JP2006324398A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子などの電子部品を所定の実装面に対し、目的とする姿勢にして確実に実装することが容易な配線基板を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層（絶縁層）ｓ１〜ｓ４からなる基板本体２において発光ダイオード（電子部品）１７の実装面であるキャビティ５の底面６に、平面視で実装すべき発光ダイオード１７の底面形状に倣った形状の窪み７が形成されている共に、かかる窪み７の底面７ａ、側面７ｂ、およびキャビティ５の底面６にまたがって、導体層１０が連続して形成されている、配線基板１。
【選択図】 図２

Description

本発明は、電子部品を基板本体の表面に実装し、あるいはかかる基板本体の表面に開口するキャビティの底面に上記電子部品を実装する配線基板に関する。

発光ダイオードなどの発光素子からの光を外部に効率良く反射するため、かかる発光素子を搭載する搭載部に対する搭載精度を高めるべく、その側面の下端に暗部（影）を生じないようにすることが求められている。
このため、例えば、上面にハンダを介して発光素子を搭載する搭載部を有するセラミックからなる基体と、かかる基体の上面の外周部に上記搭載部を囲んで設けられ且つ内周面が上側に向かって広がるように傾斜した枠体と、を備え、上記ハンダの外周端が発光素子の側面の下端よりも外側に全周にわたり延出している発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−３１９５９８号公報（第１〜６頁、図１）

前記発光素子収納用パッケージよれば、ハンダの外周端が発光素子の側面の下端よりも外側に全周にわたり延出しているため、かかる発光素子からの光によっても、その側面の下端に暗部（影）を生じにくくなる、という効果を奏することが可能となる。
しかしながら、発光素子を搭載する平坦な搭載部の表面に前記ハンダを介して、発光素子を搭載するため、かかるハンダをリフロー（加熱）した際に、当該ハンダが上記表面に流れ出ると、搭載された発光素子の姿勢が傾き易くなる。このため、かかる発光素子からの光が前記枠体の内周面に設けた金属メッキ層に均一に反射されず、反射効率が低下したり、反射光がバラ付き易くなる、などの問題点があった。

本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、発光素子などの電子部品を所定の実装面に対し、目的とする姿勢にして確実に実装することが容易な配線基板を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、電子部品を実装すべき実装面において、かかる電子部品の底面との間に介在させるために用いるハンダや樹脂が流出しにくいような構造を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、複数の絶縁層からなる基板本体における電子部品の実装面に、平面視で実装すべき電子部品の底面形状に倣った形状の窪みが形成されている。

これによれば、前記実装面に形成された窪みに、ハンダまたはエポキシ系などの樹脂を充填し、かかるハンダや樹脂をリフロー（加熱）してその上に電子部品を実装した際、上記ハンダや樹脂は上記窪みの外側に流出し難くなる。このため、上記電子部品を実装面に対し、目的とする姿勢で精度良く実装できるので、例えば、上記電子部品が発光素子である場合、その光を効率良く外部に放射することが可能となり、上記電子部品がＩＣチップである場合、基板本体の実装面付近に位置するパッドとのワイヤボンディングを精度良く行うことが可能となる。
尚、前記基板本体を形成する絶縁層の材料には、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成の一種である例えばガラス−セラミック、あるいは、例えばエポキシ系樹脂などの樹脂が含まれる。また、前記実装面は、例えば、前記基板本体の表面、あるいは基板本体の表面に開口するキャビティの底面などである。更に、前記窪みは、実装すべき電子部品の底面形状に倣った形状（ほぼ相似形）であって、平面視で正方形や長方形などの底面と、かかる底面の周囲に位置し且つ実装面に対し広がるように傾斜するか、または垂直な側面と、からなる。

