JP2001202827A - 透明導電性基板、発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイ - Google Patents
透明導電性基板、発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイInfo
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光を外部に取り出す取り出し率が高い発光素
子用の透明導電性基板を提供する。 【解決手段】 低屈折率体１の少なくとも一方の表面に
接して透明導電性膜２を有する。低屈折率体１を通過す
る光は大気への取り出し率が高くなり、光を外部に取り
出す取り出し率が高い発光素子を作製することができ
る。
子用の透明導電性基板を提供する。 【解決手段】 低屈折率体１の少なくとも一方の表面に
接して透明導電性膜２を有する。低屈折率体１を通過す
る光は大気への取り出し率が高くなり、光を外部に取り
出す取り出し率が高い発光素子を作製することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種ディスプレ
イ、表示装置、液晶用バックライト等に用いられる発光
素子及びこの発光素子用の透明導電性基板、ＰＬ発光を
利用した平面発光板及びその製造方法、平面発光板を用
いた平面蛍光ランプ及びプラズマディスプレイに関する
ものである。
イ、表示装置、液晶用バックライト等に用いられる発光
素子及びこの発光素子用の透明導電性基板、ＰＬ発光を
利用した平面発光板及びその製造方法、平面発光板を用
いた平面蛍光ランプ及びプラズマディスプレイに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報化社会の進展に伴って、各種
のディスプレイが開発されている。その中で、自発光型
の電子ディスプレイとして特に期待されているものの一
つに、ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子、電界
発光素子）がある。ＥＬ素子は物質に電界を印加したと
きに発光を生じる現象を利用したものであり、無機ＥＬ
層あるいは有機ＥＬ層を電極で挟んだ構造に形成されて
いる。
のディスプレイが開発されている。その中で、自発光型
の電子ディスプレイとして特に期待されているものの一
つに、ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子、電界
発光素子）がある。ＥＬ素子は物質に電界を印加したと
きに発光を生じる現象を利用したものであり、無機ＥＬ
層あるいは有機ＥＬ層を電極で挟んだ構造に形成されて
いる。
【０００３】図１１はその一例の有機ＥＬ素子の基本構
造を示すものであり、ガラス板１１の上に酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）からなる陽極の透明電極１２、有機ＥＬ
層１３、陰極の背面金属電極１４を積層した構造に形成
されている。このものでは、透明電極１２から注入され
たホールと背面金属電極１４から注入された電子が有機
ＥＬ層１３で再結合し、発光中心である蛍光色素などを
励起することにより発光するものである。そして有機Ｅ
Ｌ層１３から発光した光は、直接、あるいはアルミニウ
ムなどで形成される背面金属電極１４で反射して、ガラ
ス板１１から出射する。
造を示すものであり、ガラス板１１の上に酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）からなる陽極の透明電極１２、有機ＥＬ
層１３、陰極の背面金属電極１４を積層した構造に形成
されている。このものでは、透明電極１２から注入され
たホールと背面金属電極１４から注入された電子が有機
ＥＬ層１３で再結合し、発光中心である蛍光色素などを
励起することにより発光するものである。そして有機Ｅ
Ｌ層１３から発光した光は、直接、あるいはアルミニウ
ムなどで形成される背面金属電極１４で反射して、ガラ
ス板１１から出射する。
【０００４】ここで、発光素子の内部で発生した光が発
光素子の外部へ取り出される取り出し率ηは、古典光学
の法則により、屈折率ｎの媒体中から屈折率１．０の空
気中に出射される際の全反射の臨界角θｃで決まる。屈
折の法則からこの臨界角θｃは次の式（１）で与えられ
る。
光素子の外部へ取り出される取り出し率ηは、古典光学
の法則により、屈折率ｎの媒体中から屈折率１．０の空
気中に出射される際の全反射の臨界角θｃで決まる。屈
折の法則からこの臨界角θｃは次の式（１）で与えられ
る。
【０００５】ｓｉｎθｃ＝１／ｎ （１） そして取り出し率ηは、屈折率ｎの媒体から空気中へ通
過する光量と発生した全光量（媒体と空気の界面で全反
射される光量と空気中へ通過する光量の和）の比から次
の式（２）で求められる。
過する光量と発生した全光量（媒体と空気の界面で全反
射される光量と空気中へ通過する光量の和）の比から次
の式（２）で求められる。
【０００６】η＝１−（ｎ2−１）1/2／ｎ （２） 尚、媒体の屈折率ｎが１．５より大きい場合には次の近
似式（３）を用いることができるが、媒体の屈折率ｎが
１．００に極めて近い場合は上記の式（２）を用いる必
要がある。
似式（３）を用いることができるが、媒体の屈折率ｎが
１．００に極めて近い場合は上記の式（２）を用いる必
要がある。
【０００７】η＝１／（２ｎ2） （３） ここで、ＥＬ素子において有機ＥＬ層１３や透明電極１
２の厚みは光の波長より短いので、ガラス板１１の屈折
率が主として取り出し率ηに寄与することになる。そし
てガラスの屈折率ｎは一般に１．５〜１．６程度である
ので、（３）式から、取り出し率ηは約０．２（約２０
％）になる。残りの約８０％はガラス板１１と空気の界
面の全反射によって導波光として失われているものであ
る。
２の厚みは光の波長より短いので、ガラス板１１の屈折
率が主として取り出し率ηに寄与することになる。そし
てガラスの屈折率ｎは一般に１．５〜１．６程度である
ので、（３）式から、取り出し率ηは約０．２（約２０
％）になる。残りの約８０％はガラス板１１と空気の界
面の全反射によって導波光として失われているものであ
る。
【０００８】上記では発光体として無機あるいは有機Ｅ
Ｌ層を用いた例で説明したが、発光体としてＰＬ（フォ
トルミネッセンス）発光層１５を用いたＰＬ発光素子の
場合も同様である。すなわち、図１２はＰＬ発光素子の
基本構造を示すものであり、ガラス板１１の上にＰＬ発
光層１５を積層した構造に形成されている。このもので
は、ＰＬ発光層１５に紫外線などの光が照射されると、
ＰＬ発光層１５が発光し、ガラス板１１から出射する。
そしてこのものにあっても、上記と同様に取り出し率η
が低く、多くの光は導波光として失われている。
Ｌ層を用いた例で説明したが、発光体としてＰＬ（フォ
トルミネッセンス）発光層１５を用いたＰＬ発光素子の
場合も同様である。すなわち、図１２はＰＬ発光素子の
基本構造を示すものであり、ガラス板１１の上にＰＬ発
光層１５を積層した構造に形成されている。このもので
は、ＰＬ発光層１５に紫外線などの光が照射されると、
ＰＬ発光層１５が発光し、ガラス板１１から出射する。
そしてこのものにあっても、上記と同様に取り出し率η
が低く、多くの光は導波光として失われている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＥＬ素子
やＰＬ発光素子内部で発生した発光を大気中に取り出す
場合の取り出し率は低く、このことはＥＬ素子やＰＬ発
光素子に限らず、内部で発生した面状発光を大気中に取
り出す発光素子全般において問題になるものであった。
やＰＬ発光素子内部で発生した発光を大気中に取り出す
場合の取り出し率は低く、このことはＥＬ素子やＰＬ発
光素子に限らず、内部で発生した面状発光を大気中に取
り出す発光素子全般において問題になるものであった。
【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、光を外部に取り出す取り出し率が高く、表面の輝
度が高い発光素子及びこの発光素子用の透明導電性基
板、並びに平面発光板及びその製造方法を提供すること
を目的とするものであり、この平面発光板を用いた明る
い平面蛍光ランプ及びプラズマディスプレイを提供する
ことを目的とするものである。
あり、光を外部に取り出す取り出し率が高く、表面の輝
度が高い発光素子及びこの発光素子用の透明導電性基
板、並びに平面発光板及びその製造方法を提供すること
を目的とするものであり、この平面発光板を用いた明る
い平面蛍光ランプ及びプラズマディスプレイを提供する
ことを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
透明導電性基板は、低屈折率体１の少なくとも一方の表
面に接して透明導電性膜２を有することを特徴とするも
のである。
透明導電性基板は、低屈折率体１の少なくとも一方の表
面に接して透明導電性膜２を有することを特徴とするも
のである。
【００１２】また請求項２の発明は、請求項１におい
て、低屈折率体１の屈折率が１．００３〜１．３００で
あることを特徴とするものである。
て、低屈折率体１の屈折率が１．００３〜１．３００で
あることを特徴とするものである。
【００１３】また請求項３の発明は、請求項１又は２に
おいて、低屈折率体１がシリカエアロゲル１ａであるこ
とを特徴とするものである。
おいて、低屈折率体１がシリカエアロゲル１ａであるこ
とを特徴とするものである。
【００１４】また請求項４の発明は、請求項１乃至３の
いずれかにおいて、低屈折率体１の片側の表面に透明導
電性膜２を有すると共に他方の表面に透明体３を有する
ことを特徴とするものである。
いずれかにおいて、低屈折率体１の片側の表面に透明導
電性膜２を有すると共に他方の表面に透明体３を有する
ことを特徴とするものである。
【００１５】また請求項５の発明は、請求項１乃至４の
いずれかにおいて、透明導電性膜２が酸化インジウム
錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、銀、
クロムから選ばれた材料で形成されたものであることを
特徴とするものである。
いずれかにおいて、透明導電性膜２が酸化インジウム
錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、銀、
クロムから選ばれた材料で形成されたものであることを
特徴とするものである。
【００１６】また請求項６の発明は、請求項４又は５に
おいて、透明体３がガラス又は透明樹脂で形成されたも
のであることを特徴とするものである。
おいて、透明体３がガラス又は透明樹脂で形成されたも
のであることを特徴とするものである。
【００１７】また請求項７の発明は、請求項４乃至６の
いずれかにおいて、シリカエアロゲル１ａは透明体３の
上に薄膜状に形成されたものであることを特徴とするも
のである。
いずれかにおいて、シリカエアロゲル１ａは透明体３の
上に薄膜状に形成されたものであることを特徴とするも
のである。
【００１８】また請求項８の発明は、請求項３乃至７の
いずれかにおいて、シリカエアロゲル１ａは疎水化処理
されたものであることを特徴とするものである。
いずれかにおいて、シリカエアロゲル１ａは疎水化処理
されたものであることを特徴とするものである。
【００１９】本発明の請求項９に係る発光素子は、上記
の請求項１乃至８のいずれかに記載の透明導電性基板
の、低屈折率体１と反対側の透明導電性膜２の表面に、
発光層４を有することを特徴とするものである。
の請求項１乃至８のいずれかに記載の透明導電性基板
の、低屈折率体１と反対側の透明導電性膜２の表面に、
発光層４を有することを特徴とするものである。
【００２０】また請求項１０の発明は、請求項９におい
て、発光層４は有機ＥＬ層４ａであることを特徴とする
ものである。
て、発光層４は有機ＥＬ層４ａであることを特徴とする
ものである。
【００２１】また請求項１１の発明は、請求項９におい
て、発光層４は無機ＥＬ層４ｂであることを特徴とする
ものである。
て、発光層４は無機ＥＬ層４ｂであることを特徴とする
ものである。
【００２２】本発明の請求項１２に係る発光素子は、低
屈折率体１の表面に接してＰＬ発光層５を有することを
特徴とするものである。
