JP2008140452A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体集積回路は、第1の電源電圧を用いて動作する第1の動作モードと、第1の電源電圧より低い第2の電源電圧を用いて動作する第2の動作モードとを有し、かつ互いの入力が互いの出力に接続されたインバータ回路INV1,INV2を含むメモリセルと、電源制御回路2とを含む。インバータ回路INV1,INV2のそれぞれは、端子T5及び端子T6間に直列に接続されたPチャネル型の負荷トランジスタLDとNチャネル型の駆動トランジスタDVとを有する。電源制御回路2は、第2の動作モード時に、端子T6に接地電圧より高いソース電圧を供給し、かつ駆動トランジスタの基板端子に接地電圧を供給する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路(チップ)1の構成を示すブロック図である。半導体集積回路1は、電源制御回路2、SRAMマクロ3、ロジック回路4、及び端子T1〜T4を備えている。半導体集積回路1には、半導体集積回路1の動作モード(後述する通常動作モード及び低電圧モード)を切り替えるためのモード切替信号S_MSが端子T1を介して入力されている。
第2の実施形態は、SRAMマクロ3のうちメモリセルアレイ11と周辺回路20とを分けて電源制御を行う。そして、メモリセルアレイ11には、第1の実施形態と同じソース電圧VDDC、ソース電圧VSSC、及び基板電圧VSSC_Sを供給する。一方、周辺回路20には、低電圧モード時、電源電圧Vdd及び接地電圧Vss(0V)を供給するようにしている。
Claims (5)
- 第1の電源電圧を用いて動作する第1の動作モードと、前記第1の電源電圧より低い第2の電源電圧を用いて動作する第2の動作モードとを有する半導体集積回路であって、
互いの入力が互いの出力に接続された第1及び第2のインバータ回路を含み、前記第1及び第2のインバータ回路のそれぞれが、直列に接続されたPチャネル型の負荷トランジスタとNチャネル型の駆動トランジスタとを有するメモリセルと、
前記第2の動作モード時に、前記駆動トランジスタのソース端子に接地電圧より高いソース電圧を供給し、かつ前記駆動トランジスタの基板端子に接地電圧を供給する電源制御回路と
を具備することを特徴とする半導体集積回路。 - 前記ソース電圧は、前記第1の電源電圧から前記第2の電源電圧を引いた値に設定されることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記電源制御回路は、前記第2の動作モード時に、前記負荷トランジスタのソース端子に前記第1の電源電圧を供給することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路。
- 前記第1のインバータ回路の出力にNチャネル型の転送トランジスタを介して接続されたビット線と、
データに応じて前記ビット線の電圧を設定する周辺回路と
をさらに具備し、
前記電源制御回路は、前記第2の動作モード時に、前記周辺回路に前記第1の電源電圧及び前記接地電圧を供給することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体集積回路。 - 前記電源制御回路は、前記第2の動作モード時に、前記転送トランジスタの基板端子に前記ソース電圧を供給することを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006324621A JP5057757B2 (ja) | 2006-11-30 | 2006-11-30 | 半導体集積回路 |
US11/947,241 US7630229B2 (en) | 2006-11-30 | 2007-11-29 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006324621A JP5057757B2 (ja) | 2006-11-30 | 2006-11-30 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008140452A true JP2008140452A (ja) | 2008-06-19 |
JP5057757B2 JP5057757B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=39497834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006324621A Expired - Fee Related JP5057757B2 (ja) | 2006-11-30 | 2006-11-30 | 半導体集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7630229B2 (ja) |
JP (1) | JP5057757B2 (ja) |
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2006
- 2006-11-30 JP JP2006324621A patent/JP5057757B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2007
- 2007-11-29 US US11/947,241 patent/US7630229B2/en not_active Expired - Fee Related
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US7630229B2 (en) | 2009-12-08 |
US20080137465A1 (en) | 2008-06-12 |
JP5057757B2 (ja) | 2012-10-24 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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