JP2008119809A

JP2008119809A - 円板状基板の製造方法

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Publication number: JP2008119809A
Application number: JP2006309637A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Suzuki; 哲雄鈴木; Yoshio Kawakami; 義男川上; Kazuhiro Hyakki; 和広百鬼
Original assignee: KOKEN KOGYO KK; Furukawa Electric Co Ltd; Shoda Techtron Corp
Current assignee: KOKEN KOGYO KK; Furukawa Electric Co Ltd; Shoda Techtron Corp
Priority date: 2006-11-15
Filing date: 2006-11-15
Publication date: 2008-05-29
Anticipated expiration: 2026-11-15
Also published as: JP5006011B2; US20090104853A1; US7806751B2; WO2008059930A1

Abstract

【課題】斜面取り部の仕上がり精度のよい円板状基板を製造できる円板状基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】円板状基板を形成する円板状基板形成工程と、前記形成した円板状基板の外周のエッジ部を斜面取りする外周斜面取り工程とを含み、前記外周斜面取り工程は、中空部を形成した円筒状の外周斜面取り砥石と前記円板状基板とをそれぞれ回転しながら、前記外周斜面取り砥石の中空部が前記外周のエッジ部に臨むように、前記外周斜面取り砥石の先端面を前記外周のエッジ部に接触させて斜面取りを行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体やガラスなどからなる円板状基板の製造方法に関するものである。

近年、携帯電話、携帯音楽プレーヤといった小型の情報端末装置には、大容量のハードディスク装置を搭載するものが登場してきた。このため、ハードディスク装置において記録媒体となる磁気ディスクの大容量化、小型化が望まれている。こうしたニーズに応えるために、ハードディスク装置に使用される磁気ディスクの基板として、従来のアルミニウム系合金基板に代わって、ガラス基板が使用されるようになってきている。また、半導体デバイスの作製に用いられるＳｉ単結晶などからなるウェハーにおいても、ガラス基板が一般的に用いられている。

上述の用途に用いられるガラス基板は、円板状、または中心に円孔を有する円板状に形成されるが、その内周端面および外周のエッジ部が内部応力や接触等による外的要因により欠けやすい。そのため、ガラス基板の内周および外周のエッジ部の斜面取りを行う斜面取り加工が施される。こうしたガラス基板の斜面取り加工技術は、例えば、特許文献１に提案されている。

この特許文献１によれば、図１０に示すように、中心に円孔を有する円板状のガラス基板６を回転させるとともに、ガラス基板６の外周端面６３および内周端面６４にそれぞれ円柱状の回転砥石７１、７２の外周面を押圧する。回転砥石７１、７２の外周面には、図１１に示すように、複数個の研削溝７１ａが全周にわたって形成される。この研削溝７１ａは、その内底に向かうにしたがって幅が狭くなるようにテーパ面７１ｂが形成されており、研削溝７１ａの内面には、ダイヤモンド砥粒等の砥粒が付着されている。したがって、この研削溝７１ａのテーパ面７１ｂとガラス基板６の外周端面６３または内周端面６４との接触により内外周端面の研削とエッジ部の斜面取りが施される。また、特許文献２に記載されたウェハーのべべリング加工方法においても同様の形態で斜面取り加工が施されている。

特開平１１−１９９２５５号公報特開平９−１８１０２１号公報

しかしながら、従来の斜面取り方法は、図１１に示すように、回転砥石７１、７２の研削溝７１ａのテーパ面７１ｂには、ガラス基板６の端部と当接する部位ａが集中して削られ全周にわたって一連の凹部であるスジが形成されてしまう。したがって、このスジが形成される都度、ガラス基板６の研削に用いる研削溝７１ａをたとえば下段の研削溝７１ａに変更したり、回転砥石７１、７２のドレッシングを行ったりする必要がある。このため、従来の斜面取り方法においては、砥石管理が大変な手間となっていた。さらに、従来の斜面取り方法においては、ガラス基板６の斜面取り部から主表面にかけてチッピングが発生しやすく、また研削した斜面取り部に縞模様状のキズが形成されやすいという問題があった。特に、情報記録媒体として使用するガラス基板は、非常に高い加工精度が要求されることから、こうした研削面と基板表面の境界部や研削面の仕上がり不良は大きな問題となっていた。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、斜面取り部の仕上がり精度のよい円板状基板を製造できる円板状基板の製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る円板状基板の製造方法は、円板状基板を形成する円板状基板形成工程と、前記形成した円板状基板の外周のエッジ部を斜面取りする外周斜面取り工程とを含み、前記外周斜面取り工程は、中空部を形成した円筒状の外周斜面取り砥石と前記円板状基板とをそれぞれ回転しながら、前記外周斜面取り砥石の中空部が前記外周のエッジ部に臨むように、前記外周斜面取り砥石の先端面を前記外周のエッジ部に接触させて斜面取りを行うことを特徴とする。