また、本発明には、前記窪みの底面、側面、および前記基板本体における電子部品の実装面にまたがって、導体層が連続して形成されている、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、例えば発光ダイオードなどの発光素子を実装する際に、上記導体層の窪みの内側にハンダを充填し、かかるハンダをリフロー（加熱）して上記発光素子の底面を固着することで、発光素子を実装面に対し、目的とする姿勢で実装できる。同時に、当該発光素子における一方の電極と基板本体の内部配線との導通を、上記導体層およびハンダを介して直に取ることも可能となる。

更に、本発明には、前記窪みを有する絶縁層の裏面には、かかる窪みの側面よりも当該裏面の垂直な方向において外側の位置に裏面導体層が形成されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、例えば、上記絶縁層がセラミック層である場合、焼成後にかかるセラミック層となるグリーンシートの裏面に上記裏面導体層となる導体パターンを形成し、当該グリーンシートの表面を弾性を有するパンチで押圧することにより、かかる表面に上記窪みを精度良く形成することが可能となる。
尚、上記絶縁層が複数である場合、裏面導体層は、前記窪みを有する絶縁層の裏面と、これとは別で且つ隣接する絶縁層の表面との間に形成される。一方、上記絶縁層が樹脂層である場合、かかる樹脂層の直下に位置する下層樹脂層の表面に上記裏面導体層を形成し、当該下層樹脂層の表面および裏面導体層の上にまたがり樹脂フィルムを貼り付けることで、かかる樹脂フィルムからなる樹脂層の表面に上記窪みを精度良く形成することが可能となる。

付言すれば、本発明には、前記電子部品の実装面は、前記基板本体の表面、またはかかる表面に開口するキャビティの底面に位置する、配線基板も含まれ得る。これによる場合、上記キャビティの底面に対し、所要の目的とする姿勢で電子部品を確実に実装することが可能となる。
また、本発明には、前記電子部品は、発光素子である、配線基板も含まれ得る。
これによる場合、例えば、前記キャビティの底面に対し、目的とする姿勢で発光素子を確実に実装できるため、かかる発光素子の光をキャビティの側面に所定の反射角度で反射させて外部に放射することが可能となる。尚、上記発光素子には、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）などが含まれる。

更に、本発明には、前記窪みを有する絶縁層は、弾性を有するベース上に載置されたグリーンシートに対し、かかるグリーンシートの中央部をパンチにより押圧することで形成される工程を含む、配線基板の製造方法も含まれ得る。
この製造方法による場合、上記グリーンシートを含む複数のグリーンシートを積層および焼成することで、複数のセラミック層からなる基板本体の表面に、あるいは、かかる表面に開口するキャビティの底面に、上記窪みを有する配線基板を確実に製造することが可能となる。

加えて、本発明には、前記窪みの底面、側面、および前記基板本体における電子部品の実装面にまたがって導体層を有する絶縁層は、表面の中央付近に導体パターンを形成したグリーンシートを弾性を有するベース上に載置し、上記導体パターンの中央付近をパンチで押圧することで形成される工程を含む、配線基板の製造方法も含まれ得る。
この製造方法による場合、前記同様に積層・焼成することで、複数のセラミック層からなる基板本体の表面やキャビティの底面に上記窪みを精度良く形成した配線基板を提供することが可能となる。

以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明の一形態である配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図、図３は、図２中の窪み付近を示す拡大図である。
配線基板１は、図１〜図３に示すように、複数のセラミック層（絶縁層）ｓ１〜ｓ４からなり表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し底面（実装面）６および側面８からなるキャビティ５と、かかるキャビティ５の底面６の中央部に形成された窪み７と、を備えている。
因みに、基板本体２のサイズは、約５ｍｍ×５ｍｍ×０．９ｍｍであり、アルミナ系のセラミック層ｓ１〜ｓ４間などにはＷまたはＭｏを主成分とする図示しない所定パターンの配線層、裏面導体層１５、ビア導体１８が形成され、裏面４には図示しないパッドが形成されている。
尚、基板本体２には、例えばガラス−アルミナ系のグリーンシートを複数枚積層して焼成したガラス−セラミックを適用しても良い。

