JP2008009942A - メモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ページ単位でデータを一括して書き込み、前記ページを複数含み且つ各々がデータの消去単位となる複数のメモリブロックBLKを備えた不揮発性半導体メモリ11と、前記不揮発性メモリ11に対して書き込みデータ及び第1ロウアドレスを転送し、且つ転送した前記第1ロウアドレスの変更命令と、該第1ロウアドレスとは異なる第2ロウアドレスとを発行するコントローラ12とを具備し、前記不揮発性半導体メモリ11は、前記変更命令が発行されない際には前記第1ロウアドレスに対応する前記ページに前記書き込みデータを書き込み、前記変更命令が発行された際には前記第2ロウアドレスに対応する前記ページに前記書き込みデータを書き込む。
【選択図】 図9
Description
この発明の第1の実施形態に係るメモリシステムについて、図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るメモリシステムのブロック図である。
(1)データの書き込み速度を向上出来る。
本実施形態に係るメモリシステムであると、ページバッファ31内のデータがページサイズよりも小さい場合には、それまでにデータを書き込んでいたメモリブロックBLKとは異なるメモリブロックBLKに書き込んでいる。すなわち、ページバッファ内のデータがページサイズに達するまで書き込み動作を待つ必要が無い。従って、書き込み速度を向上出来る。
(2)ページサイズ未満のデータの集約を簡便にし、高速化出来る。
本実施形態に係るメモリシステムでは、ページバッファ31とデータキャッシュ33との間で、ページ単位未満の単位でデータの授受を行っている。従って、データの集約を簡便にし、データの集約速度を高速化出来る。
(3)データの集約処理を効率化出来る。
本実施形態に係るメモリシステムであると、ページバッファ31とデータキャッシュ33との間におけるページ単位未満の単位でのデータの授受を利用して、データの書き込み時にデータの集約を行っている。データの集約処理を効率的に行うことが出来る。
Claims (5)
- ページ単位でデータを一括して書き込み、前記ページを複数含み且つ各々がデータの消去単位となる複数のメモリブロックを備えた不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性メモリに対して書き込みデータ及び第1ロウアドレスを転送し、且つ転送した前記第1ロウアドレスの変更命令と、該第1ロウアドレスとは異なる第2ロウアドレスとを発行するコントローラと
を具備し、前記不揮発性半導体メモリは、前記変更命令が発行されない際には前記第1ロウアドレスに対応する前記ページに前記書き込みデータを書き込み、前記変更命令が発行された際には前記第2ロウアドレスに対応する前記ページに前記書き込みデータを書き込む
ことを特徴とするメモリシステム。 - 前記コントローラは、前記書き込みデータのデータサイズがページサイズ未満である場合に、前記変更命令及び前記第2ロウアドレスを発行し、
前記第2ロウアドレスは、前記第1ロウアドレスとは異なる前記メモリブロック内の前記ページに対応する
ことを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。 - ページ単位でデータを一括して書き込み、前記ページを複数含み且つ各々がデータの消去単位となる複数のメモリブロックを備えた不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリの動作を制御するコントローラと
を具備し、前記不揮発性半導体メモリは、前記メモリブロックと、
前記メモリブロックとの間で前記ページ単位によりデータを授受し、1ページ分のデータを保持可能な第1バッファ回路と、
前記第1バッファ回路及び前記コントローラとの間で1ページ分のデータサイズ以下のデータ単位によりデータを授受し、1ページ分のデータを保持可能な第2バッファ回路と
を備えることを特徴とするメモリシステム。 - 前記コントローラは、前記不揮発性半導体メモリに対してデータの読み出し命令及び第1ロウアドレス及び第2ロウアドレスを発行し、
前記不揮発性半導体メモリは、前記第1ロウアドレスに対応し、且つ前記ページサイズ未満の第1データを含む第1ページデータを前記第2バッファ回路に読み出し、更に前記第2ロウアドレスに対応し、且つ前記ページサイズ未満の第2データを含む第2ページデータを前記第1バッファ回路に読み出し、
前記第1バッファ回路は、前記第2ページデータのうちの前記第2データのみを、前記第2バッファ回路において前記第1データ以外を保持する領域に転送する
ことを特徴とする請求項3記載のメモリシステム。 - 前記コントローラは、データの書き込み時に第1ロウアドレスを発行するとともに、前記第2バッファ回路に対して第1データを転送し、
前記コントローラは、前記第2バッファ回路に転送した前記第1データのデータサイズがページサイズ未満である場合に、書き込み中止命令、データの読み出し命令、及び第2ロウアドレスを発行し、
前記不揮発性半導体メモリは、前記書き込み中止命令に応答して前記第1データを前記第2バッファ回路に保持しつつ書き込み動作を中断し、前記読み出し命令に応答して、前記第2ロウアドレスに対応し且つ前記ページサイズ未満の第2データを含むページデータを前記第1バッファ回路に読み出し、
前記第1バッファ回路は、前記ページデータのうちの前記第2データのみを、前記第2バッファ回路において前記第1データ以外を保持する領域に転送し、
前記第2バッファ回路は前記第1、第2データを、前記第1ロウアドレスに対応するページに一括して書き込む
ことを特徴とする請求項3記載のメモリシステム。
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---|---|---|---|
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KR1020070064437A KR100884429B1 (ko) | 2006-06-30 | 2007-06-28 | 불휘발성 반도체 메모리를 구비하는 메모리 시스템 |
US11/770,344 US7937523B2 (en) | 2006-06-30 | 2007-06-28 | Memory system with nonvolatile semiconductor memory |
TW096123646A TWI358020B (en) | 2006-06-30 | 2007-06-29 | Memory system with nonvolatile semiconductor memor |
CN2007101269602A CN101097543B (zh) | 2006-06-30 | 2007-07-02 | 具备非易失性半导体存储器的存储器系统 |
US13/078,647 US20110185225A1 (en) | 2006-06-30 | 2011-04-01 | Memory system with nonvolatile semiconductor memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006182631A Expired - Fee Related JP5002201B2 (ja) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | メモリシステム |
