JP2008066730A - 変動周期変動組成超格子およびそれを含むデバイス - Google Patents

変動周期変動組成超格子およびそれを含むデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2008066730A
JP2008066730A JP2007229921A JP2007229921A JP2008066730A JP 2008066730 A JP2008066730 A JP 2008066730A JP 2007229921 A JP2007229921 A JP 2007229921A JP 2007229921 A JP2007229921 A JP 2007229921A JP 2008066730 A JP2008066730 A JP 2008066730A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
region
strain relaxation
template
groups
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007229921A
Other languages
English (en)
Inventor
L Chua Christopher
エル チュア クリストファー
Zhihong Yang
ヤン ジホン
M Johnson Noble
エム ジョンソン ノーブル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Palo Alto Research Center Inc
Original Assignee
Palo Alto Research Center Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Palo Alto Research Center Inc filed Critical Palo Alto Research Center Inc
Publication of JP2008066730A publication Critical patent/JP2008066730A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H01L21/02507—Alternating layers, e.g. superlattice
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】割れ発生およびそれに伴う損傷が低減された高Ａｌ含有量ＭＱＷＨ活性領域を促進する方法および構造が必要とされている。
【解決手段】発光半導体デバイスの歪緩和領域１８であって、前記歪緩和領域１８はテンプレート１４表面を有する構造領域の上でかつ活性層の下に形成され、前記構造領域と前記活性層とのうちの少なくとも一方は一部に第１の元素を含み、前記歪緩和領域１８は層のグループを複数備え、前記複数の層のグループは、各グループ内の少なくとも１層のそれぞれは少なくとも一部に前記第１の元素を含み、前記第１の元素の平均濃度は、テンプレート層１４にもっとも近接したグループでは前記歪緩和領域１８の他の全てのグループに比べて高く、前記第１の元素の平均濃度は、多重量子井戸ヘテロ構造活性領域にもっとも近接したグループでは前記歪緩和領域１８の他の全てのグループに比べて低い。
【選択図】図１

