JPH01108751A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01108751A JPH01108751A JP26579087A JP26579087A JPH01108751A JP H01108751 A JPH01108751 A JP H01108751A JP 26579087 A JP26579087 A JP 26579087A JP 26579087 A JP26579087 A JP 26579087A JP H01108751 A JPH01108751 A JP H01108751A
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- JP
- Japan
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- cap
- integrated circuit
- capacitor
- power supply
- semiconductor integrated
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は集積回路装置に関し、更に、詳述すれば、セラ
ミック製等のケースに半導体集積回路チップを搭載し、
この半導体f&積回路チップをキャップにより封止した
集積回路装置に関する。
ミック製等のケースに半導体集積回路チップを搭載し、
この半導体f&積回路チップをキャップにより封止した
集積回路装置に関する。
[従来の技術]
第3図(a)、(b)、((:)は、夫々従来のこの種
の半導体集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦断面
図である。セラミックケース基板1の下面にはリードビ
ン3が配設されており、基板1の上面に設けられたキャ
ビティ内には半導体集積回路チップ6が搭載されている
。このチップ6をセラミックケース基板1に収容した後
、金属製のキャップ2をシールリング4を介して電気溶
接手段等によりケース基板1に接着し、チップ6をキャ
ップ2により封止することによって半導体集積回路装置
が組み立てられる。
の半導体集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦断面
図である。セラミックケース基板1の下面にはリードビ
ン3が配設されており、基板1の上面に設けられたキャ
ビティ内には半導体集積回路チップ6が搭載されている
。このチップ6をセラミックケース基板1に収容した後
、金属製のキャップ2をシールリング4を介して電気溶
接手段等によりケース基板1に接着し、チップ6をキャ
ップ2により封止することによって半導体集積回路装置
が組み立てられる。
[発明が解決しようとする問題点コ
ところで、近時の高度の設計技術及び高度の製造技術に
より設計し製造した集積回路チップはその性能が著しく
進歩している。特に、ディジタル回路素子においては、
そのスイッチング時間が著しく高速になっていると共に
、高集積化されて同時に動作する素子の数が多くなって
いる。このため、電源ラインに雑音電圧(ΔV=Ldi
/dt)が重畳し、電源電圧が雑音電圧によって変動す
ることがある。
より設計し製造した集積回路チップはその性能が著しく
進歩している。特に、ディジタル回路素子においては、
そのスイッチング時間が著しく高速になっていると共に
、高集積化されて同時に動作する素子の数が多くなって
いる。このため、電源ラインに雑音電圧(ΔV=Ldi
/dt)が重畳し、電源電圧が雑音電圧によって変動す
ることがある。
しかも、半導体集積回路の論理電圧も低電圧化されるよ
うになり、集積回路動作を安定に保持することが増々難
しくなるという問題点がある。
うになり、集積回路動作を安定に保持することが増々難
しくなるという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
高速動作をする半導体集積回路チップが搭載された場合
であっても、その電源電圧の雑音を低減し、安定に動作
させることができる集積回路装置を提供することを目的
とする。
高速動作をする半導体集積回路チップが搭載された場合
であっても、その電源電圧の雑音を低減し、安定に動作
させることができる集積回路装置を提供することを目的
とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明に係る集積回路装置は、半導体集積回路チップが
搭載されるケースと、前記半導体集積回路チップをケー
ス内に封入するキャップと、前記半導体集積回路チップ
と前記ケースの外部端子とを接続する配線パターンと、
この配線パターンにおける電源パターンと接地パターン
との間に接続され前記キャップに配設されたコンデンサ
と、を有することを特徴とする。
搭載されるケースと、前記半導体集積回路チップをケー
ス内に封入するキャップと、前記半導体集積回路チップ
と前記ケースの外部端子とを接続する配線パターンと、
この配線パターンにおける電源パターンと接地パターン
との間に接続され前記キャップに配設されたコンデンサ
と、を有することを特徴とする。
[作用]
本発明においては、半導体集積回路チップをケース内に
封入するキャップに、作り込みのコンデンサ又はチップ
コンデンサ等のコンデンサを実装しである。このコンデ
ンサは、半導体集積回路チップと、ケース外部端子とを
接続する配線パターンにおける電源パターンと接地パタ
ーンとの間に接続されている。これにより、集積回路の
高速スイッチング動作から生ずる電源雑音が低減され、
半導体集積回路チップの安定動作が可能となる。
封入するキャップに、作り込みのコンデンサ又はチップ
コンデンサ等のコンデンサを実装しである。このコンデ
