JP2007314726A - 蛍光体の製造方法、蛍光体および発光装置 - Google Patents

蛍光体の製造方法、蛍光体および発光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】発光効率が高い蛍光体を製造することができるとともに蛍光体の組成の制御を容易に行なうことができる蛍光体の製造方法、その方法により製造された蛍光体およびその蛍光体を用いた発光装置を提供する。
【解決手段】粒径５０ｎｍ以下の蛍光体前駆体粉末を用いて粒径２μｍ以下の顆粒を形成する工程と、顆粒を焼成する工程と、を含む、蛍光体の製造方法である。ここで、顆粒は、蛍光体前駆体粉末と溶媒とを含むスラリーを形成し、スラリーを噴霧乾燥法により乾燥させることにより形成することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、蛍光体の製造方法、蛍光体および発光装置に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子は、小型で消費電力が少なく、高輝度の発光を安定して行なうことができるという利点を有している。また、半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせて可視光を得る発光装置は、半導体発光素子の利点を有し、さらに白色などの使用目的に応じた色の発光が可能であるため、液晶ディスプレイ、携帯電話若しくは携帯情報端末などのバックライト用光源、室内外広告などに利用される表示装置、各種携帯機器のインジケータ、照明スイッチまたはＯＡ（オフィスオートメーション）機器用光源などに利用することができる。
近年、半導体発光素子を使用した白色発光装置の構成として、青色または青紫色の光を発光する半導体発光素子と、１種または２種の蛍光体と、を組み合わせた構成の発光装置が開発されている。ここでは、半導体発光素子の発光色と蛍光体の発光色とが互いに補色の関係になって、白色の光を発光するように蛍光体の種類が選択されている。
また、ピーク波長が３８０ｎｍの紫外光を発光するＩＩＩ族窒化物半導体を励起光源として用い、赤色、緑色および青色の三原色の光をそれぞれ発光する３種類の蛍光体層を備えたドットマトリクスタイプの表示装置も開発されている。
さらに、ピーク波長が３９０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の光を発光する半導体発光素子と、この半導体発光素子からの発光により励起される蛍光体とを用いて、白色の光を発光する発光装置も開発されている。ここで、半導体発光素子は、人の視感度が低い光を発光するため、半導体発光素子の発光強度や発光波長が変動しても色調がほとんど変化しないという利点を有する。また、ピーク波長が３９０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の光は、蛍光体を分散する樹脂などの発光装置の構成部品を損傷し難く、また、人体に対する悪影響も少ない。
上述した従来の発光装置に用いられている蛍光体は粒径がミクロンサイズのものであるが、近年、粒径が可視光の波長以下である蛍光体（以下、「ナノ蛍光体」ということもある。）に関心が集まっている。蛍光体の粒径を可視光の波長以下に設定することにより蛍光体自身による可視光の散乱を抑制することができ、より効率的に励起光を利用することが可能となる。特に、励起光に紫外〜近紫外の光を用いる場合には、蛍光体の粒径による影響は大きくなる。
上記のナノ蛍光体を形成する従来の方法としては、たとえば以下の方法が開示されている。特許文献１には、共沈を利用した液相反応により形成する方法が開示されている。また、特許文献２には、逆ミセル溶液中で液相反応により形成する方法が開示されている。また、特許文献３には、有機金属材料と窒素との混合ガスを用いてＣＶＤ法により形成する方法が開示されている。また、特許文献４には、蛍光体の構成金属元素を含有する微液滴を乾燥した後に加熱して蛍光体前駆体とし、その蛍光体前駆体を焼成することにより形成する方法が開示されている。
特開平１０−３１０７７０号公報 特開２００２−２０１４７１号公報 特開２００４−３０７６７９号公報 特開２００５−２１５７号公報
しかしながら、特許文献１および特許文献２に開示されている方法では、液相で反応させるため結晶性の良好な蛍光体が得られず、蛍光体の発光効率が低くなってしまうという問題があった。
また、近年、ＳｉＡｌＯＮ系の高効率の酸窒化物蛍光体が数多く発表されており、現在の主流である酸化物蛍光体を代替する次世代蛍光体の第１候補として注目されているが、これらの酸窒化物蛍光体は組成の微小な変化により結晶相が変化し、それに伴い発光特性も大きく変化するため、従来よりもシビアな組成の制御が要求されている。しかしながら、特許文献３および特許文献４に開示されている方法では、蛍光体の構成元素をイオンの状態で気相で合成するために、蛍光体の組成を制御することが困難であった。
したがって、従来のナノ蛍光体は、ミクロンサイズの蛍光体と比べて発光効率が悪いまたは組成の制御が困難であるため、粒径を可視光の波長以下としたことによるメリットが十分に生かされていないという問題があった。
そこで、本発明の目的は、発光効率が高い蛍光体を製造することができるとともに蛍光体の組成の制御を容易に行なうことができる蛍光体の製造方法、その方法により製造された蛍光体およびその蛍光体を用いた発光装置を提供することにある。
本発明は、粒径５０ｎｍ以下の蛍光体前駆体粉末を用いて粒径２μｍ以下の顆粒を形成する工程と、顆粒を焼成する工程と、を含む、蛍光体の製造方法である。
ここで、本発明の蛍光体の製造方法において、顆粒は、蛍光体前駆体粉末と溶媒とを含むスラリーを形成し、スラリーを噴霧乾燥法により乾燥させることにより形成することができる。
また、本発明の蛍光体の製造方法において、スラリーは、蛍光体前駆体粉末に蛍光体前駆体粉末の嵩体積の２倍以上の体積の溶媒を加えて形成することが好ましい。
また、本発明の蛍光体の製造方法において、噴霧乾燥法は、噴霧されたスラリーをスプレードライヤーを用いて乾燥することにより行なわれることが好ましい。
また、本発明の蛍光体の製造方法においては、溶媒がエタノールであることが好ましい。
また、本発明の蛍光体の製造方法においては、スラリーに有機バインダが添加されていることが好ましい。
また、本発明は、上記のいずれかの蛍光体の製造方法により製造された蛍光体であって、粒径が４５０ｎｍ以下である蛍光体である。
また、本発明は、上記のいずれかの蛍光体の製造方法により製造された蛍光体であって、粒径が１００ｎｍ以下である蛍光体である。