また、本発明に係る円板状基板の製造方法は、中心に円孔を有する円板状基板を形成する円板状基板形成工程と、前記円孔を有する円板状基板の内周のエッジ部を斜面取りする内周斜面取り工程とを含み、前記内周斜面取り工程は、中空部を形成した円筒状の内周斜面取り砥石と前記円板状基板とをそれぞれ回転しながら、前記内周斜面取り砥石の中空部が前記内周のエッジ部に臨むように、前記内周斜面取り砥石の先端面を前記内周のエッジ部に接触させて斜面取りを行うことを特徴とする。

また、本発明に係る円板状基板の製造方法は、上記の発明において、前記円孔を有する円板状基板の外周のエッジ部を斜面取りする外周斜面取り工程を含み、前記外周斜面取り工程は、中空部を形成した円筒状の外周斜面取り砥石と前記円板状基板とをそれぞれ回転しながら、前記外周斜面取り砥石の中空部が前記外周のエッジ部に臨むように、前記外周斜面取り砥石の先端面を前記外周のエッジ部に接触させて斜面取りを行うことを特徴とする。

また、本発明に係る円板状基板の製造方法は、上記の発明において、前記外周斜面取り砥石の先端面および／または前記内周斜面取り砥石の先端面は、外径側から内径側に至る略全体が前記円板状基板または前記円孔を有する円板状基板の外周のエッジ部または内周のエッジ部に接触するように湾曲した傾斜面となっていることを特徴とする。

本発明によれば、中空部を形成した円筒状の外周斜面取り砥石と円板状基板とをそれぞれ回転しながら、外周斜面取り砥石の中空部が外周のエッジ部に臨むように、外周斜面取り砥石の先端面を外周のエッジ部に接触させて斜面取りを行うことによって、砥石の表面にスジが発生しにくいとともに円板状基板のエッジ部が互いに異なる方向から研削されるため、斜面取り加工の際に斜面取り部から主表面にかけてのチッピングの発生と斜面取り部におけるキズの発生を抑制できるので、斜面取り部の仕上がり精度のよい円板状基板を製造できるという効果を奏する。

以下に、図面を参照して本発明に係る円板状基板の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る円板状基板の製造方法を説明する説明図である。本実施の形態は、中心に円孔を有する円板状のガラス基板、すなわちドーナツ状のガラス基板を製造する方法に係るものである。まず、図１（ａ）に示すようにフロート法、ダウンドロー法、フュージョン法、あるいはリドロー法などの公知の方法で所定の厚さのガラス板１を作成し、公知のコアリング用砥石を用いてガラス板１をコアリングして、図１（ｂ）に示すようにドーナツ状のガラス基板２を形成する。ガラス基板２は上側および下側に主表面２１を有し、中心に円孔２２が形成されたものである。なお、符号２３、２４、２５、２６はそれぞれ外周端面、内周端面、外周エッジ部、内周エッジ部を示す。つぎに、ガラス基板２の外周端面２３および内周端面２４を研削してガラス基板２を所望の大きさにし、さらに外周端面２３および内周端面２４を研磨した後、図１（ｃ）に示すように上下側において外周エッジ部２５と内周エッジ部２６とを斜面取りし、外周斜面取り部２７と内周斜面取り部２８とを形成する。つぎに、図１（ｄ）に示すようにガラス基板２の上下側の主表面２１を研削して所望の厚さとしたのちに、上下側の主表面２１の研磨を行い、洗浄やガラス強化処理などの処理を行い、所望のガラス基板を製造する。このガラス基板は、たとえば厚さ０．３８１ｍｍ、外径２１．６０ｍｍ、内径６．００ｍｍのドーナツ状ガラス基板であり、ハードディスク装置の磁気ディスクに使用される。