Description

この発明は半導体発光デバイスの分野に関し、さらに具体的には最終基板に直接形成される、改良された高Ａｌ含有量で低欠陥の量子井戸発光デバイスの構成に関する。
III−Ｖ族化合物半導体ファミリー（ｆａｍｉｌｙ）において、可視波長発光デバイス
の活性領域の作製には窒化物が使用されてきた。また、窒化物は広いバンドギャップを発現し、そのバンドギャップは例えば２９０〜４００ナノメートルの波長の紫外発光が可能なデバイスを作製するに足るものである。特に、バゥア（Ｂｏｕｒ）他の米国特許第６，８７５，６２７号明細書に開示されるように、可視およびＵＶの発光スペクトルを有する発光ダイオード（ＬＥＤ）においてＩｎＡｌＧａＮ系が開発され具現されている。このデバイスは通常Ａｌ2Ｏ3（サファイア）基板上に形成され、その基板上にＧａＮ：ＳｉまたはＡｌＧａＮのテンプレート層、光漏れを減少させるためのＡｌＧａＮ：Ｓｉ／ＧａＮ超格子構造、ｎ型電極コンタクト層、ＧａＮのｎ型導波路領域、ＩｎＧａＮ量子井戸ヘテロ構造活性領域、およびＧａＮのｐ型導波路領域を含んでいる。さらに、完成したデバイスは、これらの上に堆積されたｐ型ＡｌＧａＮ：Ｍｇクラッド層およびキャップ層をｐ型電極の下に有している。
デバイスの信頼性、光出力、およびモード安定については著しい改善がなされてきたが、紫外（ＵＶ）発光の窒化物系レーザおよび発光ダイオードの性能は依然として青や紫で発光する対応デバイスの性能に比べて劣っている。特に、３４０ｎｍより短い波長で動作する遠紫外レーザおよび発光ダイオードにおいては、基板およびテンプレート層の性質が全体的なデバイス性能に決定的な影響を与える。例えば、基板とデバイスの構造層との格子定数の違いによって光出力およびデバイス寿命は著しく影響される。Ａｌ2Ｏ3（サファイア）は基板として数々の利点を有しているが、一般的な遠紫外エピタキシャル層の構造層との格子不整合が大きい。通常のＡｌ2Ｏ3基板上に形成された先行技術のＡｌＧａＮテンプレート層によって、この問題はある程度軽減されるが、これらのテンプレートを用いた一般的な遠紫外発光デバイスにおいては、得られる高アルミニウム含有構造層の結晶品質は未だきわめて悪い。
サファイア上のＡｌＧａＮまたはＡｌＮのテンプレート層の転位密度は、通常１０9ｃｍ-2台の中頃から１０10ｃｍ-2台の高めまでの範囲にある。このため、２９０ｎｍ〜３４０ｎｍの波長範囲の遠紫外発光ダイオードの外部量子効率は、青色ＧａＮ系ＬＥＤ構造の外部量子効率よりも未だ低い状態にある。さらに、サファイア上の通常のＡｌＧａＮまたはＡｌＮのテンプレート層における高い転位密度は、発光デバイスの寿命に対して重大な問題を引き起こす。
発光ダイオードの発光波長は、デバイスの多重量子井戸ヘテロ構造（ＭＱＷＨ）活性領域のＡｌ含有量に反比例する。したがって、紫外発光デバイスなどのより短波長のデバイスを得るためには、ＭＱＷＨ領域のＡｌ含有量を可視スペクトル領域で発光するデバイス中のＡｌ含有量よりも多くする必要がある。しかし、Ａｌ含有量を増やすと、後述の複数の構造上およびデバイス性能上の問題が生じてくる。
ＡｌXＧａ1-XＮ／サファイアテンプレート上の紫外域ＬＥＤ構造の品質を高めるために種々の取り組みが行われてきたが、ＡｌＧａＮ結晶質テンプレート上に形成されるエピタキシャル層の欠陥密度が高いことに起因して、重大な問題を招いていた。多くの場合、機械的応力によって前記エピタキシャル層上に形成されるヘテロ構造中に割れ（クラック）が発生する。ＡｌＧａＮ／サファイア系の上に形成される層のＡｌ含有量が増えると、この問題はよりきびしいものになる。さらに、前述したように、紫外発光するデバイスを得るには、Ａｌ含有量を高めること（例えば、２８０ｎｍ発光ダイオードのＭＱＷＨ活性領域では約５０％まで、また周囲のＡｌＧａＮによる電流および光の閉じ込め層では６０％〜７０％）が必要になる。
種々のグループからこの欠点を解決するための手段が発表されている。例えば、ハン（Ｈａｎ）他はAppl.Phys.Lett,Vol.78,67(2001)において、低温で形成された単層のＡｌＮ中間層を用いて歪の進行を防ぐことを述べている。この低温ＡｌＮ中間層による方法は、高いＡｌモル分率でのヘテロ構造成長の場合には功を奏していない。ナカムラ（Nakamura）他はJ.J.Appl.Phys.,Vol.36,1568(1997)において、ＧａＮ／サファイア上に仮像的に（pseudomorphically）成長させたＡｌＧａＮ膜の臨界層厚を拡大する方法として短周期ＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層を提案している。しかし、このＡｌＧａＮ／ＧａＮ系の平均Ａｌモル分率のレベルは低く（約１０％以下）、遠紫外発光ダイオードに適合しない。チェン（Ｃｈｅｎ）他はAppl.Phys.Lett,Vol.81,4961(2002)において、ＡｌＧａＮ／サファイアテンプレート上のＡｌＧａＮ膜の転位フィルタとしてＡｌＧａＮ／ＡｌＮ層を提案している。しかしこの場合も、ＡｌＧａＮ／サファイアテンプレートは、前述の一連の妨げとなる問題を起こすものとなる。また、２００６年２月１７日出願の米国特許出願第１１／３５６，７６９号において、ウォン（Ｗｏｎｇ）他はＧａＮテンプレート層とＭＱＷＨ活性領域との間にＧａＮ／ＡｌＮ超格子を形成することを提案している。しかしこの場合も、このようなデバイスにおいて光出力を行う前にＧａＮテンプレート層を取り除かなければならない。