また、本発明は、ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光を発光する上記のいずれかの蛍光体の製造方法により製造された蛍光体と、を含む、発光装置である。
また、本発明は、ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光を発光する上記のいずれかの蛍光体の製造方法により製造された第１蛍光体と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が５１０ｎｍよりも大きく６７０ｎｍ以下の光を発光する上記のいずれかの蛍光体の製造方法により製造された第２蛍光体と、を含む、発光装置である。
また、本発明は、ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光を発光する上記のいずれかの蛍光体の製造方法により製造された第１蛍光体と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が５１０ｎｍよりも大きく５８０ｎｍ以下の光を発光する上記のいずれかの蛍光体の製造方法により製造された第３蛍光体と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光を発光する上記のいずれかの蛍光体の製造方法により製造された第４蛍光体と、を含む、発光装置である。
ここで、本発明の発光装置においては、半導体発光素子が、ＩｎＧａＮからなる活性層を含み、ピーク波長が３９０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の光を発光することが好ましい。
なお、本発明において、「粒径」とは、粒子の最大径を意味する。また、本発明において、「ピーク波長」とは、発光強度が最大のときの光の波長を意味する。
本発明によれば、発光効率が高い蛍光体を製造することができるとともに蛍光体の組成の制御を容易に行なうことができる蛍光体の製造方法、その方法により製造された蛍光体およびその蛍光体を用いた発光装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
本発明者は、蛍光体について鋭意検討した結果、蛍光体の原料となる粒径５０ｎｍ以下の蛍光体前駆体粉末を用いて粒径２μｍ以下の顆粒を形成する工程と、この顆粒を焼成する工程と、を含む方法により蛍光体を製造することによって、液相で蛍光体を合成する必要がないため蛍光体の結晶性を向上して蛍光体の発光効率を向上することができ、また、気相で蛍光体を合成する必要がないため蛍光体の組成の制御も容易となることを見いだした。本発明の方法によれば、粒径が可視光の波長以下であって発光効率が高いナノ蛍光体を容易にその組成を制御して製造することができる。
ここで、蛍光体前駆体粉末としては、蛍光体の原料となる材質からなる粒径が５０ｎｍ以下の蛍光体前駆体粉末粒子を含むものであれば特に限定されず用いることができ、たとえば、金属酸化物粉末と金属窒化物粉末との混合物などを用いることができる。
また、上記の蛍光体前駆体粉末から粒径２μｍ以下の顆粒を形成する方法としては、たとえば、蛍光体前駆体粉末を溶媒中に分散させて蛍光体前駆体粉末と溶媒を含むスラリーを形成し、このスラリーを噴霧乾燥法により乾燥させることによって顆粒を形成する方法がある。
ここで、スラリーは、蛍光体前駆体粉末に蛍光体前駆体粉末の嵩体積の２倍以上の体積の溶媒を加えて形成されることが好ましい。この場合には、より小さな粒径の顆粒が形成される傾向にある。また、溶媒の体積が蛍光体前駆体粉末の嵩体積の２倍未満である場合には、粒径が２μｍよりも大きい顆粒が支配的に形成される傾向にある。なお、「嵩体積」とは、蛍光体前駆体粉末を容器に充填したときの体積のことであり、蛍光体前駆体粉末を構成するそれぞれの粒子自体の体積と粒子間に存在する空間の体積の総和の体積のことである。
また、スラリーの形成に用いられる溶媒としては、たとえば、エタノール、メタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ヘキサン、アセトンまたはトルエンなどを用いることができる。なかでも、スラリーの形成に用いられる溶媒としては、蛍光体前駆体粉末との反応性および蛍光体前駆体粉末粒子の分散性を考慮すると、エタノールを用いることが好ましい。スラリーの形成に用いられる溶媒にエタノールを用いた場合には、粒径がより小さい顆粒を安定な状態で形成することができる傾向にある。
また、スラリーに有機バインダを添加することが好ましい。この場合には、蛍光体前駆体粉末粒子の凝集力が高まって顆粒が形成されやすくなり、粒径がより小さい顆粒を製造することができる傾向にある。また、この場合には、顆粒の形状もより球状に近いものとなる傾向にある。なお、有機バインダとしては、たとえば、ポリエチレンオキサイド系、アクリル系またはポリカルボン酸系のバインダなどを用いることができる。
また、噴霧乾燥法としては、従来から公知の噴霧乾燥法を用いることができ、たとえば噴霧乾燥法に用いられる噴霧方法としては回転円盤式または二流体ノズル式などが挙げられ、噴霧乾燥法に用いられる乾燥方法としては噴霧されたスラリーをチャンバ内で旋回熱風流で乾燥するスプレードライヤーを用いた方法または噴霧されたスラリーを瞬間凍結して形成された凍結粒子を真空乾燥機で乾燥する方法などが挙げられる。なお、噴霧乾燥法は、噴霧されたスラリーをスプレードライヤーを用いて乾燥する方法により行なわれることが簡便である観点から好ましい。
また、上記の顆粒を焼成する方法としては、従来から公知の方法が挙げられる。ここで、顆粒の焼成時の焼成温度、焼成時間および焼成雰囲気はそれぞれ適宜設定することができる。
また、本発明の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体の粒径は４５０ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。蛍光体の粒径が４５０ｎｍ以下である場合、特に１００ｎｍ以下である場合には、蛍光体自身による可視光の散乱が少なくなり、励起光をより効率的に利用することができる傾向にある。
また、本発明の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体は、たとえば、以下のような構成の発光装置Ａ〜Ｃなどに適用することができる。
＜発光装置Ａ＞
