JP2007311510A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミック(絶縁材)からなり、表面3および裏面4を有する基板本体2と、かかる基板本体2の表面3と裏面4との間を貫通する貫通孔5と、かかる貫通孔5に素子搭載面13を上端に有する柱部12が挿入され、かかる柱部12の下方に連なるベース部16が貫通孔5に隣接し且つ基板本体2の裏面4に開口する窪み9に固着される放熱部材10と、を備え、基板本体2の貫通孔5の内壁6と、対向する放熱部材10の柱部12の側面14との間に、基板本体2の内壁6の下部から側面14に突出して接する突部8を形成すると共に、かかる突部8を介して貫通孔5の内壁6と柱部12の側面14との間に隙間sが形成されている、配線基板1。
【選択図】 図2
Description
しかしながら、上記発光装置では、積層基板の上下2段の穴に金属からなる放熱部材を挿入すると、穴の内壁と放熱部材の側面との間に隙間がなくなる。このため、放熱部材の側面に電解Niメッキおよび電解Auメッキを施すことができず、かかる放熱部材の側面における腐食を防止できない、おそれがあった。
しかしながら、上記電子部品用パッケージでは、放熱部材の上段部と上記貫通孔の内側面との間には、少なくとも幅の小さな隙間が全周に位置しているので、パッケージ本体に対する放熱部材の位置決めが、パッケージ本体の平面方向において精度良く行い難くなる。この結果、放熱部材とパッケージ本体とをロウ付けで接合した際の誤差が解消されにくい、という問題があった。
即ち、本発明による第1の配線基板(請求項1)は、絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面と裏面との間を貫通する貫通孔と、かかる貫通孔に素子搭載面を上端に有する柱部が挿入され、かかる柱部の下方に連なるベース部が上記基板本体の裏面、または上記貫通孔に隣接し且つ基板本体の裏面に開口する窪みに固着される放熱部材と、を備え、上記基板本体の貫通孔の内壁と、対向する上記放熱部材の柱部の側面との間に、何れか一方から他方に突出して接する突部を形成すると共に、かかる突部を介して上記貫通孔の内壁と上記柱部の側面との間に隙間が形成されている、ことを特徴とする。
尚、前記絶縁材には、アルミナなどの高温焼成セラミックや、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックのほか、エポキシ系などの樹脂も含まれる。
また、前記放熱部材は、熱伝導率の高いCu,Al、あるいはこれらをベースとする合金からなり、前記ベース部の上面における中央部から前記柱部が立設した形態を有している。
更に、基板本体と放熱部材との固着は、基板本体の裏面と放熱部材の上面との間、基板本体の前記窪みの天井面と放熱部材の上面との間、あるいは、かかる窪みの天井面および側面と放熱部材の上面および側面との間を、例えば、ロウ付けまたは接着するものである。
加えて、前記突部は、基板本体の貫通孔の内壁から突出する前記絶縁材の一部、あるいは、放熱部材の側面から突出する金属材料の一部からなる突条、または複数の突起が挙げられる。
これによれば、基板本体を形成する絶縁材のうち、前記貫通孔の内壁における厚み方向の下部の全周、あるいは、放熱部材の柱部の側面とベース部の上面との間の全周に沿って突部が形成されている。このため、基板本体と放熱部材との平面方向における位置決めおよび固着が精度良く成され、上記突部を除いた貫通孔の内壁と柱部の側面との間に隙間が形成されているので、かかる隙間を介して柱部の側面に金属メッキが確実に被覆されている。
尚、基板本体の前記突部は、例えば積層すべき複数のグリーンシートのうち、かかる突部を形成するグリーンシートの上記貫通孔の一部となる打ち抜き孔の内のり寸法を小さくすることで、あるいは、金属素材から放熱部材をプレス成形する際に、柱部とベース部との間に段部を全周に形成することで得られる。
これによれば、前記貫通孔の内壁から基板本体を形成する絶縁材の一部、あるいは放熱部材の柱部の側面から当該放熱部材を形成する金属材料の一部が、互いに対称で且つ複数に分割された突部を形成している。このため、基板本体と放熱部材との平面方向における位置決めおよび固着が精度良く成され、上記突部同士の間を介して、貫通孔の内壁と柱部の側面との間に外部に連通する隙間が形成されるので、かかる隙間を介して柱部の側面に金属メッキが確実に被覆されている。