図１，図２に示すように、キャビティ５は、平面視が円形の底面６と、かかる底面６の周辺から基板本体２の表面３に向かって広がるように傾斜した側面８とからなり、全体がほぼ円錐形を呈する。尚、側面８の仰角は、３０〜７０度の範囲で適宜選択される。かかるキャビティ５の側面８は、追ってセラミック層ｓ４となるグリーンシートを、所要のクリアランスを介するポンチとダイとによる打ち抜き加工により、前記ほぼ円錐形状に成形される。因みに、キャビティ５のサイズは、上端の内径約３．６ｍｍ×深さ約０．４５ｍｍである。

図１〜図３に示すように、キャビティ５の底面６の中央部に形成された窪み７は、平面視が正方形の底面７ａと、かかる底面７ａの四辺から上記底面６に向かって広がるように傾斜した４つの側面７ｂと、からなる。かかる窪み７の底面７ａ、各側面７ｂ、およびキャビティ５の底面６にまたがって、連続する底片１１、傾斜片１２、および周片１３からなる導体層１０が形成されている。かかる導体層１０は、厚みが約１０〜３０μｍで、ＷまたはＭｏを含む金属からなる。
図３に示すように、窪み７内の底片１１上の窪みには、例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点合金からなるハンダ１４が充填され、かかるハンダ１４をリフロー（加熱）することで、発光ダイオード（電子部品）１７の底面が当該ハンダ１４に固着される。この際、発光ダイオード１７は、窪み７および導体層１０の周片１３によって底面６側に流出し難いハンダ１４を介して、当該底面６の中央部に実装されるため、その上面および底面は、底面６と平行な目的とする姿勢となる。

図１，図２に示すように、前記キャビティ５の側面８には、ＷまたはＭｏからなる金属層、その上に形成されるＮｉメッキ層、および、その上に形成され且つ上記発光ダイオード１７からの光を反射するＡｇなどのメッキ層、の３層（図示せず）からなる反射金属層９が形成されている。
図２，図３に示すように、表面（底面６）に窪み７を有するセラミック層ｓ３の裏面には、平面視（かかる裏面に対し垂直な方向）において窪み７の側面７ｂよりも外側の位置に、Ｗなどからなる裏面導体層１５が形成されている。かかる裏面導体層１５は、配線基板１の電源層またはグランド層であると共に、後述するように、セラミック層ｓ３の表面に前記窪み７を精度良く形成するためにも活用される。

図１，図２に示すように、窪み７を挟んだキャビティ５の底面６には、一対のパッド１６が対称に形成されている。かかるパッド１６も、ＷまたはＭｏからなり、その表面にはＮｉ、Ａｕ、またはＡｇメッキ層が形成され、図示しないボンディングワイヤを介して、発光ダイオード１７と個別に導通される。また、パッド１６は、ビア導体１８を介して、裏面導体層１５とも導通されている。
尚、何れか一方のパッド１６は、導体層１０の隣接する周片１３まで延ばし、且つ電気的に導通を取ることで、上記ワイヤを省略し、直に発光ダイオード１７と導通とすることも可能である。

以上のような配線基板１では、基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６の中央部に、実装すべき発光ダイオード１７の底面形状に倣った形状の窪み７が形成されている。このため、かかる窪み７の底面７ａ、側面７ｂ、およびキャビティ５の底面６に形成した導体層１０の底片１１上の窪みにハンダ１４を充填し、これをリフロー（加熱）しつつ発光ダイオード１７の底面を固着することで、かかる発光ダイオード１７を実装できる。しかも、ハンダ１４が上記窪みから外側に流出し難いため、実装面であるキャビティ５の底面６に対し、発光ダイオード１７を目的とする姿勢（例えば、発光ダイオード１７の底面とキャビティ５の底面６とが平行になる）で、確実且つ容易に実装することができる。従って、かかる発光ダイオード１７からの光を、キャビティ５の側面７に形成した反射金属層９により、所定の反射角度で効率良く反射させて外部に放射することが可能となる。
尚、前記ハンダ１４に替えて、エポキシ系樹脂を同様に用いても良い。

