JP2008028252A - 半導体層の処理方法、半導体層の処理装置、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタの製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ガラス基板1上に形成された多結晶シリコンからなる半導体層2の表面を酸化させて第1の絶縁膜3を形成した後、第1の絶縁膜3上に第2の絶縁膜4を堆積させる薄膜トランジスタの製造方法であって、第1の絶縁膜3を形成する工程は、酸素及び水素を構成元素として含むガスを用いて高密度プラズマを発生させ、半導体層2の表面を高密度プラズマ中の活性種で処理する高密度プラズマ処理工程を有する。酸素及び水素を構成元素として含むガスは、例えば、水蒸気を含むガス、又は酸素ガス及び水素ガスの混合ガスである。高密度プラズマ処理工程において形成される酸化膜をエッチングするエッチング工程を有し、エッチング工程を挟んで高密度プラズマ処理工程を複数回行うことが好ましい。
【選択図】 図1
Description
薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor :TFT)を製造するには、先ず、図1(a)に示すように、ガラス基板1上に多結晶シリコンからなる半導体層2を形成する。半導体層2は、ガラス基板1上にアモルファスシリコンを成膜した後、レーザーアニールにより多結晶シリコン膜とし、所定形状に加工することで得られる。
つぎに、第2の実施形態について説明する。以下、第1の実施形態と重複する部材には同じ符号を付して説明を省略する。
(実施例1)
本発明の効果を確認するため、400mm×500mmのガラス基板上に図1(e)に示す構造のTFTを作製し、特性を比較した。
半導体層の表面を酸化して第1の絶縁膜を形成する際、水素ガス及び酸素ガスの混合ガスを用いた高密度プラズマ処理を行った。高密度プラズマ処理における導入ガスの流量は酸素ガス/水素ガス/アルゴンガス=30/20/2000sccm、チャンバ内の全圧力は30Pa、基板温度は300℃、投入電力は10kWとした。それ以外は実施例1と同様にしてTFTを作製した。
第1の絶縁膜を形成する際、酸素ガスのプラズマを利用した。第1の絶縁膜を形成する際の導入ガスの流量は酸素ガス/クリプトンガス=50/2000sccm、チャンバ内の全圧力は30Pa、基板温度は300℃、投入電力は10kWとした。それ以外は実施例1と同様にしてTFTを作製した。
半導体層の表面酸化を行うことなく、すなわち第1の絶縁膜を形成することなく、半導体層の表面に第2の絶縁膜を直接成膜した。それ以外は実施例1と同様にしてTFTを作製した。
(実施例3)
水素ガス及び酸素ガスの混合ガスを用いた高密度プラズマ処理の後、チャンバへの導入ガスを切り替え、水素ガスのプラズマエッチング工程を行い、その後再び水素ガス及び酸素ガスの混合ガスを用いた高密度プラズマ処理を行うことにより、第1の絶縁膜を形成した。すなわち、実施例3においては、第1の絶縁膜を形成する際、高密度プラズマ処理工程の後プラズマエッチング工程を行うサイクルを1回行った。
第1の絶縁膜を形成する際、高密度プラズマ処理工程の後プラズマエッチング工程を行うサイクルを5回行った。それ以外は実施例3と同様にしてTFTを作製した。
Claims (10)
- 酸素及び水素を構成元素として含むガスを用いて高密度プラズマを発生させ、ガラス基板上に形成された多結晶シリコンからなる半導体層の表面を前記高密度プラズマ中の活性種で処理する高密度プラズマ処理工程を有することを特徴とする半導体層の処理方法。
- 前記酸素及び水素を構成元素として含むガスは、水蒸気を含むガス、又は酸素ガス及び水素ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項1記載の半導体層の処理方法。
- 前記処理に際して前記ガラス基板の温度を500℃以下に維持することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体層の処理方法。
- 前記高密度プラズマ処理工程において形成される酸化膜をエッチングするエッチング工程を有し、前記エッチング工程を挟んで前記高密度プラズマ処理工程を複数回行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体層の処理方法。
- ガラス基板上に形成された多結晶シリコンからなる半導体層の表面を酸化させて第1の絶縁膜を形成した後、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を堆積させる薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記第1の絶縁膜を形成する工程は、酸素及び水素を構成元素として含むガスを用いて高密度プラズマを発生させ、前記半導体層の表面を前記高密度プラズマ中の活性種で処理する高密度プラズマ処理工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記酸素及び水素を構成元素として含むガスは、水蒸気を含むガス、又は酸素ガス及び水素ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項5記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記酸化に際して前記ガラス基板の温度を500℃以下に維持することを特徴とする請求項5又は6記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第1の絶縁膜を形成する工程は前記高密度プラズマ処理工程において形成される酸化膜をエッチングするエッチング工程を有し、前記エッチング工程を挟んで前記高密度プラズマ処理工程を複数回行うことを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 多結晶シリコンからなる半導体層が形成されたガラス基板を内部に収容するチャンバと、前記チャンバ内に酸素及び水素を構成元素として含むガスを導入する導入手段と、前記チャンバ内に前記酸素及び水素を構成元素として含むガスの高密度プラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えることを特徴とする半導体層の処理装置。
- ガラス基板上に形成された多結晶シリコンからなる半導体層の表面を酸化させる酸化反応室を少なくとも備える薄膜トランジスタの製造装置であって、
前記酸化反応室は、内部に前記ガラス基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内に酸素及び水素を構成元素として含むガスを導入する導入手段と、前記チャンバ内に前記酸素及び水素を構成元素として含むガスの高密度プラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造装置。
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