JP2008135777A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ビット線11と不純物拡散層14は、各々の一端が重畳されて接続されており、周辺回路領域3における選択トランジスタのソース/ドレイン17の表層及び重畳部位14aを含む不純物拡散層14の表層に高融点金属、ここではTiとSiとのシリサイド化が施され、チタンシリサイド層18が形成されている。
【選択図】 図2
Description
図13は、ビット線構造の不揮発性メモリにおけるメモリセルアレイ領域のメモリセルと周辺回路領域の選択トランジスタを拡大して示す概略断面図であり、図14はメモリセルのワード線に沿った概略断面図である。
先ず、第1の実施形態について説明する。この不揮発性半導体記憶装置(不揮発性メモリ)は、埋め込みビット線構造とされており、メモリセルアレイ領域の周辺回路領域及びロジック回路領域のみにシリサイド形成されている。
図1は、本実施形態の不揮発性メモリを示す概略平面図であり、メモリセルアレイ領域と周辺回路領域の境界部位近傍を示している。図2(a)は、図1中のI−I'に沿った概略断面図、図2(b)は、図1中のII−II'に沿った概略断面図、図2(c)は、図1中のIII−III'に沿った概略断面図である。
図3〜図6は、本実施形態による不揮発性メモリの製造方法を工程順に示す概略断面図である。ここで、図3(b)と(c)、図4(b)と(c)、図5(a)と(b)、図6(a)と(b)はそれぞれ断面部位の異なる同一工程を示している。
次いで、第2の実施形態について説明する。ここでは、第1の実施形態と同様に埋め込みビット線構造の不揮発性メモリを開示するが、メモリセルアレイ領域と周辺回路領域との接続形態が異なる点で相違する。
図7は、本実施形態の不揮発性メモリを示す概略平面図であり、メモリセルアレイ領域と周辺回路領域の境界部位近傍を示している。図8は、図1中のI−I'に沿った概略断面図である。なお、第1の実施形態で開示した構成部材等と同様のものについては同符号を記す。
図9〜図12は、本実施形態による不揮発性メモリの製造方法を工程順に示す概略断面図である。ここで、図10(a)と(b)、図11(a)と(b)、図11(c)と(d)、図12(b)と(c)はそれぞれ断面部位の異なる同一工程を示している。
(1)周辺回路領域3(及びロジック回路領域)の不純物拡散層のシリサイド化あるいはゲート電極15と不純物拡散層のシリサイド構造とすると同時に、メモリセルアレイ領域2のワード線12をシリサイド構造又はポリサイド構造とする。
(2)各ゲート電極上に窒化膜あるいは窒化酸化膜を形成し、露光時の反射防止のため、及び、エッチングストッパーとして機能させ、所望のエッチングを実現する。
前記ビット線は、前記絶縁層の下部に形成された第1の不純物拡散層からなるとともに、
前記メモリセルアレイ領域と前記周辺回路領域との接続部位に、前記第1の不純物拡散層と一端で重畳接続された第2の不純物拡散層を有し、
前記重畳部位を含む前記第2の不純物拡散層の表層及び前記選択トランジスタのソース/ドレインを構成する第3の不純物拡散層の表層にシリサイドが形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
前記第1及び第2の素子形成領域に、第1の酸化膜、蓄積窒化膜及び第2の酸化膜を積層形成した後、前記第1の素子形成領域のみの前記第1の酸化膜、前記蓄積窒化膜及び前記第2の酸化膜を所定形状にパターニングする工程と、
前記第2の素子形成領域に、選択的に不純物を導入してビット線となる第1の不純物拡散層を形成した後、当該第1の不純物拡散層上に絶縁層を形成する工程と、
前記第1の素子形成領域及び前記第1の素子形成領域と前記第2の素子形成領域との接続部位のみの前記第1の酸化膜、前記蓄積窒化膜及び前記第2の酸化膜を除去する工程と、
前記第1の素子形成領域にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の素子形成領域及び前記第2の素子形成領域にシリコン膜を形成した後、前記シリコン膜をパターニングして、前記第1の素子形成領域の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を、前記第2の素子形成領域の前記第1の酸化膜、前記蓄積窒化膜及び前記第2の酸化膜上にワード線をそれぞれ形成する工程と、
前記接続部位及び前記第1の素子形成領域に不純物を導入し、前記接続部位には前記第1の不純物拡散層と一端で重畳接続されるように第2の不純物拡散層を、前記第1の素子形成領域にはソース/ドレインとなる第3の不純物拡散層をそれぞれ形成する工程と、
前記重畳部位を含む前記第2の不純物拡散層の表層及び前記選択トランジスタのソース/ドレインを構成する第3の不純物拡散層の表層にシリサイドを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
2 メモリセルアレイ領域
3 周辺回路領域
4 フィールド酸化膜
11 ビット線
12 ワード線
13 絶縁層
14 不純物拡散層
15 ゲート絶縁膜
16 ゲート電極
17 ソース/ドレイン
18 チタンシリサイド層
19 層間絶縁膜
20 第1の酸化膜
21 蓄積窒化膜
22 第2の酸化膜
23 チャネルストッパー層
31,32 コンタクト孔
33 金属配線
34 タングステン(W)プラグ
35 BPSG膜
41 タングステン(W)シリサイド膜
42 プラズマ窒化酸化膜
43 サイドウォールスペーサ
44 レジストパターン
Claims (3)
- ワード線とビット線が絶縁層を介して交差し、当該交差部位にメモリセルが構成されてなるメモリセルアレイ領域と、前記メモリセルの選択トランジスタを有してなる周辺回路領域とを備えた半導体記憶装置であって、
前記ビット線は、前記絶縁層の下部に形成された第1の不純物拡散層からなるとともに、
前記メモリセルアレイ領域と前記周辺回路領域との接続部位に、前記第1の不純物拡散層と一端で重畳接続された第2の不純物拡散層を有し、
前記重畳部位の上部には前記絶縁層が形成されておらず、前記重畳部位は前記周辺回路領域に属しており、
前記重畳部位を含む前記第2の不純物拡散層の表層及び前記選択トランジスタのソース/ドレインを構成する第3の不純物拡散層の表層にシリサイドが形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルのゲート電極構造は、第1の絶縁膜、電荷の蓄積窒化膜、第2の絶縁膜及び前記ワード線が順次積層されてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 隣接する前記ビット線間に、前記第1の絶縁膜、前記蓄積窒化膜及び前記第2の絶縁膜のうち少なくとも1種が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008010977A JP5040676B2 (ja) | 2008-01-21 | 2008-01-21 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008010977A JP5040676B2 (ja) | 2008-01-21 | 2008-01-21 | 半導体記憶装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2000233456A Division JP2002050705A (ja) | 2000-08-01 | 2000-08-01 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008135777A true JP2008135777A (ja) | 2008-06-12 |
JP5040676B2 JP5040676B2 (ja) | 2012-10-03 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5040676B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108695336A (zh) * | 2017-04-07 | 2018-10-23 | 三星电子株式会社 | 三维半导体存储器件及制造其的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0194645A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0230179A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
JPH06196711A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 不揮発性記憶装置とその製造方法 |
JPH07176705A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置とその製造方法 |
JPH09116032A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JPH10256511A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JPH11312795A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000188378A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0194645A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0230179A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
JPH06196711A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 不揮発性記憶装置とその製造方法 |
JPH07176705A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置とその製造方法 |
JPH09116032A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JPH10256511A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JPH11312795A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000188378A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108695336A (zh) * | 2017-04-07 | 2018-10-23 | 三星电子株式会社 | 三维半导体存储器件及制造其的方法 |
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