発光装置Ａは、ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光を発光する本発明の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体と、を含む構成を有している。
このような構成を有する発光装置Ａにおいては、半導体発光素子から発光したピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光と、その光の一部が蛍光体に照射されることにより蛍光体から発光したピーク波長が４５０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光と、によって白色光が発光する。
ここで、本発明の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体は、発光効率が高く、さらにその蛍光体の粒径が４５０ｎｍ以下、特に１００ｎｍ以下である場合には、励起光をより効率的に利用することができる傾向にあるため、発光装置Ａの蛍光体から発光する光の発光強度が大きくなる傾向にある。
なお、半導体発光素子から発光したピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光を発光する蛍光体としては、本発明の蛍光体の製造方法により製造されるものであれば、その組成は特に限定されない。
＜発光装置Ｂ＞
発光装置Ｂは、ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光を発光する本発明の蛍光体の製造方法により製造された第１蛍光体と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が５１０ｎｍよりも大きく６７０ｎｍ以下の光を発光する本発明の蛍光体の製造方法により製造された第２蛍光体と、を含む構成を有している。
このような構成を有する発光装置Ｂにおいては、半導体発光素子から発光したピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光と、半導体発光素子から発光した光の一部が第１蛍光体に照射されることにより第１蛍光体から発光したピーク波長が４５０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光と、半導体発光素子から発光した光の一部が第２蛍光体に照射されることにより第２蛍光体から発光したピーク波長が５１０ｎｍよりも大きく６７０ｎｍ以下の光と、によって白色光が発光する。
ここで、本発明の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体は、発光効率が高く、さらにその蛍光体の粒径が４５０ｎｍ以下、特に１００ｎｍ以下である場合には、励起光をより効率的に利用することができる傾向にあるため、発光装置Ｂの蛍光体から発光する光の発光強度が大きくなる傾向にある。
なお、上記の第１蛍光体および第２蛍光体はそれぞれ、本発明の蛍光体の製造方法により製造されるものであれば、その組成は特に限定されない。
＜発光装置Ｃ＞
発光装置Ｃは、ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光を発光する本発明の蛍光体の製造方法により製造された第１蛍光体と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が５１０ｎｍよりも大きく５８０ｎｍ以下の光を発光する本発明の蛍光体の製造方法により製造された第３蛍光体と、半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光を発光する本発明の蛍光体の製造方法により製造された第４蛍光体と、を含む構成を有している。
このような構成を有する発光装置Ｃにおいては、半導体発光素子から発光したピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光と、半導体発光素子から発光した光の一部が第１蛍光体に照射されることにより第１蛍光体から発光したピーク波長が４５０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光と、半導体発光素子から発光した光の一部が第３蛍光体に照射されることにより第３蛍光体から発光したピーク波長が５１０ｎｍよりも大きく５８０ｎｍ以下の光と、半導体発光素子から発光した光の一部が第４蛍光体に照射されることにより第３蛍光体から発光したピーク波長が６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光と、によって白色光が発光する。
ここで、本発明の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体は、発光効率が高く、さらにその蛍光体の粒径が４５０ｎｍ以下、特に１００ｎｍ以下である場合には、励起光をより効率的に利用することができる傾向にあるため、発光装置Ｃの蛍光体から発光する光の発光強度が大きくなる傾向にある。
なお、上記の第１蛍光体、第３蛍光体および第４蛍光体はそれぞれ、本発明の蛍光体の製造方法により製造されるものであれば、その組成は特に限定されない。
また、本発明において、半導体発光素子としては、ＩｎＧａＮからなる活性層を含み、ピーク波長が３９０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の光を発光するものを用いることが好ましい。この場合には、人体により安全で、かつ、樹脂等の周囲の基材に与えるダメージが少ない半導体発光素子となる傾向にある。なお、半導体発光素子の活性層がＩｎＧａＮからなる場合には、活性層は、たとえばＩｎaＧａbＮ（ただし、０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、０＜ａ＋ｂ＜１）の組成式で表わされる窒化物半導体結晶から形成することができる。
（実施例１）
まず、蛍光体前駆体粉末として、平均粒径がそれぞれ３５ｎｍのＳｉ3Ｎ4粉末、ＡｌＮ粉末およびＥｕ2Ｏ3粉末の混合物を用意した。ここで、蛍光体前駆体粉末を構成する各粉末の構成比率（質量％）は、Ｓｉ3Ｎ4粉末：ＡｌＮ粉末：Ｅｕ2Ｏ3粉末＝９５．８：３．４：０．８であった。
なお、Ｓｉ3Ｎ4粉末は、Ｓｉを窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製され、ＡｌＮ粉末は、ＡｌとＡｌ2Ｏ3を窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製された。また、Ｅｕ2Ｏ3粉末は、市販品（小池産業株式会社）を用いた。
