JP2007512154A5 - - Google Patents
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- 二酸化チタン(TiO2)基の汚れ防止光触媒層を表面の少なくとも一部に備えた基材を含む構造体において、
シリコンおよび酸素を含有する無孔質薄層が、上記光触媒層を被覆し、上記TiO2の光触媒作用を維持し、かつ下層の該光触媒層を機械的および化学的に保護する被覆能力を持つことを特徴とする構造体。 - 請求項1において、上記シリコンおよび酸素を含有する薄層が連続膜であることを特徴とする構造体。
- 請求項1または2において、上記シリコンおよび酸素を含有する薄層が、下層の上記光触媒層の表面凹凸に適合していることを特徴とする構造体。
- 請求項1から3までのいずれか1項において、上記シリコンおよび酸素を含有する薄層が、SiO2、SiOC、SiON、SiOxでx<2、SiOCHのうちから選択した少なくとも1種のシリコン・酸素化合物の層であることを特徴とする構造体。
- 請求項1から4までのいずれか1項において、上記シリコンおよび酸素を含有する薄層が、Al2O3およびZrO2から選択した少なくとも1種の化合物を伴う少なくとも1種のシリコン酸素化合物の層であることを特徴とする構造体。
- 請求項5において、〔Alおよび/またはZr〕/Siの原子比が1以下であることを特徴とする構造体。
- 請求項5または6において、Al/Si比が0.03〜0.5であることを特徴とする構造体。
- 請求項5から7までのいずれか1項において、Zr/Si比が0.05〜0.4であることを特徴とする構造体。
- 請求項1から8までのいずれか1項において、上記シリコンおよび酸素を含有する薄層の厚さが、15nm以下であることを特徴とする構造体。
- 請求項9において、上記薄層の厚さが5nm以下であることを特徴とする構造体。
- 請求項1から10までのいずれか1項において、上記ニ酸化チタン基層が、TiO2単独から成るか、または、Nと、Nb、Ta、Vのような5価のカチオンと、Feと、Zrとから選択した少なくとも1種のドーパントをドープしたTiO2から成ることを特徴とする構造体。
- 請求項1から11までのいずれか1項において、上記TiO2基層が、ゾル・ゲル法または化学蒸着などの熱分解法または室温真空スパッタリングによって堆積させられており、スパッタリングは金属またはx<2であるTiOxのターゲットを用いて酸化雰囲気中で行なうかTiO2ターゲットを用いて不活性雰囲気中で行われていることを特徴とする構造体。
- 請求項1から12において、上記シリコンおよび酸素を含有する薄層が、室温真空スパッタリングにより、Alを8at%ドープしたSiをターゲットとして用い、Al/O2雰囲気中で、圧力0.2Paにて、堆積させられていることを特徴とする構造体。
- 請求項1から13までのいずれか1項において、上記TiO2基上層がヘテロエピタキシャル成長によりアナターゼ型結晶として生成するのを促進する結晶構造を持つ下地層が該TiO2層の直下にあることを特徴とする構造体。
- 請求項14において、上記下地層はATiO 3 から成り、Aがバリウムまたはストロンチウムであることを特徴とする構造体。
- 請求項1から15までのいずれか1項において、上記基材が、平面状または曲面状の単層または積層したガラス、ガラス・セラミックまたはポリカーボネートのような硬質熱可塑性プラスチックのシートから成るか、または、ガラス・セラミックファイバーから成ることを特徴とする構造体。
- 請求項16において、上記機能層または上記他の機能層は、光学機能性を持つ層、熱制御層、または導電層のうちから選択されるか、または、上記基材がガラスまたはガラス・セラミックで作られている場合には上記ガラスまたはガラス・セラミックからのアルカリ金属の移動に対するバリアとなる層からも選択されることを特徴とする構造体。
- 請求項1から17までのいずれか1項記載の構造体を製造する方法において、ガラスまたはガラス・セラミックまたは硬質ポリカーボネートプラスチックで作られたシート状の基材上に、またはガラスファイバーまたはガラス・セラミックファイバー上に、TiO2層を堆積させ、該堆積条件では該TiO2層に光触媒性が付与されなかった場合には熱処理を施して光触媒性を付与し、次いで、上記Siおよび酸素を含有する薄層を該光触媒層上に堆積させることを特徴とする構造体の製造方法。
- 請求項18において、上記TiO2層および上記シリコンおよび酸素を含有する薄層の堆積を、連続して、室温で、真空スパッタリングにより、同じチャンバ内で行い、該堆積は下記条件で行い:
◇ 上記TiO2基層の堆積には、スパッタリング電源はACまたはDC電源、圧力は1〜3mbar、酸素/不活性ガス雰囲気中、Tiターゲットまたはx=1.5〜2であるTiOxターゲットを用い、
◇ 上記シリコンおよび酸素を含有する薄層の堆積には、スパッタリング電源はAC電源、圧力は0.1〜1.0Pa、Ar/O2雰囲気中、高シリコン含有量のターゲットを用いることを特徴とする構造体の製造方法。 - 請求項18または19において、ガラス基材またはガラス・セラミック基材に被覆を行なう場合に、上記TiO2層またはこれに随伴する上記下地層を付与する前に、ガラスまたはガラス・セラミック中のアルカリ金属の移動に対するバリアとなる少なくとも1層を上記基材に堆積させることを特徴とする構造体の製造方法。
- 請求項18から20までのいずれか1項において、アルカリ金属の移動に対するバリアとなる上記少なくとも1層を任意に付与した後、上記TiO2層またはこれに随伴する上記下地層を付与する前に、光学機能性を持つ層、熱制御層、導電層のうちの少なくとも1つの機能層を堆積させることを特徴とする構造体の製造方法。
- 請求項1から17までのいずれか1項記載の構造体を少なくとも1つの面に備えた単層または多層のグレージング。
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