米国特許第６，８７５，６２７号明細書 ハン、他、"Appl.Phys.Lett"、2001年、Vol.78、p.67 ナカムラ、他、"J.J.Appl.Phys."、1997年、Vol.36、p.1568 チェン、他、"Appl.Phys.Lett"、2002年、Vol.81、p.4961
動作特性が改善されたＵＶ発光デバイス装置が必要とされている。したがって、割れ発生およびそれに伴う損傷が低減された高Ａｌ含有量ＭＱＷＨ活性領域を促進する方法および構造が必要とされている。
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）などのＵＶ発光デバイスにおける、初期のＡｌＧａＮ表面上の高アルミニウム含有量ヘテロ構造活性領域の成長を促進することに関する。初期のＡｌＧａＮ表面とは、例えばサファイア上のＡｌＮまたはＧａＮテンプレート、シリコンカーバイド上のＡｌＧａＮテンプレート、またはバルクのＡｌＮまたはＧａＮ基板のことである。より具体的には、本発明は、初期ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）表面から高Ａｌ含有量ＭＱＷＨ活性領域までの遷移を改善する系および方法に関する。本発明の一実施形態に係り形成される構造はサファイア基板から始まり、この基板上にＡｌＮテンプレート層が堆積される。次に、このテンプレート層上に歪緩和領域が形成される。この歪緩和領域は、その平均Ａｌ含有量が厚さに亘って変化するように形成される。例えば、平均Ａｌ含有量は、テンプレート層に隣接した部分の８０％以上といった比較的高い値から、ＭＱＷＨ活性領域に隣接した部分の６０％以下といった比較的低い値まで及ぶ。このように、歪緩和領域の平均Ａｌ含有量は当該領域に隣接した領域のＡｌ含有量に近似したものになる。
本発明の一態様によると、歪緩和領域は変動周期超格子で構成される。この変動周期超格子は、第１の厚さのＡｌＮ層と第２の厚さのＧａＮ層とを交互に積層した２つ以上のサブセクションで構成される。ＡｌＮ層の厚さは歪緩和層の高さに沿ってサブセクション毎に減少する。この変化するＡｌＮの厚さの影響により当該サブセクションの平均Ａｌ含有量が変化する。このように、平均Ａｌ含有量は、最上層のＡｌ含有量が所望の量になるまでサブセクション毎に次々に減少する。一実施形態において、歪緩和領域はこのようなサブセクションを２つ有している。本発明の別の実施形態では、歪緩和領域は３つ以上のサブセクションを有している。
本発明の別の態様によると、変動周期超格子は交互に積層したＡｌＮ層とＧａＮ層との連続体を含んでいる。ＡｌＮ層の厚さはＡｌＮ／ＧａＮ対ごとに次第に減少する。これにより、歪緩和層の平均Ａｌ含有量は下部から上部にかけて減少し、これにより該緩和層の下部のＡｌ含有量は該下部に隣接した層（例えば、テンプレート層）のＡｌ含有量に一致（または近似）し、上部のＡｌ含有量は該上部に隣接した層（例えば、ＭＱＷＨ）のＡｌ含有量に一致（または近似）するようになっている。その結果、領域界面においてより良好な格子整合が得られるようになっている。
本発明のさらに別の態様によると、歪緩和領域の堆積前に、純ＡｌＮ層がＡｌＮテンプレート層上に堆積される。このＡｌＮインタフェース層は歪緩和領域のＡｌＮ層より総じて厚めであって、テンプレート層から歪緩和領域にかけての遷移領域となっている。
以下に添付図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。添付図面において、各図の間で同様の参照数字は同様の部材を表す。これらの図は例示のためのものであり、厳密な縮尺率で描いたものではない。
図１を参照する。この図は、本発明の実施の形態に係るヘテロ構造ＡｌＧａＩｎＮ発光デバイス構造１０の全体構成を示している。ダイオード構造１０は基板１２を含む。本発明の一実施形態によると、基板１２は、テンプレート層１４が形成されたＡｌ2Ｏ3（サファイア）基板である。後述のように、シリコンカーバイド、バルクＡｌＮ、またはバルクＧａＮなどの他の基板を使用することもできる。テンプレート層１４はＡｌＮの層であるが、ＡｌXＧａ1-XＮの層であってもよい。なお、Ｘは１に等しくない。場合によっては、テンプレート層１４は不要で存在しない。オプションのインタフェース層１６がテンプレート層上に形成されている。テンプレート層１４がＡｌＮの層である実施形態では、インタフェース層１６が形成される場合、このインタフェース層もＡｌＮの層であることが好ましい。
インタフェース層１６の上には、後述するＡｌＮ／ＧａＮなどの層の対（層対）を複数含んだ変動周期変動組成超格子歪緩和領域１８が形成されている。次いで、その上に、ＡｌＧａＮ：Ｓｉバッファ層２０と、ｎ型コンタクト層２１と、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ：Ｓｉ超格子ｎ型歪層２２（これによりクラッドの厚さが増してその後の層における光漏れが減少する）と、ＡｌＧａＮ：Ｓｉのｎ型クラッド（屈折率導波）層２４と、（ＩｎＡｌＧａＮなどの）活性ＭＱＷＨ層２６とが形成されている。
この後、以下の層がＭＱＷＨ層２６上に形成される。すなわち、ＡｌＧａＮ：Ｍｇのｐ型クラッド（屈折率導波）層２８と、ＡｌＧａＮ：Ｍｇバッファ層３０と、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ：Ｍｇのｐ型歪層３２と、ＧａＮ：Ｍｇキャップ層３４とである。前述の各層は、限定はしないがＢｏｕｒ他の米国特許第６，８７５，６２７号に記載された方法などの、当業者に公知の任意の方法によって形成できる。言うまでもなく、適当な実施形態においてアレイ状に形成される他の類似または代替のデバイスと同様に、完成したデバイスは不図示の電極を含んでいる。