尚、基板本体の前記突部は、例えば積層すべき複数のグリーンシートのうち、かかる突部を形成するグリーンシートの上記貫通孔の一部となる打ち抜き孔の内周縁に複数の突部を形成することで、あるいは、金属素材から放熱部材を切削加工などにより成形する際に、柱部の側面に複数の突部を形成することで得られる。
尚、突部の形成方法は、前記第1の配線基板の場合と同様である。このうち、放熱部材のベース部の側面における下部に、全周に沿った突部や、互いに対称な複数の突部を設ける際には、金属素材をプレスにより同時且つ容易に成形できる。
また、本発明は、前記基板本体の貫通孔と、前記放熱部材の柱部とは、平面視においてほぼ相似形の矩形であると共に、かかる矩形を呈する上記貫通孔の内壁または上記柱部の側面に、複数の前記突部が形成されている、配線基板を含むことができる。こられによる場合も、寸法精度が高く、放熱部材が腐食しにくい配線基板とすることが可能となる。
加えて、本発明は、前記基板本体の貫通孔と、前記放熱部材の柱部とは、平面視において相似形の円形であると共に、かかる円形を呈する上記貫通孔の内壁または上記柱部の側面に、複数の前記突部がほぼ対称に形成されている、配線基板を含むことができる。これらによる場合も、寸法精度が高く、放熱部材が腐食しにくい配線基板とすることが可能となる。
図1は、本発明による第1の配線基板の一形態である配線基板1を示す平面図、図2は、図1中のX−X線の矢視に沿った垂直断面図、図3は、かかる配線基板1を構成する基板本体2の垂直断面を含む斜視図である。
配線基板1は、図1,図2に示すように、表面3および裏面4を有する基板本体2、かかる基板本体2の表面3と裏面4との間を貫通する貫通孔5、かかる貫通孔5の周囲に隣接し、基板本体2の裏面4に開口する窪み9、および上記貫通孔5に柱部12が挿入され、かかる柱部12の下方に連なり、上記窪み9に挿入・固着されるベース部16を有する放熱部材(ヒートシンク)10を備えている。
基板本体2は、図2,図3に示すように、例えば、アルミナ(絶縁材)からなるセラミック層c1〜c3を一体に積層し、平面視がほぼ正方形で全体がほぼ平板状体である。また、貫通孔5は、平面視が正方形で、その内壁6の下部における全周に沿って突部8が内側に突設されている。
更に、放熱部材10は、Cu合金からなり、図1,図2に示すように、平面視が正方形(矩形)の素子搭載面13を上端に有する四角柱の柱部12と、かかる柱部12の下方の全周に連なる平面視が正方形のベース部16と、からなる。かかる放熱部材10は、その柱部12およびベース部16が、基板本体2の貫通孔5および窪み9に挿入されると共に、ベース部16と窪み9との間がAgロウを介してロウ付け(固着)されるか、有機系接着剤により接着(固着)されている。
また、放熱部材10における柱部12の素子搭載面13、各側面14、およびベース部16の底面には、厚みが約1〜20μmのNiメッキ膜と厚みが約0.1〜6μmのAuメッキ膜(何れも図示せず)とが被覆されている。
尚、放熱部材10の柱部12の素子搭載面13は、基板本体2の表面3とほぼ面一となり、かかる素子搭載面13には、ICチップなどの電子部品18やLEDなどの発光素子がAgロウまたは導電性接着剤を介して搭載される。また、電子部品18と基板本体2の表面3に形成される前記パッドとは、図示しないボンディングワイヤを介して導通される。
予め、アルミナ粉末の粒子、樹脂バインダ、可塑剤、および溶剤などからなる原料を混合して、セラミックスラリを製作した。かかるセラミックスラリにドクターブレード法を施して、平面視が正方形であり、互いに厚みが異なる3層のグリーンシートを形成した。
次に、上記3層のうち、比較的厚いグリーンシートに対し、断面が正方形の貫通孔を、パンチとダイの受入れ孔とによる打ち抜き加工で形成し、比較的薄いグリーンシートに対し、上記貫通孔よりも縦横の寸法が僅かに小さい断面正方形の貫通孔を、上記同様の打ち抜き加工で形成した。残りのグリーンシートに対し、上記2つの貫通孔よりも縦横の寸法が大きい断面正方形の貫通孔を、上記同様の打ち抜き加工で形成した。
上記最少寸法の貫通孔を有するグリーンシートの両面に残り2層のグリーンシートを、それらの貫通孔が同心で連通するように、個別に積層および圧着してグリーンシート積層体を形成した。かかるグリーンシート積層体を所定の温度帯に加熱・焼成した。この結果、セラミック層c1〜c3からなり、前記表面3、裏面4、貫通孔5、かかる貫通孔5の内壁6の下部の全周から突出する突部8、および窪み9を有する基板本体2が得られた。
