半導体基板直下の前記フレキシブル基板裏面に形成された前記端子電極に第２突起電極を形成するとよい。
また、前記第２突起電極が、はんだボールであるとよい。
また、前記薄膜コンデンサを構成する強誘電体層として、ＰＳＴ（ＰｂＳｃ_x Ｔａ_1-x Ｏ₃ ）もしくはＰＺＴ（ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ ）のペロブスカイト構造の薄膜を用いるとよい。

この発明によれば、磁気誘導素子を半導体チップ（半導体基板）の背面に重ねて配置することで、半導体チップの表面に磁気誘導素子を積層形成する場合と比較して、約１．５倍のインダクタンス値を得ることができる。
また、２つのコイルを重ねることで、コイル導体を通常の２倍以上厚くできるのでコイルの抵抗損失を低減でき、電力変換効率を高め、発熱を抑えることができる。
また、配線や端子電極を形成したフレキシブル基板に、半導体素子と薄型磁気誘導素子を固着し、フレキシブル基板を折り曲げて半導体素子と薄型磁気誘導素子を重ね合わせて積層するために、半導体素子の外部端子電極を形成するための磁性絶縁基板に形成する貫通孔が不要となり、工程数を減らすことができて製造コストを低減できる。

さらに、薄膜コンデンサを積層固着することで一層の小型化ができる。

この発明の実施の形態は、フレキシブル基板に半導体基板と磁気誘導素子や薄膜コンデンサを固着または形成し、フレキシブル基板を折り曲げて半導体基板の背面に磁気誘導素子を重ね合わせて固着することである。以下の実施例で具体的な説明をする。

図１は、この発明の第１実施例の超小型電力変換装置の構成図であり、同図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）を矢印Ａ方向から見た要部平面図、同図（ｃ）は同図（ａ）を矢印Ｂ方向から見た要部平面図である。この図は、半導体基板と磁気誘導素子について説明した図であり、コンデンサなどは省略した。また同図（ｂ）の点線は磁性絶縁膜７に被覆されたコイル導体２を示し、同図（ｃ）の点線は裏面から見た半導体基板３である。
超小型電力変換装置は、フレキシブル基板１と、このフレキシブル基板１表面と裏面に形成した第１、第２配線２１、２２および第１、第２端子電極６、９と、このフレキシブル基板１の一方の主面に形成され、このフレキシブル基板１を折り曲げることで互いを固着する半導体基板３と磁気誘導素子のコイル導体２と、コイル導体２上とコイル導体２が形成された箇所のフレキシブル基板１上を被覆する磁性絶縁膜７と、半導体基板１に形成したバンプ４と、外部導出端子となる第２端子電極９に固着するはんだボール１０と、図示しないセラミックコンデンサなどで構成される。前記の半導体基板１には制御用ＩＣやスイッチング素子などが集積形成されている。またバンプ４は第１端子電極６と固着し、第１端子電極６と第１配線２１が電気的に接続し、第２端子電極９と第２配線２２が電気的に接続する。

前記の磁性絶縁膜７は磁性体微粒子分散樹脂膜もしくは低温成形フェライト膜で形成される。尚、配線２１、２２を形成したフレキシブル基板１は、通常、フレキシブル配線基板と呼ばれている。
図２、図３および図４は、図１の超小型電力変換装置の製造方法を工程順に示した図である。図２、図３の（ａ）はフレキシブル基板１の表側の要部平面図、（ｂ）はフレキシブル基板１の裏側の要部平面図、（ｃ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図である。（ａ）と（ｂ）のＸ−Ｘ線は同一箇所を示す。
図２において、フレキシブル基板１の表面に、厚さ１００μｍのコイル導体２と、コイル導体２の一端と接続する第１配線２１と、第１配線２１と接続する第１端子電極６とを形成し、フレキシブル基板１の裏面に、コイル導体２の他端と接続導体２３を介して接続する第２配線２２と、第２配線２２と接続する第２端子電極９とを形成する。半導体基板３に外部接続用のバンプ４を形成し、このバンプ４と第１端子電極６を固着する。半導体基板３とフレキシブル基板１の隙間にアンダーフィル５を充填して、半導体基板３とフレキシブル基板１との接着強度を補強する。接続導体２３はフレキシブル基板１に貫通孔を開口しこの開口部に金属膜を被覆して形成する。第１配線２１と第１端子電極６および第２配線２２と第２端子電極９は同時に形成して構わない。