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---|---|
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CN (1) | CN101097543B (ja) |
TW (1) | TWI358020B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009211229A (ja) * | 2008-03-01 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2009211220A (ja) * | 2008-03-01 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2010044620A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US8108593B2 (en) | 2008-03-01 | 2012-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system for flushing and relocating data |
JP2015111458A (ja) * | 2008-11-04 | 2015-06-18 | コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッドConversant Intellectual Property Management Inc. | 構成可能な仮想ページサイズを有するブリッジデバイス |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI103329B1 (fi) * | 1997-12-22 | 1999-06-15 | Nordberg Lokomo Oy | Tapa leukamurskaimen kulutusleuan kiinnittämiseksi ja leukamurskain |
US20100318723A1 (en) * | 2007-02-23 | 2010-12-16 | Masahiro Nakanishi | Memory controller, nonvolatile memory device, and nonvolatile memory system |
JP5032155B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-09-26 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置、及び不揮発性半導体記憶システム |
US7962683B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-06-14 | Silicon Motion, Inc. | Flash memory, and method for operating a flash memory |
US8185685B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-05-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | NAND flash module replacement for DRAM module |
TWI385519B (zh) * | 2008-04-18 | 2013-02-11 | Phison Electronics Corp | 資料寫入方法及使用此方法的快閃儲存系統與其控制器 |
TWI413984B (zh) * | 2008-10-16 | 2013-11-01 | Silicon Motion Inc | 快閃記憶體裝置以及資料更新方法 |
US8094500B2 (en) * | 2009-01-05 | 2012-01-10 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory and method with write cache partitioning |
US8244960B2 (en) * | 2009-01-05 | 2012-08-14 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory and method with write cache partition management methods |
US8700840B2 (en) * | 2009-01-05 | 2014-04-15 | SanDisk Technologies, Inc. | Nonvolatile memory with write cache having flush/eviction methods |
CN101859605B (zh) * | 2009-04-10 | 2013-05-01 | 国民技术股份有限公司 | 一种使用瑕疵闪存的方法 |
TWI435215B (zh) * | 2009-08-26 | 2014-04-21 | Phison Electronics Corp | 下達讀取指令與資料讀取方法、控制器與儲存系統 |
JP5657242B2 (ja) | 2009-12-09 | 2015-01-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びメモリシステム |
TWI416331B (zh) * | 2009-12-23 | 2013-11-21 | Phison Electronics Corp | 用於快閃記憶體的資料寫入方法及其控制器與儲存裝置 |
JP5708216B2 (ja) * | 2011-05-09 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | フラッシュメモリ装置、メモリ制御装置、メモリ制御方法、ストレージシステム |
JP5768654B2 (ja) * | 2011-10-25 | 2015-08-26 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、記憶制御方法 |
CN103680610A (zh) * | 2012-09-03 | 2014-03-26 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 差分存储NAND Flash存储器写操作的方法及装置 |
KR102133573B1 (ko) | 2013-02-26 | 2020-07-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 및 반도체 메모리를 포함하는 메모리 시스템 |
EP3333853A1 (en) * | 2013-03-07 | 2018-06-13 | Charles I. Peddle | High speed flash controllers |
US9069660B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-06-30 | Apple Inc. | Systems and methods for writing to high-capacity memory |
