CN116230066A - 一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端 - Google Patents

一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端 Download PDF

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Abstract

本文公开一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端，包括：对NAND闪存的颗粒，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试；根据测试的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级；其中，第一预设比例小于1；测试包括：读干扰测试和数据保持力测试，还包括以下一项或任意组合：读错误比特数的类别坏块统计测试、误码率测试和颗粒变化幅度测试。本发明实施例通过颗粒的物理块只写满预设比例的测试，实现了颗粒的质量等级的划分，提升了闪存存储器的可靠性区分，为闪存存储器在不同应用场景中的使用提供了数据支持。

Description

一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端
技术领域
本文涉及但不限于固态硬盘技术，尤指一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端。
背景技术
近些年来随着电子产品技术的高速发展，消费者对于电子存储产品的体验要求越来越高，更高速便捷的存储产品的需求也越来越大。由于NAND闪存(FLASH)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构和读写速度快等诸多特性，非常适合于手机和智能感应采集设备等便携式电子产品。固态硬盘就是一种以NAND闪存作为存储媒介的存储装置。
随着闪存技术的快速更新发展，NAND闪存由二维(2D)到三维(3D)发展，包括存储单元由单层单元(SLC)逐步发展到三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)在内的相关技术的出现，使得NAND闪存的存储密度变得更大，极大的降低了存储设备的成本，加快了传统硬盘到固态硬盘的技术迁移。
然而，NAND闪存虽然提高了存储密度，降低了单位容量的价格，但是由于基于NAND闪存的闪存存储器的氧化层被压缩的越来越薄，使得存储截至对擦写愈发敏感，降低了闪存存储器的使用寿命和可靠性。相关技术主要对闪存存储器的颗粒中的全部BLOCK执行擦、写和读操作后，对操作结果进行统计处理，确定颗粒的质量等级，且不同用户确定颗粒质量等级的标准不同，因此无法有效对闪存存储器的可靠性进行有效区分，影响了闪存存储器在不同要求的应用场景中使用。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本发明实施例提供一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端，能够提升闪存存储器的可靠性区分，为闪存存储器在不同应用场景中的使用提供了数据支持。
本发明实施例提供了一种实现质量等级划分的方法，包括：
对NAND闪存的颗粒，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试；
根据测试的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级；
其中，所述第一预设比例小于1；所述测试包括：读干扰测试和数据保持力测试，还包括以下一项或任意组合：读错误比特数的类别坏块统计测试、误码率测试和颗粒变化幅度测试。
另一方面，本发明实施例还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实现质量等级划分的方法。
再一方面，本发明实施例还提供一种终端，包括：存储器和处理器，所述存储器中保存有计算机程序；其中，
处理器被配置为执行存储器中的计算机程序；
所述计算机程序被所述处理器执行时实现如上述实现质量等级划分的方法。
本申请技术方案包括：对NAND闪存的颗粒，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试；根据测试的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级；其中，所述第一预设比例小于1；所述测试包括：读干扰测试和数据保持力测试，还包括以下一项或任意组合：读错误比特数的类别坏块统计测试、误码率测试和颗粒变化幅度测试。本发明实施例通过颗粒的物理块只写满预设比例的测试，实现了颗粒的质量等级的划分，提升了闪存存储器的可靠性区分，为闪存存储器在不同应用场景中的使用提供了数据支持。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为本发明实施例实现质量等级划分的方法的流程图；