ここで、窪み７を表面に有するセラミック層ｓ３の製造方法について説明する。以下では、セラミック層ｓ３とグリーンシートｓ３の符号などは、共通とする。
図４に示すように、予め、アルミナなどのセラミック材料を主成分とするグリーンシートｓ３を用意し、その表面の中央部に平面視が正方形でＷまたはＭｏの粉末を含む導体パターン１０ａを所望の形状に印刷法などで形成し、かかるグリーンシートｓ３の裏面において、平面視で上記導体パターン１０ａの中心部と対向する位置に導体パターンが形成されていない隙間ｈを有し、かかる隙間ｈの縁部と上記導体パターン１０ａの周辺部が重複し且つその外側の裏面に延びるように、上記同様の導体パターン１５ａを形成する。

次いで、図５に示すように、表面に導体パターン１０ａを形成し且つ裏面に導体パターン１５ａを形成したグリーンシートｓ３を、金属製のベースＢの平坦な表面上に、裏面側の導体パターン１５ａが接触するように載置して固定する。かかるグリーンシートｓ３の上方には、平面視で導体パターン１０ａよりも小さなほぼ四角錐状の凸部ｐを底面の中央に一体に有するパンチＰを配置する。かかるパンチＰは、シリコン系ゴムなどで形成されており、所定の弾性および剛性を併有している
かかる状態で、図５中の矢印で示すように、パンチＰをベースＢ側に下降させ、且つ前記凸部ｐを導体パターン１０ａの中心付近に進入させる。

その結果、図６に示すように、グリーンシートｓ３における裏面の中央部は、導体パターン１５ａが画定する隙間ｈ内に進入する。同時に、グリーンシートｓ３の表面の中央部および導体パターン１０ａは、パンチＰの底面および凸部ｐに倣って塑性変形し、図６に示すように、ほぼ四角錐を呈する窪み７と、かかる窪み７上の底片１１、傾斜片１２、および周片１３からなる導体層１０とが形成される。
かかるグリーンシートｓ３を、追って前記セラミック層ｓ１，ｓ２，ｓ４となるグリーンシートｓ１，ｓ２，ｓ４と順次積層し且つ圧着した後、所定の温度帯で焼成することで、セラミック層ｓ３を含む前記図１〜図３に示した前記配線基板１を得ることができる。尚、導体パターン１０ａ，１５ａは、上記焼成によって裏面導体層１０，１５となる。

図７，図８は、異なる形態のセラミック層ｓ３１の製造方法に関する。
図７に示すように、平坦な表面の中央部に平面視が正方形を呈する浅い窪みｂを有するベースＢ１を用意する。かかるベースＢ１は、シリコン系ゴムなどからなる。予め、表面の中央部に導体パターン１０ａを形成したグリーンシートｓ３を、上記ベースＢ１の表面上に載置して固定する。
かかる状態で、図７中の矢印で示すように、前記パンチＰをベースＢ側に下降させ、且つその凸部ｐを導体パターン１０ａの中心付近に進入させる。
その結果、図８に示すように、グリーンシートｓ３における裏面の中央部は、ベースＢ１の窪みｂ内に進入する。

同時に、グリーンシートｓ３の表面の中央部および導体パターン１０ａは、パンチＰの底面および凸部ｐに倣って塑性変形し、図８に示すように、前記同様の窪み７と、かかる窪み７上の底片１１、傾斜片１２、および周片１３からなる導体層１０とが形成される。これにより、図８に示すように、裏面の中央部に凸部ｒを有し、且つ表面の中央部に窪み７と導体層１０とが形成されたグリーンシートｓ３１が得られる。
その後、上記グリーンシートｓ３１と前記グリーンシートｓ１，ｓ２，ｓ４とを用い、前記積層・焼成工程を施すことにより、セラミック層ｓ３１を含み前記配線基板１と同様で、且つ前記裏面導体層１５のない配線基板が得られる。

