JP2005339231A - メモリカード、半導体装置、及び半導体メモリの制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ブロックA内の9番目の領域(LBA8)に対してデータ書込要求が発生した場合、まず、当該9番目の領域(LBA8)に対して書込が要求されている新データを、ブロックB内の1番目(先頭)の領域に書き込む(S21)。このとき、書込要求の対象となっている領域のアドレス(例えばブロックアドレスもしくはページアドレス)の値nに関係なく、書込が要求されている新データをブロックBの先頭領域に書き込むと共に、そのアドレスの値nを共通するページ上の冗長部に書き込む。続いて、ブロックA内の10〜16番目の領域(LBA9〜LBA15)のデータを、ブロックB内の先頭領域に後続する2〜8番目の領域にコピーし(S22)、最後に、ブロックA内の1〜8番目の領域(LBA0〜LBA7)のデータを、ブロックB内の9〜16番目の領域にコピーする(S23)。
【選択図】 図12
Description
図1は、本発明の一実施形態に係るメモリカードに搭載されるデバイス類の概略構成を示す斜視図である。
本実施形態に係るメモリカード1は、図示のように、PCB(Printed Circuit Board)基板2上にNAND型フラッシュメモリ3及びコントローラ4が配置されたものとなっている。上記コントローラ4には、CPU(Central Processing Unit)8やROM(Read-Only Memory)9などの機能ブロックが搭載されている。各デバイスの詳細については後で述べる。なお、NAND型フラッシュメモリ3は、1つのメモリセルに1ビットの情報を記憶する2値メモリであっても良いし、1つのメモリセルに1ビットより多い情報(例えば2ビット)を記憶する多値メモリであっても良い。また、図1では、PCB(Printed Circuit Board)基板2上にNAND型フラッシュメモリ3及びコントローラ4が配置された場合を示したが、NAND型フラッシュメモリ3及びコントローラ4は、同一のLSI(Large-scale Integration)基板上に配置されても良い。
ホスト20が想定しているフラッシュメモリでは、各ページは528Byte(512Byte分のデータ記憶部+16Byte分の冗長部)を有しており、32ページ分が1つの消去単位(即ち、16kByte+0.5kByte(ここで、kは1024))となる。以下では、このようなフラッシュメモリを搭載したカードを、「小ブロックカード」と称す場合がある。
ホスト20側から送られてくるコマンドのパケットは、図5(a)に示されるように、コマンド種別情報(ここでは「書込」),アドレス(物理ブロックアドレス),データ(コンテンツなどの実データ及び付随データ(512Byte+16Byte))といった各種情報を含んでいる。
このようなフォーマットのパケットにおいては、図5(b)に示されるように、付随データ16Byte中の所定の位置に小ブロックカードの「論理ブロックアドレス」(アクセス対象となる16Byteブロックに対応する論理アドレス)が配置されている。大ブロックカードは、コマンド種別情報,物理ブロックアドレス,データを取得するほか、特に上記「論理ブロックアドレス」を取得する。なお、この「論理ブロックアドレス」は、読出コマンドの場合には付加されない。
ホスト20側(同図の左側)では、小ブロックカードの論理アドレスに基づく16kByteブロック単位のシーケンシャルな書込操作の発生時に、小ブロックカードの物理ブロックアドレスによる16kByteブロック単位のランダムな書込操作を行う。
大ブロックカードでは、消去単位である256kByte物理ブロックの中に、ホスト20側が管理する単位である16kByteに相当するデータを書き込むためのブロック(以下、ホスト管理ブロックと称す)が16個分含まれている。データ書込の際には、小ブロックカードの論理ブロックアドレスの順に個々のデータが配置される。
ここでは、NAND型フラッシュメモリ3上において、データが既に書き込まれているブロックA内のLBA8で表された9番目の領域(即ち、図7における「ホスト管理ブロック8」(ページ8個分で構成される領域))に対してデータ書込要求が発生した場合の、データ消去済みのブロックBへの書込動作を例に挙げる。なお、ブロックA内では、当該9番目の領域以外の領域に対するデータ書込要求は発生しなかったものとする。この場合の書込動作は、本実施形態ではコントローラ4(図1,図2を参照)によって制御され、具体的にはROM9からRAM10上にロードされた制御プログラムを実行するCPU8やメモリインタフェース部5を通じて制御される。