ンサは、半導体集積回路チップと、ケース外部端子とを
接続する配線パターンにおける電源パターンと接地パタ
ーンとの間に接続されている。これにより、集積回路の
高速スイッチング動作から生ずる電源雑音が低減され、
半導体集積回路チップの安定動作が可能となる。
[実施例]
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。第1図(a)、(b)、(’c)は夫々本発明
の第1の実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面
図及び縦断面図である。セラミックケース基板1には、
その中央上面にキャビティ7が形成されており、このキ
ャビティ7の底面上に半導体集積回路チップ6が搭載さ
れている。
明する。第1図(a)、(b)、(’c)は夫々本発明
の第1の実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面
図及び縦断面図である。セラミックケース基板1には、
その中央上面にキャビティ7が形成されており、このキ
ャビティ7の底面上に半導体集積回路チップ6が搭載さ
れている。
セラミックケース基板1の下面には、複数のり−ドビン
3が配設されている。また、ケース内部に設けられた内
部リードは配線パターン(いずれも図示せず)によりケ
ース外部のリードピン3に接8によりケースの内部リー
ドと接続されており、この配線パターンにより、半導体
集積回路チップ6とケース外部の端子(リードピン3)
とが接続される。
3が配設されている。また、ケース内部に設けられた内
部リードは配線パターン(いずれも図示せず)によりケ
ース外部のリードピン3に接8によりケースの内部リー
ドと接続されており、この配線パターンにより、半導体
集積回路チップ6とケース外部の端子(リードピン3)
とが接続される。
そして、縁部に鍔を有するキャップ2が電気溶接手段に
よりセラミックケース基板1の上面に導電性材料のシー
ルリング4を介して接着固定され、半導体集積回路チッ
プ6がケース内に封止される。
よりセラミックケース基板1の上面に導電性材料のシー
ルリング4を介して接着固定され、半導体集積回路チッ
プ6がケース内に封止される。
このキャップ2にはその下面の内側にコンデンサ9が作
り込まれている。このコンデンサ9の電極板11はキャ
ップ2と平行になるように電極部材5を介して基板1に
固定されており、この電極板11とキャップ2との間に
誘電体10が介装されている。これにより、キャップ2
自体が一方の電極となり、電極板11との間に誘電体1
0が介装されたコンデンサ9が構成される。
り込まれている。このコンデンサ9の電極板11はキャ
ップ2と平行になるように電極部材5を介して基板1に
固定されており、この電極板11とキャップ2との間に
誘電体10が介装されている。これにより、キャップ2
自体が一方の電極となり、電極板11との間に誘電体1
0が介装されたコンデンサ9が構成される。
このコンデンサ9の電極板11は、前述のキャップ2を
シールリング4へ接着して封止する際に電極部材5に機
械的及び電気的に接続される。そ −して、例えば、
電極部材5をケース内部の配線パターンの電源パターン
に接続し、キャップ2を接地パターンに接続する。これ
により、半導体集積回路チップ6に接続された配線パタ
ーンの電源と接地との間にコンデンサ9が接続され、電
源雑音が低減される。
シールリング4へ接着して封止する際に電極部材5に機
械的及び電気的に接続される。そ −して、例えば、
電極部材5をケース内部の配線パターンの電源パターン
に接続し、キャップ2を接地パターンに接続する。これ
により、半導体集積回路チップ6に接続された配線パタ
ーンの電源と接地との間にコンデンサ9が接続され、電
源雑音が低減される。
第2図(a)、(b)及び(c)は夫々本発明の第2の
実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦
断面図である。この実施例においては、キャップ2にコ
ンデンサを作り込む替わりに、既製のチップコンデンサ
12を実装し、このチップコンデンサ12の一方の電極
をキャップ2の内面に半田付等により固定しである。
実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦
断面図である。この実施例においては、キャップ2にコ
ンデンサを作り込む替わりに、既製のチップコンデンサ
12を実装し、このチップコンデンサ12の一方の電極
をキャップ2の内面に半田付等により固定しである。
そして、第2図(C)に示すように、キャップ2を電気
溶接手段によりセラミックケース基板1上のシールリン
グ4に接着して半導体集積回路チップ6をケース内に封
止すると、キャップ2に実装したチップコンデ29%他
方の電極がセラミックケース基板1上の電極部材5に接
続される。
溶接手段によりセラミックケース基板1上のシールリン
グ4に接着して半導体集積回路チップ6をケース内に封
止すると、キャップ2に実装したチップコンデ29%他
方の電極がセラミックケース基板1上の電極部材5に接
続される。
これにより、半導体集積回路チップ6の電源と接地との
間にチップコンデンサ12が極めて簡便に配設され、こ
のチップコンデンサ12により電源雑音が低減される。
間にチップコンデンサ12が極めて簡便に配設され、こ
のチップコンデンサ12により電源雑音が低減される。
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、半導体集積回路
チップに供給する電源パターンと接地パターンとの間に
接続されるコンデンサを、半導体集積回路チップを封止
するキャップに配設したから、集積回路の高速スイッチ
ング動作から生ずる電源雑音が低減され、半導体集積回
路チップを極めて安定して動作させることができる。
チップに供給する電源パターンと接地パターンとの間に
接続されるコンデンサを、半導体集積回路チップを封止
するキャップに配設したから、集積回路の高速スイッチ
ング動作から生ずる電源雑音が低減され、半導体集積回
路チップを極めて安定して動作させることができる。
第1図(a)、(b)及び(C)は夫々本発明の第1の
実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦
断面図、第2図(a)、(b)及び(c)は夫々本発明
の第2の実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面
図及び縦断面図、第3図(a)、(b)及び(c)は夫
々従来の集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦断面
図である。 1;セラミックケース基板、2;キャップ、3;リード
ビン、4;シールリング、5;電極部材、6;半導体集
積回路チップ、9;コンデンサ、10;誘電体、11;
電極板、12;チップコンデンサ
実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦
断面図、第2図(a)、(b)及び(c)は夫々本発明
の第2の実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面
図及び縦断面図、第3図(a)、(b)及び(c)は夫
々従来の集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦断面
図である。 1;セラミックケース基板、2;キャップ、3;リード
ビン、4;シールリング、5;電極部材、6;半導体集
積回路チップ、9;コンデンサ、10;誘電体、11;
電極板、12;チップコンデンサ
Claims (3)
- (1)半導体集積回路チップが搭載されるケースと、前
記半導体集積回路チップをケース内に封入するキャップ
と、前記半導体集積回路チップと前記ケースの外部端子
とを接続する配線パターンと、この配線パターンにおけ
る電源パターンと接地パターンとの間に接続され前記キ
ャップに配設されたコンデンサと、を有することを特徴
とする集積回路装置。 - (2)前記コンデンサは前記キャップを一方の電極とし
てこのキャップに作り込まれていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の集積回路装置。 - (3)前記コンデンサは前記キャップに実装されたチッ
プコンデンサであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載の集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26579087A JPH01108751A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26579087A JPH01108751A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01108751A true JPH01108751A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17422079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26579087A Pending JPH01108751A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01108751A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008004953A (ja) * | 2007-08-06 | 2008-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
US9054484B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-06-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Packaged optical semiconductor device |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP26579087A patent/JPH01108751A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008004953A (ja) * | 2007-08-06 | 2008-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
JP4538474B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2010-09-08 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | インバータ装置 |
US9054484B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-06-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Packaged optical semiconductor device |
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