JP2008004953A - 半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 - Google Patents

半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008004953A
JP2008004953A JP2007203754A JP2007203754A JP2008004953A JP 2008004953 A JP2008004953 A JP 2008004953A JP 2007203754 A JP2007203754 A JP 2007203754A JP 2007203754 A JP2007203754 A JP 2007203754A JP 2008004953 A JP2008004953 A JP 2008004953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
semiconductor module
electrode side
case
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007203754A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008004953A5 (ja
JP4538474B2 (ja
Inventor
Koichi Hachiman
光一 八幡
Kinya Nakatsu
欣也 中津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2007203754A priority Critical patent/JP4538474B2/ja
Publication of JP2008004953A publication Critical patent/JP2008004953A/ja
Publication of JP2008004953A5 publication Critical patent/JP2008004953A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4538474B2 publication Critical patent/JP4538474B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Abstract

【課題】
平滑用コンデンサを内蔵することができると共に、小型化及び低コスト化を図ることができる半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置を提供する。
【解決手段】
上記課題は、モジュールケース7と、モジュールケース7に設けられたベース1と、ベース1に載置され、表面に配線部材を有するセラミックス基板2と、セラミックス基板2上に載置され、配線部材に電気的に接続されたパワー半導体素子3と、パワー半導体素子3に電気的に接続されたリードフレーム6と、パワー半導体素子3に電気的に接続された出力側導電性部材と、リードフレーム6に電気的に接続された平滑用コンデンサ64とを有するものにおいて、平滑用コンデンサ64を、モジュールケース7に固定されたコンデンサ素子10と、コンデンサ素子10とリードフレーム6とを電気的に接続する複数のコンデンサ端子11とを有するものから構成することにより解決することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置に関する。
電源から供給された電力を所定の電力に変換する電力変換装置には、直流電力の変動を抑制するための平滑用コンデンサが電気的に並列接続されている。平滑用コンデンサには一般的に電解コンデンサが用いられている。電解コンデンサは内部抵抗が大きく、インバータ装置の出力電流に比例して流れるリップル電流によって内部発熱が大きくなるので、半導体モジュール部のヒートシンク上に実装される。また、平滑用コンデンサには、特許文献1に記載されているようにセラミックスコンデンサを用いるものもある。
特開2000−350474号公報
電気自動車やハイブリッド電気自動車などの電動車両に用いられる電力変換装置、例えばバッテリから供給された直流電力を交流電力に変換し、電機負荷である交流電動機に供給するインバータ装置には、電動車両の低価格化,一充電あたりの走行距離の向上,燃費向上,実装スペースの縮小化などから小型化及び低価格化が要求されている。このため、特許文献1に記載されているように、平滑用コンデンサを半導体モジュール内に内蔵するなどの手段を講じ、電力変換装置の小型化を図ることが好ましい。
しかし、特許文献1に記載されたものでは、表面に導電パターンが施された平滑用コンデンサ基板にセラミックスコンデンサを実装し、導電パターンと正極入力配線及び負極入力配線とを専用配線で電気的に接続するというように、セラミックスコンデンサを半導体モジュールに内蔵するにあたって、コンデンサを構成する部品及び半導体モジュールを構成する部品以外の部品が必要になるので、その分コストが増加する。また、特許文献1に記載されたものでは、平滑用コンデンサ基板上の導体パターンに電流を通電するので、大電流を通電するインバータ装置への適用は不向きである。さらに、特許文献1に記載されたものでは、コモンモードノイズを除去するためのフィルタコンデンサの内蔵まで考慮しているものではなかった。
本発明は、平滑用コンデンサを内蔵することができると共に、小型化及び低コスト化を図ることができる半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置を提供する。平滑用コンデンサを半導体モジュールに内蔵するにあたっては、小電流から高電流まで広範囲にわたって適用できるように平滑用コンデンサを構成することが好ましい。また、平滑用コンデンサを半導体モジュールに内蔵するにあたっては、半導体モジュールを簡単に搭載することができるように平滑用コンデンサを構成することが好ましい。
上記半導体モジュールは、ケースと、このケースに設けられたベースと、このベースに載置され、表面に配線部材を有する絶縁基板と、この絶縁基板上に載置され、配線部材に電気的に接続された半導体素子と、この半導体素子に電気的に接続された複数の入力側導電性部材と、半導体素子に電気的に接続された複数の出力側導電性部材と、複数の入力側導電性部材に電気的に接続された平滑用コンデンサとを有するものにおいて、平滑用コンデンサを、ケースに固定されたコンデンサ素子と、コンデンサ素子と複数の入力側導電性部材とを電気的に接続する複数のコンデンサ端子とを有するものから構成することにより達成することができる。