屈折率体１の表面に接してＰＬ発光層５を有することを
特徴とするものである。
【００２３】本発明の請求項１３に係る平面発光板は、
ガラス板１１上にＰＬ発光層５を設けて形成され、ガラ
ス板１１とＰＬ発光層５との間にシリカエアロゲルの薄
膜１６が設けられていることを特徴とするものである。
ガラス板１１上にＰＬ発光層５を設けて形成され、ガラ
ス板１１とＰＬ発光層５との間にシリカエアロゲルの薄
膜１６が設けられていることを特徴とするものである。
【００２４】本発明の請求項１４に係る平面発光板は、
ガラス板１１上にＰＬ発光層５を設けて形成され、ＰＬ
発光層５がＰＬ発光材料の粒子を分散又は担持したシリ
カエアロゲルの薄膜１６で形成されていることを特徴と
するものである。
ガラス板１１上にＰＬ発光層５を設けて形成され、ＰＬ
発光層５がＰＬ発光材料の粒子を分散又は担持したシリ
カエアロゲルの薄膜１６で形成されていることを特徴と
するものである。
【００２５】本発明の請求項１５に係る平面発光板の製
造方法は、請求項１３に記載の平面発光板を製造するに
あたって、ガラス板１１上にアルコキシシラン溶液を塗
布及び乾燥することによってシリカエアロゲルの薄膜１
６を形成した後、その上に製膜してＰＬ発光層５を形成
することを特徴とするものである。
造方法は、請求項１３に記載の平面発光板を製造するに
あたって、ガラス板１１上にアルコキシシラン溶液を塗
布及び乾燥することによってシリカエアロゲルの薄膜１
６を形成した後、その上に製膜してＰＬ発光層５を形成
することを特徴とするものである。
【００２６】本発明の請求項１６に係る平面発光板の製
造方法は、請求項１４に記載の平面発光板を製造するに
あたって、ＰＬ発光材料の粒子を分散したアルコキシシ
ラン溶液をガラス板１１上に塗布及び乾燥することによ
って、ＰＬ発光層５をシリカエアロゲルの薄膜１６で形
成することを特徴とするものである。
造方法は、請求項１４に記載の平面発光板を製造するに
あたって、ＰＬ発光材料の粒子を分散したアルコキシシ
ラン溶液をガラス板１１上に塗布及び乾燥することによ
って、ＰＬ発光層５をシリカエアロゲルの薄膜１６で形
成することを特徴とするものである。
【００２７】本発明の請求項１７に係る平面蛍光ランプ
は、請求項１３又は１４に記載の平面発光板で発光面を
形成して成ることを特徴とするものである。
は、請求項１３又は１４に記載の平面発光板で発光面を
形成して成ることを特徴とするものである。
【００２８】本発明の請求項１８に係るプラズマディス
プレイは、請求項１３又は１４に記載の平面発光板で発
光面を形成して成ることを特徴とするものである。
プレイは、請求項１３又は１４に記載の平面発光板で発
光面を形成して成ることを特徴とするものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００３０】図１は本発明に係る透明導電性基板Ａの実
施の形態の一例を示すものであり、低屈折率体１の一方
の表面に透明導電性膜２を積層した構造に形成してあ
る。ここで、この低屈折率体１は、屈折率が１．００３
〜１．３００の範囲の値を持つ透明材料を面状に形成し
たものである。低屈折率体１の屈折率が１．３００を超
えるものであると、光の取り出し率ηの高い発光素子を
得ることが困難になる。低屈折率体１は屈折率が低いほ
ど望ましいが、後述のシリカエアロゲルを含めて屈折率
を小さくするには限界があり、１．００３が実用上の下
限である。また低屈折率体１の厚みは１．０μｍ以上で
あるが、厚みの上限は２ｍｍに設定するのが好ましい。
低屈折率体１を２ｍｍを超える厚みで形成しても、後述
の光の取り出し率に大差はなく、効率的でないからであ
る。
施の形態の一例を示すものであり、低屈折率体１の一方
の表面に透明導電性膜２を積層した構造に形成してあ
る。ここで、この低屈折率体１は、屈折率が１．００３
〜１．３００の範囲の値を持つ透明材料を面状に形成し
たものである。低屈折率体１の屈折率が１．３００を超
えるものであると、光の取り出し率ηの高い発光素子を
得ることが困難になる。低屈折率体１は屈折率が低いほ
ど望ましいが、後述のシリカエアロゲルを含めて屈折率
を小さくするには限界があり、１．００３が実用上の下
限である。また低屈折率体１の厚みは１．０μｍ以上で
あるが、厚みの上限は２ｍｍに設定するのが好ましい。
低屈折率体１を２ｍｍを超える厚みで形成しても、後述
の光の取り出し率に大差はなく、効率的でないからであ
る。
【００３１】このような低屈折率体１としては、シリカ
エアロゲルが最も好ましいものとして用いることができ
る。シリカエアロゲルは透明で且つ空気並みの屈折率を
有するので、前述の式（２）から得られる光の外部への
取り出し率ηを１（１００％）近くまで向上させること
が可能になるものである。
エアロゲルが最も好ましいものとして用いることができ
る。シリカエアロゲルは透明で且つ空気並みの屈折率を
有するので、前述の式（２）から得られる光の外部への
取り出し率ηを１（１００％）近くまで向上させること
が可能になるものである。
【００３２】シリカエアロゲルは、米国特許第４４０２
８２７号公報、同第４４３２９５６号公報、同第４６１
０８６３号公報で提供されているように、アルコキシシ
ラン（シリコンアルコキシド、アルキルシリケートとも
称される）の加水分解、重合反応によって得られたシリ
カ骨格からなる湿潤状態のゲル状化合物を、アルコール
あるいは二酸化炭素等の溶媒（分散媒）の存在下で、こ
の溶媒の臨界点以上の超臨界状態で乾燥することによっ
て製造することができる。超臨界乾燥は、例えばゲル状
化合物を液化二酸化炭素中に浸漬し、ゲル状化合物が含
む溶媒の全部又は一部をこの溶媒よりも臨界点が低い液
化二酸化炭素に置換し、この後、二酸化炭素の単独系、
あるいは二酸化炭素と溶媒との混合系の超臨界条件下で
乾燥することによって、行なうことができる。
８２７号公報、同第４４３２９５６号公報、同第４６１
０８６３号公報で提供されているように、アルコキシシ
ラン（シリコンアルコキシド、アルキルシリケートとも
称される）の加水分解、重合反応によって得られたシリ
カ骨格からなる湿潤状態のゲル状化合物を、アルコール
あるいは二酸化炭素等の溶媒（分散媒）の存在下で、こ
の溶媒の臨界点以上の超臨界状態で乾燥することによっ
て製造することができる。超臨界乾燥は、例えばゲル状
化合物を液化二酸化炭素中に浸漬し、ゲル状化合物が含
む溶媒の全部又は一部をこの溶媒よりも臨界点が低い液
化二酸化炭素に置換し、この後、二酸化炭素の単独系、
あるいは二酸化炭素と溶媒との混合系の超臨界条件下で
乾燥することによって、行なうことができる。
【００３３】またシリカエアロゲルは、米国特許第５１
３７２７９号公報、同第５１２４３６４号公報で提供さ
れているように、ケイ酸ナトリウムを原料として、上記
と同様にして製造することができる。
３７２７９号公報、同第５１２４３６４号公報で提供さ
れているように、ケイ酸ナトリウムを原料として、上記
と同様にして製造することができる。
【００３４】ここで、特開平５−２７９０１１号公報、
特開平７−１３８３７５号公報に開示されているよう
に、上記のようにしてアルコキシシランの加水分解、重
合反応によって得られたゲル状化合物を疎水化処理する
ことによって、シリカエアロゲルに疎水性を付与するこ
とが好ましい。このように疎水性を付与した疎水性シリ
カエアロゲルは、湿気や水等が浸入し難くなり、シリカ
エアロゲルの屈折率や光透過性等の性能が劣化すること
を防ぐことができるものである。
特開平７−１３８３７５号公報に開示されているよう
に、上記のようにしてアルコキシシランの加水分解、重
合反応によって得られたゲル状化合物を疎水化処理する
ことによって、シリカエアロゲルに疎水性を付与するこ
とが好ましい。このように疎水性を付与した疎水性シリ
カエアロゲルは、湿気や水等が浸入し難くなり、シリカ
エアロゲルの屈折率や光透過性等の性能が劣化すること
を防ぐことができるものである。
【００３５】この疎水化処理の工程は、ゲル状化合物を
超臨界乾燥する前、あるいは超臨界乾燥中に行なうこと
ができる。疎水化処理は、ゲル状化合物の表面に存在す
るシラノール基の水酸基を疎水化処理剤の官能基と反応
させ、疎水化処理剤の疎水基と置換させることによって
疎水化するために行なうものである。疎水化処理を行な
う手法としては、例えば、疎水化処理剤を溶媒に溶解さ
せた疎水化処理液中にゲルを浸漬し、混合するなどして
ゲル内に疎水化処理剤を浸透させた後、必要に応じて加
熱して、疎水化反応を行なわせる方法がある。
超臨界乾燥する前、あるいは超臨界乾燥中に行なうこと
ができる。疎水化処理は、ゲル状化合物の表面に存在す
るシラノール基の水酸基を疎水化処理剤の官能基と反応
させ、疎水化処理剤の疎水基と置換させることによって
疎水化するために行なうものである。疎水化処理を行な
う手法としては、例えば、疎水化処理剤を溶媒に溶解さ
せた疎水化処理液中にゲルを浸漬し、混合するなどして
ゲル内に疎水化処理剤を浸透させた後、必要に応じて加
熱して、疎水化反応を行なわせる方法がある。
【００３６】ここで、疎水化処理に用いる溶媒として
は、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、キシレン、トルエン、ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ヘキサメチルジシロキサン等を挙げるこ
とができるが、疎水化処理剤が容易に溶解し、かつ、疎
水化処理前のゲルが含有する溶媒と置換可能なものであ
ればよく、これらに限定されるものではない。また後の
工程で超臨界乾燥が行なわれる場合、超臨界乾燥の容易
な媒体、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、液体二酸化炭素などと同一種類もしくはそれと置
換可能なものが好ましい。また疎水化処理剤としては例
えば、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシロキ
サン、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキ
シシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン等を挙げること
ができる。
は、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノー
ル、キシレン、トルエン、ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ヘキサメチルジシロキサン等を挙げるこ
とができるが、疎水化処理剤が容易に溶解し、かつ、疎
水化処理前のゲルが含有する溶媒と置換可能なものであ
ればよく、これらに限定されるものではない。また後の
工程で超臨界乾燥が行なわれる場合、超臨界乾燥の容易
な媒体、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、液体二酸化炭素などと同一種類もしくはそれと置
換可能なものが好ましい。また疎水化処理剤としては例
えば、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシロキ
サン、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキ
シシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン等を挙げること
ができる。
【００３７】上記のようにして得られるシリカエアロゲ
ルの屈折率は、シリカエアロゲルの原料配合比によって
自由に変化させることができるが、シリカエアロゲルの
透明性等の性能を確保するためには、１．００８〜１．
１８の範囲に屈折率を調整するのが好ましい。
ルの屈折率は、シリカエアロゲルの原料配合比によって
自由に変化させることができるが、シリカエアロゲルの
透明性等の性能を確保するためには、１．００８〜１．
１８の範囲に屈折率を調整するのが好ましい。
【００３８】一方、シリカエアロゲル１ａの低屈折率体
１の表面に設けられる透明導電性膜２は、酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミ
ニウム、銀、クロム等を用いて形成することができる
が、透明性やシート抵抗（透明導電性膜の表面導電性を