テンプレート層を含む先行技術のデバイスはＧａＮなどの材料をテンプレート材料として含んでいる。このテンプレートはデバイスを動作させる前に除去しなければならず、さもないと重大な層割れの発生および／または高い欠陥密度を招く。他の先行技術のデバイスとしてＡｌＮテンプレート層上に直接成長させた高Ａｌ含有量層を含むものがあり、この場合は隣接し合った２つの材料間の格子不整合に起因する大きな歪が現れる。本発明の一態様では、初期成長面と高Ａｌ含有活性層との間に、新規な変動周期変動組成超格子歪緩和領域を含んだ遷移層を導入することによって、これらの問題を解決している。
図２に、本発明の一態様に係る変動周期変動組成超格子歪緩和領域および周囲の層の全体構成を示す。一実施形態において、通常ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）である層４２が基板４０上に形成されている。層４２はしばしばテンプレート層と呼ばれるが、基板４０と層４２との組み合わせが、追加の層を成長させるためのテンプレートとなる。このテンプレート上に、変動周期変動組成超格子歪緩和領域４６が形成される。この領域はテンプレートからＭＱＷＨ活性領域までの遷移領域であって、テンプレートのアルミニウム含有量から活性領域のアルミニウム含有量まで徐々にまたは段階的に遷移する遷移領域として機能する。
図２に示すように、歪緩和領域４６は、厚さｔxiのＡｌxiＧａ1-xiＮの層と厚さｔyiのＡｌyiＧａ1-yiＮの層の対を複数対含んでいる。なお、０＜ｘ≦１および０＜ｙ≦１である。この複数の層は、２≦ｉ≦ｎであるｉ個のグループとして配設される。つまり、ｘｉは第ｉ番目のグループの層対（層の対）の第１の層のアルミニウム含有量を表し、ｙｉは第ｉ番目のグループの層対の第２の層のアルミニウム含有量を表す。層４６の各グループｉの平均アルミニウム含有量は、
｛（ｔxiｘｉ＋ｔyiｙｉ）／（ｔxi＋ｔyi）｝
で決定される。すなわち、第ｉ番目のグループの第１の層についての層厚ｔxiとアルミ含有量ｘｉとの乗算値と、第ｉ番目のグループの第２の層についての層厚ｔyiとアルミ含有量ｙｉとの乗算値とを加算した値を分子とし、上記層厚ｔxi，ｔyiの加算値を分母とする計算式（除算式）によって決定される。したがって、ｘｉ、ｙｉ、ｔxiおよびｔyiを変化させることにより、層対の各グループの平均アルミニウム含有量を調整することができる。変動周期は異なる周期ｉ毎に厚さｔxiおよびｔyiを変化させることにより得られ、変動組成は異なる周期ｉ毎に組成ｘｉおよびｙｉを変化させることにより得られる。
図３を参照する。本発明の構成概念を示すために、２つのグループの変動周期変動組成超格子歪緩和領域を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）構造６０を成長させた。構成として、全周期において一定組成（ｘｉ＝１およびｙｉ＝０）のＡｌＮ／ＧａＮ超格子構成を選択した。このＬＥＤは約３２５ｎｍの波長λで動作するように構成されているが、この動作にはＡｌ組成が約３５％の活性領域ヘテロ構造が必要になる。テンプレート層６４は、サファイア基板６２上に成長させた厚さ１μｍのＡｌＮエピタキシャル層とした（言い換えると、図２を参照して層４２においてｘ＝１とした）。厚さ２５〜３０ｎｍのＡｌＮインタフェース層６６をテンプレート層６４上に形成した。
次いで、４０個のＡｌＮ／ＧａＮ短周期超格子層対の第１のグループ６８を層６４上に形成した。第１の領域の平均Ａｌ組成として８０％を選択し、第２の領域の平均Ａｌ含有量として６０％を選択し、ｘｉ＝１およびｙｉ＝０における層厚を調整して、これらの組成を下記のように得た。第１のグループ６８では、４０個の対における厚さをｔxi＝１ｎｍ、ｔyi＝０．２５ｎｍとした（ｉは１〜４０）。第２のグループ７０では、残りの４０個の対における厚さをｔxi＝０．３８ｎｍ、ｔyi＝０．２５ｎｍとした（ｉは４１〜８０）。これにより、平均Ａｌ組成が第１の４０対においては超格子のテンプレート側の端部で８０％、第２の４０対においてはヘテロ構造側の端部で６０％のＡｌＮ／ＧａＮ短周期超格子が得られた。変動周期超格子の個々の層の厚さｔxiおよびｔyiをごく薄くして格子不整合に起因する歪を極力低減するようにした。
図４は、前述のＬＥＤ６０におけるグループ６８および７０の模式図であり、前記のグループの各周期を図示している。図４から明らかなように、各グループの層対の数は同じであるが、層厚が異なるためにグループ６８はグループ７０より厚くなっている。
次に図５を参照する。このグラフは、サファイアテンプレート上のＧａＮ上に成長させた、図３の変動周期超格子を含むサンプルから得られたＸ線スペクトルを示している。ＧａＮテンプレートによって大きな主ピークが生じており、このピークが基準として用いられる。２つのサイドピークは図３の領域６８および７０に由来する。図３の領域７０は領域６８よりも平均Ａｌ含有量が低いので、領域７０はＧａＮ基準ピークに近い方のピークに対応する。これよりも高いω−２θ角度で生じているＸ線のピークは領域６８に由来する。この２つのピークは、超格子の２つのセクション内の２つの異なる平均Ａｌ含有量に対応している。３つ以上の異なる周期を有する変動周期超格子は３つ以上のＸ線ピークを有する。前述の米国特許出願第１１／３５６，７６９号に用いられたもの等の、単一周期超格子歪緩和層を含む類似のテストサンプルでは１つのピークが生じる。