前記の半導体基板３に形成するバンプ４はＡｕバンプなどで形成し、このバンプ４はフレキシブル基板１上の第１端子電極６と超音波フリップチップボンディングにより接続する。続いて、隙間にアンダーフィルを充填する。ＡｕバンプはＡｕワイヤを用いたスタッドバンプ、メッキバンプのどちらでも構わない。また、Ａｕバンプと第１端子電極６との固着には、Ａｕの熱圧着および高温はんだを用いていてもよい（同図（ｃ））。
つぎに、フレキシブル基板１に形成したコイル導体２の表裏両面に磁性絶縁膜７を形成し、薄型磁気誘導素子とする。この磁性絶縁膜７は磁性体粒子分散樹脂または低温成形フェライトなどであり、この磁性体粒子分散樹脂または低温成形フェライトは印刷硬化、型による圧縮成形または焼結により外部磁心を形成する（図３）。
つぎに、１５０℃〜２００℃に加熱しながらフレキシブル基板１を折り曲げ、半導体基板３の背面に磁気誘導素子の磁性絶縁膜７を重ね合わせ、接着剤またはモールド樹脂などの固着材３１を用いて固着する。続いて、フレキシブル基板１の裏面に形成された表面実装用端子電極である第２端子電極９にＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）用のはんだボール１０を固着する。はんだボールを固着しないでＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）として平面実装に表面実装用端子電極を用いることもできる。その後で、はんだボール１０と図示しないコンデンサチップを固着する（図４）。

このように、フレキシブル基板１の表面に磁気誘導素子のコイル導体２を形成し、表面と裏面に配線２１、２２や第１、第２端子電極６、９を形成し、これを折り曲げることで半導体基板３の背面に磁気誘導素子を積層することで、従来のような磁性絶縁基板（フェライト基板など）への貫通孔を開口する工程が不要となり、工数を低減できて製造コストを低減できる。また、フレキシブル基板１の裏面に配線２１、２２と第１、第２端子電極６、９を形成することで、コイル導体２の形成面積を半導体基板３の面積と同じ程度とすることができて、磁気誘導素子特性の向上を図ることができる。

図５は、この発明の第２実施例の超小型電力変換装置の要部断面図である。図１との違いは、磁気誘導素子を構成するコイル導体２の両面を被覆している磁性絶縁膜７上にフェライト薄板８を固着した点である。このフェライト薄板８の裏面側の磁性絶縁膜７への固着はフレキシブル基板１の折り曲げ前でも後でもどちらでも構わない。フェライト薄板８の挿入により、磁気誘導素子特性がさらに向上する。

図６は、この発明の第３実施例の超小型電力変換装置の要部断面図である。図１との違いは、磁気誘導素子を構成する第１、第２コイル導体２ａ、２ｂがフェライト薄板７を介して２段重ねとなっている点である。コイル導体を２段とし、第１導体２ａと第２導体２ｂに流れる電流で発生する磁力線が互いに強め合うので、磁気誘導素子特性が大幅に向上する。
図７は、図６の超小型電力変換装置の製造方法を示す要部平面図である。フレキシブル基板１の中央部に半導体基板３を固着させ、半導体基板３を挟んで両側に互いに点対称のパターン（このパターンとすることで、渦巻き状コイルに流れる電流で発生した磁力線が互いに強め合う）で、第１コイル導体２ａをフレキシブル基板の右側の表面、第２コイル導体２ｂをフレキシブル基板１の左側の裏面に形成する。続いて、図６に示すように、第１、第２コイル導体２ａ、２ｂ上を磁性絶縁膜７で被覆し、フレキシブル基板１の左側を折り曲げて、フェライト基板８を介して半導体基板３上に第２コイル導体２ｂを配置し、この第２コイル導体２ｂを被覆している磁性絶縁膜７上にフェライト基板８を配置する。続いて、フレキシブル基板１の右側を折り曲げて、フェライト基板８上に第１コイル導体２ａを被覆している磁性絶縁基板７を配置し、第１コイル導体２ａが形成されているフレキシブル基板１ａ上にフェライト基板８を配置する。第１コイル導体２ａの中心部と第２コイル導体２ｂの中心部はフェライト基板８の中心部に開けた貫通孔に形成した接続導体２３で電気的に接続する。尚、フェライト薄板８を挟んで、パターン位置が合致するように第１、第２コイル導体２ａ、２ｂを重ねる。

