JP4025316B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
S. Kishimura et al. SPIE 3334, 310 (1998)
前記絶縁膜上に、水素不透過性の反射防止膜を形成する工程、
前記反射防止膜上に直接接してレジストパターンを形成する工程、
前記レジストパターンをマスクとして用いて、前記絶縁膜にホールを形成する工程、
前記ホールに導電性材料を埋め込んでプラグを形成する工程、
前記レジストパターンをアッシングにより除去する工程、および
前記反射防止膜上に強誘電体キャパシターを形成する工程を具備し、
前記反射防止膜は、AlSi x O y 、窒化アルミニウム、およびTiAl x N y (x,yは、組成比を表わす数値である)からなる群から選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする。
前記絶縁膜上に、下部電極、強誘電体膜、および上部電極を順次堆積して強誘電体キャパシターを形成する工程、
前記上部電極上に水素不透過性の反射防止膜を形成する工程、
前記反射防止膜上に直接接してレジストパターンを形成する工程、
前記レジストパターンをマスクとして用いて、前記強誘電体キャパシターをパターニングする工程、および
前記レジストパターンをアッシングにより除去する工程を具備し、
前記反射防止膜は、AlSi x O y 、窒化アルミニウム、およびTiAl x N y (x,yは、組成比を表わす数値である)からなる群から選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする。
(実施形態1)
図1乃至図8は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法を表わす工程断面図である。
下部電極とTEOS膜との間に設けられる水素不透過性のARCは、導電性材料により形成することもできる。図9乃至図12を参照して、こうした例を説明する。
水素不透過性のARCは、キャパシターの上部電極の上に設けることもできる。図13乃至19を参照して、こうした例を説明する。
絶縁材料を用いて水素不透過性のARCを形成する場合には、キャパシターの周囲をこの膜で覆ってもよい。図22乃至図26を参照して、こうした例について説明する。
導電性材料を用いて水素不透過性のARCを形成する場合には、このARCを電極の一部として用いることもできる。図27乃至図32を参照して、こうした例について説明する。
絶縁材料を用いて水素不透過性のARCを形成する場合には、ハードマスクとしての機能をもたせることもできる。図33乃至図37を参照して、こうした例について説明する。
チェーンFeRAMは、セルトランジスタ(T)のソースドレイン間にキャパシター(C)の両端をそれぞれ接続してユニットセルとし、このユニットセルを複数直列に接続したTC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリーである。
5…ゲート電極; 6…層間絶縁膜; 7,7a,7b,7c…反射防止膜(ARC)
8…レジストパターン; 9…ホール; 10…プラグ; 11…下部電極
12…強誘電体膜; 13…上部電極; 14…水素バリアー膜
15…ハードマスク; 16…水素バリアー膜; 17…ハードマスク
18…水素バリアー膜; 19…層間絶縁膜; 20…メタル配線; 21…水素
22…有機系反射防止膜; 23,23a,23b…ARC; 24…接続穴。
Claims (5)
- 素子が形成された半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
前記絶縁膜上に、水素不透過性の反射防止膜を形成する工程、
前記反射防止膜上に直接接してレジストパターンを形成する工程、
前記レジストパターンをマスクとして用いて、前記絶縁膜にホールを形成する工程、
前記ホールに導電性材料を埋め込んでプラグを形成する工程、
前記レジストパターンをアッシングにより除去する工程、および
前記反射防止膜上に強誘電体キャパシターを形成する工程を具備し、
前記反射防止膜は、AlSi x O y 、窒化アルミニウム、およびTiAl x N y (x,yは、組成比を表わす数値である)からなる群から選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 素子が形成された半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
前記絶縁膜上に、下部電極、強誘電体膜、および上部電極を順次堆積して強誘電体キャパシターを形成する工程、
前記上部電極上に水素不透過性の反射防止膜を形成する工程、
前記反射防止膜上に直接接してレジストパターンを形成する工程、
前記レジストパターンをマスクとして用いて、前記強誘電体キャパシターをパターニングする工程、および
前記レジストパターンをアッシングにより除去する工程を具備し、
前記反射防止膜は、AlSi x O y 、窒化アルミニウム、およびTiAl x N y (x,yは、組成比を表わす数値である)からなる群から選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レジストパターンは、レジスト膜を形成し、露光、現像を行なうことにより形成され、前記反射防止膜の光学定数は、前記露光波長において屈折率nが1.0から2.2の間であり、かつ消衰係数kが0.2から1.0の間であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜は、スパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記反射防止膜は、50nm以上の膜厚で形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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