上記半導体モジュールによれば、平滑用コンデンサを構成するコンデンサ素子をケース内部に配置してケースに固定し、コンデンサ素子と複数の入力側導電性部材とをコンデンサ端子によって電気的に接続しているので、半導体モジュール及び平滑用コンデンサを構成する部品を用いて(半導体モジュール及び平滑用コンデンサを構成する部品以外の部品を用いることなく)平滑用コンデンサを半導体モジュールの内部に内蔵することができる。しかも、上記半導体モジュールによれば、コンデンサ素子と複数の入力側導電性部材とをコンデンサ端子によって電気的に接続しているので、小電流から高電流まで広範囲にわたって適用することができる。
上記半導体モジュールにおいて、コンデンサ素子は、複数のコンデンサ端子をケースに固定することによってケースに固定されている。複数のコンデンサ端子はそれぞれ複数の接続部を有していると共に、複数の接続部を介してケース及び対応する入力側導電性部材に接続されている。接続部は貫通孔である。このため、複数のコンデンサ端子はそれぞれ、貫通孔に挿通されたボルトの締付力によってケース及び対応する入力側導電性部材に固定されている。このような構成によれば、半導体モジュールを組み立てた後、複数のコンデンサ端子をそれぞれ複数の接続部を介してケース及び対応する入力側導電性部材に接続することによって、平滑用コンデンサをケースに固定することができると共に、入力側導電性部材に電気的に接続することができ、平滑用コンデンサを簡単に半導体モジュールに搭載することができる。
また、上記半導体モジュールにおいて、複数の入力側導電性部材は入力端子部材と、この入力端子部材及び半導体素子に電気的に接続された引込配線部材から構成されており、複数のコンデンサ端子はそれぞれ複数の接続部を有していると共に、複数の接続部を介して、対応する引込配線部材及び対応する入力端子部材に接続されている。接続部は貫通孔である。このため、複数のコンデンサ端子はそれぞれ、貫通孔に挿通されたボルトの締付力によって、対応する引込配線部材及び対応する入力端子部材に接続されている。このような構成によれば、半導体モジュールの構成分品の一部をコンデンサ端子で兼ねることができ、半導体モジュールのコストを低減することができる。
また、上記半導体モジュールにおいて、複数のコンデンサ端子は平板状のものであって、絶縁部材を介して積層され、ケースに固定されたものであり、コンデンサ端子は、積層されたコンデンサ端子間に挟持されている。このような構成によれば、コンデンサ端子をケースに固定することができると共に、ラミネート構造によってコンデンサ端子のインダクタンスを低減でき、半導体モジュールの性能を向上させることができる。
また、上記半導体モジュールにおいて、複数のコンデンサ端子はそれぞれ、対応する入力側導電性部材にワイヤボンディング部材によって電気的に接続されている。このような構成によれば、コンデンサ端子が入力側導電性部材に固定される際に生じる応力がかかることがないので、平滑用コンデンサの機械的信頼性を向上することができる。
また、上記半導体モジュールにおいて、ベースは熱伝導性を有している。コンデンサ素子又は複数のコンデンサ端子は、ベースとの間において電気的に絶縁された状態でベースに放熱部材を介して熱的に接触している。このような構成によれば、平滑用コンデンサで発生した熱をベースに効率よく放熱することができるので、高リップル電流を許容可能とすることができる平滑用コンデンサを内蔵した半導体モジュールを提供することができる。
また、上記半導体モジュールにおいて、入力側導電性部材に電気的に接続されたフィルタコンデンサを有している。フィルタコンデンサはコモンモードノイズ除去用のためのものであり、ベース上に載置されてベースに電気的に接続されている。ベースは電力変換装置のケースに固定されており、電力変換装置のケースと同じ電位である。このような構成によれば、フィルタコンデンサを半導体モジュールの内部に内蔵することができ、電力変換装置をさらに小型化することができる。
また、上記電力変換装置は、電力変換用の半導体素子を有する半導体モジュール部と、半導体素子の駆動を制御する制御部とを有するものにおいて、半導体モジュール部を、上記いずれかに記載された半導体モジュールによって構成することにより達成することができる。
本発明によれば、平滑用コンデンサを内蔵することができると共に、小型化及び低コスト化を図ることができる半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置を提供することができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。まず、本発明の第1実施例を図1乃至図3に基づいて説明する。図3は本実施例のインバータ装置の回路構成を示す。本実施例のインバータ装置は、電動機を車両の唯一の駆動源とする電気自動車や、内燃機関であるエンジンと電動機とを車両の駆動源とするハイブリッド自動車などの電動車両に搭載されるものであって、車載電源であるバッテリから供給された直流電力を三相交流電力に変換して電動機に供給する電力変換装置である。
図3において100はインバータ装置を示す。インバータ装置100は、変換回路(電動機を駆動するための回路の主回路)を構成する複数のパワー半導体素子(電力変換用半導体素子)63を有する半導体モジュール部62と、パワー半導体素子63の動作を制御する制御部(図示省略)から構成されている。パワー半導体素子63としては、MOS形電界効果トランジスタ(MOS−FET)や絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などのスイッチング素子が用いられている。変換回路は、上アーム側のスイッチング素子と下アーム側のスイッチング素子とを直列接続した1相分のアームを3相分、電気的に並列接続したものである。
変換回路の上アームの一端(パワー半導体素子63のコレクタ)には、車載電源であるバッテリ66の正極側が電気的に接続されている。変換回路の下アームの一端(上アームとの接続側とは反対側であり、パワー半導体素子63のエミッタ)にはバッテリ66の負極側が電気的に接続されている。各相のアームの出力端(上アーム側パワー半導体素子63のエミッタと、下アーム側パワー半導体素子63のコレクタとの間)には、電動機61の対応する相の入力端が電気的に接続されている。電動機61は誘導電動機や同期電動機などの交流機である。変換回路には、直流電力の変動を抑制するための平滑用コンデンサ64が電気的に並列接続されている。
また、変換回路には、コモンモードノイズを除去するためのフィルタコンデンサ65を2つ(一端が正極側に電気的に接続されたフィルタコンデンサ65の他端と、一端が負極側に電気的に接続されたフィルタコンデンサ65の他端を)電気的に直列接続したものが電気的に並列接続されている。一端が正極側に電気的に接続されたフィルタコンデンサ65の他端と、一端が負極側に電気的に接続されたフィルタコンデンサ65の他端はインバータ装置100のケースに電気的に接続されている(インバータ装置100のケースと同電位)。バッテリ66,インバータ装置100,電動機61によって電気自動車やハイブリッド自動車の電機システムが構成されている。