図８は、この発明の第４実施例の超小型電力変換装置の要部断面図である。図６との違いは、磁気誘導素子を構成する第１、第２コイル導体２ｃ、２ｄがフェライト薄板８なしに固着材１２で固着されいる点である。第１、第２コイル導体２ｃ、２ｄ同士の固着は、はんだまたは導電性接着剤で行うとよい。この場合は、磁気誘導素子を構成するコイル導体の厚みが倍増するため、コイル抵抗が小さくなり、磁気誘導素子特性が大幅に向上する。
図９は、図８の超小型電力変換装置の製造方法を示す要部平面図である。フレキシブル基板１の中央部に半導体基板３を固着させ、半導体基板３を挟んで両側に互いに線対称となるパターン（折り曲げると第１コイル導体２ｃのパターンと第２コイル導体２ｄのパターンが重ね合わせることができる）で、第１コイル導体２ｃをフレキシブル基板１の右側の表面、第２コイル導体２ｄをフレキシブル基板１の左側の裏面に形成する。第２コイル導体２ｄは半導体基板３と配線２２で接続する必要はない。続いて、図８に示すように、第１、第２コイル導体２ｃ、２ｄパターン間の隙間を磁性絶縁膜７で埋め、フレキシブル基板１の左側を折り曲げて、半導体基板３上に第２コイル導体２ｄを配置する。続いて、フレキシブル基板１の右側を折り曲げて、第２コイル導体２ｄ上に第１コイル導体２ｃを配置して、第１コイル導体２ｃと第２コイル導体２ｄを固着材１２で固着する。

図１０は、この発明の第５実施例の超小型電力変換装置の要部断面図である。図６、図８との違いは、磁気誘導素子を構成する第１、第２コイル導体２ｅ、２ｆが絶縁膜１１を介して２段重ねとなっている点である。この場合はコイル導体同士は絶縁されているので絶縁トランスとなる。絶縁膜１１にはポリイミドフイルムを用いるとよい。
前記の実施例で説明したように、薄型（平面型）磁気誘導素子（コイル、トランス）を半導体基板３（半導体チップ）の背面に重ねて配置する構造のため、並列配置した場合と比較すると磁気誘導素子が占める実装面積を削減でき、例えば、１Ｗ級のＤＣ−ＤＣコンバータでは電源モジュールの体積をほぼ１／４に削減できる。また半導体基板３の背面全面に磁気誘導素子を構成するコイル導体を配置できるため、半導体基板３上に直接積層形成する場合と比較して約１．５倍のインダクタンス値を得ることができる。また、２つのコイルを重ねることで、コイル導体を通常の２倍以上厚くできてコイル導体の熱損失を低減できる。

また、半導体チップと磁気誘導素子を構成するコイル導体を別工程で製作できるので、半導体基板表面上に直接磁気誘導素子を形成する場合と比較すると、端子電極用の貫通孔を形成する必要がなく製造工程数を減らすことができて製造コストを低減できる。
ところで、前記の第１実施例〜第５実施例で示した半導体チップと薄膜磁気誘導素子を積層固着したモジュールに、さらに薄膜コンデンサを積層固着し一体化すると、超小型電力変換装置を一層小型化することができる。つぎに、半導体チップ、薄膜磁気誘導素子および薄膜コンデンサを積層固着した実施例について説明する。

図１１は、この発明の第６実施例の超小型電力変換装置の要部断面図である。図８との違いは、第２コイル導体２ｄを薄膜コンデンサ２７に置き換えて、薄膜磁気誘導素子と半導体基板３の間に薄膜コンデンサ２７を挟み込んで積層固着した点である。
このように、半導体基板３と薄膜磁気誘導素子および薄膜コンデンサ２７をそれぞれ積層固着することで、超小型電力変換装置を一層小型化できる。
つぎに、図１１の超小型電力変換装置の製造方法について説明する。
図１２〜図１６は、図１１の超小型電力変換装置の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程平面図（図１２〜図１４）と要部製造工程断面図（図１５、図１６）である。 フレキシブル基板１の第１主面に、厚さ１００μｍのコイル導体２と、半導体基板３の接続用の端子電極６と、薄膜コンデンサ２７の第１コンデンサ電極２５および第１配線２１をそれぞれ形成し、フレキシブル基板１の第２主面（裏側）に表面実装用の図示しない端子電極と、第２配線２２と、接続導体２３をそれぞれ形成する。このフレキシブル基板１の半導体基板３の接続用の端子電極６にＡｕバンプ４を形成した半導体基板３を超音波フリップチップボンディングにより接続する。このときＡｕバンプ４はＡｕワイヤを用いたスタッドバンプ、メッキバンプのどちらでもよい。また、端子電極６の固着には、Ａｕの熱圧着及び、高温はんだ接合を用いてもよい（図１２）。

