CN109119123B - 一种高中低阶闪存的分类方法 - Google Patents

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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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Abstract

本发明公开了一种高中低阶闪存的分类方法，包括以下步骤：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照结果设定双数据速率或单数据速率；设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将闪存分类为低阶闪存；设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；判断是否有擦除失败的块；判断是否有写入失败的块；判断是否有使用坏行，分别分类为中阶闪存、高阶闪存，该发明可以高效的将高中低阶闪存分类，较传统分类方法，分类速率提高近两倍。

Description

一种高中低阶闪存的分类方法
技术领域
本发明涉及闪存分类方法技术领域，具体为一种高中低阶闪存的分类方法。
背景技术
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
闪存，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成，此外，不能正常读写的页则属于坏页，所有页都坏的称为坏块，一般的分类方式只能单纯分出高阶或中低阶的闪存颗粒，如果需要将一组颗粒明确的分出高中低阶的等级，则会使用两套方法，花上将近两倍时间。尤其颗粒容量日益渐大，所花上的时间成本是很惊人的，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高中低阶闪存的分类方法，可以高效的将高中低阶闪存分类，较传统分类方法，分类速率提高近两倍，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高中低阶闪存的分类方法，包括以下步骤：
步骤一：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照闪存的数据速率类型结果设定双数据速率或单数据速率；
步骤二：设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将闪存分类为低阶闪存；
步骤三：设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；
步骤四：判断是否有擦除失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤五：判断是否有写入失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤六：判断是否有使用坏行，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤七：判断好块是否大于等于98%，如果没有，分类为中阶闪存，如果有，则分类为高阶闪存。
优选的，步骤一中闪存为非易失性的存储器装置，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成。
优选的，步骤一中自动判断测试闪存数据速率的方法通过闪存读写、擦除传输速度判定。
优选的，步骤二或三中坏行测试通过Kingsound、MyDiskTest、Check Flash、DieSorting其中一种工具进行测试。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
可以高效的将高中低阶闪存分类，较传统分类方法，分类速率提高近两倍。
附图说明
图1为本发明分类方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种高中低阶闪存的分类方法，包括以下步骤：
步骤一：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照闪存的数据速率类型结果设定双数据速率或单数据速率；
步骤二：设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将闪存分类为低阶闪存；
步骤三：设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；
步骤四：判断是否有擦除失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤五：判断是否有写入失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤六：判断是否有使用坏行，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤七：判断好块是否大于等于98%，如果没有，分类为中阶闪存，如果有，则分类为高阶闪存。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (4)

1.一种高中低阶闪存的分类方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：首先使用自动判断测试闪存数据速率的方法，依照闪存的数据速率类型结果设定双数据速率或单数据速率；
步骤二：设定为单数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为单平面检测模式，接着对闪存进行擦除，进行读写比对分类测试，最后将闪存分类为低阶闪存；
步骤三：设定为双数据速率路线的，首先进行坏行测试，将闪存设定为多平面检测模式，接着对闪存进行擦除并记录擦除失败的块，进行读写比对分类测试并记录写入失败的块；
步骤四：判断是否有擦除失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤五：判断是否有写入失败的块，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤六：判断是否有使用坏行，如果有，分类为中阶闪存，如果没有，进入下一步；
步骤七：判断好块是否大于等于98%，如果没有，分类为中阶闪存，如果有，则分类为高阶闪存。
2.根据权利要求1所述的一种高中低阶闪存的分类方法，其特征在于：所述步骤一中闪存为非易失性的存储器装置，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成。
3.根据权利要求1所述的一种高中低阶闪存的分类方法，其特征在于：所述步骤一中自动判断测试闪存数据速率的方法通过闪存读写、擦除传输速度判定。
4.根据权利要求1所述的一种高中低阶闪存的分类方法，其特征在于：所述步骤二或三中坏行测试通过Kingsound、MyDiskTest、Check Flash、DieSorting其中一种工具进行测试。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113053450B (zh) * 2021-03-05 2024-09-13 深圳三地一芯电子股份有限公司 一种应用于Flash智能分析检测的检测方法、系统、智能终端以及计算机可读存储介质
CN116880782B (zh) * 2023-09-08 2023-12-05 合肥康芯威存储技术有限公司 一种内嵌式存储器及其测试方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101369463A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 芯邦科技（深圳）有限公司 闪存检测分类方法
CN101441891A (zh) * 2007-11-19 2009-05-27 芯邦科技（深圳）有限公司 一种利用闪存的方法
CN101789259A (zh) * 2009-01-22 2010-07-28 银灿科技股份有限公司 应用于快闪存储器的阶层化分层处理数据的方法及其装置
CN102890971A (zh) * 2012-10-22 2013-01-23 上海宏力半导体制造有限公司 存储器的可靠性测试方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7730368B2 (en) * 2003-10-31 2010-06-01 Sandisk Il Ltd. Method, system and computer-readable code for testing of flash memory
DE102014115885B4 (de) * 2014-10-31 2018-03-08 Infineon Technologies Ag Funktionstüchtigkeitszustand von nicht-flüchtigem Speicher

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101369463A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 芯邦科技（深圳）有限公司 闪存检测分类方法
CN101441891A (zh) * 2007-11-19 2009-05-27 芯邦科技（深圳）有限公司 一种利用闪存的方法
CN101789259A (zh) * 2009-01-22 2010-07-28 银灿科技股份有限公司 应用于快闪存储器的阶层化分层处理数据的方法及其装置
CN102890971A (zh) * 2012-10-22 2013-01-23 上海宏力半导体制造有限公司 存储器的可靠性测试方法

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