図1及び図2は、図3に示す回路を構成する実際のインバータ装置の実装構成を示す。図において1は半導体モジュール部62のベースである。ベース1は銅製であって、導電性及び熱伝導性を有する(放熱部材を兼ねる)ものであり、モジュールケース7の底壁としてモジュールケース7に設けられている。モジュールケース7は、電気的に絶縁性を有する樹脂成形品である。ベース1上には、絶縁性を有するセラミックス基板2が半田(図示省略)によって固着されている。セラミックス基板2の両面には、前述した変換回路を構成する半導体素子間を電気的に接続するための導体(配線)パターン(図示省略)が設けられている。セラミックス基板2(ベース1に固着された面とは反対側の面)に設けられた導体パターン上には電力制御用のチップ状のパワー半導体素子3が三相分(6個)、半田(図示省略)によって固着されている。パワー半導体素子3の導体パターンに固着された面とは反対側の面)と導電パターンはアルミワイア4によって電気的に接続されている。
モジュールケース7には、直流正極側(直流負極側)のバスバー22に接続された直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6,交流U相(交流V相,交流W相)のバスバー(図示省略)に接続された交流U相(交流V相,交流W相)のリードフレーム(図示省略)がそれぞれ設けられている。直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6の一端は、モジュールケース7の周縁部に延びてモジュールケース7の外部に露出しており、半導体モジュール部62及び制御部などを収納するインバータケース(図示省略)から外部に突出した直流正極側(直流負極側)のコネクタ端子(図示省略)に直流正極側(直流負極側)のバスバー22を介して接続されている。直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6の他端は、モジュールケース7の内部に延びてモジュールケース7の内部に露出しており、アルミワイヤ4を介してセラミックス基板2上の導体パターンに電気的に接続されている。
一方、交流U相(交流V相,交流W相)のリードフレーム(図示省略)の一端は、モジュールケース7の周縁部に延びてモジュールケース7の外部に露出しており、半導体モジュール部62及び制御部などを収納するインバータケース(図示省略)から外部に突出した交流U相(交流V相,交流W相)のコネクタ端子(図示省略)に交流U相(交流V相,交流W相)のブスバー(図示省略)を介して接続されている。交流U相(交流V相,交流W相)のリードフレーム(図示省略)の他端は、モジュールケース7の内部に延びてモジュールケース7の内部に露出しており、アルミワイヤ4を介してセラミックス基板2上の導体パターンに電気的に接続されている。
モジュールケース7の内部にあってパワー半導体素子3の上方には、直流電力の変動を抑制するための平滑用コンデンサが配置されている。平滑用コンデンサは、コンデンサ素子10と、コンデンサ素子10の正極側電極(負極側電極)に電気的に接続された正極側(負極側)のコンデンサ端子11から構成されたものである。コンデンサ素子10は直方体状のセラミック系コンデンサである。コンデンサ素子10の長側面の一方側には正極側電極(図示省略)が、その長側面の他方側には負極側電極(図示省略)が設けられている。尚、本実施例では、コンデンサ素子10としてセラミック系コンデンサを用いたが、フィルム系コンデンサを用いてもよい。
正極側(負極側)のコンデンサ端子11は平板状のものであって、コンデンサ素子10の長側面一方側(長側面他方側)の一方端から他方端に亘って延び、コンデンサ素子10の長側面一方側(長側面他方側)の全面或いは一部分を覆うようにコンデンサ素子10の長側面一方側(長側面他方側)に面して配置され、コンデンサ素子10の正極側電極(負極側電極)に半田(図示省略)によって固着されている。
正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の一方には、コンデンサ素子10の正極側電極(負極側電極)に接続される平板部分に対して直交する(90度捩れる)ように接続された平板部が形成されている。正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の一方のモジュールケース7と対向する部位には、接続部であって、ボルト23bを挿通させるための貫通孔(図示省略)が形成されている。モジュールケース7に形成されているボルト穴(図示省略)の位置と正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の一方に形成された貫通孔の位置とが合致するように、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の一方をモジュールケース7の上に乗せ、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の一方に形成された貫通孔にボルト23bを挿通し、モジュールケース7に形成されているボルト穴にボルト23bを螺入して螺合することにより、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の一方をモジュールケース7に固定することができる。
正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方には、コンデンサ素子10の正極側電極(負極側電極)に接続される平板部分に対して直交する(90度捩れる)ように接続された平板部が形成されている。正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方の直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6と対向する部位には、接続部であって、ボルト23aを挿通させるための貫通孔11aが形成されている。
