CN101369463A - 闪存检测分类方法 - Google Patents
闪存检测分类方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101369463A CN101369463A CNA2007100757844A CN200710075784A CN101369463A CN 101369463 A CN101369463 A CN 101369463A CN A2007100757844 A CNA2007100757844 A CN A2007100757844A CN 200710075784 A CN200710075784 A CN 200710075784A CN 101369463 A CN101369463 A CN 101369463A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flash memory
- piece
- scanning
- classification method
- characteristic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明公开了一种闪存检测分类方法，其包括：按照闪存类别抽出部分闪存样品；用读、写操作模式扫描闪存样品；根据扫描结果，找出闪存特性；将特性相同的闪存分别设于控制芯片厂家生产的测试架上；通过量产工具，根据闪存特性来扫描闪存的好坏块情况；根据扫描的结果，将闪存分为不同的等级；将闪存中预留一组好块作为替换块；通过检测，若发现有坏块，则将该组好块中的一块把坏块替换；由于该方法在现有的静态分类法前采用了特殊的扫描方法，比只利用静态方法分类，更为准确；另外，对于已经分类好的闪存，再利用替换块的方法进行动态补偿，可以减少闪存出错的几率，更好的使用闪存。
Description
技术领域
本发明涉及闪存存储领域，尤指一种闪存检测分类方法，其可将闪存精确分类，充分利用闪存容量。
背景技术
闪存：闪存是Flash Ram的音译。闪存作为一种非挥发性(简单说就是在不加电的情况下数据也不会丢失，区别于目前常用的计算机内存)的半导体存储芯片，具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质，目前，其普遍应用在数码电视、数码便携式摄像机、移动电话、数码相机、掌上电脑(PDA)、游戏机、MP3播放器等设备中，闪存的种类大致分为：储存容量大的数据存储型(NAND)和处理速度快的代码存储型(NOR)两种。
闪存的结构特点，其是由很多个块(block)组成，每个块(block)包括64页(page)，每一个页(page)包括4个扇区(sector)。
闪存的特定不是很稳定，其一般来说，都会有坏块，所以，要在使用前，将坏块数找出来，屏蔽坏块数，防止写文件时写到坏块区，造成文件丢失。
另外，为了充分利用不同容量的闪存，现有的办法是根据闪存的坏块数来为闪存分类，将闪存分为不同的级别，以将不同级别的闪存作不同的用处。
如图1所示，现有的检测分类方法，主要包括以下步骤：
步骤101：将闪存设于控制芯片厂家生产的测试架上；
步骤102：将测试架连接到测试单元上，一个测试单元可连接多个测试架；
步骤103：通过安装在测试单元中的量产模块，可以扫描出闪存的好坏块；
步骤104：根据扫描的结果，将闪存分为不同的等级。
其中，安装在测试单元中的量产模块，是用来提供给卡生产厂商批量生产存储卡的，功能包括：卡扫描、格式化和生产选项配置。在进行每种卡产品前，首先要配置好参数，然后量产模块根据参数扫描、格式化卡，并将需要的文件写入到卡，完成生产。
利用上述的分类方法，是可以根据扫描结果，将闪存分为不同的级别，但是，由于闪存本身的特性所限，其本质是不稳定的，即本次扫描的坏块，下次再扫描不一定是坏块，而本次扫描的好块，下次再扫描不一定还是好块，因此，这种静态分类方法较为粗略，不精确。
另外，根据扫描结果，将闪存分为不同的等级，不同等级的闪存用于不同地方。
即使这样，由于闪存的不稳定性，扫描时的好块，如果在使用过程中发现是坏块的话，将会影响闪存的使用。
发明内容
本发明的主要目的是提供了一种闪存检测分类方法，其可克服现有检测方法的缺陷，对闪存进行精确分类。
本发明的次要目的在于提供一种闪存的动态补偿方法，其可对存在坏块的闪存进行动态补偿，确保数据安全。
为了实现上述发明的目的，本发明所采用的技术方案为：
一种闪存检测分类方法，其包括
按照闪存类别抽出部分闪存样品；
用读、写操作模式扫描闪存样品；
根据扫描结果，找出闪存特性；
将特性相同的闪存分别设于控制芯片厂家生产的测试架上；
通过量产工具，根据闪存特性来扫描闪存的好坏块情况；
根据扫描的结果，将闪存分为不同的等级。
所述的闪存检测分类方法，其在扫描闪存中，找出的闪存特性为，奇数块的坏块比例较偶数块高；则在通过量产工具对闪存进行再次扫描时，其对偶数块扫描一次，对奇数块进行多次扫描。
所述的闪存检测分类方法，其在扫描闪存中，其找出的闪存特性为，偶数块的坏块比例较奇数块高；则在通过量产工具对闪存进行再次扫描时，对奇数块扫描一次，对偶数块进行多次扫描。
所述的闪存检测分类方法，其在扫描闪存中，找出的闪存特性为，其闪存按顺序写入是正确的，但随机写入会出错。
所述的闪存检测分类方法，其还包括以下步骤：
将闪存中预留一组好块作为替换块；
通过检测，若发现有坏块，则将该组好块中的一块把坏块替换。
所述的闪存检测分类方法，其还包括以下步骤：将坏块放在该组好块后面。
采用上述方法后，由于该方法在现有的静态分类法前采用了特殊的扫描方法，即读写操作模式扫描闪存样品，这种先利用前期的扫描总结出闪存特性，再利用静态的分类方法针对特性来分，比只利用静态方法分类，更为准确；另外，对于已经分类好的闪存，再利用替换块的方法进行动态补偿，可以减少闪存出错的机率，更好的使用闪存。
附图说明
图1为现有技术中闪存的分类方法流程图；
图2为本发明方法的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种闪存检测分类方法，包括步骤：按照闪存类别抽出部分闪存样品；用读、写操作模式扫描闪存样品；根据扫描结果，找出闪存特性；将特性相同的闪存分别设于控制芯片厂家生产的测试架上；将测试架连接到电脑主机上；通过安装在电脑中的量产工具，根据闪存特性来扫描闪存的好坏块情况；根据扫描的结果，将闪存分为不同的等级。
在该检测分类方法中，其主要是在静态分类前，先采用特殊的扫描方法，即读写操作模式扫描闪存样品，每种闪存都有它的特性，本领域的技术人员都知道，如果能先利用前期的扫描总结出闪存特性，再利用静态的分类方法针对特性来分，比只利用静态方法分类，更为准确。