图2为本发明应用示例执行测试的方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
图1为本发明实施例实现质量等级划分的方法的流程图，如图1所示，包括：
步骤101、对NAND闪存的颗粒，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试；
步骤102、根据测试的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级；
其中，第一预设比例小于1；测试包括：读干扰测试和数据保持力测试，还包括以下一项或任意组合：读错误比特数的类别坏块统计测试、误码率测试和颗粒变化幅度测试。
本发明实施例通过颗粒的物理块只写满预设比例的测试，实现了颗粒的质量等级的划分，提升了闪存存储器的可靠性区分，为闪存存储器在不同应用场景中的使用提供了数据支持。
在一种示例性实例中，本发明实施例对物理块通过执行上述测试，根据测试不同，参照相关技术获得坏块数、块错误比特数、块读取比特数、块平均擦写时间和块平均编程时间等测试结果。
本发明实施例对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试的处理，可以参照对颗粒中的全部BLOCK执行的测试进行处理。
在一种示例性实例中，本发明实施例中执行测试的物理块的第一预设比例根据物理块中包含的字道数确定。
在一种示例性实例中，本发明实施例测试包括读错误比特数的类别坏块统计测试时，读错误比特数的类别坏块统计测试，包括：
单平面(PLANE)内物理块(BLOCK)读取时，与NAND闪存原始出厂时探测出的第二坏块的数量相比，新增的第一坏块数量的统计测试；和/或，
单平面内物理块读取时，总坏块的统计测试，总坏块包括：第一坏块和NAND闪存原始出厂时探测出的第二坏块的和。
在一种示例性实例中，本发明实施例中的第一预设比例包括以下一项或任意组合：四分之一、二分之一和四分之三。本发明实施例预设比例可以由本领域技术人员设置和调整；不同的测试，预设比例可以相同，也可以不同。
在一种示例性实例中，本发明实施例中的两个以上质量等级包括：
无法运行使用的第一等级、第二等级和第三等级；
其中，第三等级包括企业级或工业级、第二等级处于第一等级和第三等级之间。
在一种示例性实例中，本发明实施例中的第二等级可以包括：消费级和/或民用级；第三等级可以包括：企业级、工业级及以上更高品级。
在一种示例性实例中，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，本发明实施例方法还包括：
通过下载到NAND闪存的测试程序执行开卡测试；
开卡测试过程中，颗粒的物理块(BLOCK)0出现NAND指令级别的返回错误时，将该颗粒归类为第一等级。
在一种示例性实例中，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，本发明实施例方法还包括：
NAND闪存的颗粒，如果原始出厂时单平面探测出的第二坏块的数量大于第一阙值，将该颗粒归类为第二等级。
在一种示例性实例中，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，本发明实施例方法还包括：
在预先确定的每一个大于第一预设温度的第一测试温度下，对颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试；
颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试后，颗粒的坏块数大于预先设定的第二阈值时，将该颗粒归类为第二等级。
在一种示例性实例中，本发明实施例中的第一预设温度取值为70摄氏度～85摄氏度之间的一个值。
在一种示例性实例中，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，本发明实施例方法还包括：
在预先确定的每一个小于第二预设温度的第二测试温度下，对颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试；
颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试后，颗粒的坏块数大于预先设定的第三阈值时，将颗粒归类为第二等级。
在一种示例性实例中，本发明实施例方法还包括：
对NAND闪存的颗粒，对颗粒中第二预设比例的物理块执行测试；
根据对颗粒中第二预设比例的物理块执行测试的测试结果，对颗粒执行质量等级的归类；
其中，第二预设比例等于1。