示す指標）、仕事関数の点から、酸化インジウム錫が特
に好ましい。透明導電性膜２の膜厚は、透明性やシート
抵抗を確保するために、１５０〜４００ｎｍ程度が好ま
しい。低屈折率体１の表面に透明導電性膜２を形成する
方法は、特に制限されるものではなく、低屈折率体１の
表面にＩＴＯ等の材料をコーティングする方法や、スパ
ッタリングする方法など、従来から周知の方法を採用す
ることができる。
１の表面に設けられる透明導電性膜２は、酸化インジウ
ム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミ
ニウム、銀、クロム等を用いて形成することができる
が、透明性やシート抵抗（透明導電性膜の表面導電性を
示す指標）、仕事関数の点から、酸化インジウム錫が特
に好ましい。透明導電性膜２の膜厚は、透明性やシート
抵抗を確保するために、１５０〜４００ｎｍ程度が好ま
しい。低屈折率体１の表面に透明導電性膜２を形成する
方法は、特に制限されるものではなく、低屈折率体１の
表面にＩＴＯ等の材料をコーティングする方法や、スパ
ッタリングする方法など、従来から周知の方法を採用す
ることができる。
【００３９】図２は本発明に係る透明導電性基板Ａの実
施の形態の他の一例を示すものであり、シリカエアロゲ
ル１ａによる低屈折率体１の一方の表面に透明導電性膜
２を設けると共に他方の表面に透明体３を設けた構造に
形成してある。透明体３は発光素子の強度を担持する基
板としての作用をなすものであり、その厚みは強度を保
持できるものであればよく特に制限されない。このよう
に低屈折率体１に透明体３を付加するようにしても、低
屈折率体１は屈折率が１に近いために、光の取り出し率
ηを低下させるようなことはない。すなわち、発光した
光が一旦、屈折率が１に近く、１．０μｍ以上の厚みを
有する低屈折率体１中に出射されると、この光が屈折率
が１よりもはるかに大きい透明体３を通過しても光の全
量を空気中に取り出すことができるのは、古典光学の屈
折の法則が教えるところである。ここで、透明体３とし
ては、ガラスの他、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹
脂等の透明樹脂を用いることができる。透明体３とシリ
カエアロゲル１ａによる低屈折率体１を積層する方法
は、シリカエアロゲル作製時のゾル−ゲル反応段階で、
ディップコーティング法やスピンコーティング法で透明
体３の表面にアルコキシシラン溶液をコーティングする
方法などを採用することができる。シリカエアロゲル１
ａによる低屈折率体１の厚みは特に限定されない。
施の形態の他の一例を示すものであり、シリカエアロゲ
ル１ａによる低屈折率体１の一方の表面に透明導電性膜
２を設けると共に他方の表面に透明体３を設けた構造に
形成してある。透明体３は発光素子の強度を担持する基
板としての作用をなすものであり、その厚みは強度を保
持できるものであればよく特に制限されない。このよう
に低屈折率体１に透明体３を付加するようにしても、低
屈折率体１は屈折率が１に近いために、光の取り出し率
ηを低下させるようなことはない。すなわち、発光した
光が一旦、屈折率が１に近く、１．０μｍ以上の厚みを
有する低屈折率体１中に出射されると、この光が屈折率
が１よりもはるかに大きい透明体３を通過しても光の全
量を空気中に取り出すことができるのは、古典光学の屈
折の法則が教えるところである。ここで、透明体３とし
ては、ガラスの他、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹
脂等の透明樹脂を用いることができる。透明体３とシリ
カエアロゲル１ａによる低屈折率体１を積層する方法
は、シリカエアロゲル作製時のゾル−ゲル反応段階で、
ディップコーティング法やスピンコーティング法で透明
体３の表面にアルコキシシラン溶液をコーティングする
方法などを採用することができる。シリカエアロゲル１
ａによる低屈折率体１の厚みは特に限定されない。
【００４０】次に、上記のように作製される透明導電性
基板Ａを用いた発光素子について説明する。
基板Ａを用いた発光素子について説明する。
【００４１】図３は有機ＥＬ発光素子の構造例を示すも
のであり、上記の図１や図２の透明導電性基板Ａにおい
て、透明導電性膜２の低屈折率体１と反対側の表面に発
光層４として有機ＥＬ層４ａを設け、さらに有機ＥＬ層
４ａの透明導電性膜２と反対側の表面に背面金属電極１
４が設けてある。この有機ＥＬ層４ａとしては、一般に
有機ＥＬとして用いられている低分子色素系材料や共役
高分子系材料などで形成することができる。またこの有
機ＥＬ層４ａはホール注入層、ホール輸送層、電子輸送
層、電子注入層などの層との積層多層構造であってもよ
い。背面金属電極１４としては、アルミニウム、銀−マ
グネシウム、カルシウム等の金属を用いることができ
る。図３（ａ）は低屈折率体１の外側に透明体３を設け
ていない有機ＥＬ発光素子を、図３（ｂ）は低屈折率体
１の外側に透明体３を設けている有機ＥＬ発光素子を、
それぞれ示す。
のであり、上記の図１や図２の透明導電性基板Ａにおい
て、透明導電性膜２の低屈折率体１と反対側の表面に発
光層４として有機ＥＬ層４ａを設け、さらに有機ＥＬ層
４ａの透明導電性膜２と反対側の表面に背面金属電極１
４が設けてある。この有機ＥＬ層４ａとしては、一般に
有機ＥＬとして用いられている低分子色素系材料や共役
高分子系材料などで形成することができる。またこの有
機ＥＬ層４ａはホール注入層、ホール輸送層、電子輸送
層、電子注入層などの層との積層多層構造であってもよ
い。背面金属電極１４としては、アルミニウム、銀−マ
グネシウム、カルシウム等の金属を用いることができ
る。図３（ａ）は低屈折率体１の外側に透明体３を設け
ていない有機ＥＬ発光素子を、図３（ｂ）は低屈折率体
１の外側に透明体３を設けている有機ＥＬ発光素子を、
それぞれ示す。
【００４２】そして上記のように形成される有機ＥＬ発
光素子にあって、透明導電性膜２と背面金属電極１４の
間に直流電源１７を接続して、有機ＥＬ層４ａに電界を
印加すると、有機ＥＬ層４ａ内で発光する。この有機Ｅ
Ｌ層４ａから発光した光は図３に矢印で示すように、直
接、あるいは背面金属電極１４で反射して、透明導電性
膜２及び低屈折率体１さらに透明体３から出射する。こ
のとき、シリカエアロゲル１ａなどで形成される低屈折
率体１は、屈折率が非常に小さくて１に近いので、上記
の（２）式から導かれるように、光の取り出し率ηは高
くなるものである。尚、有機ＥＬ層４ａと低屈折率体１
の間には透明導電性膜２が介在しているが、透明導電性
膜２の厚みは光の波長よりも小さいため、光の取り出し
率ηに影響を与えることはない。
光素子にあって、透明導電性膜２と背面金属電極１４の
間に直流電源１７を接続して、有機ＥＬ層４ａに電界を
印加すると、有機ＥＬ層４ａ内で発光する。この有機Ｅ
Ｌ層４ａから発光した光は図３に矢印で示すように、直
接、あるいは背面金属電極１４で反射して、透明導電性
膜２及び低屈折率体１さらに透明体３から出射する。こ
のとき、シリカエアロゲル１ａなどで形成される低屈折
率体１は、屈折率が非常に小さくて１に近いので、上記
の（２）式から導かれるように、光の取り出し率ηは高
くなるものである。尚、有機ＥＬ層４ａと低屈折率体１
の間には透明導電性膜２が介在しているが、透明導電性
膜２の厚みは光の波長よりも小さいため、光の取り出し
率ηに影響を与えることはない。
【００４３】図４は無機ＥＬ発光素子の構造例を示すも
のであり、上記の図１や図２の透明導電性基板Ａにおい
て、透明導電性膜２の低屈折率体１と反対側の表面に発
光層４として無機ＥＬ層４ｂを設け、さらに無機ＥＬ層
４ｂの透明導電性膜２と反対側の表面に背面金属電極１
４が設けてある。この無機ＥＬ層４ｂとしては、一般に
無機ＥＬとして用いられている無機蛍光体材料であれば
特に制限されることなく使用することができる。この無
機ＥＬ層４ｂの両面には絶縁層を形成しておくのが好ま
しい。図４（ａ）は低屈折率体１の外側に透明体３を設
けていない無機ＥＬ発光素子を、図４（ｂ）は低屈折率
体１の外側に透明体３を設けている無機ＥＬ発光素子
を、それぞれ示す。
のであり、上記の図１や図２の透明導電性基板Ａにおい
て、透明導電性膜２の低屈折率体１と反対側の表面に発
光層４として無機ＥＬ層４ｂを設け、さらに無機ＥＬ層
４ｂの透明導電性膜２と反対側の表面に背面金属電極１
４が設けてある。この無機ＥＬ層４ｂとしては、一般に
無機ＥＬとして用いられている無機蛍光体材料であれば
特に制限されることなく使用することができる。この無
機ＥＬ層４ｂの両面には絶縁層を形成しておくのが好ま
しい。図４（ａ）は低屈折率体１の外側に透明体３を設
けていない無機ＥＬ発光素子を、図４（ｂ）は低屈折率
体１の外側に透明体３を設けている無機ＥＬ発光素子
を、それぞれ示す。
【００４４】上記のように形成される無機ＥＬ発光素子
にあって、透明導電性膜２と背面金属電極１４の間に交
流電源１８を接続して、無機ＥＬ層４ｂに電界を印加す
ると、無機ＥＬ層４ｂ内で発光する。この無機ＥＬ層４
ｂから発光した光は図４に矢印で示すように、直接、あ
るいは背面金属電極１４で反射して、透明導電性膜２及
び低屈折率体１さらに透明体３から出射する。このと
き、シリカエアロゲル１ａなどで形成される低屈折率体
１は、屈折率が非常に小さくて１に近いので、上記の
（２）式から導かれるように、光の取り出し率ηは高く
なるものである。
にあって、透明導電性膜２と背面金属電極１４の間に交
流電源１８を接続して、無機ＥＬ層４ｂに電界を印加す
ると、無機ＥＬ層４ｂ内で発光する。この無機ＥＬ層４
ｂから発光した光は図４に矢印で示すように、直接、あ
るいは背面金属電極１４で反射して、透明導電性膜２及
び低屈折率体１さらに透明体３から出射する。このと
き、シリカエアロゲル１ａなどで形成される低屈折率体
１は、屈折率が非常に小さくて１に近いので、上記の
（２）式から導かれるように、光の取り出し率ηは高く
なるものである。
【００４５】次に、図５は本発明の発光素子の実施の形
態の他の一例を示すものであり、シリカエアロゲル１ａ
で形成される低屈折率体１の表面にＰＬ発光層５を設け
た構造のＰＬ発光素子を示すものである。ＰＬ発光層５
は、光をエネルギーとしてＰＬ（フォトルミネッセン
ス）発光するＰＬ発光材料で形成されるものであり、無
機材料、有機材料、希土類金属錯体などＰＬ発光するも
のであれば特に制限されることなく使用することができ
る。図５（ａ）は低屈折率体１の外側に透明体３を設け
ていないＰＬ発光素子を、図５（ｂ）は低屈折率体１の
外側に透明体３を設けているＰＬ発光素子を、それぞれ
示す。
態の他の一例を示すものであり、シリカエアロゲル１ａ
で形成される低屈折率体１の表面にＰＬ発光層５を設け
た構造のＰＬ発光素子を示すものである。ＰＬ発光層５
は、光をエネルギーとしてＰＬ（フォトルミネッセン
ス）発光するＰＬ発光材料で形成されるものであり、無
機材料、有機材料、希土類金属錯体などＰＬ発光するも
のであれば特に制限されることなく使用することができ
る。図５（ａ）は低屈折率体１の外側に透明体３を設け
ていないＰＬ発光素子を、図５（ｂ）は低屈折率体１の
外側に透明体３を設けているＰＬ発光素子を、それぞれ
示す。
【００４６】上記のように形成されるＰＬ発光素子にあ
って、ＰＬ発光層５によるＰＬ発光は光をエネルギーと
して発光するので、電極を設けて電界を印加する必要は
ないが、ＰＬ発光層５の担持基板として低屈折率体１を
用いてＰＬ発光素子を形成するようにしたものである。
そしてＰＬ発光層５から発光した光は図５に矢印で示す
ように、低屈折率体１さらに透明体３から出射するが、
シリカエアロゲル１ａなどで形成される低屈折率体１
は、屈折率が非常に小さくて１に近いので、上記の
（２）式から導かれるように、光の取り出し率ηが高く
なり、取り出し率ηの優れたＰＬ発光素子を得ることが
できるものである。
って、ＰＬ発光層５によるＰＬ発光は光をエネルギーと
して発光するので、電極を設けて電界を印加する必要は
ないが、ＰＬ発光層５の担持基板として低屈折率体１を
用いてＰＬ発光素子を形成するようにしたものである。
そしてＰＬ発光層５から発光した光は図５に矢印で示す
ように、低屈折率体１さらに透明体３から出射するが、
シリカエアロゲル１ａなどで形成される低屈折率体１
は、屈折率が非常に小さくて１に近いので、上記の
