JP2007324503A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007324503A JP2007324503A JP2006155624A JP2006155624A JP2007324503A JP 2007324503 A JP2007324503 A JP 2007324503A JP 2006155624 A JP2006155624 A JP 2006155624A JP 2006155624 A JP2006155624 A JP 2006155624A JP 2007324503 A JP2007324503 A JP 2007324503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- trench
- dry etching
- silicon carbide
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 110
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 110
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 166
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 10
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 21
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
Abstract
【構成】高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングが、順に行われるエッチング条件の異なる第一ドライエッチングと第二ドライエッチングを備えている炭化珪素半導体装置の製造方法とする。
【選択図】 図1
Description
特許請求の範囲の請求項3記載によれば、第一ドライエッチングのエッチング条件が、混合ガスとしてSF6とO2とArを主成分とするガスを用い、そのうち、Arは全ガス流量の50%乃至80%であり、SF6/O2は1/2乃至7/10であって、前記炭化珪素半導体基板を70℃乃至100℃に加熱しながらトレンチエッチングを行う請求項1または2記載の炭化珪素半導体装置の製造方法とすることがより好ましい。
図1は本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法にかかる炭化珪素半導体基板のSiO2膜上にエッチングマスクを形成するためにフォトレジストをパターニングした段階のSiC半導体基板の要部断面図である。図2は本発明にかかる炭化珪素半導体基板のSiO2膜をエッチングマスクパターンにフォトエッチングした段階のSiC半導体基板の要部断面図である。図3は本発明にかかる炭化珪素半導体基板のSiO2膜をエッチングマスクパターンに形成してフォトレジストを除去した段階のSiC半導体基板の要部断面図である。図4は本発明にかかるドライエッチングについての、Ar添加量とSiC/SiO2の選択エッチング比とサブトレンチ量との関係図である。図5は実施例1による第一ドライエッチングのエッチング条件によるトレンチ形状の断面図である。図6は実施例1による第一ドライエッチング後に第二ドライエッチングを加えた場合のトレンチの断面図である。
図9は実施例2による第一ドライエッチングのエッチング条件によるトレンチ形状の断面図である。図10は実施例2による第一ドライエッチング後に第二ドライエッチングを加えた場合のトレンチの断面図である。
まず、SiC積層基板10上に2.2μm厚のSiO2膜44をCVD法などにより堆積形成した後、フォトレジスト14をSiO2膜44上にスピンコート法により全面塗布する。その後、クリーンオーブンに85℃で30分投入し、フォトレジスト14をベークする。ベーク後、紫外線を用いた露光装置で所定のパターンを有するフォトマスクを用いて初期露光を行う。初期露光後、115℃で15分のベークを行い、その後、マスクを用いないで基板全体を全面露光する。全面露光後、現像処理により、所望のトレンチマスクパターン以外の不要なフォトレジストを除去し、図1のような断面を有するフォトレジスト14のパターンを形成する。
前記表1の条件9および図4に示す結果を踏まえ、本実施例では第一ドライエッチングのエッチング条件はSF6ガスとO2ガスとArガスの混合ガスでSF6流量4.2sccm、O2流量7sccm、Ar流量28sccmを導入して0.4Paの圧力でICP電力500W、SiC基板側に印加するバイアス電力を15W、さらにSiC基板をヒーターで80℃に加熱した条件で目標深さの9/10程度まで(約9μm)エッチングを行った。図6−1に前記第一のエッチング条件でのエッチング深さ9μmとしたときの実際のエッチング形状を観察したSiC積層基板10の断面図を示す。前記第一の条件でエッチングするとエッチング速度0.6μm/min程度である。従来の0.05μm/minに比べて高速にエッチングできるが、そのトレンチ5の断面形状はエッチング底部が少し角張った形状となっている。この第一のエッチング条件で目標深さの9/10程度(この実施例では9μm)をエッチングした後に、エッチング装置からサンプル(SiC基板)10を取り出さずに真空(減圧状態)を維持し続けて第二の条件でのエッチングを行った。本実施例2では減圧状態を維持したが、大気開放しても問題がないことも別途確認した。この第二のエッチング条件はSF6、O2、Arの混合ガスを用い、SF6流量4.2sccm、O2流量8.4sccm、Ar流量28sccmを導入して0.4Paの圧力でICP電力500W、SiC基板側に印加するバイアス電力を15W、さらにSiC基板をヒーターで80℃に加熱した条件で、先に形成したトレンチ5の深さ9μmにさらに深さ1μmエッチングを加えた(第一のエッチング条件と合わせた深さ10μmエッチング)。第一のエッチング条件後、第二のエッチング条件で続けてエッチングを行った場合のトレンチ5を示すSiC積層基板の断面図を図6−2に示す。第二のエッチング条件ではエッチング速度は0.3μm/min程度に低下するが、第二のエッチングを追加することでトレンチ底部U字状となるのがわかる。トータルのエッチング深さは10μmであった。このトレンチエッチング工程により形成したトレンチMOS半導体装置ではトレンチの底部での電界集中による耐圧低下が極めて小さいことが分かった。
SiC積層基板をよく洗浄した後、積層基板上にCVD等によりSiO2膜を厚さ2μmに成膜する。フォトレジストをスピンコート法によりSiO2膜上に塗布する。実施例1と同様にしてSiO2膜上に図1のようなフォトレジストパターンを形成する。このときのフォトレジストの膜厚は約2μmである。フォトレジストパターン形成後、ICPドライエッチング装置でフォトレジストパターンをマスクとしてSiO2膜をドライエッチングしてSiO2膜マスクを形成する。エッチングの条件はCHF3ガスを15sccm導入し、1Paの圧力でICP電力135W、SiC基板側へのバイアス電力15Wでエッチングする。パターニングされた線幅は実施例3では2μm幅である。図2に、SiC積層基板上に形成されたマスクパターンの断面構成を示す。このようにSiO2膜がパターニングされる。ドライエッチングによるSiO2膜のパターニング後に、70℃のフォトレジスト剥離液に浸し、残ったフォトレジスト膜を剥離して図3の断面図に示すようにSiC基板上にSiO2膜がパターニングされた積層基板を作成する。
2 n型高抵抗層
3 pウエル層
4 SiO2膜パターン
5 トレンチ
6 ゲート酸化膜
7 ゲート電極
8 n+エミッタ領域
9 層間絶縁膜
10 SiC積層基板
11 エミッタ電極
13 マイクロトレンチ
14 フォトレジスト。
Claims (6)
- 炭化珪素半導体基板上に該基板とは導電型の異なるウエル層とこのウエル層の表面層に形成される前記基板と同導電型のエミッタ領域とを形成後、前記基板表面にSiO2膜を用いて所要の選択的なエッチングマスクを形成し、前記基板表面に露出する前記エミッタ領域表面に高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングによりトレンチゲート構造用のトレンチを形成するエッチング工程を有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記高密度誘導結合プラズマを用いたドライエッチングが、順に行われるエッチング条件の異なる第一ドライエッチングと第二ドライエッチングを備えていることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記高密度プラズマがフッ化物と酸素と不活性ガスを主成分として含む混合ガスを電離して得られる誘導結合プラズマであることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 第一ドライエッチングのエッチング条件が、混合ガスとしてSF6とO2とArを主成分とするガスを用い、そのうち、Arは全ガス流量の50%乃至80%であり、SF6/O2は1/2乃至7/10であって、前記炭化珪素半導体基板を70℃乃至100℃に加熱しながらトレンチエッチングを行うことを特徴とする請求項1または2記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 第ニドライエッチングのエッチング条件が、前記第一ドライエッチングのエッチング条件のうち、SF6/O2を1/1にすると共に、さらにICP電力を1/2以下、SiC基板側に印加するバイアス電力を増加させるように変更したエッチング条件であることを特徴とする請求項3記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記マスクSiO2膜の厚さを0.5μm乃至3μmとし、第一ドライエッチング後、ドライエッチング装置内を所要の減圧状態を維持したまま、または一旦大気圧に開放後、再度前記所要の減圧状態にした後、第二のドライエッチングを行うことを特徴とする請求項4記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- ドライエッチングが、エッチング条件として、0.5Pa以下の圧力で行われることを特徴とする請求項2記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006155624A JP5061506B2 (ja) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