図６を参照する。この図は本発明の実施の形態に係る完成したＬＥＤ構造６０の断面図である。前述の部材に加えて、この構造には、ｎ型コンタクト層７１と、ｎ型クラッド層７４と、ｎ型導波路層７６と、量子井戸８２（５．２５ｎｍ）を挟むバリア層７８（１０．４９ｎｍ）および８０（８９．１９ｎｍ）と、トンネルバリア層８４と、ｐ型導波路層８６と、コンタクト８８とが組み込まれている。導波路層７６および８６などの、これらの層の内のいくつかの層によってＬＥＤの構成を容易にレーザダイオードに拡張することができるが、デバイスをＬＥＤモードで動作させるときにはそれらの層は導波路としての機能は果たさない。
図７を参照する。この図は、本発明の実施の形態に係る変動周期変動組成超格子歪緩和領域を用いたＬＥＤの性能を、ＧａＮ／ＡｌＮ単周期格子歪緩和領域を用いたこと以外は同一の構造の先行技術のＬＥＤと比較したものである。図に見られるように、本発明の実施の形態に係る変動周期変動組成超格子歪緩和領域を組み込んだＬＥＤの光出力は、先行技術の単周期二元超格子歪緩和層上に成長させたＬＥＤよりも、著しく明るい光出力を示した。このことから、結論として、ここに示した歪緩和領域を組み込んだデバイスでは、該歪緩和構造によってＡｌ含有量が徐々に遷移し、そのために光出力が向上するという効果が得られる。
図８に、本発明の実施の形態に係る変動周期変動組成超格子歪緩和領域を設けて作製したＬＥＤヘテロ構造の成長したままの状態の最表面の光学顕微鏡写真を示す。図に見られるように、ほとんど割れの発生のない表面が得られている。
以上、２グループ型の段階的な超格子構成を用いて本発明の一実施形態について説明したが、言うまでもなくこの概念は、３つ以上のグループ分け（例えば、それぞれの平均Ａｌ組成が約８０％、７０％および６０％）、または連続的に変化する組成プロファイル、直線的、放物線的もしくは指数関数的等々に変化する組成プロファイルなどの様々な領域プロファイルであって、それぞれが領域内で別々のＡｌ含有量遷移プロファイルを与える領域プロファイルを含むものとして拡張されるものである。例えば、３ステップ型の超格子は１周期に３つの層を有しており、各層は周期ｉにおいて例えばｘｉ，ｙｉ，ｚｉのアルミニウム含有量と、ｔxi，ｔyi，ｔziの厚さとを有している。３グループ型の超格子は、遷移層のＡｌ含有量に一致または近似したＡｌ含有量から活性層のＡｌ含有量に一致または近似したＡｌ含有量まで、例えば１周期に２ステップずつ段階的に遷移する。各周期内の層間の急激な遷移領域を、出発層のＡｌ含有量に近い出発組成から隣接層のＡｌ含有量に近い最終組成までＡｌ含有量が連続的に変化する遷移層で置き換えることもできる。通常の場合、歪緩和層は、初期表面の組成に近似した組成から始まってヘテロ構造活性層の組成に近似したＡｌ組成で終了する、連続的に変化する組成プロファイルを含んでいる。この連続的な組成プロファイルは、直線もしくは放物線状とすることができ、または複数の変曲点を有する曲線とすることができる。
また、アルミニウム含有合金に少量のインジウムを添加して構造品質を高めることも一般に行われている。構造層中にインジウム四元合金を用いた構造の例は既に図６で述べた。通常約１％〜２％の濃度のインジウムを歪緩和層内のいくつかまたは全ての層に添加することもできる。
さらに、上記説明は多重量子井戸領域に着目して行ったが、ダブルヘテロ接合（ＤＨ）、ホモ接合、量子細線、ナノメートルスケールの組成不均質（ＮＣｌ）を含んだ活性領域、および単一量子井戸活性領域などの、他の種類の発光活性領域を使用してもよいことは当業者に明らかである。また、発光ダイオード（ＬＥＤ）に着目して上記説明を行ったが、前述の構造および方法はレーザダイオードやポンプレーザなどの他の種類の発光デバイスにもあてはまることは当業者に明らかである。
したがって、前述の詳細な説明において複数の好適な典型的実施形態を示したが、多数の変形が存在し、上記好適な典型的実施形態は単なる代表例であって、本発明の範囲、適用性または構成を制限するものではないことは明らかである。むしろ、前述の詳細な説明は本発明を実施するための好便な指針を当業者に提供するものであり、前述の実施形態の作用および構成上の様々な変更が本発明の請求範囲によって規定される発明の精神および範囲内でなし得ると考える。
本発明の実施の形態に係るヘテロ構造ＡｌＧａＩｎＮ発光デバイス構造の全体構成を示す断面図である。 本発明の一態様による、変動周期変動組成超格子歪緩和領域および周囲の層の全体構成を示す図である。 本発明の実施の形態に係る典型的な発光ダイオード構造の断面図である。 ２つの短周期ＡｌＮ／ＧａＮ層対のグループを含む変動周期変動組成歪緩和領域の模式図であって、前記２つのグループのそれぞれの周期を示した図である。 基準ＧａＮサンプル上に成長させた変動周期変動組成超格子のＸ線スペクトルである。 本発明の実施の形態に係り作製し完成したＬＥＤ構造の断面図である。 本発明の実施の形態に係る変動周期変動組成歪緩和領域を用いたＬＥＤの性能と、ＧａＮ／ＡｌＮ単周期超格子歪緩和領域を用いたこと以外は同一の構造の先行技術のＬＥＤの性能との比較図である。 本発明の実施の形態に係り作製したＬＥＤヘテロ構造の成長させたままの状態の最表面の光学顕微鏡写真を示す図である。
符号の説明
１０ ダイオード構造、１２ 基板、１４ テンプレート層、１６ インタフェース層、１８ 歪緩和領域、４０ 基板、４６ 歪緩和領域、６０ 発光ダイオード構造、６２ サファイア基板、６４ テンプレート層、６６ ＡｌＮインタフェース層、６８ 超格子層対の第１のグループ、７０ 超格子層対の第２のグループ。