US20150095551A1 (en) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Micron Technology, Inc. | Volatile memory architecutre in non-volatile memory devices and related controllers |
JP6107625B2 (ja) * | 2013-12-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システムおよびその記憶制御方法 |
US9460019B2 (en) * | 2014-06-26 | 2016-10-04 | Intel Corporation | Sending packets using optimized PIO write sequences without SFENCEs |
JP2016028319A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-25 | 富士通株式会社 | アクセス制御プログラム、アクセス制御装置及びアクセス制御方法 |
KR20170008339A (ko) * | 2015-07-13 | 2017-01-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
US11809727B1 (en) * | 2016-04-27 | 2023-11-07 | Pure Storage, Inc. | Predicting failures in a storage system that includes a plurality of storage devices |
US11112990B1 (en) | 2016-04-27 | 2021-09-07 | Pure Storage, Inc. | Managing storage device evacuation |
CN109582235B (zh) * | 2018-11-27 | 2021-12-21 | 杭州宏杉科技股份有限公司 | 管理元数据存储方法及装置 |
CN109815711B (zh) * | 2018-12-21 | 2020-12-25 | 航天信息股份有限公司 | 一种存储设备、数据存储方法和数据读取方法 |
KR20210142974A (ko) * | 2020-05-19 | 2021-11-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치 및 그 동작 방법 |
JP2022047855A (ja) | 2020-09-14 | 2022-03-25 | キオクシア株式会社 | メモリシステム |
CN113409849A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-09-17 | 芯天下技术股份有限公司 | 一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端 |
CN113409852A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-09-17 | 芯天下技术股份有限公司 | 一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端 |
CN113409850A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-09-17 | 芯天下技术股份有限公司 | 一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11242630A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | ベースバンドic |
JP2000067582A (ja) * | 1998-08-14 | 2000-03-03 | Texas Instr Inc <Ti> | メモリシステムおよび電子装置の動作方法 |
JP2002236610A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-08-23 | Texas Instruments Inc | バースト・アクセス・メモリシステム |
JP2005339231A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Toshiba Corp | メモリカード、半導体装置、及び半導体メモリの制御方法 |
JP2006092169A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | メモリコントローラ,メモリ装置及びメモリコントローラの制御方法 |
JP2008524706A (ja) * | 2004-12-16 | 2008-07-10 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性メモリおよびマルチストリーム更新追跡を伴う方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4680647A (en) * | 1983-09-26 | 1987-07-14 | Pioneer Electronic Corporation | Method for recording and reproducing video format signal |
US5371885A (en) * | 1989-08-29 | 1994-12-06 | Microsoft Corporation | High performance file system |
FR2710445B1 (fr) * | 1993-09-20 | 1995-11-03 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de redondance dynamique pour mémoire en circuit intégré. |
GB2285524B (en) | 1994-01-11 | 1998-02-04 | Advanced Risc Mach Ltd | Data memory and processor bus |
US6047352A (en) * | 1996-10-29 | 2000-04-04 | Micron Technology, Inc. | Memory system, method and predecoding circuit operable in different modes for selectively accessing multiple blocks of memory cells for simultaneous writing or erasure |
JPH11224492A (ja) | 1997-11-06 | 1999-08-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置及びフラッシュメモリ |