DE102007023204A DE102007023204A1 (de) | 2006-06-05 | 2007-05-18 | Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung |
US11/757,579 US7510977B2 (en) | 2006-06-05 | 2007-06-04 | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006155624A JP5061506B2 (ja) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324503A true JP2007324503A (ja) | 2007-12-13 |
JP5061506B2 JP5061506B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=38650707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006155624A Expired - Fee Related JP5061506B2 (ja) | 2006-06-05 | 2006-06-05 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7510977B2 (ja) |
JP (1) | JP5061506B2 (ja) |
DE (1) | DE102007023204A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009188221A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法 |
JP2011096791A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Ulvac Japan Ltd | 貫通孔形成方法 |
WO2012008409A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 住友精密工業株式会社 | エッチング方法 |
JP2013069848A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
KR20140043880A (ko) * | 2012-10-03 | 2014-04-11 | 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드 | 플라즈마 에칭 방법 |
JP2014099659A (ja) * | 2014-02-26 | 2014-05-29 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP5518490B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2014-06-11 | Hoya株式会社 | 基板製造方法 |
JP2015041678A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2015162630A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP2017046010A (ja) * | 2016-11-28 | 2017-03-02 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP2021022642A (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | SiC基板の製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007013058A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP4450245B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2010-04-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
CN101866846B (zh) * | 2009-04-14 | 2012-04-18 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 刻蚀沟槽的方法 |
GB201810387D0 (en) | 2018-06-25 | 2018-08-08 | Spts Technologies Ltd | Method of plasma etching |
GB201917734D0 (en) * | 2019-12-04 | 2020-01-15 | Spts Technologies Ltd | Method, substrate and apparatus |
CN114512541B (zh) * | 2020-11-17 | 2024-03-15 | 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 | 一种半导体衬底的沟槽栅蚀刻方法及器件 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0223615A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04250623A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-07 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JP2003022973A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
WO2005008760A2 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum anisotropen ätzen einer ausnehmung in ein siliziumsubstrat und verwendung einer plasmaätzanlage |
JP2005056868A (ja) * | 2001-06-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2005129629A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Toyota Motor Corp | 炭化珪素半導体基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0504912B1 (en) | 1991-03-22 | 1997-12-17 | Shimadzu Corporation | Dry etching method and its application |
JP2661390B2 (ja) | 1991-03-22 | 1997-10-08 | 株式会社島津製作所 | SiCのエッチング方法 |
JPH0812286B2 (ja) | 1991-11-28 | 1996-02-07 | 株式会社島津製作所 | SiC基板の回折格子製作方法 |
JP2992596B2 (ja) | 1992-12-16 | 1999-12-20 | 科学技術庁長官官房会計課長 | SiCのパターンエッチング方法及びそれを用いたラミナー型SiC回折格子の製造方法 |
JP3593195B2 (ja) | 1995-12-28 | 2004-11-24 | 新日本製鐵株式会社 | SiC単結晶基板の製造方法 |
SE9701724D0 (sv) * | 1997-05-09 | 1997-05-09 | Abb Research Ltd | A pn-diode of SiC and a method for production thereof |
US6686616B1 (en) * | 2000-05-10 | 2004-02-03 | Cree, Inc. | Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors |
US7151277B2 (en) * | 2003-07-03 | 2006-12-19 | The Regents Of The University Of California | Selective etching of silicon carbide films |
JP3761546B2 (ja) | 2003-08-19 | 2006-03-29 | 株式会社Neomax | SiC単結晶基板の製造方法 |
-
2006
- 2006-06-05 JP JP2006155624A patent/JP5061506B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-18 DE DE102007023204A patent/DE102007023204A1/de not_active Withdrawn