本发明实施例中第二预设比例等于1，相当于参照相关技术对闪存存储器的颗粒中的全部BLOCK执行擦、写和读操作，对操作结果进行统计处理，确定颗粒的质量等级，换句话说，本发明实施例通过设置第二预设比例为1，实现在TLC的测试模式下，对BLOCK进行全部写完的CLOSE BLOCK测试。
在一种示例性实例中，本发明实施例方法还包括：
对颗粒执行指令级错误坏块统计；
根据指令级错误坏块统计的结果，对颗粒执行质量等级的归类。
在一种示例性实例中，本发明实施例可以在对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，执行对颗粒执行指令级错误坏块统计的处理。
在一种示例性实例中，本发明实施例根据测试的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级，包括：
将测试的结果，与预先设定的与各种类测试的结果对应的阈值进行比对；根据与预先设定的与各种类测试的结果对应的阈值进行比对的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级。
本发明实施例还提供一种计算机存储介质，计算机存储介质中存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述实现质量等级划分的方法。
本发明实施例还提供一种终端，包括：存储器和处理器，存储器中保存有计算机程序；其中，
处理器被配置为执行存储器中的计算机程序；
计算机程序被处理器执行时实现如上述实现质量等级划分的方法。
以下通过应用示例对本发明实施例进行简要说明，应用示例仅用于陈述本发明实施例，并不用于限定本发明实施例的保护范围。
应用示例
本应用示例对NAND闪存的颗粒进行测试，并根据测试结果进行颗粒质量等级的归类；本应用示例中的质量等级包括第一等级(BIN0类品)、第二等级(BIN1类品)和第三等级(BIN2类品)；其中，第三等级为筛选测试数据表现良好，可以将其用于环境条件严格的产品中使用，包括但不限于企业级，工业级，甚至军工级等情况；第二等级：筛选测试数据表现一般/偏差，可以用于环境条件普通的产品使用，包括但不限于民用级或消费级；第一等级：颗粒封装后无法进行开卡或者擦写读使用，属于无法运行使用的等级，可以直接废弃回收。本应用示例中的颗粒一旦完成质量等级的归类，即停止后续测试；需要说明的是，本应用示例后续测试的执行顺序，可以由技术人员参照相关原理进行设置和调整。
图2为本发明应用示例执行测试的方法流程图，如图2所示，包括：
步骤201、对NAND闪存的颗粒执行开卡测试；本应用示例参照相关技术通过下载到NAND闪存的测试程序执行开卡测试，一般NAND闪存的物理块(BLOCK)0为承接测试程序的主要载体，如果颗粒的BLOCK 0出现擦(ERASE)、读(READ)或写(WRITE)等NAND指令级别的返回错误，由于BLOCK 0作为测试程序的主要载体，出现问题必然是影响其运行使用的问题，因此，本应用示例直接将该颗粒归类为第一等级，不再参与后续测试。
开卡测试时，本应用示例查看NAND闪存的颗粒的所有硬件模块(DIE，是晶圆上的小方块，一个芯片里可能封装若干个DIE)的出厂坏块的情况，以平面(PLANE，一个PLANE就是一个存储矩阵，包括若干个Block)为单位进行汇总，如果单PLANE原始出厂时探测出的第二坏块的数量大于第一阙值，则将该颗粒直接归类为第二等级；本应用示例中的第二坏块为：出厂的时候，制造商在NAND闪存的DIE中探测标记的BAD BLOCK，此BAD BLOCK不可以进行擦、写和读操作，如果NAND闪存的DIE在出厂制造的时候就带有大于第一阈值的第二坏块，则第二坏块会减少用户的可用空间，空间感知快速降低到一个情况则认为颗粒质量较差，本应用示例将该颗粒的判定为第二等级。
步骤202、在预先确定的每一个大于第一预设温度的第一测试温度下，对颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试，并根据测试结果对颗粒进行归类处理；根据测试结果对颗粒进行归类处理，包括：低于预先设定的第一阈值时继续测试，高于预先设定的第一阙值时，将颗粒归类为第二等级，不再进行后续测试；第一预设温度可以取70～85之间的一个数值。
步骤203、在预先确定的每一个小于第二预设温度的第二测试温度下，对颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试，并根据测试结果对颗粒进行归类处理；根据测试结果对颗粒进行归类处理，包括：低于预先设定的第三阙值时继续测试，高于预先设定的第三阙值时，将该颗粒归类为第二等级，不再进行后续测试；第二预设温度可以由技术人员根据低温测试需求进行分析确定。
步骤204、在第一测试温度和/或第二测试温度下对颗粒的全部BLOCK执行擦、写和读操作后，对操作结果进行统计处理，确定颗粒的质量等级；应用示例对操作结果进行统计处理，确定颗粒的质量等级，包括：