次に、図4中の矢印で示すように、ベース部16の上面と各側面とに図示しないAgロウのシートを配置した放熱部材10の柱部12を、基板本体2の貫通孔5に挿入すると共に、上記ベース部16を基板本体2の窪み9に挿入した。この際、基板本体2の突部8の先端面7は、放熱部材10の柱部12における各側面14の下部の全周において面接触すると共に、これらの上方における側面14と貫通孔5の内壁6との間に、約数10〜数100μmの隙間sが形成されていた。
更に、上記基板本体2および放熱部材10を約700〜900℃に加熱し、前記Agロウを溶融して、基板本体2と放熱部材10とをロウ付けにより固着した。
その結果、柱部12の側面14にもNiおよびAuメッキ膜を確実に被覆できた。以上の各工程により、前記図1,図2に示した配線基板1が得られた。
以上のような配線基板1によれば、前記突部8によって、基板本体2と放熱部材10との平面方向における位置決めおよび固着が精度良く成されていると共に、貫通孔5の内壁6と柱部12の側面14との間に隙間sが形成されているため、かかる隙間sを介して柱部12の側面14にもNiおよびAuメッキ膜を確実に被覆されている。従って、寸法精度が高く、放熱部材10が腐食しにくい配線基板1となった。尚、放熱部材10がAl合金からなる場合には、前記ロウ付けに替えて、接着が用いられる。
配線基板1aは、図5,図6に示すように、表面3および裏面4を有する基板本体2a、その表面3と裏面4との間を貫通する貫通孔5、かかる貫通孔5の周囲に隣接し、基板本体2aの裏面4に開口する窪み9、上記貫通孔5に柱部12が挿入され、かかる柱部12の下方に連なり、上記窪み9に挿入・固着されるベース部16を有する放熱部材10を備えている。
基板本体2aは、図5,図6に示すように、前記同様のセラミック層c1〜c3を一体に積層し、平面視が正方形で全体がほぼ平板状体である。また、貫通孔5は、平面視が正方形で、その内壁6の上部における各辺の中央部ごとに分割して、複数の突部8aが内側に突設されている。
尚、セラミック層c1〜c3やこれらの間には、前記同様のビア導体や配線層が形成されると共に、表面3や裏面4にも前記同様のパッドが形成されている。
また、放熱部材10における柱部12の側面14の上部と、基板本体2aの貫通孔5における内壁6の上部から突出する複数の突部8aの先端面7とは、互いに面接触しており、その下方における貫通孔5の内壁6と柱部12の側面14との間には、一定幅の隙間sが柱部12の全周に沿って形成されている。この隙間sは、突部8a,8a間の間隙を介して、基板本体2の表面3側に連通している。
尚、放熱部材10の柱部12の素子搭載面13は、基板本体2aの表面3とほぼ同じ高さとなり、ICチップなどの電子部品18が前記同様に搭載される。また、電子部品18と基板本体2aの表面3に形成される前記パッドとは、図示しないボンディングワイヤを介して導通されるが、突部8aが位置する表面3にパッドを形成すると、比較的短い上記ワイヤを介して、電子部品と導通できる。
以上のような配線基板1aにおいても、前記複数の突部8aによって、基板本体2aと放熱部材10との平面方向における位置決めおよび固着が精度良く成されている。また、突部8a,8a間の間隙および貫通孔5の内壁6と柱部12の側面14との間に隙間sが形成されているため、上記間隙および隙間sを介して柱部12の側面14にもNiおよびAuメッキ膜が確実に被覆されている。従って、寸法精度が高く、放熱部材10が腐食しにくい配線基板1aとなった。
配線基板1bは、前記基板本体2aと同様な基板本体2bと、放熱部材10とを備えている。かかる配線基板1bが前記配線基板1aと相違するのは、基板本体2bの表面3を含む最上層のセラミック層c2に形成される断面正方形の貫通孔において、各コーナ付近ごとに平面視がほぼL字形の突部8bに分割して、内側に突出している点である。このため、最上層のセラミック層c2となるグリーンシートに形成する平面視が正方形の貫通孔を、各コーナ付近が内側に突出するように打ち抜き加工するほかは、前記同様の各工程を経ることで製造できた。
配線基板1cは、前記基板本体2a,2bと同様でセラミック層c1〜c4からなる基板本体2cと、放熱部材10とを備えている。かかる配線基板1cが前記配線基板1a,1bと相違するのは、基板本体2cの中層を形成する比較的薄いセラミック層c2に形成される断面正方形の貫通孔において、各辺の中央部または各コーナ付近に平面視が直線状またはほぼL字形の突部8cを、内側に分割して突出させている点である。かかる複数の突部8c,8c間には、間隙が位置し、その上下における柱部12の側面14と貫通孔5の内壁6との間には、それぞれ隙間sが形成されている。