直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6に形成されているボルト孔(図示省略)の位置と正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方に形成された貫通孔11aの位置とが合致するように、直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6の上に正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方を乗せると共に、直流正極側(直流負極側)のバスバー22に形成されているボルト通孔(図示省略)の位置と正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方に形成された貫通孔11aの位置とが合致するように、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方の上に直流正極側(直流負極側)のバスバー22を乗せ、直流正極側(直流負極側)のバスバー22に形成されているボルト孔,正極側(負極側)のコンデンサ端子11の他方の先端部に形成された貫通孔11a,直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6に形成されているボルト孔にボルト23aを挿通し、モジュールケース7に形成されているボルト穴にボルト23aを螺入して螺合することにより、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方をモジュールケース7に固定することができる。また、ボルト23aの螺合によって、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方と、直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6と、直流正極側(直流負極側)のバスバー22とを接続することができる。
このように、本実施例では、正極側及び負極側のコンデンサ端子11の両先端部をモジュールケース7に固定することによってコンデンサ素子10をモジュールケース7に固定している。また、モジュールケース7の一部分に形成された固定部7aにコンデンサ素子10の一部分を接着剤(図示省略)で固定しているので、耐振動性を向上させることができる。尚、本実施例では、コストを低減するために、コンデンサ素子10を絶縁樹脂によってモールドすることなく絶縁距離を確保しているが、コンデンサ素子10を絶縁樹脂によってモールドして絶縁距離を確保するようにしてもよい。
20は、パワー半導体素子63の駆動を制御する複数の電子部品が実装された制御基板であり、制御部を構成している。制御基板20は、制御基板固定板21にネジなどの固定手段(図示省略)によって固定されている。制御基板固定板21はボルトなどの固定手段(図示省略)によってモジュールケース7に固定されている。制御基板20上には、パワー半導体素子3の駆動(スイッチング動作)を制御(オン/オフ)するための3相PWM信号を生成するCPU(マイクロコンピュータから構成された中央処理装置)が実装されている。CPUで生成されて出力された3相PWM信号は、ベース1上のセラミックス基板2上に実装されたプリドライバ回路5を介してパワー半導体素子3に入力される。尚、本実施例では、制御基板固定板21を半導体モジュール部62のモジュールケース7に固定した場合について説明したが、制御基板固定板21は、インバータケースに固定してもよい。
本実施例によれば、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の一方をモジュールケース7に固定し、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部の他方を直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6と、直流正極側(直流負極側)のバスバー22と共にモジュールケース7に固定しているので、コンデンサ素子10をモジュールケース7に固定すると共に、正極側(負極側)のコンデンサ端子11と、直流正極側(直流負極側)のバスバー22と、直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6とを接続することができる。従って、本実施例によれば、半導体モジュール部62及び平滑用コンデンサの構成部品を用いて(半導体モジュール部62及び平滑用コンデンサの構成部品以外の構成部品を用いることなく)平滑用コンデンサを半導体モジュール部62に簡単に内蔵(搭載)することができる。しかも、本実施例によれば、コンデンサ素子10の正極側電極(負極側電極)と、直流正極側(直流負極側)のバスバー22と、直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6とを正極側(負極側)のコンデンサ端子11によって電気的に接続しているので、インバータ装置100を小電流から高電流まで広範囲にわたって適用することができる。
次に、本発明の第2実施例を図4に基づいて説明する。図4は、本実施例のインバータ装置の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例であり、第1実施例とは平滑コンデンサと制御基板20の搭載の仕方が異なっている。まず、本実施例では、平滑用コンデンサと制御基板20の搭載位置を逆転させ、パワー半導体素子3の上方に制御基板20を配置して、モジュールケース7の一部分に形成された固定部7aに制御基板20を固定し、制御基板20の上方に平滑用コンデンサを配置してモジュールケース7にコンデンサ素子10を固定している。コンデンサ素子の下面には磁気遮蔽用のシールド材12を設け、平滑用コンデンサで発生する電磁ノイズの制御基板20への影響を抑え、制御基板20に搭載された電子部品の誤動作を防止している。
また、本実施例では、コンデンサ素子10の一端部(リードフレーム6側とは反対側端部)の下面を接着剤(図示省略)でモジュールケース7の周縁部に固着している。
さらに、本実施例では、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端をさらに延伸させ、正極側(負極側)のコンデンサ端子11と、直流正極側(直流負極側)のコネクタ端子31とをボルト23cによって接続している。このため、正極側(負極側)のコンデンサ端子11の先端部には、ボルト23aを挿通させるための貫通孔11a(接続部)が形成されている。尚、32,33は、インバータケースを示す。
このような構成された本実施例のインバータ装置100によれば、第1実施例と同様の効果を達成することができると共に、半導体モジュール部62の構成部品をコンデンサ端子11で兼ねることができるので、インバータ装置100のコストを低減することができる。