Claims (4)

  1. 発光半導体デバイスの歪緩和領域であって、
    前記歪緩和領域はテンプレート表面を有する構造領域の上でかつ活性層の下に形成され、
    前記構造領域と前記活性層とのうちの少なくとも一方は一部に第１の元素を含み、
    前記歪緩和領域は層のグループを複数備え、
    前記複数の層のグループは、
    各グループ内の少なくとも１層のそれぞれは少なくとも一部に前記第１の元素を含み、
    前記第１の元素の平均濃度は、テンプレート層にもっとも近接したグループでは前記歪緩和領域の他の全てのグループに比べて高く、
    前記第１の元素の平均濃度は、多重量子井戸ヘテロ構造活性領域にもっとも近接したグループでは前記歪緩和領域の他の全てのグループに比べて低いことを特徴とする歪緩和領域。
  2. 請求項１の歪緩和領域であって、
    前記歪緩和領域は、各グループが少なくとも１層のサブグループを含んだ、層のグループを複数備え、
    前記層のサブグループの第１の層は少なくとも一部に前記第１の元素を含み、
    前記層のサブグループの第２の層は前記第１の元素を含まないことを特徴とする歪緩和領域。
  3. 請求項２の歪緩和領域において、
    各グループは前記第１の元素の平均濃度を有し、
    前記第１の元素の平均濃度は、前記構造領域にもっとも近接したグループでは前記歪緩和領域の他の全てのグループに比べて高く、
    前記第１の元素の平均濃度は、前記多重量子井戸ヘテロ構造活性領域にもっとも近接したグループでは前記歪緩和領域の他の全てのグループに比べて低いことを特徴とする歪緩和領域。
  4. 請求項２の歪緩和領域において、
    前記構造領域はＡｌＮで構成され、
    前記活性領域は３０〜４０％のアルミニウム濃度を有し、
    前記テンプレート層にもっとも近接したグループにおける平均アルミニウム濃度は７０〜８５％の範囲にあり、
    前記多重量子井戸ヘテロ構造活性領域にもっとも近接したグループにおける平均アルミニウム濃度は５０〜６５％の範囲にあることを特徴とする歪緩和領域。
JP2007229921A 2006-09-06 2007-09-05 変動周期変動組成超格子およびそれを含むデバイス Pending JP2008066730A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/470,569 US20080054248A1 (en) 2006-09-06 2006-09-06 Variable period variable composition supperlattice and devices including same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008066730A true JP2008066730A (ja) 2008-03-21