次に、上記構成の蛍光体前駆体粉末をビーカに入れ、その蛍光体前駆体粉末の嵩体積の３倍の体積のエタノールを加え、蛍光体前駆体粉末とエタノールの混合物を３０分間超音波により混合してスラリーを形成した。
次いで、このスラリーにポリカルボン酸からなる有機バインダを添加した。この有機バインダを添加することによってより小さな粒径の顆粒を生成することが可能となった。
続いて、有機バインダが添加されたスラリーを噴霧乾燥法により乾燥して顆粒を形成した。ここで、有機バインダが添加されたスラリーは、噴霧温度１００℃〜２００℃で噴霧され、噴霧されたスラリーをチャンバ内で旋回熱風流で乾燥するスプレードライヤーを用いて乾燥した後にサイクロンと捕集フィルタにより顆粒として捕集した。ここで、捕集した顆粒の粒径をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像により確認したところ２μｍ以下であった。
このようにして形成された顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、その坩堝を黒鉛抵抗加熱方式の電気炉に導入した。そして、電気炉内を真空ポンプにより排気した後、室温から８００℃まで毎時５００℃の速度で温度を上昇させ、８００℃で純度が９９．９９９体積％の窒素を導入して圧力を１ＭＰａとし、その後、毎時５００℃の速度で１９００℃まで温度を上昇させて、１９００℃で８時間保持して、顆粒の焼成を行なった。これにより、実施例１の蛍光体が得られた。
この実施例１の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、β−ＳｉＡｌＯＮ結晶相が生成していることが確認された。また、実施例１の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ３００ｎｍ以下であった。
（実施例２）
まず、蛍光体前駆体粉末として、平均粒径がそれぞれ３５ｎｍのＳｉ3Ｎ4粉末、ＡｌＮ粉末、Ｃａ3Ｎ2粉末およびＥｕ2Ｏ3粉末の混合物を用意した。ここで、蛍光体前駆体粉末を構成する各粉末の構成比率（質量％）は、Ｓｉ3Ｎ4粉末：ＡｌＮ粉末：Ｃａ3Ｎ2粉末：Ｅｕ2Ｏ3粉末＝３４．０８：２９．８７：３６．００：０．０５であった。
なお、Ｓｉ3Ｎ4粉末は、Ｓｉを窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製され、ＡｌＮ粉末は、ＡｌとＡｌ2Ｏ3を窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製された。また、Ｃａ3Ｎ2粉末は、Ｃａ2Ｏ3を窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製され、Ｅｕ2Ｏ3粉末は、市販品（小池産業株式会社）を用いた。
次に、上記構成の蛍光体前駆体粉末をビーカに入れ、その蛍光体前駆体粉末の嵩体積の３倍の体積のエタノールを加え、蛍光体前駆体粉末とエタノールの混合物を３０分間超音波により混合してスラリーを形成した。
次いで、このスラリーにポリカルボン酸からなる有機バインダを添加した。この有機バインダを添加することによってより小さな粒径の顆粒を生成することが可能となった。
続いて、有機バインダが添加されたスラリーを噴霧乾燥法により乾燥して顆粒を形成した。ここで、有機バインダが添加されたスラリーは、噴霧温度１００℃〜２００℃で噴霧され、噴霧されたスラリーをチャンバ内で旋回熱風流で乾燥するスプレードライヤーを用いて乾燥した後にサイクロンと捕集フィルタにより顆粒として捕集した。ここで、捕集した顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ２μｍ以下であった。
このようにして形成された顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、その坩堝を黒鉛抵抗加熱方式の電気炉に導入した。そして、電気炉内を真空ポンプにより排気した後、室温から８００℃まで毎時５００℃の速度で温度を上昇させ、８００℃で純度が９９．９９９体積％の窒素を導入して圧力を１ＭＰａとし、その後、毎時５００℃の速度で１８００℃まで温度を上昇させて、１８００℃で２時間保持して、顆粒の焼成を行なった。これにより、実施例２の蛍光体が得られた。
この実施例２の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、ＣａＡｌＳｉＮ3結晶相が生成していることが確認された。また、実施例２の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ４００ｎｍ以下であった。
（実施例３）
まず、蛍光体前駆体粉末として、平均粒径がそれぞれ３５ｎｍのＳｉ3Ｎ4粉末、ＡｌＮ粉末、Ｃａ3Ｎ2粉末およびＥｕ2Ｏ3粉末の混合物を用意した。ここで、蛍光体前駆体粉末を構成する各粉末の構成比率（質量％）は、Ｓｉ3Ｎ4粉末：ＡｌＮ粉末：Ｃａ3Ｎ2粉末：Ｅｕ2Ｏ3粉末＝７４．３５：１５．０５：２．４３：８．１７であった。
なお、Ｓｉ3Ｎ4粉末は、Ｓｉを窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製され、ＡｌＮ粉末は、ＡｌとＡｌ2Ｏ3を窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製された。また、Ｃａ3Ｎ2粉末は、Ｃａ2Ｏ3を窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製され、Ｅｕ2Ｏ3粉末は、市販品（小池産業株式会社）を用いた。
次に、上記構成の蛍光体前駆体粉末をビーカに入れ、その蛍光体前駆体粉末の嵩体積の３倍の体積のエタノールを加え、蛍光体前駆体粉末とエタノールの混合物を３０分間超音波により混合してスラリーを形成した。
次いで、このスラリーにポリカルボン酸からなる有機バインダを添加した。この有機バインダを添加することによってより小さな粒径の顆粒を生成することが可能となった。
続いて、有機バインダが添加されたスラリーを噴霧乾燥法により乾燥して顆粒を形成した。ここで、有機バインダが添加されたスラリーは、噴霧温度１００℃〜２００℃で噴霧され、噴霧されたスラリーをチャンバ内で旋回熱風流で乾燥するスプレードライヤーを用いて乾燥した後にサイクロンと捕集フィルタにより顆粒として捕集した。ここで、捕集した顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ２μｍ以下であった。