配線基板1cは、中層のセラミック層c2となるグリーンシートに形成する平面視が正方形の貫通孔を、各コーナ付近が内側に突出するように打ち抜き加工するか、平面視がほぼ+字形となるように打ち抜き加工するほかは、前記同様の各工程を経ることで製造できた。
上記配線基板1cにても、前記配線基板1a,1bと同様な効果が得られた。
かかる配線基板1dが前記配線基板1と相違する点は、突部8が基板本体2dの裏面4と面一に形成されており、その上方に隙間sが位置している。かかる放熱部材10は、そのベース部16の上面で基板本体2dの裏面4とロウ付けまたは接着(固着)されている。このため、放熱部材10のベース部16の側面および底面は、基板本体2dの裏面4よりも下側に突出しているので、素子搭載面13に搭載する電子部品18からの熱を一層効率良く放射することができる。
かかる配線基板1cにても、前記配線基板1と同様な効果が得られた。
尚、前記配線基板1a〜1cも、上記基板本体2dを用いた形態としても良い。
配線基板20は、図10,図11に示すように、表面23および裏面24を有する基板本体22、かかる基板本体22の表面23と裏面24との間を貫通する平面視が円形の貫通孔25、かかる貫通孔25の周囲に隣接し、基板本体22の裏面24に開口する平面視が円形の窪み29、および上記貫通孔25に柱部22が挿入され、かかる柱部32の下方に連なり、上記窪み29に挿入・固着されるベース部36を有する放熱部材30を備えている。
基板本体22は、図10,図11に示すように、前記同様のセラミック層c1〜c3を一体に積層し、平面視が正方形で全体がほぼ平板状体である。また、貫通孔25は、平面視が円形で、その内壁26の下部における全周に沿ってリング状の突部28が内側に突設されている。
更に、放熱部材30は、Cu合金からなり、図10,図11に示すように、平面視が円形の素子搭載面33を上端に有する円柱形の柱部32と、かかる柱部32の下方の全周に連なる平面視が円形で且つ円盤状のベース部36と、からなる。かかる放熱部材30は、その柱部32およびベース部36が、基板本体22の貫通孔25および窪み29に挿入されると共に、ベース部36と窪み29との間でAgロウを介してロウ付けされるか、有機系接着剤により接着されている。
また、放熱部材30における柱部32の素子搭載面33、側面34、およびベース部36の底面には、前記同様のNiメッキ膜とAuメッキ膜(何れも図示せず)とが被覆されている。
尚、放熱部材30の柱部32の素子搭載面33は、基板本体22の表面23とほぼ面一となり、かかる素子搭載面23には、ICチップなどの電子部品18や発光素子などが導電性接着剤などを介して搭載される。また、電子部品18と基板本体22の表面23に形成される前記パッドとは、図示しないボンディングワイヤを介して導通される。
以上のような配線基板20によれば、リング状の前記突部28によって、基板本体22と放熱部材30との平面方向における位置決めおよび固着が精度良く成されていると共に、貫通孔25の内壁26と柱部32の側面34との間に一定幅の隙間sが形成されているため、かかる隙間sを介して柱部32の側面34にもNiおよびAuメッキ膜が確実に被覆されている。従って、寸法精度が高く、放熱部材30が腐食しにくい配線基板20となっていた。
配線基板20aは、図12,図13に示すように、前記基板本体20aと同様な基板本体22aと、放熱部材30とを備えている。かかる配線基板20aが前記配線基板20と相違するのは、基板本体22aの表面23を含む最上層のセラミック層c3に形成する断面円形の貫通孔において、平面視が円弧形である複数の突部28aを分割して、内側にほぼ等間隔に突出させている点である。このため、最上層のセラミック層c3となるグリーンシートに形成する平面視がほぼ円形の貫通孔を、その内周に沿って複数の突部28aが突出するように打ち抜き加工するほかは、前記同様の各工程を経ることで製造できた。
かかる配線基板20bが前記配線基板20,20aと相違するのは、図14に示すように、基板本体22bの中層を形成する比較的薄いセラミック層c2に形成される断面円形の貫通孔の内周に、平面視が円弧状である複数の突部28bを分割して、内側に突出している点である。かかる突部28b,28b間には、間隙が位置し、その上下における柱部32の側面34と貫通孔25の内壁26との間には、それぞれ隙間sが形成されている。