- 2007-06-04 US US11/757,579 patent/US7510977B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0223615A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04250623A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-07 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
JP2005056868A (ja) * | 2001-06-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2003022973A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
WO2005008760A2 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum anisotropen ätzen einer ausnehmung in ein siliziumsubstrat und verwendung einer plasmaätzanlage |
JP2005129629A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Toyota Motor Corp | 炭化珪素半導体基板及びその製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5518490B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2014-06-11 | Hoya株式会社 | 基板製造方法 |
JP2009188221A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法 |
JP2011096791A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Ulvac Japan Ltd | 貫通孔形成方法 |
WO2012008409A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 住友精密工業株式会社 | エッチング方法 |
WO2012008179A1 (ja) * | 2010-07-12 | 2012-01-19 | 住友精密工業株式会社 | エッチング方法 |
US8859434B2 (en) | 2010-07-12 | 2014-10-14 | Spp Technologies Co., Ltd. | Etching method |
JP2013069848A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP2014078712A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-05-01 | Spts Technologies Ltd | プラズマエッチングの方法 |
KR20140043880A (ko) * | 2012-10-03 | 2014-04-11 | 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드 | 플라즈마 에칭 방법 |
KR102225475B1 (ko) * | 2012-10-03 | 2021-03-08 | 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드 | 플라즈마 에칭 방법 |
JP2015041678A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US9647081B2 (en) | 2013-08-21 | 2017-05-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
JP2014099659A (ja) * | 2014-02-26 | 2014-05-29 | Spp Technologies Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
JP2015162630A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP2017046010A (ja) * | 2016-11-28 | 2017-03-02 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP2021022642A (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | SiC基板の製造方法 |
JP7296602B2 (ja) | 2019-07-26 | 2023-06-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | SiC基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070281462A1 (en) | 2007-12-06 |
DE102007023204A1 (de) | 2007-12-06 |
JP5061506B2 (ja) | 2012-10-31 |
US7510977B2 (en) | 2009-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5061506B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5135885B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5135879B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
TWI287875B (en) | A method for forming a semiconductor device and an integrated circuit | |
JP4609335B2 (ja) | 炭化珪素半導体基板のドライエッチング方法 | |
JP5509520B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5589263B2 (ja) | 炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法 | |
TWI323487B (en) | Plasma etching method | |
JP4450245B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5309587B2 (ja) | 炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法 | |
JP2007035860A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2012098759A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
TW201236054A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
CN107851577B (zh) | 衬底接触蚀刻工艺 | |
JP2009016530A (ja) | 炭化珪素電界効果型トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2012160485A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2011134809A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8609474B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
KR100592841B1 (ko) | 고유전율 막의 정확한 패터닝 | |
JP5522907B2 (ja) | SiC膜の加工方法、半導体装置およびその製造方法 | |
TW201041031A (en) | Dry etching method | |
JP2021082689A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5303965B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI333677B (en) | Method of manufacturing spacer | |
KR100948307B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080204 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080916 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081216 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090219 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120621 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120723 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |