JPH01108751A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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JPH01108751A
JPH01108751A JP26579087A JP26579087A JPH01108751A JP H01108751 A JPH01108751 A JP H01108751A JP 26579087 A JP26579087 A JP 26579087A JP 26579087 A JP26579087 A JP 26579087A JP H01108751 A JPH01108751 A JP H01108751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
integrated circuit
capacitor
power supply
semiconductor integrated
Prior art date
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Pending
Application number
JP26579087A
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English (en)
Inventor
Yoshimi Marui
丸井 義美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01108751A publication Critical patent/JPH01108751A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は集積回路装置に関し、更に、詳述すれば、セラ
ミック製等のケースに半導体集積回路チップを搭載し、
この半導体f&積回路チップをキャップにより封止した
集積回路装置に関する。
[従来の技術] 第3図(a)、(b)、((:)は、夫々従来のこの種
の半導体集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦断面
図である。セラミックケース基板1の下面にはリードビ
ン3が配設されており、基板1の上面に設けられたキャ
ビティ内には半導体集積回路チップ6が搭載されている
。このチップ6をセラミックケース基板1に収容した後
、金属製のキャップ2をシールリング4を介して電気溶
接手段等によりケース基板1に接着し、チップ6をキャ
ップ2により封止することによって半導体集積回路装置
が組み立てられる。
[発明が解決しようとする問題点コ ところで、近時の高度の設計技術及び高度の製造技術に
より設計し製造した集積回路チップはその性能が著しく
進歩している。特に、ディジタル回路素子においては、
そのスイッチング時間が著しく高速になっていると共に
、高集積化されて同時に動作する素子の数が多くなって
いる。このため、電源ラインに雑音電圧(ΔV=Ldi
/dt)が重畳し、電源電圧が雑音電圧によって変動す
ることがある。
しかも、半導体集積回路の論理電圧も低電圧化されるよ
うになり、集積回路動作を安定に保持することが増々難
しくなるという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
高速動作をする半導体集積回路チップが搭載された場合
であっても、その電源電圧の雑音を低減し、安定に動作
させることができる集積回路装置を提供することを目的
とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明に係る集積回路装置は、半導体集積回路チップが
搭載されるケースと、前記半導体集積回路チップをケー
ス内に封入するキャップと、前記半導体集積回路チップ
と前記ケースの外部端子とを接続する配線パターンと、
この配線パターンにおける電源パターンと接地パターン
との間に接続され前記キャップに配設されたコンデンサ
と、を有することを特徴とする。
[作用] 本発明においては、半導体集積回路チップをケース内に
封入するキャップに、作り込みのコンデンサ又はチップ
コンデンサ等のコンデンサを実装しである。このコンデ
ンサは、半導体集積回路チップと、ケース外部端子とを
接続する配線パターンにおける電源パターンと接地パタ
ーンとの間に接続されている。これにより、集積回路の
高速スイッチング動作から生ずる電源雑音が低減され、
半導体集積回路チップの安定動作が可能となる。
[実施例] 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。第1図(a)、(b)、(’c)は夫々本発明
の第1の実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面
図及び縦断面図である。セラミックケース基板1には、
その中央上面にキャビティ7が形成されており、このキ
ャビティ7の底面上に半導体集積回路チップ6が搭載さ
れている。
セラミックケース基板1の下面には、複数のり−ドビン
3が配設されている。また、ケース内部に設けられた内
部リードは配線パターン(いずれも図示せず)によりケ
ース外部のリードピン3に接8によりケースの内部リー
ドと接続されており、この配線パターンにより、半導体
集積回路チップ6とケース外部の端子(リードピン3)
とが接続される。
そして、縁部に鍔を有するキャップ2が電気溶接手段に
よりセラミックケース基板1の上面に導電性材料のシー
ルリング4を介して接着固定され、半導体集積回路チッ
プ6がケース内に封止される。
このキャップ2にはその下面の内側にコンデンサ9が作
り込まれている。このコンデンサ9の電極板11はキャ
ップ2と平行になるように電極部材5を介して基板1に
固定されており、この電極板11とキャップ2との間に
誘電体10が介装されている。これにより、キャップ2
自体が一方の電極となり、電極板11との間に誘電体1
0が介装されたコンデンサ9が構成される。
このコンデンサ9の電極板11は、前述のキャップ2を
シールリング4へ接着して封止する際に電極部材5に機
械的及び電気的に接続される。そ  −して、例えば、
電極部材5をケース内部の配線パターンの電源パターン
に接続し、キャップ2を接地パターンに接続する。これ
により、半導体集積回路チップ6に接続された配線パタ
ーンの電源と接地との間にコンデンサ9が接続され、電
源雑音が低減される。
第2図(a)、(b)及び(c)は夫々本発明の第2の
実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦
断面図である。この実施例においては、キャップ2にコ
ンデンサを作り込む替わりに、既製のチップコンデンサ
12を実装し、このチップコンデンサ12の一方の電極
をキャップ2の内面に半田付等により固定しである。
そして、第2図(C)に示すように、キャップ2を電気
溶接手段によりセラミックケース基板1上のシールリン
グ4に接着して半導体集積回路チップ6をケース内に封
止すると、キャップ2に実装したチップコンデ29%他
方の電極がセラミックケース基板1上の電極部材5に接
続される。
これにより、半導体集積回路チップ6の電源と接地との
間にチップコンデンサ12が極めて簡便に配設され、こ
のチップコンデンサ12により電源雑音が低減される。
[発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、半導体集積回路
チップに供給する電源パターンと接地パターンとの間に
接続されるコンデンサを、半導体集積回路チップを封止
するキャップに配設したから、集積回路の高速スイッチ
ング動作から生ずる電源雑音が低減され、半導体集積回
路チップを極めて安定して動作させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)及び(C)は夫々本発明の第1の
実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦
断面図、第2図(a)、(b)及び(c)は夫々本発明
の第2の実施例に係る集積回路装置を示す平面図、側面
図及び縦断面図、第3図(a)、(b)及び(c)は夫
々従来の集積回路装置を示す平面図、側面図及び縦断面
図である。 1;セラミックケース基板、2;キャップ、3;リード
ビン、4;シールリング、5;電極部材、6;半導体集
積回路チップ、9;コンデンサ、10;誘電体、11;
電極板、12;チップコンデンサ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体集積回路チップが搭載されるケースと、前
    記半導体集積回路チップをケース内に封入するキャップ
    と、前記半導体集積回路チップと前記ケースの外部端子
    とを接続する配線パターンと、この配線パターンにおけ
    る電源パターンと接地パターンとの間に接続され前記キ
    ャップに配設されたコンデンサと、を有することを特徴
    とする集積回路装置。
  2. (2)前記コンデンサは前記キャップを一方の電極とし
    てこのキャップに作り込まれていることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項に記載の集積回路装置。
  3. (3)前記コンデンサは前記キャップに実装されたチッ
    プコンデンサであることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項に記載の集積回路装置。
JP26579087A 1987-10-21 1987-10-21 集積回路装置 Pending JPH01108751A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004953A (ja) * 2007-08-06 2008-01-10 Hitachi Ltd 半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置
US9054484B2 (en) 2012-04-04 2015-06-09 Mitsubishi Electric Corporation Packaged optical semiconductor device

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JP4538474B2 (ja) * 2007-08-06 2010-09-08 日立オートモティブシステムズ株式会社 インバータ装置
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