次に、本発明の第3実施例を図5に基づいて説明する。図5は、本実施例のインバータ装置の構成を示す。本実施例は第2実施例の改良例であり、第2実施例とはコンデンサ端子11の構成が異なっている。本実施例では、コンデンサ素子10の上面側に正極側のコンデンサ端子11を、コンデンサ素子10の下面側に負極側のコンデンサ端子11をそれぞれ配置し(コンデンサ端子11の配置は正極側と負極側がその反対であってもよい)、コンデンサ素子10を挟み込むようにしている。コンデンサ素子10の部分を除く他の部分であって、正極側のコンデンサ端子11と負極側のコンデンサ端子が重なり合う部分には絶縁部材16を介在させ電気的に絶縁している。すなわち本実施例では、コンデンサ端子11を平板化してラミネート構造としている。
コンデンサ端子11の先端部の一方はモジュールケース7の周縁部まで延伸しており、負極側がモジュールケース7の周縁部に接着剤(図示省略)で固定されている。コンデンサ端子11の先端部の他方はモジュールケース7の周縁部を超えてコネクタ端子31部分まで延伸されていると共に、ボルト23aによってモジュールケース7に固定され、ボルト23cによってコネクタ端子31に固定されている。これにより、コンデンサ素子10をモジュールケース7に固定することができる。
ボルト23a,23cの固定によって負極側のコンデンサ端子11は直流負極側のリードフレーム6及び直流負極側のコネクタ端子31と直接接続される。ここで、本実施例では、負極側のコンデンサ端子11と直流負極側のリードフレーム6とを接続する部位に用いられるボルト23aには絶縁性を持たせ、正極側のコンデンサ端子11と直流負極側のリードフレーム6との電気的な絶縁を図っている。また、本実施例では、負極側のコンデンサ端子11と直流負極側のコネクタ端子31とを接続する部位に用いられるボルト23cに絶縁性を持たせ、正極側のコンデンサ端子11と直流負極側のコネクタ端子31との電気的な絶縁を図っている。
また、ボルト23a,23cの固定によって正極側のコンデンサ端子11は直流正極側のリードフレーム6及び直流正極側のコネクタ端子31と電気的に接続される。ここで、本実施例では、正極側のコンデンサ端子11と直流正極側のリードフレーム6とを接続する部位に用いられるボルド23aに導電性を持たせ、正極側のコンデンサ端子11と直流正極側のリードフレーム6との電気的な接続を図っている。正極側のコンデンサ端子11と直流正極側のリードフレーム6とを接続する部位に対応する負極側のコンデンサ端子11と直流正極側のリードフレーム6との間には絶縁物を設け、負極側のコンデンサ端子11と直流正極側のリードフレーム6との電気的な絶縁を図っている。また、本実施例では、正極側のコンデンサ端子11と直流正極側のコネクタ端子31とを接続する部位に用いられるボルト23cに導電性を持たせ、正極側のコンデンサ端子11と直流正極側のコネクタ端子31との電気的な接続を図っている。正極側のコンデンサ端子11と直流正極側のコネクタ端子31とを接続する部位に対応する負極側のコンデンサ端子11と直流正極側のコネクタ端子31との間には絶縁物を設け、負極側のコンデンサ端子11と直流正極側のコネクタ端子31との電気的な絶縁を図っている。
このように構成された本実施例のインバータ装置100によれば、第2実施例と同様の効果を達成することができると共に、コンデンサ端子11を平板化してラミネート構造としているので、コンデンサ端子11のインダクタンスを低減することができ、低インダクタンス化によるインバータ装置100の性能向上を図ることができる。
次に、本発明の第4実施例を図6,図7に基づいて説明する。図6,図7は、本実施例のインバータ装置の構成を示す。本実施例は第1実施例の変形例であり、半導体モジュール部62の構成,コンデンサ素子10の固定及びコンデンサ端子11の接続の仕方が第1実施例とは異なっている。本実施例では、モジュールケース7の内部を仕切り、モジュールケース7の内部を各アーム毎、すなわちU相,V相,W相毎に構成している。制御基板20は、モジュールケース7の上蓋7bの上に設けられている。
モジュールケース7には、直流正極側(直流負極側)のバスバー22に接続された直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6,交流U相(交流V相,交流W相)のバスバー(図示省略)に接続された交流U相(交流V相,交流W相)のリードフレーム34がそれぞれ設けられている。直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6の一端は、モジュールケース7の周縁部の1辺の中央に延びてモジュールケース7の外部に露出しており、半導体モジュール部62及び制御部などを収納するインバータケース(図示省略)から外部に突出した直流正極側(直流負極側)のコネクタ端子(図示省略)に直流正極側(直流負極側)のバスバー22を介して接続されている。直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6の他端は、途中で分岐して各アーム毎にモジュールケース7の内部に延びてモジュールケース7の内部に露出しており、各アーム毎にアルミワイヤ4を介してセラミックス基板2上の導体パターンに電気的に接続されている。直流正極側のリードフレーム6と直流負極側のリードフレーム6とが重なる部分は絶縁部材16によって電気的に絶縁が図られている。
一方、交流U相(交流V相,交流W相)のリードフレーム34の一端は、モジュールケース7の周縁部の一辺(直流側のリードフレーム6が露出するモジュールケースの周縁部の一辺と対向する辺)に延びてモジュールケース7の外部に露出しており、半導体モジュール部62及び制御部などを収納するインバータケース(図示省略)から外部に突出した交流U相(交流V相,交流W相)のコネクタ端子(図示省略)に交流U相(交流V相,交流W相)のブスバー(図示省略)を介して接続されている。交流U相(交流V相,交流W相)のリードフレーム34の他端は、モジュールケース7の内部に延びてモジュールケース7の内部に露出しており、アルミワイヤ4を介してセラミックス基板2上の導体パターンに電気的に接続されている。
平滑用コンデンサは、第1実施例と同様に、コンデンサ素子10と正極側(負極側)のコンデンサ端子11から構成されたものであり、各アーム(各相)毎に設けられている。各アームのコンデンサ素子10は、その下面が、モジュールケース7の一部分に形成された固定部7aに接着剤(図示省略)によって固着されており、モジュールケース7に固定されている。各アームの正極側(負極側)のコンデンサ端子11は、直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6とアルミワイヤ4のボンディングによって電気的に接続されている。このため、各アームの正極側(負極側)のコンデンサ端子11には、アルミワイヤ4がボンディング可能な電極11aが形成されている。