尚、前記図9で示したと同様に、配線基板20,20a,20bにおいて、放熱部材30は、そのベース部36の上面で基板本体22,22a,22bの裏面24とロウ付けまたは接着(固着)する形態としても良い。かかる形態によれば、前記同様の効果が得られると共に、放熱部材30のベース部36の側面および底面は、基板本体22,22a,22bの裏面24よりも下側に突出しているので、素子搭載面33に搭載する電子部品18からの熱を一層効率良く放射できる。
配線基板40aは、図15に示すように、表面43および裏面44を有し、前記基板本体2とほぼ同様のセラミック層c1〜c3からなる基板本体42aと、放熱部材10とを備えている。基板本体42aは、表面43と裏面44との間を貫通する平面視が正方形(矩形)の貫通孔45、かかる貫通孔45の周囲に隣接し且つ裏面44側に開口する平面視が正方形の窪み49、およびかかる窪み49の側面における上部の全周から貫通孔45側に突出する突部48aを備えている。かかる放熱部材10の柱部12を貫通孔45に隙間sを介して挿入した際に、突部48aの先端面47は、当該放熱部材10のベース部16の側面に面接触している。このため、突部48aの下方に位置するベース部16の側面と窪み49の側面との間にも、全周にわたり隙間sが形成されている。
尚、セラミック層c1〜c3やこれらの間には、前記同様のビア導体や配線層が形成されていると共に、基板本体42aの表面43や裏面44にも前記同様のパッドが形成されている。また、放熱部材10の素子搭載面13に搭載される電子部品18は、基板本体42aの表面43に形成された上記パッドと導通される。
以上のような配線基板40a〜40cも前記同様の方法で製造できた。
尚、基板本体42a〜42cに円柱形の前記貫通孔25と円盤形状の前記窪み29とを形成し、円柱形の柱部32および円盤形状のベース部36からなる前記放熱部材30a,30bを固着し、前記突部48a〜48cと同様なリング形状または複数の円弧形状の突部を設けることで、図15〜図17と同様に単一の隙間sまたは上下2つの隙間sを形成することも可能である。
配線基板50aは、図18に示すように、前記同様のセラミックc1,c3からなり、貫通孔5および窪み9を有する基板本体2eと、これに対し前記同様に固着される放熱部材10aとを備えている。かかる放熱部材10aは、柱部12とベース部16との間に全周に沿って平面視が四角枠形の突部17aを一体に設けている。かかる放熱部材10の柱部12を貫通孔5に隙間sを介して挿入した際に、突部17aの先端面は、基板本体2eにおける貫通孔5の内壁6の下部に面接触している。このため、突部17aの上方に位置する柱部12の側面14と貫通孔5の内壁6との間には、全周にわたり一定幅の隙間sが形成されており、かかる隙間sを介して、柱部12の側面14ごとに所要の厚さのNiおよびAuメッキ膜が被覆されている。尚、上記放熱部材10aは、突部17aを含めてプレスにより容易に成形することができた。
尚、放熱部材10bは、柱部12の側面14の中間位置から突部17aを突出させるため、例えば、切削加工または精密鋳造により形成される。
尚、放熱部材は、柱部12の側面14の上部に沿って、複数の突部を分割して設けた形態としても良い。また、基板本体2eに円柱形の前記貫通孔25と円盤形状の前記窪み29とを形成し、円柱形の柱部32および円盤形状のベース部36からなる前記放熱部材30c,30dを固着し、前記突部17a,17bと同様なリング形状または複数の円弧形状の突部を設けることで、前記図18,図19で示した隙間sを形成することも可能である。
配線基板50cは、図20に示すように、前記と同じ基板本体2eと、かかる基板本体2eの窪み9の天井面に固着される放熱部材10cと、を備えている。かかる放熱部材10cは、ベース部16の側面ごとにおける厚み方向の上部から外側に突出する突部17cを全周に設けている。放熱部材10の柱部12を貫通孔5に隙間sを介して挿入した際に、突部17cの先端面は、基板本体2eにおける窪み9の側面ごとの上部に面接触している。このため、突部17cの下方に位置するペース部16の側面と窪み9の側面との間には、全周にわたり裏面4に開口する隙間sが形成される。かかる隙間sと上方の隙間sを介して、柱部12の側面14およびペース部16の側面に所要の厚さのNiおよびAuメッキ膜がそれぞれ被覆されている。
以上のような配線基板50c,50dによっても、前記配線基板50a,50bと同様な効果を奏することが可能である。尚、放熱部材10c,10dも、切削加工または精密鋳造により形成される。また、放熱部材は、ベース部16の側面ごとの下部に沿って、複数の突部を分割して設けた形態としても良い。