このようにして形成された顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、その坩堝を黒鉛抵抗加熱方式の電気炉に導入した。そして、電気炉内を真空ポンプにより排気した後、室温から８００℃まで毎時５００℃の速度で温度を上昇させ、８００℃で純度が９９．９９９体積％の窒素を導入して圧力を１ＭＰａとし、その後、毎時５００℃の速度で２０００℃まで温度を上昇させて、２０００℃で２時間保持して、顆粒の焼成を行なった。これにより、実施例３の蛍光体が得られた。
この実施例３の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、α−ＳｉＡｌＯＮ結晶相が生成していることが確認された。また、実施例３の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ４００ｎｍ以下であった。
（実施例４）
まず、蛍光体前駆体粉末として、平均粒径がそれぞれ３５ｎｍのＳｉ3Ｎ4粉末、ＡｌＮ粉末、ＬａＮ粉末およびＣｅＯ2粉末の混合物を用意した。ここで、蛍光体前駆体粉末を構成する各粉末の構成比率（質量％）は、Ｓｉ3Ｎ4粉末：ＡｌＮ粉末：ＬａＮ粉末：ＣｅＯ2粉末＝５０．０３：１７．５４：１７．４３：１５．００であった。
なお、Ｓｉ3Ｎ4粉末は、Ｓｉを窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製され、ＡｌＮ粉末は、ＡｌとＡｌ2Ｏ3を窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製された。また、ＬａＮ粉末は、Ｌａ2Ｏ3を窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製され、ＣｅＯ2粉末は、市販品（小池産業株式会社）を用いた。
次に、上記構成の蛍光体前駆体粉末をビーカに入れ、その蛍光体前駆体粉末の嵩体積の３倍の体積のエタノールを加え、蛍光体前駆体粉末とエタノールの混合物を３０分間超音波により混合してスラリーを形成した。
次いで、このスラリーにポリカルボン酸からなる有機バインダを添加した。この有機バインダを添加することによってより小さな粒径の顆粒を生成することが可能となった。
続いて、有機バインダが添加されたスラリーを噴霧乾燥法により乾燥して顆粒を形成した。ここで、有機バインダが添加されたスラリーは、噴霧温度１００℃〜２００℃で噴霧され、噴霧されたスラリーをチャンバ内で旋回熱風流で乾燥するスプレードライヤーを用いて乾燥した後にサイクロンと捕集フィルタにより顆粒として捕集した。ここで、捕集した顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ２μｍ以下であった。
このようにして形成された顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、その坩堝を黒鉛抵抗加熱方式の電気炉に導入した。そして、電気炉内を真空ポンプにより排気した後、室温から８００℃まで毎時５００℃の速度で温度を上昇させ、８００℃で純度が９９．９９９体積％の窒素を導入して圧力を１ＭＰａとし、その後、毎時５００℃の速度で１７００℃まで温度を上昇させて、１７００℃で２時間保持して、顆粒の焼成を行なった。これにより、実施例４の蛍光体が得られた。
この実施例４の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、ＪＥＭ結晶相が生成していることが確認された。また、実施例４の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ３００ｎｍ以下であった。
（実施例５）
まず、蛍光体前駆体粉末として、平均粒径がそれぞれ３５ｎｍのＳｉ3Ｎ4粉末、ＡｌＮ粉末およびＣｅ2Ｏ3粉末の混合物を用意した。ここで、蛍光体前駆体粉末を構成する各粉末の構成比率（質量％）は、Ｓｉ3Ｎ4粉末：ＡｌＮ粉末：Ｃｅ2Ｏ3粉末＝７１．８９：１４．５４：１３．５７であった。
なお、Ｓｉ3Ｎ4粉末は、Ｓｉを窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製され、ＡｌＮ粉末は、ＡｌとＡｌ2Ｏ3を窒素プラズマ中で反応させるプラズマケミカル法により作製された。また、Ｃｅ2Ｏ3粉末は、市販品（小池産業株式会社）を用いた。
次に、上記構成の蛍光体前駆体粉末をビーカに入れ、その蛍光体前駆体粉末の嵩体積の３倍の体積のエタノールを加え、蛍光体前駆体粉末とエタノールの混合物を３０分間超音波により混合してスラリーを形成した。
次いで、このスラリーにポリカルボン酸からなる有機バインダを添加した。この有機バインダを添加することによってより小さな粒径の顆粒を生成することが可能となった。
続いて、有機バインダが添加されたスラリーを噴霧乾燥法により乾燥して顆粒を形成した。ここで、有機バインダが添加されたスラリーは、噴霧温度１００℃〜２００℃で噴霧され、噴霧されたスラリーをチャンバ内で旋回熱風流で乾燥するスプレードライヤーを用いて乾燥した後にサイクロンと捕集フィルタにより顆粒として捕集した。ここで、捕集した顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ２μｍ以下であった。
このようにして形成された顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、その坩堝を黒鉛抵抗加熱方式の電気炉に導入した。そして、電気炉内を真空ポンプにより排気した後、室温から８００℃まで毎時５００℃の速度で温度を上昇させ、８００℃で純度が９９．９９９体積％の窒素を導入して圧力を１ＭＰａとし、その後、毎時５００℃の速度で２２００℃まで温度を上昇させて、２２００℃で２時間保持して、顆粒の焼成を行なった。これにより、実施例５の蛍光体が得られた。
この実施例５の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、α−ＳｉＡｌＯＮ結晶相が生成していることが確認された。また、実施例５の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ４００ｎｍ以下であった。
（比較例１）
まず、蛍光体前駆体粉末として、実施例１で用いた蛍光体前駆体粉末と同一の構成の蛍光体前駆体粉末を用意した。