つぎに、フレキシブル基板１の第１コンデンサ電極２５上に強誘電体層２４である厚さ１０μｍのペロブスカイト構造と呼ばれる結晶構造のＰＺＴ（ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ ）膜またはＰＳＴ（Ｐｂ（Ｓｃ_x Ｔａ_1-x ）Ｏ₃ ）膜を形成する（図１３）。
つぎに、スパッタ法により第１コンデンサ電極２５と対向するように第２コンデンサ電極２６を形成する。その後、第２コンデンサ電極２６と半導体基板３の接続用の端子電極６の一端とを第１配線２１で接続する。このとき、第１コンデンサ電極２５および第２コンデンサ電極２６の最表面はＡｕであることが望ましい（図１４）。
つぎに、フレキシブル基板１のコイル導体２の表側に磁性体粒子分散樹脂などの磁性絶縁膜７を形成し、コイル導体２の表側、裏側に低温成形フェライトを印刷硬化または型による圧縮成形及び焼結により外部磁心（フェライト薄板８）を形成して磁気誘導素子を形成し、１５０℃〜２００℃に加熱しながらフレキシブル基板１を折り曲げ、半導体基板３の背面に薄膜コンデンサ２７とその上に薄膜磁気誘導素子を重ねて貼り合わせる。このとき固着には固着材３１（もしくは、モールド封止）を用いるとよい（図１５）。

最後に、フレキシブル基板１の第２主面に形成された表面実装用の端子電極にＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）用のハンダボール１０を取付ける。ハンダボール１０を付けずにＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）として平面実装に用いる場合も可能である。このようにして、図１６に示すフレキシブル基板１を用いて、薄膜磁気誘導素子２８、薄膜コンデンサ２７および半導体基板３をフレキシブル基板１を積層して形成した超小型電力変換装置が完成する（図１６）。
前記のように、２枚の高透磁率のフェライト薄板８でコイル導体２を挟み込むことにより、インダクタンス値を高め、かつ直流抵抗値を低減し、電力損失の低減を図ることができる。

図１７は、この発明の第７実施例の超小型電力変換装置の要部断面図である。図１１との違いは、半導体基板３の背面に予め第２コンデンサ電極２６と強誘電体層２４であるＰＺＴ膜またはＰＳＴ膜を形成しておき、フレキシブル基板１の第１主面に第１コンデンサ電極２５を形成しておき、フレキシブル基板１の折り曲げ時に強誘電体層２４と第１コンデンサ電極２５と固着、または、接続した点である。
こうすることで、第２コンデンサ電極２６と半導体基板３の裏側を固着材３１で固着する工程を省略できる。

この発明の第１実施例の超小型電力変換装置の構成図であり、（ａ）は要部断面図、（ｂ）は（ａ）を矢印Ａ方向から見た要部平面図、（ｃ）は（ａ）を矢印Ｂ方向から見た要部平面図 図１の超小型電力変換装置の製造方法を示した工程図で、（ａ）はフレキシブル基板の表側の要部平面図、（ｂ）はフレキシブル基板の裏側の要部平面図、（ｃ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図 図２に続く、図１の超小型電力変換装置の製造方法を示した工程図で、（ａ）はフレキシブル基板の表側の要部平面図、（ｂ）はフレキシブル基板の裏側の要部平面図、（ｃ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した要部断面図 図３に続く、図１の超小型電力変換装置の製造方法を示した工程図で、図２、３のＸ−Ｘ線に相当する部分で切断した要部断面図 この発明の第２実施例の超小型電力変換装置の要部断面図 この発明の第３実施例の超小型電力変換装置の要部断面図 図６の超小型電力変換装置の製造方法を示す要部平面図 この発明の第４実施例の超小型電力変換装置の要部断面図 図８の超小型電力変換装置の製造方法を示す要部平面図 この発明の第５実施例の超小型電力変換装置の要部断面図 この発明の第６実施例の超小型電力変換装置の要部断面図 図１１の超小型電力変換装置の要部製造工程平面図 図１２に続く、図１１の超小型電力変換装置の要部製造工程平面図 図１３に続く、図１１の超小型電力変換装置の要部製造工程平面図 図１４に続く、図１１の超小型電力変換装置の要部製造工程断面図 図１５に続く、図１１の超小型電力変換装置の要部製造工程断面図 この発明の第７実施例の超小型電力変換装置の要部断面図

