CN101859605B - 一种使用瑕疵闪存的方法 - Google Patents
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Abstract
一种使用瑕疵闪存的方法，所述方法包括步骤：在量产阶段，运行在主机(10)内的量产软件对闪存(202)的进行扫描，运行在主机(10)内的量产软件对扫描结果分析处理，生成使用闪存(202)的page使用表，并将此使用表发送给主控芯片(201)；在使用阶段，所述主控芯片(201)接收读写指令，对闪存(202)进行读写操作。同现有技术相比较，本发明技术方案的有益效果在于：能通过量产软件生成最优使用闪存的方案，提高闪存的可利用率。
Description
技术领域本发明涉及静态存储器，特别是涉及存储器正确运行的校验，备用或离线操作期间测试存储器，尤其涉及一种使用瑕疵闪存的方法。
背景技术闪存(Flash Memory)作为一种非挥发性的半导体存储芯片，具有体积小、功耗低和不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质。
按内部架构和实现技术可以将闪存分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种，但目前以NAND为主流，NAND技术是由东芝公司1989年发明，NAND技术在设计之初是为了数据存储应用，NAND具有写回速度快、芯片面积小和容量大等优势。
页(page)是NAND中的基本存储单元，一般情况下，一页包括512、2048、4096或8192个字节，多个页面组成块(block)。不同的块内页面数不尽相同，通常为16页至128页。闪存的写入以页为单位，在写之前必须先擦除，闪存的擦除以块为单位。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。NAND存储器由多个块串行排列组成，实际上，NAND型的闪存可认为是顺序读取的设备，它仅用8比特的I/O端口就可以存取按页为单位的数据，NAND在读和擦写文件、特别是连续的大文件时，速度相当快，但随机存取速度则比较慢，因为它不能按字节写。NAND闪存易有坏块，为了补偿可能存在的坏块，通常在设计时，用一个控制器管理坏块，当出现坏块时，控制器将数据转移到预定空闲存储区间，该过程对用户是透明的。
闪存介质的生产一般都要经过量产过程，量产的目的是通过一定的手段，识别并标记出坏块，并且预留一定数量的备用块，当使用过程出现坏块时，可以用这些备用块来做替换。
现有技术使用闪存的方法存在以下不足：在遇到有“页”损坏的“块”时，就把该“块”标记为坏块，以后空间的分配都不用坏块，造成闪存的利用率低。
发明内容本发明要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而提出一种使用瑕疵闪存的方法。
本发明解决所述技术问题可以通过采用以下技术方案来实现：提出一种使用瑕疵闪存的方法，所述的方法包括步骤：
A、在量产阶段，运行在主机(10)内的量产软件对闪存(202)进行扫描；
B、在使用阶段，主控芯片(201)接收读写指令，对闪存(202)进行读写操作。
上述步骤A的量产阶段的扫描步骤包括：
A1、运行在主机的量产软件向主控芯片发送扫描命令；
A2、主控芯片对闪存进行扫描，并将扫描信息发送给主机；
A3、运行在主机量产软件对扫描结果分析处理，生成使用闪存的page使用表，并将此使用表发送给主控芯片。
步骤B中的读写步骤包括：
B1、主控芯片接收读写命令；
B2、主控芯片把要写的数据分割成以page为单位的多个数据块；
B3、主控芯片查找page使用表，对page表中完好的表进行读写；
B4、返回步骤b，直接完成数据读写。
同现有技术相比较，本发明技术方案的有益效果在于：通过量产软件扫描而生成最优使用方案，提高闪存的可利用率。
附图说明图1是实施本发明所述方法之系统原理框图；
图2是本发明使用瑕疵闪存的方法之扫描流程图；
图3是本发明使用瑕疵闪存的方法之使用流程图。
具体实施方式以下结合各附图所示之优选实施例作进一步详述。
本发明之一种使用瑕疵闪存的方法，所述方法包括以下步骤：
A、在量产阶段，运行在主机10内的量产软件对闪存202进行扫描；
B、在使用阶段，主控芯片201接收读写指令，对闪存202进行读写操作。