次に、蛍光体前駆体粉末を窒化ケイ素焼結体製のポットと窒化ケイ素焼結体製のボールとｎ−ヘキサンを用いて湿式ボールミルにより２時間混合した。そして、ロータリーエバポレータによりｎ−ヘキサンを除去して、混合粉体の乾燥物を得た。得られた乾燥物をメノウ乳鉢と乳棒を用いて粉砕した後にメッシュ径が５００μｍのふるいを通して顆粒を得た。この得られた顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ、すべて２μｍよりも大きいことが確認された。
このようにして得られた顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、実施例１と同一の条件および同一の方法で焼成することによって比較例１の蛍光体を得た。
この比較例１の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、β−ＳｉＡｌＯＮ結晶相が生成していることが確認された。また、比較例１の蛍光体をさらにメッシュ径が２０μｍのふるいを通し、ふるいを通過した後の比較例１の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ１０μｍ程度であった。
（比較例２）
まず、蛍光体前駆体粉末として、実施例２で用いた蛍光体前駆体粉末と同一の構成の蛍光体前駆体粉末を用意した。
次に、蛍光体前駆体粉末を窒化ケイ素焼結体製のポットと窒化ケイ素焼結体製のボールとｎ−ヘキサンを用いて湿式ボールミルにより２時間混合した。そして、ロータリーエバポレータによりｎ−ヘキサンを除去して、混合粉体の乾燥物を得た。得られた乾燥物をメノウ乳鉢と乳棒を用いて粉砕した後にメッシュ径が５００μｍのふるいを通して顆粒を得た。この得られた顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ、すべて２μｍよりも大きいことが確認された。
このようにして得られた顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、実施例２と同一の条件および同一の方法で焼成することによって比較例２の蛍光体を得た。
この比較例２の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、ＣａＡｌＳｉＮ3結晶相が生成していることが確認された。また、比較例２の蛍光体をさらにメッシュ径が２０μｍのふるいを通し、ふるいを通過した後の比較例２の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ１０μｍ程度であった。
（比較例３）
まず、蛍光体前駆体粉末として、実施例３で用いた蛍光体前駆体粉末と同一の構成の蛍光体前駆体粉末を用意した。
次に、蛍光体前駆体粉末を窒化ケイ素焼結体製のポットと窒化ケイ素焼結体製のボールとｎ−ヘキサンを用いて湿式ボールミルにより２時間混合した。そして、ロータリーエバポレータによりｎ−ヘキサンを除去して、混合粉体の乾燥物を得た。得られた乾燥物をメノウ乳鉢と乳棒を用いて粉砕した後にメッシュ径が５００μｍのふるいを通して顆粒を得た。この得られた顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ、すべて２μｍよりも大きいことが確認された。
このようにして得られた顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、実施例３と同一の条件および同一の方法で焼成することによって比較例３の蛍光体を得た。
この比較例３の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、α−ＳｉＡｌＯＮ結晶相が生成していることが確認された。また、比較例３の蛍光体をさらにメッシュ径が２０μｍのふるいを通し、ふるいを通過した後の比較例３の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ１０μｍ程度であった。
（比較例４）
まず、蛍光体前駆体粉末として、実施例４で用いた蛍光体前駆体粉末と同一の構成の蛍光体前駆体粉末を用意した。
次に、蛍光体前駆体粉末を窒化ケイ素焼結体製のポットと窒化ケイ素焼結体製のボールとｎ−ヘキサンを用いて湿式ボールミルにより２時間混合した。そして、ロータリーエバポレータによりｎ−ヘキサンを除去して、混合粉体の乾燥物を得た。得られた乾燥物をメノウ乳鉢と乳棒を用いて粉砕した後にメッシュ径が５００μｍのふるいを通して顆粒を得た。この得られた顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ、すべて２μｍよりも大きいことが確認された。
このようにして得られた顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、実施例４と同一の条件および同一の方法で焼成することによって比較例４の蛍光体を得た。
この比較例４の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、ＪＥＭ結晶相が生成していることが確認された。また、比較例４の蛍光体をさらにメッシュ径が２０μｍのふるいを通し、ふるいを通過した後の比較例４の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ２０μｍよりも少し小さい程度であった。
（比較例５）
まず、蛍光体前駆体粉末として、実施例５で用いた蛍光体前駆体粉末と同一の構成の蛍光体前駆体粉末を用意した。
次に、蛍光体前駆体粉末を窒化ケイ素焼結体製のポットと窒化ケイ素焼結体製のボールとｎ−ヘキサンを用いて湿式ボールミルにより２時間混合した。そして、ロータリーエバポレータによりｎ−ヘキサンを除去して、混合粉体の乾燥物を得た。得られた乾燥物をメノウ乳鉢と乳棒を用いて粉砕した後にメッシュ径が５００μｍのふるいを通して顆粒を得た。この得られた顆粒の粒径をＳＥＭ像により確認したところ、すべて２μｍよりも大きいことが確認された。
このようにして得られた顆粒を窒化ホウ素製の坩堝に入れ、実施例５と同一の条件および同一の方法で焼成することによって比較例５の蛍光体を得た。
この比較例５の蛍光体のＸ線回折パターンを調査したところ、α−ＳｉＡｌＯＮ結晶相が生成していることが確認された。また、比較例５の蛍光体をさらにメッシュ径が２０μｍのふるいを通し、ふるいを通過した後の比較例５の蛍光体の粒径をＳＥＭ像により確認したところ１０μｍ程度であった。
（実施例６）
図１に、実施例６の発光装置の模式的な断面図を示す。ここで、実施例６の発光装置は、基体としてのプリント配線基板８上に、ＩｎaＧａbＮ（ただし、０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、０＜ａ＋ｂ＜１）の組式で表わされる窒化物半導体結晶からなる活性層を有し、ピーク波長が４０５ｎｍの光を発光する半導体発光素子７が設置されている。
