JP2008091747A - 可変抵抗素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る可変抵抗素子10は,第1電極12と、第1電極12の上方に形成された抵抗体層14と、抵抗体層14の上方に形成された第2電極16と、を含み、抵抗体層14は、YxTi1−xO2(0≦x<1)で表される遷移金属酸化物からなり、遷移金属酸化物は,酸素欠陥を有する。
【選択図】図1
Description
第1電極と、
前記第1電極の上方に形成された抵抗体層と、
前記抵抗体層の上方に形成された第2電極と、を含み、
前記抵抗体層は、YxTi1−xO2(0≦x<1)で表される遷移金属酸化物からなり、
前記遷移金属酸化物は、酸素欠陥を有する。
0≦x≦0.3であることができる。
0.03≦x≦0.15であることができる。
第1電極と、
前記第1電極の上方に形成された抵抗体層と、
前記抵抗体層の上方に形成された第2電極と、を含み、
前記抵抗体層は、酸素欠陥を有する遷移金属酸化物からなり、
前記酸素欠陥の移動により抵抗が変化する。
前記遷移金属酸化物は、前記抵抗の変化率が最大となる量の酸素欠陥を有することができる。
前記遷移金属酸化物は、YxTi1−xO2で表され、
前記xは、前記抵抗の変化率が最大となる値であることができる。
抵抗変化型メモリに用いられることができる。
抵抗変化率(%)=|(信号記録後の抵抗値)−(信号記録前の抵抗値)|/(信号記録前の抵抗値)×100
Claims (5)
- 第1電極と、
前記第1電極の上方に形成された抵抗体層と、
前記抵抗体層の上方に形成された第2電極と、を含み、
前記抵抗体層は、YxTi1−xO2(0≦x<1)で表される遷移金属酸化物からなり、
前記遷移金属酸化物は、酸素欠陥を有する、可変抵抗素子。 - 請求項1において、
0≦x≦0.3である、可変抵抗素子。 - 請求項1において、
0.03≦x≦0.15である、可変抵抗素子。 - 第1電極と、
前記第1電極の上方に形成された抵抗体層と、
前記抵抗体層の上方に形成された第2電極と、を含み、
前記抵抗体層は、酸素欠陥を有する遷移金属酸化物からなり、
前記酸素欠陥の移動により抵抗が変化する、可変抵抗素子。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
抵抗変化型メモリに用いられる、可変抵抗素子。
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---|---|---|---|---|
JP2011077465A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Nec Corp | 記憶装置、及び記憶装置の動作方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004363604A (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法 |
JP2009517864A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 添加金属を有する可逆性抵抗率切換金属酸化物または窒化物層 |
-
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