（２）式から導かれるように、光の取り出し率ηが高く
なり、取り出し率ηの優れたＰＬ発光素子を得ることが
できるものである。
【００４７】図６は、図５（ｂ）の構成のＰＬ発光素子
によって形成した平面発光板の一例を示すものであり、
透明体３としてガラス板１１を用い、ガラス板１１の片
側の表面に低屈折率体１としてシリカエアロゲルの薄膜
１６を積層して設けると共に、シリカエアロゲル薄膜１
６の表面にＰＬ発光層５を設けて形成してある。ガラス
板１１の表面へのシリカエアロゲル薄膜１６の形成は、
既述のシリカエアロゲル作製時のゾル−ゲル反応段階
で、アルコキシシラン溶液をディップコーティング法や
スピンコーティング法でコーティングし、そして乾燥す
ることによって行なうことができる。
によって形成した平面発光板の一例を示すものであり、
透明体３としてガラス板１１を用い、ガラス板１１の片
側の表面に低屈折率体１としてシリカエアロゲルの薄膜
１６を積層して設けると共に、シリカエアロゲル薄膜１
６の表面にＰＬ発光層５を設けて形成してある。ガラス
板１１の表面へのシリカエアロゲル薄膜１６の形成は、
既述のシリカエアロゲル作製時のゾル−ゲル反応段階
で、アルコキシシラン溶液をディップコーティング法や
スピンコーティング法でコーティングし、そして乾燥す
ることによって行なうことができる。
【００４８】またＰＬ発光層５は上記のようなＰＬ発光
材料で形成することができるが、主としてＹ2Ｏ3：Ｅｕ
（赤）、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ（緑）、ＢａＭｇＡｌ
10Ｏ1 7：Ｅｕ（青）などの無機蛍光体を用いるものであ
り、必要とする色や、照射される紫外線の波長に応じて
適宜選択して使用されるものである。シリカエアロゲル
薄膜１６の表面にＰＬ発光層５を形成するにあたって
は、印刷法やスパッタリング法などで行なうことができ
る。
材料で形成することができるが、主としてＹ2Ｏ3：Ｅｕ
（赤）、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，Ｔｂ（緑）、ＢａＭｇＡｌ
10Ｏ1 7：Ｅｕ（青）などの無機蛍光体を用いるものであ
り、必要とする色や、照射される紫外線の波長に応じて
適宜選択して使用されるものである。シリカエアロゲル
薄膜１６の表面にＰＬ発光層５を形成するにあたって
は、印刷法やスパッタリング法などで行なうことができ
る。
【００４９】印刷法は、蛍光体を必要に応じてポリマー
や水と混合してスラリーを調製し、このスラリーをシリ
カエアロゲル薄膜１６の表面に塗布して乾燥した後に、
５００℃以上の高温で焼成することによって行なうもの
であり、有機系のスラリーを用いる場合と水系のスラリ
ーを用いる場合がある。有機系の場合は、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ
などの蛍光体と結着剤を有機溶媒に分散させて調製した
スラリーを用い、このスラリーをガラス板１１の表面に
塗布し、５００〜６００℃で焼成することによって、溶
媒をとばしてＰＬ発光層５を形成するものである。また
水系の場合は、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕなどの蛍光体と結着剤を増
粘剤と純水と界面活性剤の溶液に分散させて調製したス
ラリーを用い、このスラリーをガラス板１１の表面に塗
布し、５００〜６００℃で焼成することによって、水と
増粘剤をとばしてＰＬ発光層５を形成するものである。
増粘剤は蛍光体の結着力を上げるためのものであり、例
えばアルミナゾルを用いることができる。
や水と混合してスラリーを調製し、このスラリーをシリ
カエアロゲル薄膜１６の表面に塗布して乾燥した後に、
５００℃以上の高温で焼成することによって行なうもの
であり、有機系のスラリーを用いる場合と水系のスラリ
ーを用いる場合がある。有機系の場合は、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ
などの蛍光体と結着剤を有機溶媒に分散させて調製した
スラリーを用い、このスラリーをガラス板１１の表面に
塗布し、５００〜６００℃で焼成することによって、溶
媒をとばしてＰＬ発光層５を形成するものである。また
水系の場合は、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕなどの蛍光体と結着剤を増
粘剤と純水と界面活性剤の溶液に分散させて調製したス
ラリーを用い、このスラリーをガラス板１１の表面に塗
布し、５００〜６００℃で焼成することによって、水と
増粘剤をとばしてＰＬ発光層５を形成するものである。
増粘剤は蛍光体の結着力を上げるためのものであり、例
えばアルミナゾルを用いることができる。
【００５０】またスパッタ法は、出力１００〜３００
Ｗ、温度２００〜４００℃、真空度０．７〜１Ｐａ程度
の条件に設定して行なうことができる。
Ｗ、温度２００〜４００℃、真空度０．７〜１Ｐａ程度
の条件に設定して行なうことができる。
【００５１】ＰＬ発光層５の厚みは特に制限されるもの
ではないが、印刷法でＰＬ発光層５を形成する場合は
０．１μｍ〜５００μｍ程度がこのましい。またスパッ
タ法でＰＬ発光層５を形成する場合は０．０５μｍ〜１
μｍ程度で、薄いほど好ましいが、必要発光量との兼ね
合いで適宜設定するのがよい。このようにシリカエアロ
ゲル薄膜１６の表面にＰＬ発光層５を形成するにあたっ
て、ＰＬ発光層５の蛍光体がシリカエアロゲル薄膜１６
に浸透し、アンカー効果でＰＬ発光層５を密着強度高く
シリカエアロゲル薄膜１６に積層することができ、シリ
カエアロゲル薄膜１６を介して強固にＰＬ発光層５をガ
ラス板１１に固着することができるものである。
ではないが、印刷法でＰＬ発光層５を形成する場合は
０．１μｍ〜５００μｍ程度がこのましい。またスパッ
タ法でＰＬ発光層５を形成する場合は０．０５μｍ〜１
μｍ程度で、薄いほど好ましいが、必要発光量との兼ね
合いで適宜設定するのがよい。このようにシリカエアロ
ゲル薄膜１６の表面にＰＬ発光層５を形成するにあたっ
て、ＰＬ発光層５の蛍光体がシリカエアロゲル薄膜１６
に浸透し、アンカー効果でＰＬ発光層５を密着強度高く
シリカエアロゲル薄膜１６に積層することができ、シリ
カエアロゲル薄膜１６を介して強固にＰＬ発光層５をガ
ラス板１１に固着することができるものである。
【００５２】上記のように形成される平面発光板にあっ
て、ＰＬ発光層５に紫外線を照射すると、ＰＬ発光層５
は紫外線によって励起されて発光し、このようにＰＬ発
光層５で発光した光はシリカエアロゲル薄膜１６を通し
てガラス板１１に入射され、ガラス板１１の表面から出
射する。ここで、ＰＬ発光層５とガラス板１１の間に屈
折率が１に近いシリカエアロゲル薄膜１６が設けられて
いるために、ＰＬ発光層５から発光した光は小さい入射
角でガラス板１１に入射して、ガラス板１１の表面から
出射するものであり、導波光として失われる率が小さく
なって、ガラス板１１の表面からの取り出し率が高くな
り、平面発光板の表面は輝度が高くなるものである。
て、ＰＬ発光層５に紫外線を照射すると、ＰＬ発光層５
は紫外線によって励起されて発光し、このようにＰＬ発
光層５で発光した光はシリカエアロゲル薄膜１６を通し
てガラス板１１に入射され、ガラス板１１の表面から出
射する。ここで、ＰＬ発光層５とガラス板１１の間に屈
折率が１に近いシリカエアロゲル薄膜１６が設けられて
いるために、ＰＬ発光層５から発光した光は小さい入射
角でガラス板１１に入射して、ガラス板１１の表面から
出射するものであり、導波光として失われる率が小さく
なって、ガラス板１１の表面からの取り出し率が高くな
り、平面発光板の表面は輝度が高くなるものである。
【００５３】図６の実施の形態では、ＰＬ発光層５とシ
リカエアロゲル薄膜１６とを別の独立した層として形成
したが、図７の実施の形態では、ＰＬ発光層５を蛍光体
粒子を分散又は担持させたシリカエアロゲル薄膜１６で
形成し、ＰＬ発光層５とシリカエアロゲル薄膜１６を一
つの層に形成するようにしてある。このようなＰＬ発光
層５を蛍光体粒子を分散又は担持させたエアロゲル薄膜
１６で形成するにあたっては、上記の蛍光体の微粒子を
混合したアルコキシシラン溶液を調製し、この蛍光体粒
子を混合したアルコキシシラン溶液をガラス板１１の表
面に既述のようにコーティングして乾燥することによっ
て、行なうことができる。アルコキシシラン溶液への蛍
光体粒子の混合比は、アルコキシシラン溶液に対して１
０〜６０容積％程度に設定するのが好ましく、また蛍光
体粒子の粒子径としては、特に制限されないが０．１〜
１００μｍ程度で、微細なほど好ましい。またこのもの
では、蛍光体粒子はシリカエアロゲル中に密に均一に分
散した状態で、シリカエアロゲルがバインダーの役割を
担ってガラス板１１に密着するものである。必要に応じ
て焼成すると密着性はさらに向上する。
リカエアロゲル薄膜１６とを別の独立した層として形成
したが、図７の実施の形態では、ＰＬ発光層５を蛍光体
粒子を分散又は担持させたシリカエアロゲル薄膜１６で
形成し、ＰＬ発光層５とシリカエアロゲル薄膜１６を一
つの層に形成するようにしてある。このようなＰＬ発光
層５を蛍光体粒子を分散又は担持させたエアロゲル薄膜
１６で形成するにあたっては、上記の蛍光体の微粒子を
混合したアルコキシシラン溶液を調製し、この蛍光体粒
子を混合したアルコキシシラン溶液をガラス板１１の表
面に既述のようにコーティングして乾燥することによっ
て、行なうことができる。アルコキシシラン溶液への蛍
光体粒子の混合比は、アルコキシシラン溶液に対して１
０〜６０容積％程度に設定するのが好ましく、また蛍光
体粒子の粒子径としては、特に制限されないが０．１〜
１００μｍ程度で、微細なほど好ましい。またこのもの
では、蛍光体粒子はシリカエアロゲル中に密に均一に分
散した状態で、シリカエアロゲルがバインダーの役割を
担ってガラス板１１に密着するものである。必要に応じ
て焼成すると密着性はさらに向上する。
【００５４】このように形成される平面発光板にあっ
て、ＰＬ発光層５でもあるシリカエアロゲル薄膜１６に
紫外線を照射すると、シリカエアロゲル薄膜１６中の蛍
光体粒子が紫外線で励起されて発光する。このようにシ
リカエアロゲル薄膜１６で発光した光はガラス板１１に
入射され、ガラス板１１の表面から出射する。このもの
にあって、光は屈折率が１に近いシリカエアロゲル薄膜
１６から小さい入射角でガラス板１１に入射して、ガラ
ス板１１の表面から出射するものであり、導波光として
失われる率が小さくなって、ガラス板１１の表面からの
取り出し率が高くなり、平面発光板の表面は輝度が高く
なるものである。
て、ＰＬ発光層５でもあるシリカエアロゲル薄膜１６に
紫外線を照射すると、シリカエアロゲル薄膜１６中の蛍
光体粒子が紫外線で励起されて発光する。このようにシ
リカエアロゲル薄膜１６で発光した光はガラス板１１に
入射され、ガラス板１１の表面から出射する。このもの
にあって、光は屈折率が１に近いシリカエアロゲル薄膜
１６から小さい入射角でガラス板１１に入射して、ガラ
ス板１１の表面から出射するものであり、導波光として
失われる率が小さくなって、ガラス板１１の表面からの
取り出し率が高くなり、平面発光板の表面は輝度が高く
なるものである。
【００５５】上記のように形成される平面発光板Ｂは、
平面蛍光ランプの発光面として用いることができる。図
８（ａ）（ｂ）はそれぞれ図６や図７の平面発光板Ｂを
用いた平面蛍光ランプの一例を示すものであり、２枚の
平面発光板ＢをＰＬ発光層５やシリカエアロゲル薄膜１
６を設けた側を対向させて平行に配置し、その四周の側
端部間にシール材２０を設けることによって、２枚の平
面発光板Ｂとシール材２０で囲まれる密閉空間２１を形
成し、この密閉空間２１内に一対の放電電極２２が設け
てある。密閉空間２１内には水銀やあるいはＸｅ、Ｎ
ｅ、Ｋｒ又はこれらの混合ガスなどの希ガスが封入して
ある。
平面蛍光ランプの発光面として用いることができる。図
８（ａ）（ｂ）はそれぞれ図６や図７の平面発光板Ｂを
用いた平面蛍光ランプの一例を示すものであり、２枚の
平面発光板ＢをＰＬ発光層５やシリカエアロゲル薄膜１
６を設けた側を対向させて平行に配置し、その四周の側
端部間にシール材２０を設けることによって、２枚の平
面発光板Ｂとシール材２０で囲まれる密閉空間２１を形
成し、この密閉空間２１内に一対の放電電極２２が設け