本実施の形態においては、外周および内周の斜面取りの際に、後述する中空部を形成した円筒状の外周斜面取り砥石と中空部を形成した円筒状の内周斜面取り砥石と、ガラス基板２とをそれぞれ回転しながら、外周斜面取り砥石または内周斜面取り砥石の中空部がガラス基板２の外周エッジ部２５または内周エッジ部２６に臨むように、外周斜面取り砥石または内周斜面取り砥石の先端面を外周エッジ部２５または内周エッジ部２６に接触させて斜面取りを行うことによって、外周斜面取り部２７または内周斜面取り部２８から主表面２１にかけてのチッピングの発生と、外周斜面取り部２７または内周斜面取り部２８におけるキズの発生とを抑制できるので、斜面取り部の仕上がり精度のよい円板状基板を製造できる。

以下、斜面取り加工について具体的に説明する。図２は本実施の形態において斜面取り加工の際に用いる斜面取り加工装置の概略図である。この斜面取り加工装置３は、砥石駆動部４と基板回転駆動部５とを備える。

砥石駆動部４は、外周斜面取り砥石４６を回転させる砥石回転用モータ４５と、砥石回転用モータ４５を進退させて外周斜面取り砥石４６をガラス基板２の外周エッジ部２７に接触させるための砥石進退用モータ４４と、砥石回転用モータ４５を搭載するスライド機構４３とを備える。

また、砥石駆動部４は、作業テーブルＴから上方に延びた支持体４１を備え、支持体４１には、砥石進退用モータ４４およびスライド機構４３を取り付けるための取付プレート４２が、その長手方向を斜めに向けて設けられる。取付プレート４２は、その長手方向の傾斜角θを調整できるように、その中央部において支持体４１に対して回転可能に支持され、図示しないロック装置により所定の傾斜角θでロックされている。

また、砥石回転用モータ４５の出力軸４５ａには、外周斜面取り砥石４６がコレットチャック４５ｂにより連結される。

一方、基板回転駆動部５は、図２に示すように、基板回転用モータ５３と、基板回転用モータ５３の回転トルクが伝達されてガラス基板２を回転させるスピンドルユニット５１とを備える。スピンドルユニット５１は回転軸５１ａを鉛直方向に向けて作業台Ｔに固定される。また、スピンドルユニット５１は上端にガラス基板２を載置する基板載置台５２を備える。

基板載置台５２は、スピンドルユニット５１の回転軸５１ａの先端に設けられるとともに中心に挿通ガイド棒５２ａが立設されており、ガラス基板２の円孔２２を挿通ガイド棒５２ａに通すことでガラス基板２が位置決めされる。また、ガラス基板２の基板載置台５２への固定は、ガラス基板２の上側の主表面２１を上から押さえる押圧手段によって実現してもよいし、基板載置台５４の上面に空気吸引口を開口して、負圧発生装置を用いてガラス基板２の下側の主表面２１を吸引することによって実現してもよい。

以下、外周斜面取り砥石について説明する。外周斜面取り砥石４６は、図３に示すように、ガラス基板２の外周エッジ部２５を研削する砥石４６２と、砥石４６２を先端に固定し砥石回転用モータ４５の出力軸４５ａと連結される砥石軸４６１とを備える。なお、砥石４６２は、砥石軸４６１と同軸上に固定される。

砥石４６２は、中空部４６３を形成した円筒状であり、先端面４６４が研削面として使用される。図４に示すように、先端面４６４は、ガラス基板２の主表面２１に対して砥石の回転の中心軸を所定の角度αで傾斜させ、砥石４６２の中空部４６３がガラス基板２の外周エッジ部２５に臨むように先端面４６４を外周エッジ部２５に当接させたときに、その外径側から内径側に至る略全体が外周エッジ部２５に接触するように、先端方向に向けて外径側に拡開し、かつ、内側に窪むように湾曲した傾斜面となっている。また、先端面４６４にはダイヤモンド砥粒等の砥粒が付着されている。

つぎに、この斜面取り加工装置３を用いたガラス基板２の斜面取り方法について説明する。斜面取りを行うにあたり、まず、基板載置台５２に１枚のガラス基板２を載置する。そして、基板載置台５２にガラス基板２を固定した後、基板回転用モータ５３を駆動してスピンドルユニット５１に備えた基板載置台５２を回転させる。その結果、ガラス基板２が円孔２２を中心に回転する。