半導体発光素子７の下面に形成されたＮ側電極５は導電性を有する導電性接着剤１５によってプリント配線基板８に電気的に接続されている。また、半導体発光素子７の上面に形成されたＰ側電極６に接続された金属ワイヤ４は、プリント配線基板８の上面から下面に引き回されてプリント配線基板８の下面の端部まで延びている。
そして、プリント配線基板８の周縁を取り囲むようにして設けられた樹脂枠９の内側に実施例１の蛍光体が分散した透光性樹脂からなるモールド樹脂３を充填して、半導体発光素子７が封止されている。
このような構成の実施例６の発光装置においてモールド樹脂３中に分散された実施例１の蛍光体の濃度を変化しながら実施例６の発光装置から発光した光の発光強度を測定した結果を図２に示す。また、図３（ａ）に、図２に示す発光強度が最大のときの蛍光体濃度の実施例６の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す。
（比較例６）
モールド樹脂３中に実施例１の蛍光体に代えて比較例１の蛍光体を分散させたこと以外は実施例６と同一の構成を有する比較例６の発光装置を作製した。
このような構成の比較例６の発光装置においてモールド樹脂３中に分散された比較例１の蛍光体の濃度を変化しながら比較例６の発光装置から発光した光の発光強度を測定した結果を図２に示す。また、図３（ｂ）に、図２に示す発光強度が最大のときの蛍光体濃度の比較例６の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す。
（対比）
図２に示す結果から、実施例１の蛍光体を用いた実施例６の発光装置は、比較例１の蛍光体を用いた比較例６の発光装置と比べて発光強度が大きいことが確認された。これは、実施例１の蛍光体の粒径が可視光以下であるために可視光の散乱が抑制され、比較例１の蛍光体と比べて、より効率的に励起光を利用できたことによるものと考えられる。
また、図３（ａ）と図３（ｂ）を比較してみると明らかなように、半導体発光素子７から発光したピーク波長が４０５ｎｍの光の発光強度が、実施例６の発光装置に比べて比較例６の発光装置の方が大きくなっている。したがって、比較例６の発光装置に用いられている比較例１の蛍光体は、実施例６の発光装置に用いられている実施例１の蛍光体と比べて励起光が漏れていることがわかる。この結果は、実施例１の蛍光体においては可視光の散乱が抑制され、比較例１の蛍光体と比べて、より効率的に励起光を利用できたことを示すものと考えられる。
（実施例７）
モールド樹脂３中に実施例１の蛍光体、実施例２の蛍光体および実施例４の蛍光体を分散させたこと以外は実施例６と同一の構成を有する実施例７の発光装置を作製した。
表１に、実施例７の発光装置から発光した光の色度座標および光度を示す。ここで、実施例７の発光装置は、色度については白色を示すように、光度については最適値となるように調整されている。また、図４（ａ）に、実施例７の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す。
また、モールド樹脂３中に比較例１の蛍光体、比較例２の蛍光体および比較例４の蛍光体を分散させたこと以外は実施例７と同一の構成を有する発光装置を作製し、その発光装置から発光した光の光度を比較例光度として表１に示す。比較例光度の測定のために作製された発光装置についても、色度座標については実施例７の発光装置と同一になるように、光度については最適値となるように調整されている。また、図４（ｂ）に、本実施例において、比較例光度の測定のために作製された発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す。
（実施例８）
モールド樹脂３中に実施例１の蛍光体、実施例２の蛍光体、実施例３の蛍光体および実施例４の蛍光体を分散させたこと以外は実施例６と同一の構成を有する実施例８の発光装置を作製した。
表１に、実施例８の発光装置から発光した光の色度座標および光度を示す。ここで、実施例８の発光装置は、色度については白色を示すように、光度については最適値となるように調整されている。また、図５（ａ）に、実施例８の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す。
また、モールド樹脂３中に比較例１の蛍光体、比較例２の蛍光体、比較例３の蛍光体および比較例４の蛍光体を分散させたこと以外は実施例８と同一の構成を有する発光装置を作製し、その発光装置から発光した光の光度を比較例光度として表１に示す。比較例光度の測定のために作製された発光装置についても、色度座標については実施例８の発光装置と同一になるように、光度については最適値となるように調整されている。また、図５（ｂ）に、本実施例において、比較例光度の測定のために作製された発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す。
（実施例９）
モールド樹脂３中に実施例２の蛍光体および実施例５の蛍光体を分散させたこと以外は実施例６と同一の構成を有する実施例９の発光装置を作製した。
表１に、実施例９の発光装置から発光した光の色度座標および光度を示す。ここで、実施例９の発光装置は、色度座標については実施例９の発光装置と同一になるように、光度については最適値となるように調整されている。また、図６（ａ）に、実施例８の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す。
また、モールド樹脂３中に比較例２の蛍光体および比較例５の蛍光体を分散させたこと以外は実施例９と同一の構成を有する発光装置を作製し、その発光装置から発光した光の光度を比較例光度として表１に示す。比較例光度の測定のために作製された発光装置についても、色度については白色を示すように、光度については最適値となるように調整されている。また、図６（ｂ）に、本実施例において、比較例光度の測定のために作製された発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す。
Figure 2007314726
表１に示すように、実施例７〜９の発光装置から発光した光の光度は、比較例光度と比べていずれも高くなっていることがわかる。これは、上述したように、実施例１〜５の蛍光体の粒径が可視光以下であるため、可視光の散乱が抑制され、比較例１〜５の蛍光体を用いたものと比べてより効率的に励起光が利用できたためと考えられる。