てある。密閉空間２１内には水銀やあるいはＸｅ、Ｎ
ｅ、Ｋｒ又はこれらの混合ガスなどの希ガスが封入して
ある。
【００５６】このように形成される平面蛍光ランプにあ
って、放電電極２２に電圧を印加してグロー放電させる
と、放電電極２２から放出された熱電子により放電プラ
ズマが生成し、プラズマ中の水銀や希ガスから紫外線が
発せられる。この紫外線の波長は励起物質によって異な
るが、１８５ｎｍや２５４ｎｍであり、この紫外線が平
面発光板ＢのＰＬ発光層５やシリカエアロゲル薄膜１６
中の蛍光体に照射されると、蛍光体が励起されて可視光
が発せられ、平面発光板Ｂを発光させてランプとしての
機能を発現させることができるものである。小型の平面
蛍光ランプの場合には、水銀を用いず、希ガスの放電に
より発生する真空紫外線（波長１４７ｎｍ）で蛍光体を
発光させるようにするのがよい。従ってこの場合には蛍
光体として真空紫外線に対して励起感度が高いものを用
いるのが好ましい。
って、放電電極２２に電圧を印加してグロー放電させる
と、放電電極２２から放出された熱電子により放電プラ
ズマが生成し、プラズマ中の水銀や希ガスから紫外線が
発せられる。この紫外線の波長は励起物質によって異な
るが、１８５ｎｍや２５４ｎｍであり、この紫外線が平
面発光板ＢのＰＬ発光層５やシリカエアロゲル薄膜１６
中の蛍光体に照射されると、蛍光体が励起されて可視光
が発せられ、平面発光板Ｂを発光させてランプとしての
機能を発現させることができるものである。小型の平面
蛍光ランプの場合には、水銀を用いず、希ガスの放電に
より発生する真空紫外線（波長１４７ｎｍ）で蛍光体を
発光させるようにするのがよい。従ってこの場合には蛍
光体として真空紫外線に対して励起感度が高いものを用
いるのが好ましい。
【００５７】また上記のように形成される平面発光板Ｂ
は、プラズマディスプレイの発光面として用いることが
できる。図９（ａ）（ｂ）はそれぞれ図６や図７の平面
発光板Ｂを用いたプラズマディスプレイの一例を示すも
のであり、誘電体２３を挟んだ一対の電極２４を表面に
設けた基板２５の表面に、平面発光板ＢをＰＬ発光層５
やシリカエアロゲル薄膜１６を設けた側を対向させて平
行に配置し、その四周の側端部間に隔壁２６を設けるこ
とによって、平面発光板Ｂと基板２５と隔壁２６で囲ま
れる密閉空間２７を形成し、この密閉空間２７内にＮｅ
−Ｘｅガスなどの希ガスが封入してある。
は、プラズマディスプレイの発光面として用いることが
できる。図９（ａ）（ｂ）はそれぞれ図６や図７の平面
発光板Ｂを用いたプラズマディスプレイの一例を示すも
のであり、誘電体２３を挟んだ一対の電極２４を表面に
設けた基板２５の表面に、平面発光板ＢをＰＬ発光層５
やシリカエアロゲル薄膜１６を設けた側を対向させて平
行に配置し、その四周の側端部間に隔壁２６を設けるこ
とによって、平面発光板Ｂと基板２５と隔壁２６で囲ま
れる密閉空間２７を形成し、この密閉空間２７内にＮｅ
−Ｘｅガスなどの希ガスが封入してある。
【００５８】このように形成されるプラズマディスプレ
イにあって、電極２４に電圧を印加してグロー放電させ
ると、電極２４から放出された熱電子により放電プラズ
マが生成し、プラズマ中の希ガスから紫外線が発せら
れ、この紫外線が平面発光板ＢのＰＬ発光層５やシリカ
エアロゲル薄膜１６中の蛍光体に照射されると、蛍光体
が励起されて可視光が発せられ、平面発光板Ｂを発光さ
せてディスプレイ表示を行なわせることができるもので
ある。
イにあって、電極２４に電圧を印加してグロー放電させ
ると、電極２４から放出された熱電子により放電プラズ
マが生成し、プラズマ中の希ガスから紫外線が発せら
れ、この紫外線が平面発光板ＢのＰＬ発光層５やシリカ
エアロゲル薄膜１６中の蛍光体に照射されると、蛍光体
が励起されて可視光が発せられ、平面発光板Ｂを発光さ
せてディスプレイ表示を行なわせることができるもので
ある。
【００５９】
【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
する。
【００６０】（実施例１）テトラメトキシシランのオリ
ゴマー（コルコート社製「メチルシリケート５１」）と
メタノールを質量比４７：８１で混合してＡ液を調製
し、また水、２８質量％アンモニア水、メタノールを質
量比５０：１：８１で混合してＢ液を調製した。そして
Ａ液とＢ液を１６：１７の質量比で混合して得たアルコ
キシシラン溶液を、厚み１．１ｍｍ、屈折率１．５５の
スライドガラスで形成される透明体３の片側表面上に滴
下し、７００ｍｉｎ-1の回転数で１０秒間スピンコーテ
ィングした。次いで、アルコキシシランをゲル化させた
後、水：２８質量％アンモニア水：メタノール＝１６
２：４：６４０の質量比の組成の養生溶液中に浸漬し、
室温にて１昼夜養生した。次に、このようにして養生を
行なった薄膜状のゲル状化合物を、ヘキサメチルジシラ
ザンの１０質量％イソプロパノール溶液中に浸漬し、疎
水化処理をした。このようにして透明体３の表面に形成
した薄膜状のゲル状化合物をイソプロパノール中へ浸漬
して洗浄した後、高圧容器中に入れ、高圧容器内を液化
炭酸ガスで満たし、８０℃、１６ＭＰａの条件で超臨界
乾燥をすることによって、透明体３の表面に屈折率１．
０３、膜厚３０μｍのシリカエアロゲル１ａによる低屈
折率体１を形成した。
ゴマー（コルコート社製「メチルシリケート５１」）と
メタノールを質量比４７：８１で混合してＡ液を調製
し、また水、２８質量％アンモニア水、メタノールを質
量比５０：１：８１で混合してＢ液を調製した。そして
Ａ液とＢ液を１６：１７の質量比で混合して得たアルコ
キシシラン溶液を、厚み１．１ｍｍ、屈折率１．５５の
スライドガラスで形成される透明体３の片側表面上に滴
下し、７００ｍｉｎ-1の回転数で１０秒間スピンコーテ
ィングした。次いで、アルコキシシランをゲル化させた
後、水：２８質量％アンモニア水：メタノール＝１６
２：４：６４０の質量比の組成の養生溶液中に浸漬し、
室温にて１昼夜養生した。次に、このようにして養生を
行なった薄膜状のゲル状化合物を、ヘキサメチルジシラ
ザンの１０質量％イソプロパノール溶液中に浸漬し、疎
水化処理をした。このようにして透明体３の表面に形成
した薄膜状のゲル状化合物をイソプロパノール中へ浸漬
して洗浄した後、高圧容器中に入れ、高圧容器内を液化
炭酸ガスで満たし、８０℃、１６ＭＰａの条件で超臨界
乾燥をすることによって、透明体３の表面に屈折率１．
０３、膜厚３０μｍのシリカエアロゲル１ａによる低屈
折率体１を形成した。
【００６１】そして、この低屈折率体１の透明体３と反
対側の表面に、アルミキノリノール錯体（トリス（８−
ヒドロキノリン）アルミニウム：（株）同仁化学研究所
製）を５０ｎｍの厚みで真空蒸着してＰＬ発光層５を設
け、図５（ｂ）の構造のＰＬ発光素子を作製した。
対側の表面に、アルミキノリノール錯体（トリス（８−
ヒドロキノリン）アルミニウム：（株）同仁化学研究所
製）を５０ｎｍの厚みで真空蒸着してＰＬ発光層５を設
け、図５（ｂ）の構造のＰＬ発光素子を作製した。
【００６２】（比較例１）シリカエアロゲル１ａによる
低屈折率体１を形成せずに、スライドガラスで形成され
る透明体３の片側の表面に、実施例１と同様にしてＰＬ
発光層５を設け、ＰＬ発光素子を作製した。
低屈折率体１を形成せずに、スライドガラスで形成され
る透明体３の片側の表面に、実施例１と同様にしてＰＬ
発光層５を設け、ＰＬ発光素子を作製した。
【００６３】実施例１及び比較例１で得たＰＬ発光素子
にブラックライト（紫外線）を照射し、透明体３側から
蛍光発光を観察した。結果を図１０に示す。図１０
（ａ）は実施例１のＰＬ発光素子の写真、図１０（ｂ）
は比較例１のＰＬ発光素子の写真を示すものであり、実
施例１のものではＰＬ発光層５で発生した蛍光は、図１
０（ａ）にみられるように表面から直接面状に光るのみ
で、導波光として側端から失われる成分はほとんどない
のに対して、比較例１のものでは図１０（ｂ）にみられ
るように側端面が強く発光しており、ＰＬ発光層５で発
生した蛍光は多くが導波光として側端から失われている
ものであった。
にブラックライト（紫外線）を照射し、透明体３側から
蛍光発光を観察した。結果を図１０に示す。図１０
（ａ）は実施例１のＰＬ発光素子の写真、図１０（ｂ）
は比較例１のＰＬ発光素子の写真を示すものであり、実
施例１のものではＰＬ発光層５で発生した蛍光は、図１
０（ａ）にみられるように表面から直接面状に光るのみ
で、導波光として側端から失われる成分はほとんどない
のに対して、比較例１のものでは図１０（ｂ）にみられ
るように側端面が強く発光しており、ＰＬ発光層５で発
生した蛍光は多くが導波光として側端から失われている
ものであった。
【００６４】（実施例２）実施例１と同様にして得たア
ルコキシシラン溶液をスチロール製容器内に注型し、こ
の容器を密閉した後に、室温で放置することによってゲ
ル化・養生を行なった。あとは実施例１と同様にして疎
水化処理及び超臨界乾燥を行なうことによって、屈折率
が１．０３のシリカエアロゲル１ａによる１ｃｍ×１ｃ
ｍ×０．５ｃｍの低屈折率体１を得た。
ルコキシシラン溶液をスチロール製容器内に注型し、こ
の容器を密閉した後に、室温で放置することによってゲ
ル化・養生を行なった。あとは実施例１と同様にして疎
水化処理及び超臨界乾燥を行なうことによって、屈折率
が１．０３のシリカエアロゲル１ａによる１ｃｍ×１ｃ
ｍ×０．５ｃｍの低屈折率体１を得た。
【００６５】そしてこの低屈折率体１の片側の表面に、
スパッタ法で厚み３００ｎｍの酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）の膜を設けて透明導電性膜２を形成し、図１の構造
の透明導電性基板Ａを作製した。次に、透明導電性膜２
の低屈折率体１と反対側の表面に、Ｎ，Ｎ−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ−ビス３−メチル−フェニル−１，１−ジフェ
ニル−４，４ジアミン（（株）同仁化学研究所製）を５
０ｎｍの厚みで真空蒸着すると共にさらにアルミキノリ
ノール錯体（トリス（８−ヒドロキノリン）アルミニウ
ム：（株）同仁化学研究所製）を５０ｎｍの厚みで真空
蒸着することよって、ホール輸送層と発光層からなる有
機ＥＬ層４ａを設け、さらに有機ＥＬ層４ａにアルミニ
ウムを１５０ｎｍの厚みで真空蒸着して背面金属電極１
４を設け、図３（ａ）の構造の有機ＥＬ発光素子を作製
した。
スパッタ法で厚み３００ｎｍの酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）の膜を設けて透明導電性膜２を形成し、図１の構造
の透明導電性基板Ａを作製した。次に、透明導電性膜２
の低屈折率体１と反対側の表面に、Ｎ，Ｎ−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ−ビス３−メチル−フェニル−１，１−ジフェ
ニル−４，４ジアミン（（株）同仁化学研究所製）を５
０ｎｍの厚みで真空蒸着すると共にさらにアルミキノリ
ノール錯体（トリス（８−ヒドロキノリン）アルミニウ
ム：（株）同仁化学研究所製）を５０ｎｍの厚みで真空
蒸着することよって、ホール輸送層と発光層からなる有
機ＥＬ層４ａを設け、さらに有機ＥＬ層４ａにアルミニ
ウムを１５０ｎｍの厚みで真空蒸着して背面金属電極１
４を設け、図３（ａ）の構造の有機ＥＬ発光素子を作製
した。
【００６６】（実施例３）２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚み
１．１ｍｍ、屈折率１．５５のガラス板で形成される透
明体３の片側の表面に、実施例１と同様にしてスピンコ
ーティング法で屈折率１．０３、膜厚１００μｍのシリ
カエアロゲル１ａを設けて低屈折率体１を形成し、この
低屈折率体１にスパッタ法で厚み３００ｎｍの酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）の膜を設けて透明導電性膜２を形成
し、図２の構造の透明導電性基板Ａを作製した。この透
明導電性基板Ａを用い、後は実施例２と同様にして有機
ＥＬ層４ａ、背面金属電極１４を設けて図３（ｂ）の構
造の有機ＥＬ発光素子を作製した。
１．１ｍｍ、屈折率１．５５のガラス板で形成される透
明体３の片側の表面に、実施例１と同様にしてスピンコ
ーティング法で屈折率１．０３、膜厚１００μｍのシリ