このように構成された本実施例のインバータ装置100によれば、各アームの正極側(負極側)のコンデンサ端子11が、直流正極側(直流負荷側)のリードフレーム6にアルミワイヤ4によって電気的に接続されているので、モジュールケース7や直流正極側(直流負荷側)のリードフレーム6にコンデンサ端子11のボルト固定の際に生じる応力がかかることがなく、インバータ装置100の機械的信頼性を向上させることができる。
次に、本発明の第5実施例を図8に基づいて説明する。図8は、本実施例のインバータ装置の構成を示す。本実施例は第4実施例の改良例であり、モジュールケース7の一部分をアルミニウム製の高熱伝導体53で構成している。高熱伝導体53の一部分には固定部53aが形成されている。固定部53aにはコンデンサ素子10の一端部(リードフレーム6側とは反対側端部)の下面が、絶縁性を有する放熱シート54を介して固定されている。これにより、本実施例では、平滑用コンデンサの発熱を放熱シート54,高熱伝導体53を介して、ヒートシンクを兼ねるベース1に放熱している。尚、本実施例では、高熱伝導体53としてアルミニウム製のものを採用したが、銅製のもの或いは高熱伝導性を有するプラスチック類の成形体であっても構わない。
また、本実施例では、制御基板20を高熱伝導体53にネジ51で固定し、制御基板20に実装された電子部品のうち、発熱する発熱体50の発熱もヒートシンクを兼ねるベース1に放熱している。さらに、本実施例では、コンデンサ素子10の上面には、磁気遮蔽用のシールド材12を設け、平滑用コンデンサで発生する電磁ノイズの制御基板20への影響を抑え、制御基板20に搭載された電子部品の誤動作を防止している。
このように構成された本実施例のインバータ装置100によれば、第4実施例と同様の効果を達成することができると共に、コンデンサ素子10の固定部を含むモジュールケース7の一部分を高熱伝導体53で構成し、これに固定部53aを形成し、これにコンデンサ素子10を放熱シート54を介して固定しているので、平滑用コンデンサの発熱を放熱シート54,高熱伝導体53を介して、ヒートシンクを兼ねるベース1に放熱することができ、平滑用コンデンサの高リップル電流を許容可能なものとすることができる。従って、本実施例によれば、インバータ装置100の信頼性を向上させることができる。
次に、本発明の第6実施例を図9に基づいて説明する。図9は、本実施例のインバータ装置の構成を示す。本実施例は第4実施例の改良例であり、コモンモードノイズ除去用のフィルタコンデンサ65(直流正極側用と直流負極側用)を半田70によってベース1上に固定している。直流正極側(直流負極側)のフィルタコンデンサ65はアルミワイヤ4を介して直流正極側(直流負極側)のリードフレーム6に電気的に接続されている。ベース1は、半導体モジュール部62及び制御部が収納されるインバータケース(図示省略)にネジなどの固定手段によって固定されているので、インバータケースと同電位になっている。これにより、インバータ装置100で発生し、直流正極側及び直流負極側のリードフレーム6及び直流正極側及び直流負極側のバスバー22などを介してインバータ装置100の外部に放出されるコモンモードノイズは、直流正極側及び直流負極側のフィルタコンデンサ65で除去され、インバータ装置100から外部への放出が低減される。
このように構成された本実施例のインバータ装置100によれば、半導体モジュール部62の内部にコモンモードノイズ除去用のフィルタコンデンサ65を内蔵したので、インバータ装置100を小型化することができる。しかも、本実施例によれば、従来と変わりなく、インバータ装置100で発生するコモンモードノイズを除去することができる。
本発明の第1実施例であるインバータ装置の構成を示す断面図。 本発明の第1実施例であるインバータ装置の構成を示す図面であって、図1から制御基板を除いたときの上面平面図。 本発明の第1実施例であるインバータ装置の回路構成を示す回路図。 本発明の第2実施例であるインバータ装置の構成を示す断面図。 本発明の第3実施例であるインバータ装置の構成を示す断面図。 本発明の第4実施例であるインバータ装置の構成を示す断面図。 本発明の第4実施例であるインバータ装置の構成を示す図面であって、図6から制御基板を除いたときの上面平面図。 本発明の第5実施例であるインバータ装置の構成を示す断面図。 本発明の第6実施例であるインバータ装置の構成を示す断面図。
符号の説明
1…ベース、2…セラミックス基板、3…パワー半導体素子、6…リードフレーム、7…モジュールケース、10…コンデンサ素子、11…コンデンサ端子、16…絶縁部材、20…制御基板、22…バスバー、62…半導体モジュール部、64…平滑用コンデンサ、65…フィルタコンデンサ。

Claims (11)

  1. ケースと、前記ケースに設けられたベースと、前記ベースに載置され、表面に配線部材を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上に載置され、前記配線部材に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子に電気的に接続された複数の入力側導電性部材と、前記半導体素子に電気的に接続された複数の出力側導電性部材と、前記複数の入力側導電性部材に電気的に接続された平滑用コンデンサとを有し、前記平滑用コンデンサは、前記ケースに固定されたコンデンサ素子と、前記コンデンサ素子と前記複数の入力側導電性部材とを電気的に接続する複数のコンデンサ端子とを有してなることを特徴とする半導体モジュール。
  2. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、前記コンデンサ素子は、前記複数のコンデンサ端子を前記ケースに固定することによって前記ケースに固定されていることを特徴とする半導体モジュール。
  3. 請求項2に記載の半導体モジュールにおいて、前記複数のコンデンサ素子はそれぞれ複数の接続部を有していると共に、前記複数の接続部を介して前記ケース及び対応する前記入力側導電性部材に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
  4. 請求項3に記載の半導体モジュールにおいて、前記複数の接続部は貫通孔であり、前記複数のコンデンサ端子はそれぞれ、前記貫通孔に挿通されたボルトの締付力によって、対応する前記入力側導電性部材及び前記ケースに接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
  5. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、前記複数の入力側導電性部材は入力端子部材と、前記入力端子部材及び前記半導体素子に電気的に接続された引込配線部材から構成されており、前記複数のコンデンサ端子はそれぞれ複数の接続部を有していると共に、前記複数の接続部を介して、対応する前記引込配線部材及び対応する前記入力端子部材に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