另外，对于已经分类好的闪存，再利用替换块的方法进行动态补偿，可以减少闪存出错的机率，更好的使用闪存。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和实施方式对本发明作进一步的详细说明。
图2出示了本发明的流程图，如图所示，包括：
步骤201：按照闪存类别抽出部分闪存样品；
闪存的类型主要有：Nor flash、AG-AND flash、Nand flash。每种闪存都具有不同的特性。
NOR的特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
AG-AND Flash，拥有高速写入的特性，不但组件大小和NAND型接近，而且拥有高速写入的速度10MB/s，比起一般NAND型4MB/s快上2.5倍。
即使为同一种类型的闪存，其不同的批次，可能特性都不相同，所以，首先要一个批次中抽出闪存样品。
步骤202：用读、写操作模式扫描闪存样品；
在闪存未初始化之前，只能通过读或写的操作模式扫描闪存，了解其内部的特性。
步骤203：根据扫描结果，找出闪存特性；
比如扫描闪存的结果发现：奇数块的坏块比例较偶数块高；或者是发现：偶数块的坏块比例较奇数块高；
步骤204：将特性相同的闪存分别设于控制芯片厂家生产的测试架上；
一个测试架可以设一个闪存，在测试时，可以同时使用一组测试架，一般是16个，但为了节约成本和时间，最好是将特性相同的闪存一起设在测试架上，如一组全是奇数块的坏块比例较偶数块高的闪存，或全是偶数块的坏块比例较奇数块高的闪存，这样，测试时，可采用相同的测试方法。
步骤205：通过量产工具，根据闪存特性来扫描闪存的好坏块情况；
比如，若扫描的闪存特性是奇数块的坏块比例较偶数块高；则在扫描时，对偶数块扫描一次，对奇数块进行多次扫描。
若扫描的闪存特性是偶数块的坏块比例较奇数块高，则在扫描时，对奇数块扫描一次，对偶数块进行多次扫描。
在扫描闪存中，找出的闪存特性为，其闪存按顺序写入是正确的，但随机写入会出错，对于这种类型的闪存，就要重点多次扫描。
步骤206：根据扫描的结果，将闪存分为不同的等级。
一般来说，会将几乎没有坏块的闪存定义为I级；将只有少数的坏块的闪存定义为II级；依次累推。
虽然按照扫描结果将闪存分为了不同的等级，但是，由于闪存的不稳定性，扫描时的好块，如果在使用过程中发现是坏块的话，将会影响闪存的使用。
因此，为了更好地使用闪存芯片，将在分类的基础上，再对其进行动态补偿，以确保数据安全。
步骤207：首先在闪存中预留一组好块，将其定义为替换块。
步骤208：通过EDC(误码检测单元)及ECC(纠错单元)对闪存进行扫描，然后将信息反馈回来，将两种信息进行对比，即可发现其中是否有坏块，如果有，则用该组好块中的一个替换该坏块。
步骤209：被替换后的坏块，其可放置在该组好块后面。
若不断发现有坏块，当所有的好块替换完后，再将第一次被替换的坏块当作好块去替换。
采用这种方法，因为该闪存芯片已被精确分过类，因此其坏块数并不会很多，只是为了应付突然发现在的坏块数，并且，因为闪存本来的性能不稳定，有时其发现的坏块并不是真正的坏块，只是在扫描时认为的坏块，所以将坏块放在替换块后面，当下次有坏块时，就可以当作好块使用。
虽然通过实施例描绘了本发明，本领域普通技术人员知道，本发明有许多变形和变化而不脱离本发明的精神，希望所附的权利要求包括这些变形和变化而不脱离本发明的精神。
Claims (6)
1.一种闪存检测分类方法，其特征在于：包括
按照闪存类别抽出部分闪存样品；
用读、写操作模式扫描闪存样品；
根据扫描结果，找出闪存特性；
将特性相同的闪存分别设于控制芯片厂家生产的测试架上；
通过量产工具，根据闪存特性来扫描闪存的好坏块情况；
根据扫描的结果，将闪存分为不同的等级。
2.如权利要求1所述的闪存检测分类方法，其特征在于：在扫描闪存中，找出的闪存特性为，奇数块的坏块比例较偶数块高；则在通过量产工具对闪存进行再次扫描时，其对偶数块扫描一次，对奇数块进行多次扫描。
3.如权利要求1所述的闪存检测分类方法，其特征在于：在扫描闪存中，其找出的闪存特性为，偶数块的坏块比例较奇数块高；则在通过量产工具对闪存进行再次扫描时，对奇数块扫描一次，对偶数块进行多次扫描。
4.如权利要求1所述的闪存检测分类方法，其特征在于：在扫描闪存中，找出的闪存特性为，其闪存按顺序写入是正确的，但随机写入会出错。
5.如权利要求1～4所述的闪存检测分类方法，其特征在于：其还包括以下步骤：
将闪存中预留一组好块作为替换块；
通过检测，若发现有坏块，则将该组好块中的一块把坏块替换。
6.如权利要求5所述的闪存检测分类方法，其特征在于：其还包括以下步骤：将坏块放在该组好块后面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200710075784 CN101369463B (zh) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | 闪存检测分类方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200710075784 CN101369463B (zh) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | 闪存检测分类方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101369463A true CN101369463A (zh) | 2009-02-18 |
| CN101369463B CN101369463B (zh) | 2012-12-12 |
Family
ID=40413231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200710075784 Expired - Fee Related CN101369463B (zh) | 2007-08-17 | 2007-08-17 | 闪存检测分类方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101369463B (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010115332A1 (zh) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | 国民技术股份有限公司 | 闪存坏块的利用方法 |
| CN101901633A (zh) * | 2009-05-27 | 2010-12-01 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种移动存储设备生产方案 |