Family

ID=39150225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007229921A Pending JP2008066730A (ja) 2006-09-06 2007-09-05 変動周期変動組成超格子およびそれを含むデバイス

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080054248A1 (ja)
JP (1) JP2008066730A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249843A (ja) * 2010-03-01 2011-12-08 Dowa Electronics Materials Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP2014057020A (ja) * 2012-09-14 2014-03-27 Oki Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体装置及びその作製条件特定方法
CN103972334A (zh) * 2014-05-14 2014-08-06 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延层结构、生长方法及具有该结构的led芯片
JP2015084453A (ja) * 2015-01-19 2015-04-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR20180074993A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
JP2020136595A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 日本電信電話株式会社 半導体装置

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8080833B2 (en) * 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
JP4531071B2 (ja) 2007-02-20 2010-08-25 富士通株式会社 化合物半導体装置
JP5079361B2 (ja) * 2007-03-23 2012-11-21 日本碍子株式会社 ＡｌＧａＮ結晶層の形成方法
KR100864609B1 (ko) * 2007-07-04 2008-10-22 우리엘에스티 주식회사 화합물 반도체를 이용한 발광소자
US8044409B2 (en) * 2008-08-11 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. III-nitride based semiconductor structure with multiple conductive tunneling layer
JP5367434B2 (ja) * 2009-03-31 2013-12-11 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
KR101007087B1 (ko) 2009-10-26 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
WO2011081474A2 (ko) * 2009-12-31 2011-07-07 우리엘에스티 주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
JP2011216548A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Jx Nippon Mining & Metals Corp ＧａＮ系半導体エピタキシャル基板の製造方法
WO2011135963A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 日本碍子株式会社 エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法
US8362458B2 (en) 2010-12-27 2013-01-29 Industrial Technology Research Institute Nitirde semiconductor light emitting diode
US8633468B2 (en) * 2011-02-11 2014-01-21 Sensor Electronic Technology, Inc. Light emitting device with dislocation bending structure
JP5911727B2 (ja) * 2011-05-16 2016-04-27 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法
US8525194B2 (en) 2011-05-16 2013-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer
KR20130139707A (ko) * 2012-06-13 2013-12-23 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이에 사용되는 초격자층
JP5881560B2 (ja) * 2012-08-30 2016-03-09 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US9401452B2 (en) 2012-09-14 2016-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated P-side layers for short wavelength light emitters
US9219189B2 (en) 2012-09-14 2015-12-22 Palo Alto Research Center Incorporated Graded electron blocking layer
US20160005919A1 (en) * 2013-02-05 2016-01-07 Tokuyama Corporation Nitride semiconductor light emitting device
CN103413877B (zh) * 2013-08-16 2016-01-20 湘能华磊光电股份有限公司 外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构
US9412902B2 (en) 2014-02-22 2016-08-09 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure
US10199535B2 (en) 2014-02-22 2019-02-05 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure
CN103887381B (zh) * 2014-03-28 2017-03-29 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种提升紫外led外延材料结晶质量的生长方法
JP6636459B2 (ja) 2014-05-27 2020-01-29 シランナ・ユー・ブイ・テクノロジーズ・プライベート・リミテッドＳｉｌａｎｎａ Ｕｖ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｐｔｅ Ｌｔｄ 半導体構造と超格子とを用いた高度電子デバイス
US11322643B2 (en) 2014-05-27 2022-05-03 Silanna UV Technologies Pte Ltd Optoelectronic device
WO2015181656A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 The Silanna Group Pty Limited Electronic devices comprising n-type and p-type superlattices
WO2015181648A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 The Silanna Group Pty Limited An optoelectronic device
EP2988339B1 (en) * 2014-08-20 2019-03-27 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
DE102016120335A1 (de) * 2016-10-25 2018-04-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
TWI762467B (zh) * 2017-02-22 2022-05-01 晶元光電股份有限公司 氮化物半導體磊晶疊層結構及其功率元件
EP3451364B1 (en) * 2017-08-28 2020-02-26 Siltronic AG Heteroepitaxial wafer and method for producing a heteroepitaxial wafer
US10811498B2 (en) 2018-08-30 2020-10-20 Atomera Incorporated Method for making superlattice structures with reduced defect densities
US10566191B1 (en) * 2018-08-30 2020-02-18 Atomera Incorporated Semiconductor device including superlattice structures with reduced defect densities
CN111341891B (zh) * 2020-03-09 2021-07-09 江西新正耀光学研究院有限公司 紫外led外延结构及其制备方法
WO2021236729A1 (en) * 2020-05-19 2021-11-25 Raxium, Inc. Combination of strain management layers for light emitting elements

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1051070A (ja) * 1996-07-29 1998-02-20 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
JP2002057410A (ja) * 2000-05-29 2002-02-22 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2003115642A (ja) * 2001-03-28 2003-04-18 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
WO2005104780A2 (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Verticle, Inc Vertical structure semiconductor devices
US20060118820A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-08 Remigijus Gaska Nitride-based light emitting heterostructure

