JP2008004939A - デバイス、方法(mimキャパシタおよびその製造方法) - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このデバイスは、1つまたは複数の導電層を含み、上面、下面および側壁を有する上プレートと、1つまたは複数の導電層を含み、上面、下面および側壁を有するスプレッダ・プレートと、1つまたは複数の誘電層を含み、上面、下面および側壁を有する誘電ブロックとを含み、誘電ブロックの上面は上プレートの下面と物理的に接触し、誘電ブロックの下面はスプレッダ・プレートの上面の上にあり、上プレートと誘電ブロックの側壁は本質的に共面である。
【選択図】図8
Description
105 第1のレベル間誘電層(ILD層)
110 導電性下ワイヤとしてのデュアル・ダマシン・ワイヤ
115 誘電層
116 ワイヤ部分
117 バイア部分
120 第1の中間誘電層
125 トレンチ
130 ライナ
135 高融点金属層
136 スプレッダ・プレート
137 誘電層120の上面
138 スプレッダ・プレートの上面
140 第1の導電層
140A 導電性下プレート
145 MIM誘電層
145A MIM誘電ブロック
150 第2の導電層
150A 導電性上プレート
155 誘電層
155A 誘電プレート
160 MIMキャパシタ
160A MIMキャパシタ
165 第2の中間誘電層
170 第2のレベル間誘電層ILD層
175 導電性上ワイヤとしてのデュアル・ダマシン・ワイヤ
176 ワイヤ部分
177 バイア部分
Claims (8)
- 1つまたは複数の導電層を含み、上面、下面および側壁を有する導電性上プレートと、
1つまたは複数の導電層を含み、上面、下面および側壁を有するスプレッダ・プレートと、
1つまたは複数の誘電層を含み、上面、下面および側壁を有する誘電ブロック
と
を含み、
前記誘電ブロックの上面が前記導電性上プレートの下面と物理的に接触し、前記誘電ブロックの下面が前記スプレッダ・プレートの上面の上にあり、前記導電性上プレートと前記誘電ブロックの側壁が共面あるいは同一平面である、
デバイス。 - 1つまたは複数の導電層を含み、上面、下面および側壁を有する導電性下プレートをさらに含み、前記導電性下プレートの上面が前記誘電ブロックの下面と物理的に接触し、前記導電性下プレートの下面が、前記スプレッダ・プレートと物理的および電気的に接触し、前記導電性下プレートの側壁が、前記誘電ブロックおよび前記導電性上プレートの側壁と共面あるいは同一平面である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記スプレッダ・プレートの側壁が、前記導電性上プレート、前記導電性下プレートおよび前記誘電ブロックの前記側壁と共面あるいは同一平面である、請求項2に記載のデバイス。
- 前記導電性上プレート、前記導電性下プレートおよび前記誘電ブロックの周縁が、前記スプレッダ・プレートの周縁を超えて延びない、請求項2に記載のデバイス。
- 前記スプレッダ・プレートの下面と物理的および電気的に接触した1本または数本の導電性下ワイヤと、前記導電性上プレートの前記上面と物理的および電気的に接触した1本または数本の導電性上ワイヤとをさらに含む、請求項2に記載のデバイス。
- 前記導電性下および導電性上ワイヤが銅を含む、請求項5に記載のデバイス。
- 前記導電性下プレートの上面の領域が、前記導電性下プレート、前記誘電ブロックおよび前記導電性上プレートを含むメタル−オン−インシュレータ(MIM)キャパシタの容量を特定する領域を決定する、請求項2に記載のデバイス。
- 第1のレベル間誘電層内に、1つまたは複数の銅の導電性下ワイヤを形成するステップと、
前記第1のレベル間誘電層の上面に、第1の中間誘電層を形成するステップと、
前記第1の中間誘電層内にトレンチを形成するステップであって、前記トレンチの底面に、前記1つまたは複数の導電性下ワイヤが露出するステップと、
前記トレンチ内に、前記トレンチを完全に埋める導電性スプレッダ・プレートを形成するステップであって、前記スプレッダ・プレートの下面が、前記1つまたは複数の銅の導電性下ワイヤと物理的および電気的に接触するステップと、
前記スプレッダ・プレートの上面にMIM誘電ブロックを形成するステップと、
前記MIM誘電ブロック内の上面側に導電性上プレートを形成するステップであって、前記導電性上プレートと前記MIM誘電ブロックの側壁が共面あるいは同一平面であるステップと、
前記第1の中間誘電層の上面に第2の中間誘電層を形成するステップと、
前記第2の中間誘電層および前記導電性上プレートの前記上面に、第2のレベル間誘電層を形成するステップと、
前記第2のレベル間誘電層内に、1つまたは複数の銅の導電性上ワイヤを形成するステップであって、前記1つまたは複数の導電性上ワイヤが、前記導電性上プレートの上面と物理的および電気的に接触するステップと
を含む方法。
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US20080186860A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-07 | Viasat, Inc. | Contention and polled requests for scheduling transmissions |
US7821068B2 (en) * | 2008-08-18 | 2010-10-26 | Xerox Corporation | Device and process involving pinhole undercut area |
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US9299697B2 (en) * | 2014-05-15 | 2016-03-29 | Texas Instruments Incorporated | High breakdown voltage microelectronic device isolation structure with improved reliability |
CN104241245B (zh) * | 2014-09-15 | 2016-11-16 | 复旦大学 | 一种基于低k材料和铜互连的mim电容及其制备方法 |
US10546915B2 (en) | 2017-12-26 | 2020-01-28 | International Business Machines Corporation | Buried MIM capacitor structure with landing pads |
TWI639010B (zh) | 2017-12-28 | 2018-10-21 | 財團法人工業技術研究院 | 靜電偵測裝置 |
US11222945B2 (en) * | 2017-12-29 | 2022-01-11 | Texas Instruments Incorporated | High voltage isolation structure and method |
CN109638155A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-16 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | Mim电容结构及其制作方法 |
JP7179634B2 (ja) | 2019-02-07 | 2022-11-29 | 株式会社東芝 | コンデンサ及びコンデンサモジュール |
US11581298B2 (en) * | 2019-05-24 | 2023-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Zero mask high density capacitor |
CN112635438B (zh) * | 2019-09-24 | 2024-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体结构及其形成方法 |
US20210202375A1 (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Silicon Laboratories Inc. | Top Hat Structure for Isolation Capacitors |
WO2022174400A1 (en) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11901402B2 (en) | 2021-11-18 | 2024-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Standalone isolation capacitor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353328A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003152085A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004079924A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2004312007A (ja) | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属−絶縁体−金属キャパシタを含む二重ダマシン配線構造及びその製造方法 |
JP2005175491A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6657229B1 (en) * | 1996-05-28 | 2003-12-02 | United Microelectronics Corporation | Semiconductor device having multiple transistors sharing a common gate |
EP0914919B1 (en) | 1997-05-21 | 2004-12-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Method for injection molding of thermoplastic resins |
US6180976B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-01-30 | Conexant Systems, Inc. | Thin-film capacitors and methods for forming the same |
JP3967544B2 (ja) * | 1999-12-14 | 2007-08-29 | 株式会社東芝 | Mimキャパシタ |