| CN102214108A (zh) * | 2010-04-12 | 2011-10-12 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种闪存存储设备的量产装置及量产方法 |
| CN102237115A (zh) * | 2011-08-03 | 2011-11-09 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种测试方法和相应的测试系统 |
| CN102236618A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-11-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种usb设备的量产方法及系统 |
| CN101859605B (zh) * | 2009-04-10 | 2013-05-01 | 国民技术股份有限公司 | 一种使用瑕疵闪存的方法 |
| US20170344575A1 (en) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | Netapp, Inc. | Methods for facilitating external cache in a cloud storage environment and devices thereof |
| CN108648779A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-10-12 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级的方法 |
| CN108806760A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-13 | 晶晨半导体(上海)股份有限公司 | 一种闪存的系统级测试方法 |
| CN109119123A (zh) * | 2018-07-20 | 2019-01-01 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种高中低阶闪存的分类方法 |
| CN109584943A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 成都华为技术有限公司 | 一种评估存储介质的方法及装置 |
| WO2019136978A1 (zh) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种提高闪存可利用率的方法 |
| WO2020015132A1 (zh) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种自动判断测试闪存数据速率的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7171536B2 (en) * | 2002-10-28 | 2007-01-30 | Sandisk Corporation | Unusable block management within a non-volatile memory system |
| CN1728284B (zh) * | 2004-07-26 | 2012-08-22 | 深圳市朗科科技股份有限公司 | 一种扫描闪存盘的闪存芯片的方法 |
-
2007
- 2007-08-17 CN CN 200710075784 patent/CN101369463B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010115332A1 (zh) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | 国民技术股份有限公司 | 闪存坏块的利用方法 |
| CN101859604B (zh) * | 2009-04-10 | 2012-10-24 | 国民技术股份有限公司 | 闪存坏块的利用方法 |
| CN101859605B (zh) * | 2009-04-10 | 2013-05-01 | 国民技术股份有限公司 | 一种使用瑕疵闪存的方法 |
| CN101901633A (zh) * | 2009-05-27 | 2010-12-01 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种移动存储设备生产方案 |
| CN102214108A (zh) * | 2010-04-12 | 2011-10-12 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种闪存存储设备的量产装置及量产方法 |
| CN102236618B (zh) * | 2011-06-15 | 2013-08-14 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种usb设备的量产方法及系统 |
| CN102236618A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-11-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种usb设备的量产方法及系统 |
| CN102237115A (zh) * | 2011-08-03 | 2011-11-09 | 深圳芯邦科技股份有限公司 | 一种测试方法和相应的测试系统 |
| US20170344575A1 (en) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | Netapp, Inc. | Methods for facilitating external cache in a cloud storage environment and devices thereof |
| CN109584943B (zh) * | 2017-09-28 | 2021-01-29 | 成都华为技术有限公司 | 一种评估存储介质的方法及装置 |
| CN109584943A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 成都华为技术有限公司 | 一种评估存储介质的方法及装置 |
| WO2019136978A1 (zh) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种提高闪存可利用率的方法 |