符号の説明

１ フレキシブル基板
２ コイル導体
２ａ、２ｃ、２ｅ 第１コイル導体
２ｂ、２ｄ、２ｆ 第２コイル導体
３ 半導体基板
４ バンプ
５ アンダーフィル
６ 第１端子電極
７ 磁性絶縁膜
８ フェライト薄板
９ 第２端子電極
１０ ハンダボール
１１ 絶縁膜
１２、３１ 固着材
２１ 第１配線
２２ 第２配線
２３ 接続導体
２４ 強誘電体層
２５ 第１コンデンサ電極
２６ 第２コンデンサ電極
２７ 薄膜コンデンサ
２８ 薄膜磁気誘導素子

Claims (16)

1. フレキシブル基板と、該フレキシブル基板の両面に形成された配線および端子電極と、該フレキシブル基板の一方の主面の端子電極と接続する半導体基板と、該フレキシブル基板の一方の主面に前記半導体基板と離して形成した磁気誘導素子のコイル導体と、を有する超小型電力変換装置であって、前記フレキシブル基板を折り曲げて前記半導体基板の背面上に前記コイル導体を配置することを特徴とする超小型電力変換装置。
2. フレキシブル基板と、該フレキシブル基板の両面に形成された配線および端子電極と、該フレキシブル基板の一方の主面の端子電極と接続する半導体基板と、前記半導体基板の両側に、一方が前記フレキシブル基板の一方の面に形成され、他方が前記フレキシブル基板の他方の面に形成された磁気誘導素子の２つのコイル導体と、を有する超小型電力変換装置であって、前記フレキシブル基板の両側を折り曲げて前記半導体基板の真上に前記２つのコイル導体を重ねて配置することを特徴とする超小型電力変換装置。
3. フレキシブル基板と、該フレキシブル基板の両面に形成された配線および端子電極と、該フレキシブル基板の一方の主面の端子電極と接続する半導体基板と、前記半導体基板の両側の前記フレキシブル基板のうち一方のフレキシブル基板上に形成される磁気誘導素子のコイル導体と、他方のフレキシブル基板上に形成される薄膜コンデンサと、を有する超小型電力変換装置であって、前記フレキシブル基板の両側を折り曲げて前記半導体基板の真上に前記薄膜コンデンサと前記磁気誘導素子が重ねて配置されることを特徴とする超小型電力変換装置。
4. 前記コイル導体を磁性絶縁膜で被覆することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
5. 前記磁性絶縁膜が磁性体微粒子分散樹脂もしくは低温成形フェライト膜であることを特徴とする請求項４に記載の超小型電力変換装置。
6. 前記半導体基板と前記コイル導体とに挟まれて配置される第１磁性絶縁基板を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
7. 前記コイル導体と前記フレキシブル基板を挟んで対向して配置される第２磁性絶縁基板を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
8. 前記２つのコイル導体の間に磁性絶縁基板を挟み、一方のコイル導体の一端と他方のコイル導体の一端を前記磁性絶縁基板を貫通する接続導体で接続することを特徴とする請求項２に記載の超小型電力変換装置。
9. 前記第１または第２磁性絶縁基板がフェライト基板であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
10. 前記半導体基板上に第１突起電極を形成し、該第１突起電極を介して前記半導体基板と前記端子電極とを固着することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
11. 前記第１突起電極が、スタッドバンプもしくはメッキバンプであることを特徴とする請求項１０に記載の超小型電力変換装置。
12. 前記２つのコイル導体を導電性接着剤で固着することを特徴とする請求項２、４、５のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
13. 前記２つのコイル導体の間に絶縁膜を挟んでトランスを形成することを特徴とする請求項２、４、５のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
14. 前記半導体基板直下の前記フレキシブル基板裏面に形成された前記端子電極に第２突起電極を形成することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
15. 前記第２突起電極が、はんだボールであることを特徴とする請求項１４に記載の超小型電力変換装置。
16. 前記薄膜コンデンサを構成する強誘電体層として、ＰＳＴ（ＰｂＳｃ_1-x Ｔａ_x Ｏ₃ ）もしくはＰＺＴ（ＰｂＺｒ_1-x Ｔｉ_x Ｏ₃ ）のペロブスカイト構造の薄膜を用いることを特徴とする請求項３に記載の超小型電力変換装置。

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