  6. 請求項5に記載の半導体モジュールにおいて、前記複数の接続部は貫通孔であり、前記複数のコンデンサ端子はそれぞれ、前記貫通孔に挿通されたボルトの締付力によって、対応する前記引込配線部材及び対応する前記入力端子部材に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
  7. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、前記複数のコンデンサ端子は平板状のものであって、絶縁部材を介して積層され、前記ケースに固定されたものであり、前記コンデンサ端子は、積層された前記コンデンサ端子間に挟持されていることを特徴とする半導体モジュール。
  8. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、前記複数のコンデンサ端子はそれぞれ、対応する前記入力側導電性部材にワイヤボンディング部材によって電気的に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
  9. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、前記ベースは熱伝導性を有しており、前記コンデンサ素子又は前記複数のコンデンサ端子は、前記ベースとの間において電気的に絶縁された状態で前記ベースに放熱部材を介して熱的に接触していることを特徴とする半導体モジュール。
  10. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、前記入力側導電性部材に電気的に接続されたフィルタコンデンサを有しており、前記フィルタコンデンサは、前記ベース上に載置されて前記ベースに電気的に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
  11. 電力変換用の半導体素子を有する半導体モジュール部と、前記半導体素子の駆動を制御する制御部とを有し、前記半導体モジュール部は、請求項1乃至10のいずれかに記載された半導体モジュールによって構成されていることを特徴とする電力変換装置。
JP2007203754A 2007-08-06 2007-08-06 インバータ装置 Expired - Fee Related JP4538474B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007203754A JP4538474B2 (ja) 2007-08-06 2007-08-06 インバータ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007203754A JP4538474B2 (ja) 2007-08-06 2007-08-06 インバータ装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003127641A Division JP4055643B2 (ja) 2003-05-06 2003-05-06 インバータ装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008004953A true JP2008004953A (ja) 2008-01-10
JP2008004953A5 JP2008004953A5 (ja) 2008-02-21
JP4538474B2 JP4538474B2 (ja) 2010-09-08

Family

ID=39009032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007203754A Expired - Fee Related JP4538474B2 (ja) 2007-08-06 2007-08-06 インバータ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4538474B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009177872A (ja) * 2008-01-22 2009-08-06 Nissan Motor Co Ltd 電力変換装置および電力変換装置の製造方法
JP2009268165A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Toyota Motor Corp インバータモジュール
JP2009295632A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Honda Motor Co Ltd コンデンサ搭載型インバータユニット
KR20100114837A (ko) * 2009-04-16 2010-10-26 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 전력 전자 시스템에서 간섭 방출을 감소시키기 위한 장치
JP2011151981A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Mitsubishi Electric Corp 車載用電力変換装置
JP2012217315A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Denso Corp 電力変換装置
US10084388B2 (en) 2014-08-22 2018-09-25 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device
CN111566927A (zh) * 2018-03-08 2020-08-21 重庆金康新能源汽车有限公司 用于电动车辆驱动系统的功率转换器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171754A (ja) * 1984-02-17 1985-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 回路素子付半導体チツプキヤリア
JPH01108751A (ja) * 1987-10-21 1989-04-26 Nec Corp 集積回路装置
JPH1189248A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Denso Corp 電力制御装置