図４（ａ）と図４（ｂ）との比較、図５（ａ）と図５（ｂ）との比較および図６（ａ）と図６（ｂ）との比較から明らかなように、半導体発光素子から発光したピーク波長が４０５ｎｍの光の発光強度が、比較例光度の測定のために作製された発光装置の方がいずれも大きくなっている。
したがって、実施例１〜５の蛍光体と比べて比較例１〜５の蛍光体からはより多くの励起光が漏れていることがわかる。この結果は、実施例１〜５の蛍光体においては可視光の散乱が抑制され、比較例１〜５の蛍光体と比べて、より効率的に励起光を利用できたことを示すものと考えられる。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明によれば、発光効率が高い蛍光体を製造することができるとともに蛍光体の組成の制御を容易に行なうことができる蛍光体の製造方法、その方法により製造された蛍光体およびその蛍光体を用いた発光装置を提供することができる。
実施例６〜９の発光装置の模式的な断面図である。 実施例６と比較例６の発光装置について、モールド樹脂中に分散された蛍光体の濃度と発光装置から発光した光の発光強度との関係を示す図である。 （ａ）は図２に示す発光強度が最大のときの蛍光体濃度の実施例６の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す図であり、（ｂ）は図２に示す発光強度が最大のときの蛍光体濃度の比較例６の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す図である。 （ａ）は実施例７の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す図であり、（ｂ）は実施例７において比較例光度を測定するために作製された発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す図である。 （ａ）は実施例８の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す図であり、（ｂ）は実施例８において比較例光度を測定するために作製された発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す図である。 （ａ）は実施例９の発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す図であり、（ｂ）は実施例９において比較例光度を測定するために作製された発光装置から発光した光の発光スペクトルを示す図である。
符号の説明
３ モールド樹脂、４ 金属ワイヤ、５ Ｎ側電極、６ Ｐ側電極、７ 半導体発光素子、８ プリント配線基板、９ 樹脂枠、１５ 導電性接着剤。

Claims (12)

  1. 粒径５０ｎｍ以下の蛍光体前駆体粉末を用いて粒径２μｍ以下の顆粒を形成する工程と、前記顆粒を焼成する工程と、を含む、蛍光体の製造方法。
  2. 前記顆粒は、前記蛍光体前駆体粉末と溶媒とを含むスラリーを形成し、前記スラリーを噴霧乾燥法により乾燥させることにより形成されることを特徴とする、請求項１に記載の蛍光体の製造方法。
  3. 前記スラリーは、前記蛍光体前駆体粉末に前記蛍光体前駆体粉末の嵩体積の２倍以上の体積の前記溶媒を加えて形成されることを特徴とする、請求項２に記載の蛍光体の製造方法。
  4. 前記噴霧乾燥法は、噴霧された前記スラリーをスプレードライヤーを用いて乾燥することにより行なわれることを特徴とする、請求項２または３に記載の蛍光体の製造方法。
  5. 前記溶媒がエタノールであることを特徴とする、請求項２から４のいずれかに記載の蛍光体の製造方法。
  6. 前記スラリーに有機バインダが添加されていることを特徴とする、請求項２から５のいずれかに記載の蛍光体の製造方法。
  7. 請求項１から６のいずれかに記載の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体であって、粒径が４５０ｎｍ以下であることを特徴とする、蛍光体。
  8. 請求項１から６のいずれかに記載の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体であって、粒径が１００ｎｍ以下であることを特徴とする、蛍光体。
  9. ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光を発光する請求項１から６のいずれかに記載の蛍光体の製造方法により製造された蛍光体と、を含む、発光装置。
  10. ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光を発光する請求項１から６のいずれかに記載の蛍光体の製造方法により製造された第１蛍光体と、前記半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が５１０ｎｍよりも大きく６７０ｎｍ以下の光を発光する請求項１から６のいずれかに記載の蛍光体の製造方法により製造された第２蛍光体と、を含む、発光装置。
  11. ピーク波長が３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下である光を発光する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が４５０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光を発光する請求項１から６のいずれかに記載の蛍光体の製造方法により製造された第１蛍光体と、前記半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が５１０ｎｍよりも大きく５８０ｎｍ以下の光を発光する請求項１から６のいずれかに記載の蛍光体の製造方法により製造された第３蛍光体と、前記半導体発光素子から発光した光が照射されることによってピーク波長が６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の光を発光する請求項１から６のいずれかに記載の蛍光体の製造方法により製造された第４蛍光体と、を含む、発光装置。
  12. 前記半導体発光素子が、ＩｎＧａＮからなる活性層を含み、ピーク波長が３９０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の光を発光することを特徴とする、請求項９から１１のいずれかに記載の発光装置。
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