図９は、更に異なる形態のセラミック層ｓ３２の製造方法に関する。
図９に示すように、予め、グリーンシートｓ３の裏面に隙間ｈを有する導体パターン１５ａを形成し、かかる導体パターン１５ａを金属製のベースＢの表面に接触させて、当該グリーンシートｓ３をベースＢに載置して固定する。
次に、図９中の矢印で示すように、グリーンシートｓ３の平坦な表面に対し、凸部ｐを底面の中央に有する前記パンチＰを下降させる。その結果、図９中の破線で示すように、グリーンシートｓ３における表面の中央部には、前記同様の窪み７が形成される。

同時に、図９中の一点鎖線で示すように、グリーンシートｓ３における裏面の中央部は、導体パターン１５ａで画定される隙間ｈ内に進入する。これにより、表面の中央部に窪み７が形成され且つ裏面の中央部を除いた位置に導体パターン１５ａが形成されたグリーンシートｓ３２が得られる。
その後、上記グリーンシートｓ３２とグリーンシートｓ１，ｓ２，ｓ４とを用い、前記積層・焼成工程を施すことにより、セラミック層ｓ３２を含み前記配線基板１と同様で、且つ前記導体層１０のない配線基板が得られる。

図１０は、異なる形態の配線基板２０を示す平面図、図１１は、図１０中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図である。配線基板２０は、図１０，１１に示すように、複数のセラミック層ｓ１，ｓ２，ｓ３１，ｓ５からなり表面２３および裏面２４を有する基板本体２２と、かかる基板本体２２の表面２３に開口し底面２６および側面２８からなるキャビティ２５と、かかるキャビティ２５の底面２６の中央部に形成された窪み２７と、を備えている。
図１０，１１に示すように、上記キャビティ２５は、平面視が円形の底面２６と、かかる底面６の周辺から基板本体２の表面３に向かって垂直に立設した側面２８とからなり、全体が円柱形を呈する。

図１１に示すように、キャビティ２５の底面２６の中央部に形成された窪み２７は、前記窪み７と同様に、平面視が正方形の底面と、かかる底面の四辺から上記底面２６に向かって広がるように傾斜した４つの側面とからなる。かかる窪み２７の底面、各側面、およびキャビティ２５の底面２６にまたがって、底片１１、傾斜片１２、および周片１３からなる導体層１０が形成されている。
図１１に示すように、窪み２７の内側には、前記ハンダ１４が充填され、これをリフロー（加熱）することで、発光ダイオード１７の底面が当該ハンダ１４に固着される。この際、発光ダイオード１７は、窪み２７および導体層１０の周片１３によって底面２６側に流出し難いハンダ１４を介して、当該底面２６の中央部に実装されるため、その上面および底面は、キャビティ２５の底面２６と平行な目的とする姿勢となる。

図１０，１１に示すように、キャビティ２５の側面２８には、前記同様の反射金属層２９が形成されている。また、表面（底面２６）に窪み２７を有するセラミック層ｓ３１の裏面の中央部には、凸部ｒが突出している。かかる凸部ｒの高さは、前記グリーンシートｓ３１と、隣接するセラミック層ｓ２となるグリーンシートｓ２とを積層・圧縮した際に若干低くなっている。
図１０，１１に示すように、窪み２７を挟んだキャビティ２５の底面２６には、一対のパッド１６が対称に形成され、図示しないボンディングワイヤを介して、発光ダイオード１７と個別に導通されるが、一方のパッド１６を、導体層１０の隣接する周片１３まで延ばし、且つ電気的に導通を取ることで、発光ダイオード１７と導通可能としても良い。尚、パッド１６は、ビア導体１８を介して、内部配線などとも導通される。