カエアロゲル１ａを設けて低屈折率体１を形成し、この
低屈折率体１にスパッタ法で厚み３００ｎｍの酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）の膜を設けて透明導電性膜２を形成
し、図２の構造の透明導電性基板Ａを作製した。この透
明導電性基板Ａを用い、後は実施例２と同様にして有機
ＥＬ層４ａ、背面金属電極１４を設けて図３（ｂ）の構
造の有機ＥＬ発光素子を作製した。
【００６７】（比較例２）シリカエアロゲル１ａの低屈
折率体１の代わりに厚み１．１ｍｍ、屈折率１．５５の
ガラス板を用い、その他は実施例２と同様にして有機Ｅ
Ｌ発光素子を作製した。
折率体１の代わりに厚み１．１ｍｍ、屈折率１．５５の
ガラス板を用い、その他は実施例２と同様にして有機Ｅ
Ｌ発光素子を作製した。
【００６８】（実施例４）実施例２と同様にして図１の
構造の透明導電性基板Ａを作製した。次に、この透明導
電性基板Ａの透明導電性膜２の表面に絶縁層として厚み
０．４μｍのＳｉ 3Ｎ4をスパッタリング法で形成し、そ
の上に電子ビーム蒸着法で厚み１．０μｍのＺｎＳ：Ｍ
ｎ（Ｍｎ濃度０．５質量％）の膜を設けて無機ＥＬ層４
ｂを設け、さらにその上に絶縁層として厚み０．４μｍ
のＳｉ3Ｎ4をスパッタリング法で形成した。そして無機
ＥＬ層４ｂにアルミニウムを１５０ｎｍの厚みで真空蒸
着して背面金属電極１４を設け、図４（ａ）の構造の無
機ＥＬ発光素子を作製した。
構造の透明導電性基板Ａを作製した。次に、この透明導
電性基板Ａの透明導電性膜２の表面に絶縁層として厚み
０．４μｍのＳｉ 3Ｎ4をスパッタリング法で形成し、そ
の上に電子ビーム蒸着法で厚み１．０μｍのＺｎＳ：Ｍ
ｎ（Ｍｎ濃度０．５質量％）の膜を設けて無機ＥＬ層４
ｂを設け、さらにその上に絶縁層として厚み０．４μｍ
のＳｉ3Ｎ4をスパッタリング法で形成した。そして無機
ＥＬ層４ｂにアルミニウムを１５０ｎｍの厚みで真空蒸
着して背面金属電極１４を設け、図４（ａ）の構造の無
機ＥＬ発光素子を作製した。
【００６９】（実施例５）実施例３と同様にして図２の
構造の透明導電性基板Ａを作製した。この透明導電性基
板Ａを用い、後は実施例４と同様にして無機ＥＬ層４
ｂ、背面金属電極１４を設けて図４（ｂ）の構造の無機
ＥＬ発光素子を作製した。
構造の透明導電性基板Ａを作製した。この透明導電性基
板Ａを用い、後は実施例４と同様にして無機ＥＬ層４
ｂ、背面金属電極１４を設けて図４（ｂ）の構造の無機
ＥＬ発光素子を作製した。
【００７０】（比較例３）シリカエアロゲル１ａの低屈
折率体１の代わりに厚み１．１ｍｍ、屈折率１．５５の
ガラス板を用い、その他は実施例４と同様にして無機Ｅ
Ｌ発光素子を作製した。
折率体１の代わりに厚み１．１ｍｍ、屈折率１．５５の
ガラス板を用い、その他は実施例４と同様にして無機Ｅ
Ｌ発光素子を作製した。
【００７１】上記の実施例２，３及び比較例２で作製し
た有機ＥＬ発光素子の透明導電性膜２と背面金属電極１
４に１０Ｖの直流電源１７を接続し、表面の輝度を輝度
計（ミノルタ社製ＬＳ−１１０）で測定した。また上記
の実施例４，５及び比較例３で作製した無機ＥＬ発光素
子の透明導電性膜２と背面金属電極１４に１００Ｖ、４
００Ｈｚの交流電源１８を接続し、表面の輝度を輝度計
（ミノルタ社製ＬＳ−１１０）で測定した。これらの結
果を表１に示す。
た有機ＥＬ発光素子の透明導電性膜２と背面金属電極１
４に１０Ｖの直流電源１７を接続し、表面の輝度を輝度
計（ミノルタ社製ＬＳ−１１０）で測定した。また上記
の実施例４，５及び比較例３で作製した無機ＥＬ発光素
子の透明導電性膜２と背面金属電極１４に１００Ｖ、４
００Ｈｚの交流電源１８を接続し、表面の輝度を輝度計
（ミノルタ社製ＬＳ−１１０）で測定した。これらの結
果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
【００７３】表１にみられるように、実施例２，３は発
光素子の輝度が比較例２よりも高く、光の外部取り出し
率ηが高いことが確認され、また実施例４，５は発光素
子の輝度が比較例３よりも高く、光の外部取り出し率η
が高いことが確認される。
光素子の輝度が比較例２よりも高く、光の外部取り出し
率ηが高いことが確認され、また実施例４，５は発光素
子の輝度が比較例３よりも高く、光の外部取り出し率η
が高いことが確認される。
【００７４】（実施例６）屈折率１．５５のガラス板１
１の表面に、シリカ（デグサ社製）１．５ｇを増粘剤と
してニトロセルロースを２．０質量％含む酢酸ブチル１
７．５ｇと酢酸ブチル４３．３ｇに分散させたスラリー
を塗布し、乾燥させることによって、ガラス板１１の表
面に保護膜を形成した。
１の表面に、シリカ（デグサ社製）１．５ｇを増粘剤と
してニトロセルロースを２．０質量％含む酢酸ブチル１
７．５ｇと酢酸ブチル４３．３ｇに分散させたスラリー
を塗布し、乾燥させることによって、ガラス板１１の表
面に保護膜を形成した。
【００７５】一方、テトラメトキシシランのオリゴマー
（コルコート社製「メチルシリケート５１」）とメタノ
ールを質量比４７：８１で混合してＡ液を調製し、また
水、２８質量％アンモニア水、メタノールを質量比５
０：１：８１で混合してＢ液を調製した。そしてＡ液と
Ｂ液を１６：１７の質量比で混合して得たアルコキシシ
ラン溶液を、ガラス板１１の保護膜を形成した表面上に
滴下し、スピンコーターの回転室にこのガラス板１１を
入れ、ガラス板１１を回転させてガラス板１１の表面に
アルコキシシラン溶液をスピンコーティングした。ここ
で、スピンコーターの回転室には予めメタノールを入れ
てメタノール雰囲気になるようにしてあり、またガラス
板１１の回転は７００ｒｐｍで１０秒間行なった。この
ようにアルコキシシラン溶液をスピンコーティングした
後、３分間放置してアルコキシシランをゲル化させ、次
いでこの薄膜状のゲル状化合物を形成したガラス板を、
水：２８質量％アンモニア水：メタノール＝１６２：
４：６４０の質量比の組成の養生溶液中に浸漬し、室温
にて１昼夜養生した。次に、ガラス板１１の表面に形成
した薄膜状のゲル状化合物をイソプロパノール中へ浸漬
することで洗浄した後、高圧容器中に入れ、高圧容器内
を液化炭酸ガスで満たし、８０℃、１６ＭＰａ、２時間
の条件で超臨界乾燥をすることによって、ガラス板１１
の表面に膜厚２０μｍのシリカエアロゲル薄膜１６を積
層して形成した。
（コルコート社製「メチルシリケート５１」）とメタノ
ールを質量比４７：８１で混合してＡ液を調製し、また
水、２８質量％アンモニア水、メタノールを質量比５
０：１：８１で混合してＢ液を調製した。そしてＡ液と
Ｂ液を１６：１７の質量比で混合して得たアルコキシシ
ラン溶液を、ガラス板１１の保護膜を形成した表面上に
滴下し、スピンコーターの回転室にこのガラス板１１を
入れ、ガラス板１１を回転させてガラス板１１の表面に
アルコキシシラン溶液をスピンコーティングした。ここ
で、スピンコーターの回転室には予めメタノールを入れ
てメタノール雰囲気になるようにしてあり、またガラス
板１１の回転は７００ｒｐｍで１０秒間行なった。この
ようにアルコキシシラン溶液をスピンコーティングした
後、３分間放置してアルコキシシランをゲル化させ、次
いでこの薄膜状のゲル状化合物を形成したガラス板を、
水：２８質量％アンモニア水：メタノール＝１６２：
４：６４０の質量比の組成の養生溶液中に浸漬し、室温
にて１昼夜養生した。次に、ガラス板１１の表面に形成
した薄膜状のゲル状化合物をイソプロパノール中へ浸漬
することで洗浄した後、高圧容器中に入れ、高圧容器内
を液化炭酸ガスで満たし、８０℃、１６ＭＰａ、２時間
の条件で超臨界乾燥をすることによって、ガラス板１１
の表面に膜厚２０μｍのシリカエアロゲル薄膜１６を積
層して形成した。
【００７６】次に、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ（蛍光体粒子）２４ｇ
とアルミナゾル（日産化学社製結着剤）１２ｍｇを、
３．０質量％濃度のポリエチレンオキサイド水溶液（増
粘剤）２５ｇと純水５ｇと０．５質量％濃度の界面活性
剤水溶液の混合液に分散させたスラリーを調製し、この
スラリーをガラス基板１１のシリカエアロゲル薄膜１６
を形成した表面に塗布し、６００℃で１０分間焼成を行
なって、溶媒や増粘剤を除去することによって、Ｙ
2Ｏ3：Ｅｕからなる厚み３０μｍのＰＬ発光層５を形成
し、図６の構造の平面発光板Ｂを作製した。
とアルミナゾル（日産化学社製結着剤）１２ｍｇを、
３．０質量％濃度のポリエチレンオキサイド水溶液（増
粘剤）２５ｇと純水５ｇと０．５質量％濃度の界面活性
剤水溶液の混合液に分散させたスラリーを調製し、この
スラリーをガラス基板１１のシリカエアロゲル薄膜１６
を形成した表面に塗布し、６００℃で１０分間焼成を行
なって、溶媒や増粘剤を除去することによって、Ｙ
2Ｏ3：Ｅｕからなる厚み３０μｍのＰＬ発光層５を形成
し、図６の構造の平面発光板Ｂを作製した。
【００７７】（実施例７）実施例１と同様にしてガラス
板１１の表面に保護膜及びシリカエアロゲル薄膜１６を
形成した。次にシリカエアロゲル薄膜１６の表面に、４
００℃、０．７Ｐａ、２００Ｗの条件でスパッタリング
することによって、厚み１００ｎｍのＹ2Ｏ3：Ｅｕを製
膜してＰＬ発光層５を形成し、図６の構造の平面発光板
Ｂを作製した。
板１１の表面に保護膜及びシリカエアロゲル薄膜１６を
形成した。次にシリカエアロゲル薄膜１６の表面に、４
００℃、０．７Ｐａ、２００Ｗの条件でスパッタリング
することによって、厚み１００ｎｍのＹ2Ｏ3：Ｅｕを製
膜してＰＬ発光層５を形成し、図６の構造の平面発光板
Ｂを作製した。
【００７８】（実施例８）テトラメトキシシランのオリ
ゴマー（コルコート社製「メチルシリケート５１」）と
メタノールを質量比４７：８１で混合してＡ液を調製
し、また水、２８質量％アンモニア水、メタノールを質
量比５０：１：８１で混合してＢ液を調製した。そして
蛍光体粒子としてＹ2Ｏ3：Ｅｕを用い、蛍光体粒子とＡ
液とＢ液を４０：２９：３１の容積比で混合することに
よって、蛍光体粒子を分散したアルコキシシラン溶液を
調製し、混合開始後１分３０秒、混合終了後５０秒経過
した時点で、実施例１と同様にして保護膜を形成したガ
ラス板１１の表面に滴下し、実施例１と同様にしてスピ
ンコーティングした。さらに実施例１と同様にしてゲル
化、養生、超臨界乾燥して膜厚２０μｍの蛍光体含有シ
リカエアロゲル薄膜１６を形成することによって、図７
の構造の平面発光板Ｂを作製した。
ゴマー（コルコート社製「メチルシリケート５１」）と
メタノールを質量比４７：８１で混合してＡ液を調製
し、また水、２８質量％アンモニア水、メタノールを質
量比５０：１：８１で混合してＢ液を調製した。そして
蛍光体粒子としてＹ2Ｏ3：Ｅｕを用い、蛍光体粒子とＡ
液とＢ液を４０：２９：３１の容積比で混合することに
よって、蛍光体粒子を分散したアルコキシシラン溶液を
調製し、混合開始後１分３０秒、混合終了後５０秒経過
した時点で、実施例１と同様にして保護膜を形成したガ
ラス板１１の表面に滴下し、実施例１と同様にしてスピ
ンコーティングした。さらに実施例１と同様にしてゲル
化、養生、超臨界乾燥して膜厚２０μｍの蛍光体含有シ
リカエアロゲル薄膜１６を形成することによって、図７
の構造の平面発光板Ｂを作製した。
【００７９】（比較例４）実施例６と同様にしてガラス
板１１の表面に保護膜を形成した後、シリカエアロゲル
薄膜１６を形成することなく、この上に実施例６と同様
にして印刷法でＹ 2Ｏ3：ＥｕのＰＬ発光層５を形成し、
平面発光板を作製した。
板１１の表面に保護膜を形成した後、シリカエアロゲル
薄膜１６を形成することなく、この上に実施例６と同様
にして印刷法でＹ 2Ｏ3：ＥｕのＰＬ発光層５を形成し、
平面発光板を作製した。
【００８０】（比較例５）実施例７と同様にしてガラス
板１１の表面に保護膜を形成した後、シリカエアロゲル
薄膜１６を形成することなく、この上に実施例７と同様
にしてスパッタ法でＹ2Ｏ3：ＥｕのＰＬ発光層５を形成
し、平面発光板を作製した。
板１１の表面に保護膜を形成した後、シリカエアロゲル
薄膜１６を形成することなく、この上に実施例７と同様
にしてスパッタ法でＹ2Ｏ3：ＥｕのＰＬ発光層５を形成
し、平面発光板を作製した。
【００８１】上記の実施例６〜８及び比較例４，５で得
た平面発光板を用いて図８のような平面蛍光ランプを作