なお、ブロックBへのデータ書込が終了した後は、ブロックA上のデータを消去する。この消去は、メモリカードがレディ状態になったことを示した後に行うようにしてもよい。
ここでは、NAND型フラッシュメモリ3上において、データが既に書き込まれているブロックC内のLBA0で表された先頭領域に対してデータ書込要求が発生し、且つ、ブロックD内のLBA31で表された最終領域に対してデータ書込要求が発生した場合の、データ消去済みのブロックEおよびブロックFへの書込動作を例に挙げる。
Claims (9)
- 所定の消去ブロックサイズを有する半導体メモリにおいて既にデータが書き込まれている第1のブロック内のある領域に対してデータ書込要求が発生した場合、当該領域のアドレスの値に関係なく、データが消去済みである第2のブロックの先頭領域に前記書込要求のデータを書き込むことを特徴とする半導体装置。
- 前記第2のブロックの先頭領域に、前記書込要求のデータと共に前記アドレスを書き込むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のブロック内のある領域に対してデータ読出要求が発生した場合、当該第2のブロック内の前記先頭領域に書き込まれている前記アドレスに基づいて、データ読出対象のデータが書き込まれている位置を求めることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1のブロック内の他の領域に対してデータ書込要求が無ければ、前記書込要求の対象とされた領域のデータを除く前記第1のブロック内のデータを、前記第2のブロック内の先頭領域以外の領域にコピーすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 所定の消去ブロックサイズを有する不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリにおいて既にデータが書き込まれている第1のブロック内のある領域に対してデータ書込要求が発生した場合、当該領域のアドレスの値に関係なく、データが消去済みである第2のブロックの先頭領域に前記書込要求のデータを書き込むコントローラと、
を具備することを特徴とするメモリカード。 - 第1の消去ブロックサイズを有する半導体メモリに対してアクセスを実行する半導体装置において、
前記第1の消去ブロックサイズを有する半導体メモリにおける第1のアドレスと前記第1の消去ブロックサイズよりも小さい第2の消去ブロックサイズを有する半導体メモリにおける第2のアドレスとの対応付けを管理し、
前記半導体メモリにおいて既にデータが書き込まれている第1のブロック内の前記第2の消去ブロックサイズに相当する領域に対してデータ書込み要求が発生した場合、当該領域のアドレスの値に関係なく、データが消去済みである第2のブロックの先頭領域に前記書込み要求のデータを書き込むことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2のアドレスは論理ブロックアドレスを含み、
前記第1のブロック内の他の領域に対してデータ書込要求が無ければ、前記書込要求の対象とされた領域のデータを除く前記第1のブロック内のデータを、前記第2のブロックの先頭領域に書き込まれたデータに対して前記論理ブロックアドレスが連続するように前記第2のブロックにコピーすることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 所定の消去ブロックサイズを有する半導体メモリの制御方法において、
前記半導体メモリにおいて既にデータが書き込まれている第1のブロック内のある領域に対してデータ書込要求が発生した場合、当該領域のアドレスの値に関係なく、データが消去済みである第2のブロックの先頭領域に前記書込要求のデータを書き込むための制御を行うことを特徴とする半導体メモリの制御方法。 - 第1の消去ブロックサイズを有する半導体メモリの制御方法において、
前記第1の消去ブロックサイズを有する半導体メモリにおける第1のアドレスと前記第1の消去ブロックサイズよりも小さい第2の消去ブロックサイズを有する半導体メモリにおける第2のアドレスとの対応付けを管理し、
前記半導体メモリにおいて既にデータが書き込まれている第1のブロック内の前記第2の消去ブロックサイズに相当する領域に対してデータ書込み要求が発生した場合、当該領域のアドレスの値に関係なく、データが消去済みである第2のブロックの先頭領域に前記書込み要求のデータを書き込むための制御を行うことを特徴とする半導体メモリの制御方法。
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