前記基板本体を形成する絶縁材は、窒化アルミニウムやムライトなどのセラミック、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミック、あるいは各種の樹脂としても良い。
また、基板本体は、平坦な表面に限らず、表面に開口するキャビティを有し、かかるキャビティの底面と裏面との間に前記貫通孔および窪みを形成した形態としても良い。上記キャビティの底面とほぼ面一となる放熱部材の素子搭載面に、発光素子を搭載した際には、かかる発光素子の光は、当該キャビティの側面に反射して外部に放射される。この場合、キャビティの側面は、基板本体の表面側に広がるように傾斜したほぼ円錐形とすることが望ましい。
また、突部は、前述した水平方向に沿う長い各突条のほか、断面角形の立方体またはほぼ円柱体の複数の突起を、水平方向に沿って設けた形態としても良い。
更に、放熱部材における柱部の側面やベース部の側面には、NiおよびAgメッキ膜を被覆しても良い。
加えて、本発明の配線基板は、複数の配線基板を縦・横に配置した多数個取り基板の形態としても良い。
2,2a〜2e,22,22a,22b,42a〜42c………………基板本体
3,23,43…………………………………………………………………表面
4,24,44…………………………………………………………………裏面
5,25,45…………………………………………………………………貫通孔
6,26,46…………………………………………………………………内壁
8,8a〜8c,17a〜17d,28,28a,28b,48a〜48c…突部
9,29,49…………………………………………………………………窪み
10,10a〜10d,30…………………………………………………放熱部材
12,32………………………………………………………………………柱部
13,33………………………………………………………………………搭載面
14,34………………………………………………………………………側面
16,36………………………………………………………………………ベース部
c1〜c5………………………………………………………………………セラミック層
s…………………………………………………………………………………隙間
Claims (4)
- 絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面と裏面との間を貫通する貫通孔と、
上記貫通孔に素子搭載面を上端に有する柱部が挿入され、かかる柱部の下方に連なるベース部が上記基板本体の裏面、または上記貫通孔に隣接し且つ基板本体の裏面に開口する窪みに固着される放熱部材と、を備え、
上記基板本体の貫通孔の内壁と、対向する上記放熱部材の柱部の側面との間に、何れか一方から他方に突出して接する突部を形成すると共に、かかる突部を介して上記貫通孔の内壁と上記柱部の側面との間に隙間が形成されている、
ことを特徴とする配線基板。 - 前記基板本体の貫通孔と、前記放熱部材の柱部とは、平面視においてほぼ相似形であると共に、前記突部は、上記貫通孔の内壁および上記柱部の側面における前記基板本体の厚み方向の一部から上記内壁および上記側面の全周に沿って形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記基板本体の貫通孔と、前記放熱部材の柱部とは、平面視においてほぼ相似形であると共に、前記突部は、平面視において上記貫通孔の内壁および上記柱部の側面における複数のほぼ対称の位置に分割して形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 絶縁材からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面と裏面との間を貫通する貫通孔と、
上記貫通孔に素子搭載面を上端に有する柱部が挿入され、かかる柱部の下方に連なるベース部が上記貫通孔に隣接し且つ基板本体の裏面に開口する窪みに固着される放熱部材と、を備え、
上記基板本体の裏面に開口する窪みの側面と、対向する上記放熱部材のベース部の側面との間に、何れか一方から他方に突出して接する突部を形成すると共に、
かかる突部を介して、上記貫通孔の内壁と上記柱部の側面との間、および上記窪みの側面とベース部との間で且つ上記突部のない位置に隙間が形成されている、
ことを特徴とする配線基板。
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