BLOCK擦、编程(PROGRAM)或读的指令级错误坏块统计：
颗粒在出厂后理论上不会出现坏块数大于第四阙值的BLOCK指令级的错误，如果出现坏块数大于第四阙值的BLOCK指令级的错误，应用示例将颗粒归类为第二等级，停止该颗粒执行后续测试；
读错误比特数的(READ ERROR BIT NUM)的类别坏块统计：
在SLC/TLC模式测试下，本应用示例定义READ的第一错误阈值(EOT，ERROR OVERTHROLD)，此第一EOT一般为ERROR BIT NUM/READ DATA ONE TIME，可以记作(X BITS/Y KDATA)，每次CLOSE BLOCK READ测试指令时出现ERROR BITS超过第一EOT时，将测试的BLOCK标记为第一坏块(LATER BAD BLOCK)。单PLANE内测试BLOCK读时，超过第一EOT的新增的第一坏块个数小于或等于第五阙值，新增的第一坏块个数大于第五阙值时，判定该NAND闪存的颗粒在读取时不稳定，将该颗粒归类为第二等级，不再进行后续测试。
本应用示例执行上述测试后，本应用示例执行步骤205；
步骤205、对NAND闪存的颗粒中第一预设比例的物理块执行测试，根据测试的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级。
本应用示例将颗粒中N分之一的物理块，用OPEN BLOCK 1/N表示；
在一种示例性实例中，本应用示例在SLC/TLC模式测试下，定义一个READ的第二EOT，每次对颗粒中四分之一的物理块进行读的(本文简称为OPEN BLOCK 1/4READ，标识对物理块中的四分之一的字道(Word line)进行读)测试指令时，如果ERROR BITS超过这个第二EOT，则将正在测试读取的BLOCK标记为第一坏块(LATER BAD BLOCK)。单PLANE内测试BLOCK读取时，新增第一坏块的个数小于或等于第六阙值时，继续后续测试，新增第一坏块的个数大于第六阙值时，判定该颗粒在读取时是非常不稳定，将该颗粒归类为第二等级，不再进行后续测试；
在SLC/TLC模式测试下，定义一个READ的第三EOT，每次OPEN BLOCK 1/2READ测试指令时，如果ERROR BITS超过第三EOT，则将正在读的BLOCK标记为第一坏块。单PLANE内测试BLOCK读时，超过第三EOT的新增的第一坏块个数小于或等于第七阙值时，继续执行后续测试，新增的第一坏块个数大于第七阙值时，判定此NAND闪存的颗粒在读取的时是非常不稳定的，将该颗粒归类为第二等级，不再进行后续测试；
在SLC/TLC模式测试下，定义一个READ的第四EOT，每次OPEN BLOCK 3/4READ测试指令时，如果ERROR BITS超过第四EOT，则将正在读的BLOCK标记为第一坏块。单PLANE内测试BLOCK读时，超过第四EOT的新增的第一坏块个数小于或等于第八阙值时，继续执行后续测试，新增的第一坏块个数大于第八阙值时，判定此NAND闪存的颗粒在读时是非常不稳定的，要将该颗粒归类为第二等级，不再进行后续测试。
在SLC模式测试下，单PLANE内第二坏块与新增的第一坏块的和小于或等于第九阙值时，继续执行后续测试，大于第七阈值时，将该颗粒归类为第二等级；
在TLC CLOSE BLOCK模式测试下，单PLANE内第二坏块与新增的第一坏块的和小于或等于第十阙值时，继续执行后续测试，大于第十阙值时，将该颗粒归类为第二等级；
在TLC OPEN BLOCK 1/4模式测试下，单PLANE内第二坏块与新增的第一坏块的和小于或等于第十一阙值时，继续执行后续测试，大于第十一阙值时，将该颗粒为第二等级；
在TLC OPEN BLOCK 1/2模式测试下，单PLANE内第二坏块与新增的第一坏块的和小于或等于第十二阙值时，继续执行后续测试，大于第十二阙值时，将该颗粒归类为第二等级；
在TLC OPEN BLOCK 3/4模式测试下，单PLANE内第二坏块与新增的第一坏块的和小于或等于第十三阙值时，继续执行后续测试，大于第十三阙值时，将该颗粒归类为第二等级；
执行步骤205之后，本发明应用示例执行步骤206-208的处理；
步骤206、根据误码率，对颗粒进行归类处理；
本应用示例误码率计算标准为BLOCK ERROR BIT NUM/BLOCK READ BIT NUM，误码率的正常数值范围一般在0.01％～0.02％，出现过高的情况则认定颗粒为第二等级，颗粒的归类处理包括：
SLC误码率大于第一误码率阙值时，将该颗粒归类为第二等级；
TLC CLOSE BLOCK误码率大于第二误码率阙值时，将该颗粒归类为第二等级；
TLC OPEN BLOCK 1/4误码率大于第三误码率阙值时，将该颗粒归类为第二等级；
TLC OPEN BLOCK 1/2误码率大于第四误码率阙值时，将该颗粒归类为第二等级；
TLC OPEN BLOCK 3/4误码率大于第五误码率阙值时，将该颗粒归类为第二等级；