JP3979486B2 (ja) | 2001-09-12 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性記憶装置およびデータ格納方法 |
US6850438B2 (en) * | 2002-07-05 | 2005-02-01 | Aplus Flash Technology, Inc. | Combination nonvolatile memory using unified technology with byte, page and block write and simultaneous read and write operations |
US6944063B2 (en) * | 2003-01-28 | 2005-09-13 | Sandisk Corporation | Non-volatile semiconductor memory with large erase blocks storing cycle counts |
CN100349138C (zh) | 2003-08-08 | 2007-11-14 | 倚天资讯股份有限公司 | 非挥发性存储器存取系统及其循环使用存取空间方法 |
JP2005063038A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Sony Corp | データ処理装置、その方法、そのプログラムおよび記録媒体 |
CN100543702C (zh) | 2003-11-18 | 2009-09-23 | 松下电器产业株式会社 | 文件记录装置及其控制方法和执行方法 |
JP2005332125A (ja) | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Victor Co Of Japan Ltd | メモリコントローラ及び共有メモリシステム |
KR100568115B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-04-05 | 삼성전자주식회사 | 점진적 머지 방법 및 그것을 이용한 메모리 시스템 |
JP4738038B2 (ja) | 2005-03-25 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | メモリカード |
KR100634457B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 단일의 페이지 버퍼 구조로 멀티-비트 및 단일-비트프로그램 동작을 수행하는 플래시 메모리 장치 |
-
2006
- 2006-06-30 JP JP2006182631A patent/JP5002201B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-28 US US11/770,344 patent/US7937523B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-28 KR KR1020070064437A patent/KR100884429B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-06-29 TW TW096123646A patent/TWI358020B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-07-02 CN CN2007101269602A patent/CN101097543B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-01 US US13/078,647 patent/US20110185225A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11242630A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | ベースバンドic |
JP2000067582A (ja) * | 1998-08-14 | 2000-03-03 | Texas Instr Inc <Ti> | メモリシステムおよび電子装置の動作方法 |
JP2002236610A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-08-23 | Texas Instruments Inc | バースト・アクセス・メモリシステム |
JP2005339231A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Toshiba Corp | メモリカード、半導体装置、及び半導体メモリの制御方法 |
JP2006092169A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | メモリコントローラ,メモリ装置及びメモリコントローラの制御方法 |
JP2008524706A (ja) * | 2004-12-16 | 2008-07-10 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性メモリおよびマルチストリーム更新追跡を伴う方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009211229A (ja) * | 2008-03-01 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2009211220A (ja) * | 2008-03-01 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP4592774B2 (ja) * | 2008-03-01 | 2010-12-08 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP4653817B2 (ja) * | 2008-03-01 | 2011-03-16 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US8108593B2 (en) | 2008-03-01 | 2012-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system for flushing and relocating data |
JP2010044620A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP4649503B2 (ja) * | 2008-08-13 | 2011-03-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2015111458A (ja) * | 2008-11-04 | 2015-06-18 | コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッドConversant Intellectual Property Management Inc. | 構成可能な仮想ページサイズを有するブリッジデバイス |
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