JP2008116361A - 半導体装置の選別方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SOI構造半導体基板を構成する半導体層30の主面側表層部において、低電圧素子201を有する低電圧回路領域200を、絶縁膜20に達する絶縁分離トレンチ500によって囲繞し、高電圧素子301を有する高電圧回路領域300を、絶縁膜20に達する絶縁分離トレンチ501によって囲繞し、最内側の絶縁分離トレンチ501によって囲繞された高電圧側フィールド領域f1と最内側の絶遠分離トレンチ500によって囲繞された低電圧側フィールド領域f2との間に任意の電圧を印加することにより、高電圧側フィールド領域f1と低電圧側フィールド領域f2に対応する絶縁膜20の耐圧を保証する。
【選択図】図3
Description
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す回路図である。図2は、半導体装置の概略構成を示す平面図である。図3は、半導体装置の概略構成を示す断面図である。図4は、半導体装置の等価回路図である。本実施形態に係る半導体装置は、ハイブリッド車両に搭載される半導体装置、自動車用電池制御IC、DCDCコンバータICなど、低電圧で動作する複数の低電圧素子を有する低電圧回路領域と高電圧で動作する複数の高電圧素子を有する高電圧回路領域とが一つの半導体基板に設けられた半導体装置に適用することができる。なお、低電圧回路領域及び高電圧回路領域は、低電圧素子及び高電圧素子をそれぞれ複数有するものであるが、便宜上、図1、図3、及び図4においてはその記載を省略し、図2においては一部の低電圧素子及び高電圧素子だけを示している。
低電圧回路領域200内には、図2に示すように、複数の低電圧素子201が設けられている。この低電圧素子201は、主面側表層部からn−エピ層40とn+埋め込み拡散層50を貫通して絶縁膜20に達する素子分離トレンチ(図示略)によって囲繞された半導体層30の領域内であって、且つ、n−エピ層40の主面側表層部近傍に構成されている。この素子分離トレンチによって囲繞された低電圧素子201の形成領域の電位は、低電圧電源600によって低電位(12V)とされている。
次に、本発明の第2実施形態を、図11及び図12に基づいて説明する。図11は、第2実施形態に係る半導体装置100の概略構成を示す平面図である。図12は、半導体装置100の等価回路図である。
低電圧回路領域200のみを囲繞する例を示した。これに対し、本実施形態においては、図11に示すように、絶遠分離トレンチ500が、低電圧回路領域200とともに高電圧回路領域300も囲繞するように構成されている点を特徴とする。より詳しくは、絶遠分離トレンチ500が、低電圧回路領域200と、第1絶遠分離トレンチに相当する絶遠分離トレンチ501によって囲繞された高電圧回路領域300を、絶遠分離トレンチ501を内包する状態で囲繞している。
30・・・半導体層
100・・・半導体装置
200・・・低電圧回路領域
300・・・高電圧回路領域
400・・・低電圧側パッド(第2検査用パッド)
401・・・高電圧側パッド(第1検査用パッド)
500・・・絶遠分離トレンチ(第2絶遠分離トレンチ)
501・・・絶遠分離トレンチ(第1絶遠分離トレンチ)
f1・・・高電圧側フィールド領域(第1フィールド領域)
f2・・・低電圧側フィールド領域(第2フィールド領域)
Claims (9)
- 支持基板上に絶縁膜を介して配置された半導体層の、前記絶縁膜と反対側の主面側表層部に、前記絶縁膜に達する素子分離トレンチによって囲繞され、低電圧で動作する複数の低電圧素子を有する低電圧回路領域と、前記絶縁膜に達する素子分離トレンチによって囲繞され、前記低電圧素子よりも高電圧で動作する複数の高電圧素子を有する高電圧回路領域とを設けてなる半導体装置において、前記絶縁膜の良否を選別する半導体装置の選別方法であって、
前記半導体層に、前記高電圧回路領域及び前記低電圧回路領域のうち、いずれか一方を囲繞する形で前記絶縁膜に達するように少なくとも1重の第1絶縁分離トレンチを設け、少なくとも前記第1絶縁分離トレンチによって囲繞されない一方を囲繞する形で前記絶縁膜に達するように少なくとも1重の第2絶縁分離トレンチを設け、
最内側の前記第1絶遠分離トレンチによって囲繞された第1フィールド領域と最内側の前記第2絶遠分離トレンチによって囲繞された第2フィールド領域との間に任意の電圧を印加することにより、前記第1フィールド領域に対応する前記絶縁膜と前記第2フィールド領域に対応する絶縁膜の耐圧に関する良否を選別することを特徴とする半導体装置の選別方法。 - 前記第2絶縁分離トレンチは、前記高電圧回路領域及び前記低電圧回路領域のうち、前記第1絶縁分離トレンチによって囲繞されない一方のみを囲繞することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の選別方法。
- 前記第2絶縁分離トレンチは、前記高電圧回路領域及び前記低電圧回路領域の両方を囲繞することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の選別方法。
- 支持基板上に絶縁膜を介して配置された半導体層の、前記絶縁膜と反対側の主面側表層部に、前記絶縁膜に達する素子分離トレンチによって囲繞され、低電圧で動作する複数の低電圧素子を有する低電圧回路領域と、前記絶縁膜に達する素子分離トレンチによって囲繞され、前記低電圧素子よりも高電圧で動作する複数の高電圧素子を有する高電圧回路領域とを設けてなる半導体装置であって、
前記半導体層に、前記高電圧回路領域及び前記低電圧回路領域のうち、いずれか一方を囲繞する形で前記絶縁膜に達するように少なくとも1重の第1絶縁分離トレンチが設けられ、少なくとも第1絶縁分離トレンチによって囲繞されない一方を囲繞する形で前記絶縁膜に達するように少なくとも1重の第2絶縁分離トレンチが設けられ、
最内側の前記第1絶遠分離トレンチによって囲繞された第1フィールド領域に第1検査用パッドが設けられ、最内側の前記第2絶遠分離トレンチによって囲繞された第2フィールド領域に第2検査用パッドが設けられ、
前記第1検査用パッドと前記第2検査用パッドとの間に任意の電圧が印加されることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2絶縁分離トレンチは、前記高電圧回路領域及び前記低電圧回路領域のうち、前記第1絶縁分離トレンチによって囲繞されない一方のみを囲繞していることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁分離トレンチは、前記高電圧回路領域及び前記低電圧回路領域の両方を囲繞していることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第1絶遠分離トレンチ及び前記第2絶遠分離トレンチの少なくとも一方は、前記半導体層の平面方向において、角部が丸め形状である多角形形状をなしていることを特徴とする請求項4〜6いずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1絶遠分離トレンチ及び前記第2絶遠分離トレンチの少なくとも一方は、前記半導体層の平面方向において、角部がテーパ形状である多角形形状をなしていることを特徴とする請求項4〜7いずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1絶遠分離トレンチ及び前記第2絶遠分離トレンチの少なくとも一方は、前記半導体層の平面方向において、ハニカム形状を延設してなることを特徴とする請求項4〜8いずれか1項に記載の半導体装置。
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JP2010080803A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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