図１２は、前記配線基板２０の変形形態である配線基板２０ａの断面図である。
配線基板２０ａは、基板本体２２を形成する前記セラミック層ｓ３１に替えて、セラミック層ｓ３２を用いたものである。このため、かかるセラミック層ｓ３２の裏面には、前記同様の裏面導体層１５が形成され、且つ当該セラミック層ｓ３２の表面であるキャビティ２５の底面２６の中央部には、前記導体層１０がなく、窪み２７が直に露出している点で、前記配線基板２０と相違している。

以上のような配線基板２０，２０ａは、基板本体２２の表面２３に開口するキャビティ２５の底面２６の中央部に、実装すべき発光ダイオード１７の底面形状に倣った形状の窪み２７が形成されている。このため、かかる窪み２７の内側（導体層１０の底片１１上）にハンダ１４を充填およびリフロー（加熱）し、発光ダイオード１７の底面を固着することで、かかる発光ダイオード１７を実装できる。しかも、ハンダ１４が上記窪み２７から流出し難いため、実装面であるキャビティ２５の底面２６に対し、発光ダイオード１７を目的とする姿勢にして、確実に実装することができる。従って、かかる発光ダイオード１７からの光を、キャビティ２５の側面２８に形成した反射金属層２９で所定の反射角度で効率良く反射させて外部に放射することが可能となる。
尚、配線基板２０，２０ａでは、前記ハンダ１４に替えて、エポキシ系の樹脂を窪み２７などに充填し、これを加熱するようにしても良い。

図１３は、更に異なる形態の配線基板３０を示す垂直断面図である。
配線基板３０は、図１３に示すように、複数のセラミック層ｓ１〜ｓ３からなり表面３３および裏面３４を有する基板本体３２と、かかる基板本体３２の表面３３の中央部に形成された窪み３５と、を備えている。
図１３に示すように、実装面である表面３３の中央部に形成された窪み３５は、前記窪み７と同様に、平面視が正方形の底面と、かかる底面の四辺から上記表面３３に向かって広がるように傾斜した４つの側面とからなる。かかる窪み３５の底面、各側面、および基板本体３２の表面３３にまたがって、底片１１、傾斜片１２、および周片１３からなる導体層１０が形成されている。

窪み３５の周辺における基板本体３２の表面３３には、複数のパッド１６が形成され、これらは、前記同様にワイヤを介して実装すべきＩＣチップ（電子部品）１７と導通され、且つビア導体１８を介して、裏面導体層１５とも導通される。
図１３に示すように、窪み３５の内側には、前記ハンダ１４が充填され、これをリフロー（加熱）することで、ＩＣチップ１７の底面が当該ハンダ１４に固着される。この際、上記ＩＣチップ１７は、窪み３５および導体層１０の周片１３によって表面３３側に流出し難いハンダ１４を介して、当該表面３３の中央部に実装されるため、その上面および底面は、基板本体３２の表面３３と平行な目的とする姿勢となる。

図１４は、前記配線基板３０の変形形態である配線基板３０ａの断面図である。かかる配線基板３０ａは、基板本体３２を形成する前記セラミック層ｓ３に替えて、前記セラミック層ｓ３１を用いたものである。このため、かかるセラミック層ｓ３１の裏面には、凸部ｒが隣接するセラミック層ｓ２との間に位置し、且つ裏面導体層１５が形成されていない。
図１５は、前記配線基板３０の異なる変形形態である配線基板３０ｂの断面図である。かかる配線基板３０ｂは、基板本体３２を形成する前記セラミック層ｓ３に替えて、セラミック層ｓ３２を用いたものである。このため、かかるセラミック層ｓ３２の裏面には、前記同様の裏面導体層１５が形成され、且つ当該セラミック層ｓ３２の表面である基板本体３２の表面３３の中央部には、前記導体層１０がなく、窪み３５が直に露出している点で、前記配線基板３０，３０ａと相違している。