如图2所示，上述步骤A的量产阶段的扫描步骤包括：
A1、运行在主机的量产软件向主控芯片发送扫描命令；
A2、主控芯片对闪存进行扫描，并将扫描信息发送给主机；
A3、运行在主机量产软件对扫描结果分析处理，生成使用闪存的page使用表，并将此使用表发送给主控芯片。
如图3所示，步骤B中的读写步骤包括：
B1、主控芯片接收读写命令；
B2、主控芯片把要写的数据分割成以page为单位的多个数据块；
B3、主控芯片查找page使用表，对page表中完好的表进行读写；
B4、返回步骤b，直接完成数据读写。
如图3流程图所示，在读写闪存202的时候，主控主控芯片201接受来自使用设备的读写命令，然后再根据生成好的page使用表，对闪存202完成无损的表进行读写。
图1为实施本发明所述的方法的其中一种系统原理框图，如图所示，包括主机10和存储模块20，所述存储模块20包括主控芯片201和闪存202；所述主机10与存储模块20作电连接；并控制主控芯片201对闪存202进行扫描，然后将扫描结果发送给主机10中的量产软件分析处理。
所述主机10为PC机，通过运行在其内的量产软件来分析处理由主控芯片201发送过来的对闪存202扫描的信息。
所述主机10与存储模块20通过USB进行连接。
下面通过一个实施例来说明本发明的实现方法：
现假定有一块闪存flash A，一共有16个块，每个块有8个页，每个页大小是4KB；
则Flash A的block大小＝8*4KB＝32KB；
Flash A总容量为16*32KB＝512KB；
根据上述扫描方法，其页扫描的结果是：
| 块地址 | 页信息(00表示坏页) |
| 0 | 0100010001000100 |
| 1 | 0100010001000100 |
| 2 | 0000000000000000 |
| 3 | 0100010001000100 |
| 4 | 0100010001000100 |
| 5 | 0100010001000100 |
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| 14 | 0100010001000100 |
| 15 | 0001000000010000 |
运行在主机10上的量产软件分析扫描结果后，得出最佳的page使用表是：
| Page使用表 | 0100010001000100 |
使用这个page使用表，建立坏块表：
使用了page使用表后
Flash A的block大小＝4*4KB＝16KB，block大小比原来小了；
Flash A有效容量为12*16KB＝192KB.好快的数量是12；
可以看到，有部分page好的块，如块6、块7和块15并不使用。
上述为本发明的优选实现过程，本领域的技术人员在本发明的基础上进行的通常变化和替换包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种使用瑕疵闪存的方法，包括步骤：
A、在量产阶段，运行在主机(10)内的量产软件对闪存(202)进行扫描；
包括分步骤：
A1、运行在主机(10)的量产软件向主控芯片(201)发送扫描命令；
A2、主控芯片(201)对闪存(202)进行扫描，并将扫描信息发送给主机(10)；
A3、运行在主机(10)的量产软件对扫描结果分析处理，生成闪存(202)的page使用表，并将此使用表发送给主控芯片(201)；
B、在使用阶段，主控芯片(201)接收读写指令，对闪存(202)进行读写操作；
包括分步骤：
B1、主控芯片(201)接收读写命令；
B2、主控芯片(201)把要写的数据分割成以page为单位的多个数据块；
B3、主控芯片(201)查找page使用表，建立坏块表，对page表中完好的表进行读写；
B4、判断数据读写是否完成，如果是，则直接完成数据读写；如果否，则返回步骤B2。
2.如权利要求1所述的使用瑕疵闪存的方法，其特征在于：
所述主机(10)为PC机。
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| CN101369463A (zh) * | 2007-08-17 | 2009-02-18 | 芯邦科技（深圳）有限公司 | 闪存检测分类方法 |
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