US6466427B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Microelectronic capacitor structure compatible with copper containing microelectronic conductor layer processing |
US6313003B1 (en) * | 2000-08-17 | 2001-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Fabrication process for metal-insulator-metal capacitor with low gate resistance |
US6737728B1 (en) * | 2000-10-12 | 2004-05-18 | Intel Corporation | On-chip decoupling capacitor and method of making same |
US6451664B1 (en) * | 2001-01-30 | 2002-09-17 | Infineon Technologies Ag | Method of making a MIM capacitor with self-passivating plates |
JP2002280524A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Nec Corp | 容量素子の形成方法 |
JP2003051501A (ja) * | 2001-05-30 | 2003-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6436787B1 (en) * | 2001-07-26 | 2002-08-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming crown-type MIM capacitor integrated with the CU damascene process |
US6781184B2 (en) * | 2001-11-29 | 2004-08-24 | Symetrix Corporation | Barrier layers for protecting metal oxides from hydrogen degradation |
JP2003264235A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6734053B2 (en) * | 2002-03-20 | 2004-05-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Effective MIM fabrication method and apparatus to avoid breakdown and leakage on damascene copper process |
US6746914B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-06-08 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Metal sandwich structure for MIM capacitor onto dual damascene |
KR100456829B1 (ko) * | 2002-06-17 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 듀얼다마신공정에 적합한 엠아이엠 캐패시터 및 그의제조방법 |
US7060557B1 (en) * | 2002-07-05 | 2006-06-13 | Newport Fab, Llc, Inc. | Fabrication of high-density capacitors for mixed signal/RF circuits |
US6630380B1 (en) * | 2002-09-30 | 2003-10-07 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd | Method for making three-dimensional metal-insulator-metal capacitors for dynamic random access memory (DRAM) and ferroelectric random access memory (FERAM) |
JP2004179419A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100505658B1 (ko) * | 2002-12-11 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | MIM(Metal-Insulator-Metal)커패시터를 갖는 반도체 소자 |
US6919233B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-07-19 | Texas Instruments Incorporated | MIM capacitors and methods for fabricating same |
JP4173374B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US6949442B2 (en) * | 2003-05-05 | 2005-09-27 | Infineon Technologies Ag | Methods of forming MIM capacitors |
KR100578212B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-05-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 엠티피 구조의 강유전체 캐패시터 및 그 제조 방법 |
US6964908B2 (en) * | 2003-08-19 | 2005-11-15 | International Business Machines Corporation | Metal-insulator-metal capacitor and method of fabricating same |
US7078785B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-07-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and making thereof |
US6876028B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Metal-insulator-metal capacitor and method of fabrication |
US20050087788A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US7674682B2 (en) * | 2003-10-30 | 2010-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Capacitor integration at top-metal level with a protective cladding for copper surface protection |
US7015093B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-03-21 | Texas Instruments Incorporated | Capacitor integration at top-metal level with a protection layer for the copper surface |
US7112507B2 (en) * | 2003-11-24 | 2006-09-26 | Infineon Technologies Ag | MIM capacitor structure and method of fabrication |
JP4025316B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
KR100645041B1 (ko) * | 2004-07-12 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 엠아이엠 캐패시터를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
KR100684438B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2007-02-16 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US7232745B2 (en) * | 2005-02-24 | 2007-06-19 | International Business Machines Corporation | Body capacitor for SOI memory description |
US7226316B2 (en) * | 2005-08-11 | 2007-06-05 | Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd | Cable connector assembly with holder |
JP4776445B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | 電子機器 |
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Patent Citations (5)
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JP2003152085A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004079924A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2004312007A (ja) | 2003-04-03 | 2004-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属−絶縁体−金属キャパシタを含む二重ダマシン配線構造及びその製造方法 |
JP2005175491A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体素子及びその製造方法 |
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