以上のような配線基板３０，３０ａ，３０ｂは、基板本体３２の表面３３の中央部に、実装すべきＩＣチップ１７の底面形状に倣った形状の窪み３５が形成されている。このため、かかる窪み３５の内側あるいは窪み３５の内側にハンダ１４を充填・リフロー（加熱）し、ＩＣチップ１７の底面を固着することで、かかるＩＣチップ１７を実装できる。しかも、ハンダ１４が上記窪み３５から流出し難いため、実装面である基板本体３２の表面３３に対し、ＩＣチップ１７を目的とする姿勢にして、確実に実装することができる。従って、実装されるＩＣチップ１７と複数のパッド１６との間で、ワイヤボンディングを正確に行えるため、当該ＩＣチップ１４の性能を確実に奏功させることが可能となる。
尚、配線基板３０，３０ａ，３０ｂでは、前記ハンダ１４に替えて、エポキシ系の樹脂を窪み３５などに充填し、これをリフロー（加熱）するようにしても良い。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記基板本体を形成する絶縁層を形成するセラミックは、例えばムライトや窒化アルミニウムを主成分とするものとしても良い。あるいは、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックとしても良く、この場合、前記導体層１０やパッド１６などは、ＣｕやＡｇなどが用いられる。あるいは、前記基板本体は、複数のエポキシ系などの樹脂層を積層して形成したものとしても良い。
また、電子部品を実装する実装面がキャビティの底面である場合、かかるキャビティは、前記各形態に限らず、開口部側に対し底面側が縮径されたほぼ楕円錐形状、ほぼ長円錐形状、四角錐以上の多角錐形状のほか、全体が円柱形、楕円柱形、長円柱形、あるいは四角柱を含む多角柱形状の形態も含まれる。
更に、前記窪みは、実装すべき電子部品の底面に倣った長方形の底面とその四辺から斜めまたは垂直に立設する４つの側面とからなる形態や、円形などの底面とその周辺から斜めまたは垂直に立設する側面とからなる形態としても良い。

本発明における一形態の配線基板を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図。 図２中における窪みの付近を拡大した部分断面図。 上記配線基板の一製造工程を示す概略図。 図４に続く製造工程を示す部分概略図。 図５に続く製造工程を示す部分概略図。 異なる形態の一製造工程を示す概略図。 図７に続く製造工程を示す部分概略図。 更に異なる形態の一製造工程を示す概略図。 異なる形態の配線基板を示す平面図。 図１０中のＹ−Ｙの矢視に沿った断面図。 上記配線基板の変形形態を示す図１０と同様な断面図。 更に異なる形態の配線基板を示す垂直断面図。 上記配線基板の変形形態を示す垂直断面図。 上記配線基板の異なる変形形態を示す断面図。

符号の説明

１，２０，２０ａ，３０，３０ａ，３０ｂ…配線基板
２，２２，３２…………………………………基板本体
３，２３…………………………………………基板本体の表面
４，２４，３４…………………………………基板本体の裏面
５，２５…………………………………………キャビティ
６，２６…………………………………………キャビティの底面（実装面）
７，２７，３５…………………………………窪み
７ａ………………………………………………窪みの底面
７ｂ………………………………………………窪みの側面
１０………………………………………………導体層
１７………………………………………………発光ダイオード／ＩＣチップ（電子部品）
１５………………………………………………裏面導体層
３３………………………………………………表面（実装面）
ｓ１〜ｓ５，ｓ３１，ｓ３２…………………セラミック層（絶縁層）

Claims (3)

1. 複数の絶縁層からなる基板本体における電子部品の実装面に、平面視で実装すべき電子部品の底面形状に倣った形状の窪みが形成されている、
   ことを特徴とする配線基板。
2. 前記窪みの底面、側面、および前記基板本体における電子部品の実装面にまたがって、導体層が連続して形成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記窪みを有する絶縁層の裏面には、かかる窪みの側面よりも当該裏面の垂直な方向において外側の位置に裏面導体層が形成されている、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
   

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