步骤207、根据颗粒的变化幅度情况，对颗粒进行归类处理；本应用示例在进行颗粒变化幅度测试时，用颗粒的物理块平均擦写时间和平均编程时间为基准，衡量测试颗粒的变化幅度情况，幅度差值过大，则表明测试颗粒不稳定，将该颗粒归类为第二等级；
SLC物理块平均擦写时间(BLOCK ERASE TIME)/平均编程时间(PROGRAMTIME)大于第一幅度差值阙值时，将该颗粒归类为第二等级，小于第一幅度差值阈值时，继续后续测试；
TLC CLOSE BLOCK ERASE TIME/PORGRAMTIME大于第二幅度差值阙值时，将该颗粒归类为第二等级，小于第二幅度差值阈值时，继续后续测试；
TLC 1/4物理块平均擦写时间(OPEN BLOCK 1/4ERASE TIME)/PORGRAMTIME大于第三幅度差值阙值时，将该颗粒归类为第二等级，小于第三幅度差值阈值时，继续后续测试；
TLC 1/2物理块平均擦写时间(OPEN BLOCK 1/2ERASE TIME)/PORGRAM TIME大于第四幅度差值阙值时，将该颗粒归类为第二等级，小于第四幅度差值阈值时，继续后续测试；
TLC 3/4物理块平均擦写时间(OPEN BLOCK 3/4ERASE TIME)/PORGRAMTIME大于第五幅度差值阙值时，将该颗粒归类为第二等级，小于第五幅度差值阈值时，继续后续测试；
步骤208、对颗粒执行读干扰测试，并根据读干扰测试的结果对颗粒进行归类处理；
在一种示例性实例中，本应用示例中的读干扰测试是一项必要的测试，由于其测试时间非常持久，只需要每个NAND闪存的颗粒中找到在前测试中ERROR BITS超过预先设定的第五EOT的BLOCK进行测试即可；测试方式为针对这个BLOCK连续读取N次，并提前设置好读的EOT，如果超过了这个EOT，则认为读干扰测试为通过，将此颗粒归类为第二等级；具体的，
SLC BLOCK READ DISTER设置第六EOT，读过程中错误比特数大于第六EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
CLOSE BLOCK READ DISTER设置第七EOT，读过程中错误比特数大于的第七EOT时，将该颗粒归类为第二等级；；
OPEN BLOCK 1/4READ DISTER设置第八EOT，读过程中错误比特数大于第八EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
OPEN BLOCK 1/2READ DISTER设置第九EOT，读过程中错误比特数大于第九EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
OPEN BLOCK 3/4READ DISTER设置第十EOT，读过程中错误比特数大于第十EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
步骤209、对颗粒执行数据保持力测试，并根据数据保持力测试的结果对颗粒进行归类处理；
数据保持力测试(Data Retention Test)，本应用示例参考JESD219标准，一般采用高温烤箱烘烤，模拟NAND FLASH电子流失过程达到快速测试的目的。选择高温烤箱在第一温度下烘烤第一时长，模拟数据在第二温度下断电环境下保存预设时间段的电子流失情况，然后用读取BLOCK的数据获得BIT错误反转情况，对品质进行划分：
SLC BLOCK READ的错误比特数超过第十一EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
CLOSE BLOCK READ的错误比特数超过第十二EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
OPEN BLOCK 1/4READ的错误比特数超过第十三EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
OPEN BLOCK 1/2READ的错误比特数超过第十四EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
OPEN BLOCK 3/4READ的错误比特数超过第十五EOT时，将该颗粒归类为第二等级；
执行步骤201-209的处理之后，本应用示例将经过以上测试后剩余的颗粒，归类为第三等级，第三等级理论上是筛选后留存的为CTLC高品质颗粒，未来表现会比筛下去的第二等级的颗粒表现会更好。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

Claims (15)

1.一种实现质量等级划分的方法，包括：
对NAND闪存的颗粒，对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试；