つぎに、砥石回転用モータ４５を駆動して外周斜面取り砥石４６を回転させた状態で、図４に示すように、砥石進退用モータ４４を駆動制御して外周斜面取り砥石４６を所定位置にまで前進させて、砥石４６２の先端面４６４をガラス基板２の外周エッジ部２５に押圧する。その結果、外周エッジ部２５が研削されて斜面取りされる。なお、外周斜面取り砥石４６の回転方向とガラス基板２の回転方向とは、互いに擦れ合う速度が速くなる向きに設定する。

このとき、図５に示すように、砥石４６２の中空部４６３がガラス基板２の外周エッジ部２５に臨むように先端面４６４を外周エッジ部２５に当接させる。砥石４６２の先端面４６４は内側に窪むように湾曲した傾斜面となっているので、外径側から内径側に至る略全体において外周エッジ部２５と接触することになる。その結果、広い砥石面を使って研削することができるので、効率よく研削を行って面取加工時間を短縮することができる。しかも、外周エッジ部２５の回転移動していく方向ｄ２、ｄ３と砥石４６２の先端面４６４の回転移動していく方向ｄ１、ｄ４とが非平行、つまり、両者の回転移動方向が交差するようになる。この結果、砥石４６２の先端面４６４には特定方向のスジが形成されない。また、ガラス基板２の外周斜面取り部２７に縞状のキズが形成されにくい。

さらに、ガラス基板２は、砥石４６２の先端面４６４によって中空部４６３を挟んだ両側で同時に研削されるが、図５の紙面右側の研削部においては、研削方向は方向ｄ１と方向ｄ２とを足し合わせた方向であるガラス基板２に対して斜め上方向となり、紙面左側の研削部においては、研削方向は方向ｄ３と方向ｄ４とを足し合わせた方向であるガラス基板２に対して斜め下方向となるので、左右の研削部における研削方向が互いに異なる。その結果、砥石４６２の先端面４６４に対するセルフドレッシング効果が生じるので、砥石の目詰まりが抑制されるとともに先端面４６４に環状スジが形成されないため、チッピングが発生しにくい。さらに、砥石４６２の先端面４６４が内側に窪むように湾曲した傾斜面であるため、図６に示すように、砥石４６２によって研削したガラス基板２の外周斜面取り部２７は、外方向に膨らんだ緩やかな曲面となる。その結果、ガラス基板２の主表面２１と外周斜面取り部２７との境界にさらにチッピングが発生しにくくなり、ガラス基板２の信頼性、耐久性、歩留まりが一層向上する。さらに、ガラス基板２の左側の研削部で縞状のキズが形成されても右側の研削部でそのキズが打ち消されるので、外周斜面取り部２７の仕上がり精度が向上する。

また、砥石４６２の先端面４６４が外径側から内径側に至る略全体において外周エッジ部２５と接触するので、砥石４６２による研削を連続して行っても先端面４６４は一様に磨耗するため、湾曲形状が変化しない。その結果、常に一定の条件で斜面取りが可能となり、砥石４６２の管理が一層容易となる。

なお、ガラス基板２の上側の外周エッジ部２５の斜面取りが終了したら、ガラス基板２を裏返して同様の斜面取りを行うことで、ガラス基板２の上下側の外周エッジ部２５の斜面取りが完了する。

つぎに、ガラス基板２の内周エッジ部２６の斜面取りについて説明する。ガラス基板２の内周エッジ部２６の斜面取りは、図１に示すものと同様の斜面取り加工装置において、斜面取り砥石と基板載置台とを内周エッジ部の斜面取り用のものに置き換えることによって行うことができる。

ガラス基板２の内周エッジ部２６の斜面取りに用いる内周斜面取り砥石４７は、図７に示すように、ガラス基板２の内周エッジ部２６を研削する砥石４７２と、砥石４７２を先端に固定し砥石回転用モータ４５の出力軸４５ａと連結される砥石軸４７１とを備える。なお、砥石４７２は、砥石軸４７１と同軸上に固定される。

砥石４７２は、中空部４７３を形成した円筒状であり、先端面４７４が研削面として使用される。図８に示すように、先端面４７４は、ガラス基板２の主表面２１に対して砥石の回転の中心軸を所定の角度βで傾斜させ、砥石４７２の中空部４７３がガラス基板２の内周エッジ部２６に臨むように先端面４７４を内周エッジ部２６に当接させたときに、その外径側から内径側に至る略全体が内周エッジ部２６に接触するように、円錐台側面状に先細り、かつ、外側に膨らむように湾曲した傾斜面となっている。また、この先端面４７４にはダイヤモンド砥粒等の砥粒が付着されている。