WO2002017400A1 (fr) * 2000-08-18 2002-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Module d'alimentation
JP2003110090A (ja) * 2001-07-09 2003-04-11 Daikin Ind Ltd パワーモジュールおよび空気調和機

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171754A (ja) * 1984-02-17 1985-09-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 回路素子付半導体チツプキヤリア
JPH01108751A (ja) * 1987-10-21 1989-04-26 Nec Corp 集積回路装置
JPH1189248A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Denso Corp 電力制御装置
WO2002017400A1 (fr) * 2000-08-18 2002-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Module d'alimentation
JP2003110090A (ja) * 2001-07-09 2003-04-11 Daikin Ind Ltd パワーモジュールおよび空気調和機

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009177872A (ja) * 2008-01-22 2009-08-06 Nissan Motor Co Ltd 電力変換装置および電力変換装置の製造方法
JP2009268165A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Toyota Motor Corp インバータモジュール
JP2009295632A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Honda Motor Co Ltd コンデンサ搭載型インバータユニット
KR20100114837A (ko) * 2009-04-16 2010-10-26 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 전력 전자 시스템에서 간섭 방출을 감소시키기 위한 장치
KR101695492B1 (ko) 2009-04-16 2017-01-11 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 전력 전자 시스템에서 간섭 방출을 감소시키기 위한 장치
JP2011151981A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Mitsubishi Electric Corp 車載用電力変換装置
US8686601B2 (en) 2010-01-22 2014-04-01 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion apparatus for vehicle use
JP2012217315A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Denso Corp 電力変換装置
US10084388B2 (en) 2014-08-22 2018-09-25 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device
CN111566927A (zh) * 2018-03-08 2020-08-21 重庆金康新能源汽车有限公司 用于电动车辆驱动系统的功率转换器
CN111566927B (zh) * 2018-03-08 2023-06-23 重庆金康新能源汽车有限公司 用于电动车辆驱动系统的功率转换器

Also Published As

Publication number Publication date
JP4538474B2 (ja) 2010-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4564937B2 (ja) 電気回路装置及び電気回路モジュール並びに電力変換装置
JP3793407B2 (ja) 電力変換装置
JP4538474B2 (ja) インバータ装置
US7542318B2 (en) Capacitor mounting type inverter unit having a recessed cover
US10128770B2 (en) Converter and electric power conversion apparatus
JP5289348B2 (ja) 車載用電力変換装置
JP4609504B2 (ja) 電子機器
JP2009005462A (ja) 電力変換装置
JP2004190547A (ja) インバータ一体型電動コンプレッサ及びその組み立て方法
JP6169181B2 (ja) Dc−dcコンバータ装置
JP2008029093A (ja) 電力変換装置
JP2015149883A (ja) 電力変換装置
CN109995246B (zh) 开关电源装置
JP2008136333A (ja) 電力変換装置
JP4055643B2 (ja) インバータ装置
JP2006140217A (ja) 半導体モジュール
JP2010239811A (ja) インバータ装置
JP4064741B2 (ja) 半導体装置
JP2002238260A (ja) 半導体装置
JP3856799B2 (ja) 電力変換装置
JP2019088137A (ja) 電力変換装置
JP5024439B2 (ja) 半導体装置
JP5859790B2 (ja) 電力変換装置
JP2002368191A (ja) 電気車用制御装置
JP2004194382A (ja) 半導体装置及び電力変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071226

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100615

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100621

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4538474

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees