JP2007328066A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素電極114に電圧印加するTFT127のドレイン電極112との間で補助容量を形成するための下地金属層100が、ガラス基板130上に面状に形成、即ち、ガラス基板130上にパターンニングされない状態で形成される。これにより、ドレイン電極112と下地金属層100との位置合わせが極めて簡便になる。また、面状の下地金属層100に対向するドレイン電極112の寸法精度で、電気的容量形成のための面積が決まるため、電気的容量のバラツキを可及的に抑え得る。
【選択図】図1
Description
(1)補助容量電極12の電位を変調し、保持用の電荷量を大きくする。
(2)プロセス設計ルールを変更する。
(3)駆動電圧を高くする。
(2)CVD法(化学気相成長法:Chemical Vapor Deposition)により、Cr電極(下地金属層100)上に、基板絶縁層101としてのSiN膜を300[nm]の厚さになるように成膜する。
(4)基板絶縁層(SiN膜)101上に、スパッタにより200[nm]のAl―Nd層を成膜し、フォトマスクを用いて、ゲート配線106および画素容量形成電極(補助容量形成電極)107等のTFTの下電極を形成する。
(6)CVD法により、オーミックコンタクト層110として、a−Si(n+)膜を20[nm]の厚さになるように成膜する。
(7)スパッタにより、オーミックコンタクト層110上に、200[nm]の厚さになるようにAl層を成膜する。
(8)フォトマスクを用いウェットエッチングにより、TFT部を含むソース配線111、ドレイン電極112を形成する。引き続き、同レジストパターンを用い、ドライエッチングによりTFTチャネル部のオーミックコンタクト層(a−Si(n+)層)110を除去した後、SiN膜113を300[nm]の厚さに成膜する。
(9)ドライエッチングにより、SiN膜(保護層)113にコンタクトホール123を形成して、ドレイン電極112を一部露出させる。
(10)スパッタにより、SiN膜113上にAl層を200[nm]の厚さになるように成膜する。
(11)フォトマスクを用いウェットエッチングにより、Al層を、画素電極114として形成する。
(12)TiO2を含有したアクリル樹脂層を4[μm]塗布し、白色散乱層115を形成する。
(13)絶縁膜として、アクリル系樹脂116を1[μm]の厚さになるように成膜する。
(14)アクリル系樹脂116上に、Ti層117を300[nm]の厚さになるように成膜し、さらに、カーボンを含有したフォトレジスト118を300[nm]の厚さになるように成膜する。
(15)そして、厚膜フォトレジストを15[μm]の厚さになるように形成した後、画素間部分を残して現像し、画素間隔壁119を形成する。
(16)厚膜フォトレジストで形成した画素間隔壁119を用いて、Ti層117と、カーボン含有のフォトレジスト118とを300[nm]エッチングし、TFTバックプレーンを形成する。
(17)最後に、パラフィン系炭化水素溶媒を主成分とする絶縁性液体120に、カーボンブラックを含有したポリスチレン樹脂から成る黒色の帯電性粒子121を分散させた分散液を、画素間隔壁119で区画された空間128に充填する。そして、透明な第2基板122を画素間隔壁119と接触させるようにして固定した。つまり、電気泳動粒子である帯電性粒子121と帯電性粒子121を分散させる媒質である分散液とを挟持した状態で、第2基板122とガラス基板130とを対向配置した。なお、ここでは簡単のため図示していないが、画素間隔壁119と第2基板122とは接着剤で固定されている。
100 導電層(下地金属層)
101 基板絶縁層(SiN膜)
102 基板絶縁層コンタクトホール
106 配線(ゲート電極、ゲート配線)
107 画素容量形成電極(Cs配線)
108 ゲート絶縁膜(SiN膜)
109 アモルファス半導体層
110 オーミックコンタクト層(a−Si(n+))
111 配線(ソース電極、ソース配線)
112 ドレイン電極(ドレイン配線)
113 SiN膜
114 画素(画素電極)
115 白色散乱層
116 アクリル系樹脂(絶縁膜)
117 Ti層
118 カーボン含有のフォトレジスト
119 画素間隔壁
120 絶縁性液体
121 帯電性粒子
122 第2基板
123 コンタクトホール
124 基板電位固定配線
125 駆動手段、第1手段(ゲート線駆動回路)
126 駆動手段、第2手段(ソース線駆動回路)
127 半導体素子、3端子トランジスタ(TFT)
130 基板(ガラス基板)
Claims (6)
- 基板上に面状に形成された導電層と、
該導電層上に形成された絶縁層と、
該絶縁層上にてマトリクス状に形成された複数の配線と、
該複数の配線の各交差部分にそれぞれ配置された半導体素子及び該半導体素子を介して信号を付与される画素と、を備え、
該画素に信号付与する前記半導体素子の電極と前記導電層との間に補助容量が形成されてなる、
ことを特徴とする表示装置。 - 前記マトリクス状の前記複数の配線をそれぞれ駆動する駆動手段を備え、
前記導電層の電位は、前記駆動手段内における何れかの電位である、
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 前記半導体素子の前記電極であるドレイン電極、或いは該ドレイン電極と電気的に接続された電極の何れにも電気的に接続されずに独立して配された容量形成電極を更に備え、
前記導電層の電位は、前記容量形成電極の電位と同電位である、
ことを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。 - 前記半導体素子は、逆スタガー構成のTFT素子である、
ことを特徴とする請求項1ないし3の何れか1項記載の表示装置。 - 前記絶縁層上に、前記複数の配線である走査信号配線と情報信号配線とをマトリクス配線して形成されたマトリクスアレイ基板と、
前記走査信号配線を駆動する第1手段及び前記情報信号配線を駆動する第2手段を有する駆動手段と、
前記基板と対向配置されて該基板との間に光学変調素子を挟持する別の基板と、を備え、
前記半導体素子の前記電極及び前記導電層が、前記両基板の一方に配置される、
ことを特徴とする請求項1ないし4の何れか1項記載の表示装置。 - 前記絶縁層上に、前記半導体素子の前記電極であるドレイン電極を制御又は該ドレイン電極の電圧を制御するアクティブマトリクス配線群を備え、
該アクティブマトリクス配線群は、前記絶縁層上に転写方式を用いて形成されてなる、
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
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