一方、スピンドルユニット５１の回転軸５１ａの先端に設けられる基板載置台としては、基板載置部の外周にガラス基板２の外周端をガイドして位置決めする円筒壁が立設されており、中央部には斜面取りの際に砥石４７２の先端が当たらないように凹部が形成されており、上述したような押圧手段または負圧発生装置によってガラス基板２を上面に固定するものを用いることができる。

ガラス基板２の内周エッジ部２６の斜面取りを行う場合も、基本的には上述した外周エッジ部２５の斜面取りと同様に行う。すなわち、基板載置台に１枚のガラス基板２を載置した状態で基板回転用モータ５３を駆動してガラス基板２を円孔２２を中心に回転させ、この状態から、図８に示すように、砥石進退用モータ４４を駆動制御して内周斜面取り砥石４７を所定位置にまで前進させて、砥石４７２の先端面４７４をガラス基板２の内周エッジ部２６に押圧する。その結果、内周エッジ部２６が研削されて斜面取りされる。なお、内周斜面取り砥石４７の回転方向とガラス基板２の回転方向とは、互いに擦れ合う速度が速くなる向きに設定する。

このとき、図９に示すように、砥石４７２の中空部４７３がガラス基板２の内周エッジ部２６に臨むように先端面４７４を内周エッジ部２６に当接させる。砥石４７２の先端面４６４は外側に膨らむように湾曲した傾斜面を有するので、外径側から内径側に至る略全体において内周エッジ部２６と接触することになる。その結果、広い砥石面を使って研削することができるので、効率よく研削を行って面取加工時間を短縮することができる。しかも、内周エッジ部２６の回転移動していく方向ｄ６、ｄ８と砥石４７２の先端面４７４の回転移動していく方向ｄ５、ｄ７とが非平行、つまり、両者の回転移動方向が交差するようになる。この結果、砥石４７２の先端面４７４には特定方向のスジが形成されない。また、ガラス基板２の内周斜面取り部２８に縞状のキズが形成されにくい。

さらに、ガラス基板２は、砥石４７２の先端面４７４によって中空部４７３を挟んだ両側で同時に研削されるが、図９の紙面右側の研削部においては、研削方向は方向ｄ５とｄ６とを足し合わせた方向であるガラス基板２に対して斜め下方向となり、紙面左側の研削部においては、研削方向は方向ｄ７とｄ８とを足し合わせた方向であるガラス基板２に対して斜め上方向となるので、左右の研削部における研削方向が互いに異なる。その結果、砥石４７２の先端面４７４に対するセルフドレッシング効果が生じるので、砥石の目詰まりが抑制されるとともに砥石面に環状スジが形成されないため、チッピングが発生しにくい。さらに、ガラス基板２の左側の研削部で縞状のキズが形成されても右側の研削部でそのキズが打ち消されるので、内周斜面取り部２８の仕上がり精度が向上する。

また、砥石４７２の先端面４７４が外径側から内径側に至る略全体において内周エッジ部２６と接触するので、砥石４７２による研削を連続して行っても先端面４７４は一様に磨耗するため、湾曲形状が変化しない。その結果、常に一定の条件で面取加工が可能となり、砥石４７２の管理が一層容易となる。

なお、ガラス基板２の上側の内周エッジ部２６の斜面取りが終了したら、ガラス基板２を裏返して同様の斜面取りを行うことで、ガラス基板２の上下側の内周エッジ部２６の斜面取りが完了する。

なお、上記の実施の形態において、斜面取り加工装置は、外周エッジ部の斜面取り用と内周エッジ部の斜面取り用とを別個に設けたが、砥石駆動部４と基板回転駆動部５とは共通にして、斜面取り砥石と基板載置台とを取り替えて使うようにしてもよいし、外周エッジ部の斜面取り用の基板回転駆動部と内周エッジ部の斜面取り用の基板回転駆動部とを作業台Ｔに併設し、共通の砥石駆動部２０を使用するようにしてもよい。この場合は、斜面取り砥石を取り替えるだけでよい。