製した。そして密閉空間にＨｅとＸｅの希ガスを封入し
てグロー放電させることによって発生した１４７ｎｍの
紫外線により、平面発光板を発光させ、平面発光板の表
面の輝度を法線に対して４５°の角度から測定した。結
果を表２に示す。
た平面発光板を用いて図８のような平面蛍光ランプを作
製した。そして密閉空間にＨｅとＸｅの希ガスを封入し
てグロー放電させることによって発生した１４７ｎｍの
紫外線により、平面発光板を発光させ、平面発光板の表
面の輝度を法線に対して４５°の角度から測定した。結
果を表２に示す。
【００８２】
【表２】
【００８３】表２に示すように、各実施例のものは表面
の輝度が高く、明るい平面蛍光ランプを得ることができ
るものであった。
の輝度が高く、明るい平面蛍光ランプを得ることができ
るものであった。
【００８４】
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る透
明導電性基板は、低屈折率体の少なくとも一方の表面に
接して透明導電性膜を有するので、低屈折率体を通過す
る光は大気への取り出し率が高くなり、光を外部に取り
出す取り出し率が高い発光素子を作製することができる
ものである。
明導電性基板は、低屈折率体の少なくとも一方の表面に
接して透明導電性膜を有するので、低屈折率体を通過す
る光は大気への取り出し率が高くなり、光を外部に取り
出す取り出し率が高い発光素子を作製することができる
ものである。
【００８５】また請求項２の発明は、低屈折率体１の屈
折率が１．００３〜１．３００であるので、低屈折率体
を通過する光は大気への取り出し率が高くなり、光を外
部に取り出す取り出し率が高い発光素子を作製すること
ができるものである。
折率が１．００３〜１．３００であるので、低屈折率体
を通過する光は大気への取り出し率が高くなり、光を外
部に取り出す取り出し率が高い発光素子を作製すること
ができるものである。
【００８６】また請求項３の発明は、低屈折率体がシリ
カエアロゲルであるので、低屈折率体を１に近い低屈折
率に形成することができるものである。
カエアロゲルであるので、低屈折率体を１に近い低屈折
率に形成することができるものである。
【００８７】また請求項４の発明は、低屈折率体の片側
の表面に透明導電性膜を有すると共に他方の表面に透明
体を有するので、透明体を強度担持基板とすることがで
き、低屈折率体を薄い厚みで形成することができるもの
である。
の表面に透明導電性膜を有すると共に他方の表面に透明
体を有するので、透明体を強度担持基板とすることがで
き、低屈折率体を薄い厚みで形成することができるもの
である。
【００８８】また請求項５の発明は、透明導電性膜が酸
化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミ
ニウム、銀、クロムから選ばれた材料で形成されたもの
であるので、透明性の高い透明導電性膜を形成すること
ができるものである。
化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミ
ニウム、銀、クロムから選ばれた材料で形成されたもの
であるので、透明性の高い透明導電性膜を形成すること
ができるものである。
【００８９】また請求項６の発明は、透明体がガラス又
は透明樹脂で形成されたものであるので、透明体を強度
高く形成することができるものである。
は透明樹脂で形成されたものであるので、透明体を強度
高く形成することができるものである。
【００９０】また請求項７の発明は、透明体の上に、ス
ピンコーティング又はディップコーティングすると共に
超臨界乾燥してシリカエアロゲルが形成されているの
で、シリカエアロゲルによる低屈折率体の形成を容易に
行なうことができるものである。
ピンコーティング又はディップコーティングすると共に
超臨界乾燥してシリカエアロゲルが形成されているの
で、シリカエアロゲルによる低屈折率体の形成を容易に
行なうことができるものである。
【００９１】また請求項８の発明は、シリカエアロゲル
は疎水化処理されたものであるので、シリカエアロゲル
の屈折率や光透過性等の性能が劣化することを防ぐこと
ができるものである。
は疎水化処理されたものであるので、シリカエアロゲル
の屈折率や光透過性等の性能が劣化することを防ぐこと
ができるものである。
【００９２】本発明の請求項９に係る発光素子は、上記
の請求項１乃至８のいずれかに記載の透明導電性基板
の、低屈折率体と反対側の透明導電性膜の表面に、発光
層を有するので、発光層で発光した光を大気に取り出す
にあたって、低屈折率体を通過する光は大気への取り出
し率が高くなり、光を外部に取り出す取り出し率を高め
ることができるものである。
の請求項１乃至８のいずれかに記載の透明導電性基板
の、低屈折率体と反対側の透明導電性膜の表面に、発光
層を有するので、発光層で発光した光を大気に取り出す
にあたって、低屈折率体を通過する光は大気への取り出
し率が高くなり、光を外部に取り出す取り出し率を高め
ることができるものである。
【００９３】また請求項１０の発明は、発光層は有機Ｅ
Ｌ層であることを特徴とするので、有機ＥＬ層で発光し
た光を大気に取り出すにあたって、低屈折率体を通過す
る光は大気への取り出し率が高くなり、光を外部に取り
出す取り出し率を高めることができるものである。
Ｌ層であることを特徴とするので、有機ＥＬ層で発光し
た光を大気に取り出すにあたって、低屈折率体を通過す
る光は大気への取り出し率が高くなり、光を外部に取り
出す取り出し率を高めることができるものである。
【００９４】また請求項１１の発明は、発光層は無機Ｅ
Ｌ層であることを特徴とするので、無機ＥＬ層で発光し
た光を大気に取り出すにあたって、低屈折率体を通過す
る光は大気への取り出し率が高くなり、光を外部に取り
出す取り出し率を高めることができるものである。
Ｌ層であることを特徴とするので、無機ＥＬ層で発光し
た光を大気に取り出すにあたって、低屈折率体を通過す
る光は大気への取り出し率が高くなり、光を外部に取り
出す取り出し率を高めることができるものである。
【００９５】本発明の請求項１２に係る発光素子は、低
屈折率体の表面に接してＰＬ発光層を有するので、ＰＬ
発光層で発光した光を大気に取り出すにあたって、低屈
折率体を通過する光は大気への取り出し率が高くなり、
光を外部に取り出す取り出し率を高めることができるも
のである。
屈折率体の表面に接してＰＬ発光層を有するので、ＰＬ
発光層で発光した光を大気に取り出すにあたって、低屈
折率体を通過する光は大気への取り出し率が高くなり、
光を外部に取り出す取り出し率を高めることができるも
のである。
【００９６】本発明の請求項１３に係る平面発光板は、
ガラス板上にＰＬ発光層を設けて形成され、ガラス板と
ＰＬ発光層との間にシリカエアロゲルの薄膜が設けられ
ているので、ＰＬ発光層で発光した光は屈折率が小さい
シリカエアロゲル薄膜を通過してガラス板に入射するも
のであり、導波光として失われる率が小さくなって、ガ
ラス板の表面からの取り出し率が高くなり、表面の輝度
が高い平面発光板を得ることができるものである。
ガラス板上にＰＬ発光層を設けて形成され、ガラス板と
ＰＬ発光層との間にシリカエアロゲルの薄膜が設けられ
ているので、ＰＬ発光層で発光した光は屈折率が小さい
シリカエアロゲル薄膜を通過してガラス板に入射するも
のであり、導波光として失われる率が小さくなって、ガ
ラス板の表面からの取り出し率が高くなり、表面の輝度
が高い平面発光板を得ることができるものである。
【００９７】本発明の請求項１４に係る平面発光板は、
ガラス板上にＰＬ発光層を設けて形成され、ＰＬ発光層
がＰＬ発光材料の粒子を分散又は担持したシリカエアロ
ゲルの薄膜で形成されているので、ＰＬ発光材料から発
光した光はシリカエアロゲル薄膜からガラス板に入射す
るものであり、導波光として失われる率が小さくなっ
て、ガラス板の表面からの取り出し率が高くなり、表面
の輝度が高い平面発光板を得ることができるものであ
る。
ガラス板上にＰＬ発光層を設けて形成され、ＰＬ発光層
がＰＬ発光材料の粒子を分散又は担持したシリカエアロ
ゲルの薄膜で形成されているので、ＰＬ発光材料から発
光した光はシリカエアロゲル薄膜からガラス板に入射す
るものであり、導波光として失われる率が小さくなっ
て、ガラス板の表面からの取り出し率が高くなり、表面
の輝度が高い平面発光板を得ることができるものであ
る。
【００９８】本発明の請求項１５に係る平面発光板の製
造方法は、請求項１３に記載の平面発光板を製造するに
あたって、ガラス板上にアルコキシシラン溶液を塗布及
び乾燥することによってシリカエアロゲルの薄膜を形成
した後、その上に製膜してＰＬ発光層を形成するように
したので、アルコキシシラン溶液の塗布・乾燥によって
シリカエアロゲル薄膜の形成を容易に行なうことがで
き、平面発光板の製造が容易になるものである。
造方法は、請求項１３に記載の平面発光板を製造するに
あたって、ガラス板上にアルコキシシラン溶液を塗布及
び乾燥することによってシリカエアロゲルの薄膜を形成
した後、その上に製膜してＰＬ発光層を形成するように
したので、アルコキシシラン溶液の塗布・乾燥によって
シリカエアロゲル薄膜の形成を容易に行なうことがで
き、平面発光板の製造が容易になるものである。
【００９９】本発明の請求項１６に係る平面発光板の製
造方法は、請求項１４に記載の平面発光板を製造するに
あたって、ＰＬ発光材料の粒子を分散したアルコキシシ
ラン溶液をガラス板上に塗布及び乾燥することによっ
て、ＰＬ発光層をシリカエアロゲル薄膜で形成するよう
にしたので、ＰＬ発光層を兼用するシリカエアロゲル薄
膜の形成を容易に行なうことができ、平面発光板の製造
が容易になるものである。
造方法は、請求項１４に記載の平面発光板を製造するに
あたって、ＰＬ発光材料の粒子を分散したアルコキシシ
ラン溶液をガラス板上に塗布及び乾燥することによっ
て、ＰＬ発光層をシリカエアロゲル薄膜で形成するよう
にしたので、ＰＬ発光層を兼用するシリカエアロゲル薄
膜の形成を容易に行なうことができ、平面発光板の製造
が容易になるものである。
【０１００】本発明の請求項１７に係る平面蛍光ランプ
は、請求項１３又は１４に記載の平面発光板で発光面を
形成するようにしたので、表面の輝度が高い平面発光板
によって、明るい平面発光ランプを得ることができるも
のである。
は、請求項１３又は１４に記載の平面発光板で発光面を
形成するようにしたので、表面の輝度が高い平面発光板
によって、明るい平面発光ランプを得ることができるも
のである。
【０１０１】本発明の請求項１８に係るプラズマディス
プレイは、請求項１３又は１４に記載の平面発光板で発
光面を形成するようにしたので、表面の輝度が高い平面
発光板によって、明るいプラズマディスプレイを得るこ
とができるものである。
プレイは、請求項１３又は１４に記載の平面発光板で発
光面を形成するようにしたので、表面の輝度が高い平面
発光板によって、明るいプラズマディスプレイを得るこ
とができるものである。
【図１】本発明に係る透明導電性基板の実施の形態の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る透明導電性基板の実施の形態の他
の一例を示す断面図である。
の一例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る発光素子の実施の形態の一例を示
すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図である。
すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図である。
【図４】本発明に係る発光素子の実施の形態の他の一例
を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図である。
を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図である。
【図５】本発明に係る発光素子の実施の形態のさらに他
の一例を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図であ
る。
の一例を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図であ
る。