根据测试的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级；
其中，所述第一预设比例小于1；所述测试包括：读干扰测试和数据保持力测试，还包括以下一项或任意组合：读错误比特数的类别坏块统计测试、误码率测试和颗粒变化幅度测试。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行测试的物理块的第一预设比例根据所述物理块中包含的字道数确定。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试包括所述读错误比特数的类别坏块统计测试时，所述读错误比特数的类别坏块统计测试，包括：
单平面内所述物理块读取时，与所述NAND闪存原始出厂时探测出的第二坏块的数量相比，新增的第一坏块数量的统计测试；和/或，
所述单平面内所述物理块读取时，总坏块的统计测试，所述总坏块包括所述第一坏块和所述NAND闪存原始出厂时探测出的第二坏块。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设比例包括以下一项或任意组合：四分之一、二分之一和四分之三。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述两个以上质量等级，包括：
无法运行使用的第一等级、第二等级和第三等级；
其中，所述第三等级包括企业级或工业级、所述第二等级处于所述第一等级和所述第三等级之间。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，所述方法还包括：
通过下载到所述NAND闪存的测试程序执行开卡测试；
所述开卡测试过程中，所述颗粒的物理块0出现NAND指令级别的返回错误时，将该颗粒归类为所述第一等级。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，所述方法还包括：
所述NAND闪存的颗粒，如果原始出厂时单平面探测出的第二坏块的数量大于预先设定的第一阙值，将该颗粒归类为所述第二等级。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，所述方法还包括：
在预先确定的每一个大于第一预设温度的第一测试温度下，对颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试；
所述颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试后，颗粒的坏块数大于预先设定的第二阈值时，将该颗粒归类为所述第二等级。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度取值为70摄氏度～85摄氏度之间的一个值。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对颗粒中第一预设比例的物理块执行测试之前，所述方法还包括：
在预先确定的每一个小于第二预设温度的第二测试温度下，对颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试；
所述颗粒的全部物理块进行擦、写和读测试后，颗粒的坏块数大于预先设定的第三阈值时，将该颗粒归类为所述第二等级。
11.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述颗粒中第二预设比例的物理块执行测试；
根据对所述颗粒中第二预设比例的物理块执行测试的测试结果，对所述颗粒执行质量等级的归类；
其中，所述第二预设比例等于1。
12.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述颗粒执行指令级错误坏块统计；
根据所述指令级错误坏块统计的结果，对所述颗粒执行质量等级的归类。
13.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据测试的结果，将颗粒归类为两个以上质量等级，包括：
将所述测试的结果，与预先设定的与各种类测试的结果对应的阈值进行比对；
根据与预先设定的与各种类测试的结果对应的阈值进行比对的结果，将所述颗粒归类为两个以上质量等级。
14.一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-13中任一项所述的实现质量等级划分的方法。
15.一种终端，包括：存储器和处理器，所述存储器中保存有计算机程序；其中，
处理器被配置为执行存储器中的计算机程序；
所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-13中任一项所述的实现质量等级划分的方法。
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