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2649936B2 (ja) * 1988-03-01 1997-09-03 富士通株式会社 歪超格子バッファ
US5578839A (en) * 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US6107644A (en) * 1997-01-24 2000-08-22 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP3653169B2 (ja) * 1998-01-26 2005-05-25 シャープ株式会社 窒化ガリウム系半導体レーザ素子
US6078064A (en) * 1998-05-04 2000-06-20 Epistar Co. Indium gallium nitride light emitting diode
JP2000022276A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Sony Corp 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
JP4037554B2 (ja) * 1999-03-12 2008-01-23 株式会社東芝 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US6570898B2 (en) * 1999-09-29 2003-05-27 Xerox Corporation Structure and method for index-guided buried heterostructure AlGalnN laser diodes
US6649287B2 (en) * 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
JP3812368B2 (ja) * 2001-06-06 2006-08-23 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
JP2002374040A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Sharp Corp 半導体レーザ素子およびその製造方法
US6949140B2 (en) * 2001-12-05 2005-09-27 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
US6617261B2 (en) * 2001-12-18 2003-09-09 Xerox Corporation Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates
JP4066654B2 (ja) * 2001-12-19 2008-03-26 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ装置及びその製造方法
US6455340B1 (en) * 2001-12-21 2002-09-24 Xerox Corporation Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff
US6864502B2 (en) * 2002-09-18 2005-03-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. III group nitride system compound semiconductor light emitting element
US7115896B2 (en) * 2002-12-04 2006-10-03 Emcore Corporation Semiconductor structures for gallium nitride-based devices
US7339205B2 (en) * 2004-06-28 2008-03-04 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods associated with the same
US7042019B1 (en) * 2004-10-12 2006-05-09 Formosa Epitaxy Incorporation Gallium-nitride based multi-quantum well light-emitting diode n-type contact layer structure

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1051070A (ja) * 1996-07-29 1998-02-20 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
JP2002057410A (ja) * 2000-05-29 2002-02-22 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子
JP2003115642A (ja) * 2001-03-28 2003-04-18 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
WO2005104780A2 (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Verticle, Inc Vertical structure semiconductor devices
US20060118820A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-08 Remigijus Gaska Nitride-based light emitting heterostructure

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249843A (ja) * 2010-03-01 2011-12-08 Dowa Electronics Materials Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
US8735938B2 (en) 2010-03-01 2014-05-27 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Semiconductor device and method of producing the same
KR101420037B1 (ko) * 2010-03-01 2014-07-15 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101455036B1 (ko) * 2010-03-01 2014-11-04 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP2014057020A (ja) * 2012-09-14 2014-03-27 Oki Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体装置及びその作製条件特定方法
CN103972334A (zh) * 2014-05-14 2014-08-06 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延层结构、生长方法及具有该结构的led芯片
JP2015084453A (ja) * 2015-01-19 2015-04-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR20180074993A (ko) * 2016-12-26 2018-07-04 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
KR102608142B1 (ko) 2016-12-26 2023-11-30 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
JP2020136595A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 日本電信電話株式会社 半導体装置
JP7338166B2 (ja) 2019-02-25 2023-09-05 日本電信電話株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080054248A1 (en) 2008-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008066730A (ja) 変動周期変動組成超格子およびそれを含むデバイス
JP6046971B2 (ja) 向上した光抽出を有する紫外線発光素子
JP5450776B2 (ja) 超格子構造のウェル層及び／又は超格子構造のバリア層を有する発光ダイオード
KR100837404B1 (ko) 반도체 광전 소자
US6266355B1 (en) Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking
TWI524612B (zh) 氮化物半導體雷射二極體
KR100689782B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2010177651A (ja) 半導体レーザ素子
US7312468B2 (en) Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same
JP2007305851A (ja) 窒化物半導体発光素子
KR100705886B1 (ko) 질화물 반도체층 구조물 및 질화물 반도체 레이저
US8513643B2 (en) Mixed alloy defect redirection region and devices including same
KR101199677B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2007019399A (ja) 半導体レーザ装置
US8410473B2 (en) Light emitting device
JP2009129941A (ja) 発光デバイス
JP2005136407A (ja) 半導体発光デバイス
JP2009059784A (ja) 窒化物系半導体発光素子
KR100495824B1 (ko) 반도체 엘이디 소자
EP2037506B1 (en) Semiconductor light emitting device with superlattices
JP2007149713A (ja) 半導体発光ダイオード
JP2007266401A (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
JP2000091701A (ja) 反射鏡、半導体レーザ、反射鏡の形成方法および半導体レーザの製造方法
JP2008177438A (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2003218469A (ja) 窒化物系半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100903

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120905

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121204