【図６】本発明に係る平面発光板の実施の形態の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】本発明に係る平面発光板の実施の形態の他の一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図８】本発明に係る平面蛍光ランプの実施の形態の一
例を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図である。
例を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図である。
【図９】本発明に係るプラズマディスプレイの実施の形
態の一例を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図で
ある。
態の一例を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図で
ある。
【図１０】発光素子の発光状態を写した写真の複写物で
あり、（ａ）は実施例１を、（ｂ）は比較例１を示す。
あり、（ａ）は実施例１を、（ｂ）は比較例１を示す。
【図１１】従来のＥＬ発光素子の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図１２】従来のＰＬ発光素子の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 低屈折率体 １ａ シリカエアロゲル ２ 透明導電性膜 ３ 透明体 ４ 発光層 ４ａ 有機ＥＬ層 ４ｂ 無機ＥＬ層 ５ ＰＬ発光層 １１ ガラス板 １６ シリカエアロゲル薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年４月３日（２０００．４．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】上記のように形成される無機ＥＬ発光素子
にあって、透明導電性膜２と背面金属電極１４の間に交
流電源１８を接続して、無機ＥＬ層４ｂに電界を印加す
ると、無機ＥＬ層４ｂ内で発光する。この無機ＥＬ層４
ｂから発光した光は図４に矢印で示すように、直接、あ
るいは背面金属電極１４で反射して、透明導電性膜２及
び低屈折率体１さらに透明体３から出射する。このと
き、シリカエアロゲル１ａなどで形成される低屈折率体
１は、屈折率が非常に小さくて１に近いので、上記の
（２）式から導かれるように、光の取り出し率ηは高く
なるものである。尚、有機ＥＬや無機ＥＬは一般に湿気
による劣化が顕著であるが、上記のようにシリカエアロ
ゲル１ａを低屈折率体１として用いたＥＬ発光素子にお
いては、シリカエアロゲル１ａが必要に応じて防湿の作
用をし、有機ＥＬや無機ＥＬが湿気で劣化することを防
ぐことが可能になる。すなわち、疎水性のシリカエアロ
ゲル１ａの場合は、外部からの湿気の侵入を防ぐバリア
層となり、また親水性のシリカエアロゲル１ａの場合
は、湿気を吸湿する吸湿層、つまりゲッター剤としての
役割を発揮し、湿気が有機ＥＬや無機ＥＬに作用するこ
とをシリカエアロゲル１ａよって防ぐことができるもの
である。
にあって、透明導電性膜２と背面金属電極１４の間に交
流電源１８を接続して、無機ＥＬ層４ｂに電界を印加す
ると、無機ＥＬ層４ｂ内で発光する。この無機ＥＬ層４
ｂから発光した光は図４に矢印で示すように、直接、あ
るいは背面金属電極１４で反射して、透明導電性膜２及
び低屈折率体１さらに透明体３から出射する。このと
き、シリカエアロゲル１ａなどで形成される低屈折率体
１は、屈折率が非常に小さくて１に近いので、上記の
（２）式から導かれるように、光の取り出し率ηは高く
なるものである。尚、有機ＥＬや無機ＥＬは一般に湿気
による劣化が顕著であるが、上記のようにシリカエアロ
ゲル１ａを低屈折率体１として用いたＥＬ発光素子にお
いては、シリカエアロゲル１ａが必要に応じて防湿の作
用をし、有機ＥＬや無機ＥＬが湿気で劣化することを防
ぐことが可能になる。すなわち、疎水性のシリカエアロ
ゲル１ａの場合は、外部からの湿気の侵入を防ぐバリア
層となり、また親水性のシリカエアロゲル１ａの場合
は、湿気を吸湿する吸湿層、つまりゲッター剤としての
役割を発揮し、湿気が有機ＥＬや無機ＥＬに作用するこ
とをシリカエアロゲル１ａよって防ぐことができるもの
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/28 Ｈ０５Ｂ 33/28 (72)発明者 横山 勝 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 河野 謙司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 椿 健治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 筒井 哲夫 福岡県春日市紅葉ケ丘東８丁目66番 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 CA01 CA05 CB01 DA02 EB01 FA01 5C040 GG10 MA03 5C043 AA02 CC09 CD08 DD37 DD39 EA12 EA19 EB18 5C094 AA10 BA29 BA31 BA33 DA13 EB02 FB01 FB12 JA13 5G307 FA01 FA02 FB01 FC03 FC07 FC09
Claims (18)
- 【請求項１】 低屈折率体の少なくとも一方の表面に接
して透明導電性膜を有することを特徴とする透明導電性
基板。 - 【請求項２】 低屈折率体の屈折率が１．００３〜１．
３００であることを特徴とする請求項１に記載の透明導
電性基板。 - 【請求項３】 低屈折率体がシリカエアロゲルであるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電性基
板。 - 【請求項４】 低屈折率体の片側の表面に透明導電性膜
を有すると共に他方の表面に透明体を有することを特徴
とする請求項１乃至３のいずれかに記載の透明導電性基
板。 - 【請求項５】 透明導電性膜が酸化インジウム錫、酸化
インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、銀、クロムか
ら選ばれた材料で形成されたものであることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれかに記載の透明導電性基板。 - 【請求項６】 透明体がガラス又は透明樹脂で形成され
たものであることを特徴とする請求項４又は５に記載の
透明導電性基板。 - 【請求項７】 シリカエアロゲルは透明体の上に薄膜状
に形成されたものであることを特徴とする請求項４乃至
６のいずれかに記載の透明導電性基板。 - 【請求項８】 シリカエアロゲルは疎水化処理されたも
のであることを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに
記載の透明導電性基板。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載の透明
導電性基板の、低屈折率体と反対側の透明導電性膜の表
面に、発光層を有することを特徴とする発光素子。 - 【請求項１０】 発光層は有機ＥＬ層であることを特徴
とする請求項９に記載の発光素子。 - 【請求項１１】 発光層は無機ＥＬ層であることを特徴
とする請求項９に記載の発光素子。 - 【請求項１２】 低屈折率体の表面に接してＰＬ発光層
を有することを特徴とする発光素子。 - 【請求項１３】 ガラス板上にＰＬ発光層を設けて形成
され、ガラス板とＰＬ発光層との間にシリカエアロゲル
の薄膜が設けられていることを特徴とする平面発光板。 - 【請求項１４】 ガラス板上にＰＬ発光層を設けて形成
され、ＰＬ発光層がＰＬ発光材料の粒子を分散又は担持
したシリカエアロゲルの薄膜で形成されていることを特
徴とする平面発光板。 - 【請求項１５】 請求項１３に記載の平面発光板を製造
するにあたって、ガラス板上にアルコキシシラン溶液を
塗布及び乾燥することによってシリカエアロゲルの薄膜
を形成した後、その上に製膜してＰＬ発光層を形成する
ことを特徴とする平面発光板の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１４に記載の平面発光板を製造
するにあたって、ＰＬ発光材料の粒子を分散したアルコ
キシシラン溶液をガラス板上に塗布及び乾燥することに
よって、ＰＬ発光層をシリカエアロゲルの薄膜で形成す
ることを特徴とする平面発光板の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１３又は１４に記載の平面発光
板で発光面を形成して成ることを特徴とする平面蛍光ラ
ンプ。 - 【請求項１８】 請求項１３又は１４に記載の平面発光
板で発光面を形成して成ることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000072988A JP4279971B2 (ja) | 1999-11-10 | 2000-03-15 | 発光素子 |
| EP00124496A EP1100129B1 (en) | 1999-11-10 | 2000-11-09 | Substrate for light emitting device, light emitting device and process for production of light emitting device |
| DE60026778T DE60026778T2 (de) | 1999-11-10 | 2000-11-09 | Substrat für lichtemittierende Vorrichtung, lichtemittierende Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
| TW089123872A TWI286388B (en) | 1999-11-10 | 2000-11-10 | Substrate for light emitting device, light emitting device and production process of light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-319856 | 1999-11-10 | ||
| JP31985699 | 1999-11-10 | ||
| JP2000072988A JP4279971B2 (ja) | 1999-11-10 | 2000-03-15 | 発光素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007011590A Division JP2007180037A (ja) | 1999-11-10 | 2007-01-22 | 発光素子、平面発光板、平面発光板の製造方法、平面蛍光ランプ、プラズマディスプレイ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001202827A true JP2001202827A (ja) | 2001-07-27 |
| JP4279971B2 JP4279971B2 (ja) | 2009-06-17 |
Family
ID=26569853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000072988A Expired - Lifetime JP4279971B2 (ja) | 1999-11-10 | 2000-03-15 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4279971B2 (ja) |
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| WO2007119473A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
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