| CN108648779A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-10-12 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级的方法 |
| CN108648779B (zh) * | 2018-03-29 | 2021-08-27 | 深圳忆联信息系统有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级的方法 |
| CN108806760A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-13 | 晶晨半导体(上海)股份有限公司 | 一种闪存的系统级测试方法 |
| WO2019227844A1 (zh) * | 2018-06-01 | 2019-12-05 | 晶晨半导体(上海)股份有限公司 | 一种闪存的系统级测试方法 |
| US11145385B2 (en) | 2018-06-01 | 2021-10-12 | Amlogic (Shanghai) Co., Ltd. | System-level test method for flash memory |
| WO2020015132A1 (zh) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种自动判断测试闪存数据速率的方法 |
| WO2020015125A1 (zh) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种高中低阶闪存的分类方法 |
| CN109119123A (zh) * | 2018-07-20 | 2019-01-01 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种高中低阶闪存的分类方法 |
| CN109119123B (zh) * | 2018-07-20 | 2021-09-14 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种高中低阶闪存的分类方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101369463B (zh) | 2012-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101369463B (zh) | 闪存检测分类方法 | |
| US20190121730A1 (en) | Unaligned data coalescing | |
| US7743292B2 (en) | Apparatus and method for memory card testing | |
| CN110335635B (zh) | 用来管理一记忆装置的方法以及记忆装置与控制器 | |
| US8892812B2 (en) | Flash memory device and data writing method for a flash memory | |
| US9552287B2 (en) | Data management method, memory controller and embedded memory storage apparatus using the same | |
| CN101441891B (zh) | 一种提高闪存利用率的方法 | |
| US8812772B2 (en) | Data merging method for non-volatile memory and controller and storage apparatus using the same | |
| CN112347001B (zh) | 闪存垃圾回收的校验方法、装置及电子设备 | |
| CN107632778B (zh) | 一种Nand Flash扫描检测方法和系统 | |
| CN116230066A (zh) | 一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端 | |
| CN102237139A (zh) | 计算补偿电压与调整阀值电压方法及存储器装置与控制器 | |
| US10871909B2 (en) | Block management method, memory control circuit unit and apparatus using mapping tables and block recognition machine learning with block parameters as training data | |
| CN103106148B (zh) | 区块管理方法、存储器控制器与存储器存储装置 | |
| CN107577440B (zh) | 提高存储器寿命的方法 | |
| CN112802529A (zh) | 一种军工级Nand闪存的检测方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN102543184B (zh) | 存储器储存装置、其存储器控制器与数据写入方法 | |
| CN112905496A (zh) | 垃圾回收的方法、装置、可读存储介质及电子设备 | |
| US20100131808A1 (en) | Method For Testing Memory | |
| CN103218308B (zh) | 缓冲存储器管理方法、存储器控制器与存储器储存装置 | |
| CN101369462A (zh) | 一种用于瑕疵闪存动态补偿方法及装置 | |
| CN107481764B (zh) | 一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统 | |
| CN112347524A (zh) | 闪存编程方法、装置及电子设备 | |
| US11327770B2 (en) | Data storage devices, access device and data processing methods | |
| CN118466855B (zh) | 一种存储芯片及其数据压缩方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121212 Termination date: 20190817 |