また、上記の実施の形態においては、斜面取り砥石を進退させてガラス基板に接触させるようにしているが、回転するガラス基板を進退させて斜面取り砥石に接触させるようにしてもよい。なお、砥石の先端面の傾斜の形状は、斜面取り形状の要求に応じてストレート傾斜としてもよいし、所望の曲率半径の湾曲としてもよい。また、砥石の回転軸の傾斜角度に応じた湾曲度とすることができる。

また、本発明は、ハードディスク装置用の磁気ディスクに限らず、光ディスク、光磁気ディスク等の他の記録媒体用のガラス基板や、中心に円孔を有さない円板状ガラス基板や、半導体デバイス作製用の単結晶または化合物半導体の半導体ウェハーや、圧電素子作製用の強誘電体ウェハー等の斜面取り加工に適用できるものである。

さらに本発明は、砥石とガラス基板との接触点を中心として砥石駆動部の傾斜角度を連続的に変化させる手段を備えれば、斜面取り加工中に傾斜角度を連続的に変化させる事でＲ面取り加工へ適用できる。また、ガラス基板と砥石とを直線状に相対移動させる手段を備えれば、ＬＣＤ、ＰＤＰ等に用いられる矩形基板の斜面取り加工にも適用できるものである。

本発明の実施の形態に係る円板状基板の製造方法を説明する説明図である。本発明の実施の形態において用いる斜面取り加工装置の概略図である。外周斜面取り砥石の一部断面図である。外周斜面取り砥石のガラス基板への当て方を説明する説明図である。外周斜面取り砥石とガラス基板との接触状態を表す斜視図である。斜面取りを行ったガラス基板の外周端部の断面図である。内周斜面取り砥石の一部断面図である。内周斜面取り砥石のガラス基板への当て方を説明する説明図である。内周斜面取り砥石とガラス基板との接触状態を表す斜視図である。従来のガラス基板の斜面取り方法を説明する説明図である。従来のガラス基板の斜面取り方法で用いる回転砥石の研削溝を表す断面図である。

符号の説明

１ガラス板
２ガラス基板
２１主表面
２２円孔
２３外周端面
２４内周端面
２５外周エッジ部
２６内周エッジ部
２７外周斜面取り部
２８内周斜面取り部
３斜面取り加工装置
４砥石駆動部
４６外周斜面取り砥石
４６１、４７１砥石軸
４６２、４７２砥石
４６３、４７３中空部
４６４、４７４先端面
４７内周斜面取り砥石
５基板回転駆動部

Claims

円板状基板を形成する円板状基板形成工程と、
前記形成した円板状基板の外周のエッジ部を斜面取りする外周斜面取り工程とを含み、
前記外周斜面取り工程は、中空部を形成した円筒状の外周斜面取り砥石と前記円板状基板とをそれぞれ回転しながら、前記外周斜面取り砥石の中空部が前記外周のエッジ部に臨むように、前記外周斜面取り砥石の先端面を前記外周のエッジ部に接触させて斜面取りを行うことを特徴とする円板状基板の製造方法。
中心に円孔を有する円板状基板を形成する円板状基板形成工程と、
前記円孔を有する円板状基板の内周のエッジ部を斜面取りする内周斜面取り工程とを含み、
前記内周斜面取り工程は、中空部を形成した円筒状の内周斜面取り砥石と前記円板状基板とをそれぞれ回転しながら、前記内周斜面取り砥石の中空部が前記内周のエッジ部に臨むように、前記内周斜面取り砥石の先端面を前記内周のエッジ部に接触させて斜面取りを行うことを特徴とする円板状基板の製造方法。
前記円孔を有する円板状基板の外周のエッジ部を斜面取りする外周斜面取り工程を含み、
前記外周斜面取り工程は、中空部を形成した円筒状の外周斜面取り砥石と前記円板状基板とをそれぞれ回転しながら、前記外周斜面取り砥石の中空部が前記外周のエッジ部に臨むように、前記外周斜面取り砥石の先端面を前記外周のエッジ部に接触させて斜面取りを行うことを特徴とする請求項２に記載の円板状基板の製造方法。
前記外周斜面取り砥石の先端面および／または前記内周斜面取り砥石の先端面は、外径側から内径側に至る略全体が前記円板状基板または前記円孔を有する円板状基板の外周のエッジ部または内周のエッジ部に接触するように湾曲した傾斜面となっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の円板状基板の製造方法。