JP2007311011A5 - - Google Patents
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- データ伝送のためのスイッチ用MOSトランジスタを備えた単位セルを複数備えたセル領域と、
前記単位セルに格納されたデータへのアクセスのための周辺回路部と、
前記スイッチ用MOSトランジスタの閾値電圧を制御するための閾値電圧制御部と、
を含むことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記閾値電圧制御部は、
前記スイッチ用MOSトランジスタのバルク端にバルク電圧を提供することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記閾値電圧制御部は、
前記データ伝送のためのスイッチ用MOSトランジスタの閾値電圧を一時的に下げるために前記バルク電圧のレベルを一時的に下げて提供することを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記バルク電圧のレベルを一時的に下げる区間は、前記スイッチ用MOSトランジスタによってデータ信号が伝えられるように与えられた予定された区間であることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記閾値電圧制御部は、
前記セル領域に配置されたスイッチ用MOSトランジスタに提供されるバンク用バルク電圧を生成するためのバンク用バルク電圧提供部と、
前記周辺回路部に配置されたMOSトランジスタに提供される周辺回路用バルク電圧を生成するための周辺回路用バルク電圧提供部と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。 - 前記セル領域は、複数のバンクを備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
- 前記バンク用バルク電圧提供部は、
前記バンク用バルク電圧を提供するためのバンク用バルク電圧生成部と、
前記バンク用バルク電圧のレベルを検出して、前記バルク電圧生成部から予定されたレベルの前記バンク用バルク電圧が出力されるように制御するためのバンク用バルク電圧レベル検出器と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。 - 前記バンク用バルク電圧生成部は、
前記バンク用バルク電圧レベル検出器から提供される発振検出信号に応じて、発振されたクロック信号を提供するためのオシレータと、
前記発振されたクロック信号に応じて、前記バンク用バルク電圧が予定された電圧レベルになることができるように出力端の電荷をポンピングするためのチャージポンプと、
前記制御信号に応じて、前記チャージポンプの出力端を介して、前記セル領域に提供される前記バンク用バルク電圧のレベルが、前記バンク用バルク電圧のレベルを一時的に下げる区間の間接地電圧レベルになるように制御するスイッチ回路部と、
を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置。 - 前記オシレータは、リングオシレータであることを特徴とする請求項8に記載の半導体記憶装置。
- 前記オシレータは、
前記発振検出信号を一端に入力されるナンドゲートと、
前記ナンドゲートの出力を入力として前端の信号を反転して出力するが最終出力が前記ナンドゲートの他端に入力されるようにする直列接続された複数のインバータと、
を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記チャージポンプは、
前記発振されたクロック信号を一端に入力されるキャパシタと、
前記キャパシタの他端と接地電圧供給端との間に提供される第1ダイオードと、
前記キャパシタの他端と前記出力端との間に提供される第2ダイオードと、
を含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2ダイオードは、MOSトランジスタを用いて実現されることを特徴とする請求項11に記載の半導体記憶装置。
- 前記スイッチ回路部は、
各々一端が前記チャージポンプの出力端に接続され、ゲートに前記制御信号を提供される、並列に配置された複数のMOSトランジスタと、
前記複数のMOSトランジスタに対応し、MOSトランジスタの他端と接地電圧供給端とをスイッチするために並列に配置された複数のスイッチと、
を含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体記憶装置。 - 前記複数のスイッチは、MOSトランジスタを用いて実現されることを特徴とする請求項13に記載の半導体記憶装置。
- 前記バンク用バルク電圧レベル検出器は、
接地電圧供給端の電圧レベルに対応して、基準電圧を第1ノードに伝達するための第1レベル検出部と、
前記バンク用バルク電圧のレベルに対応して、前記接地電圧を前記第1ノードに伝達するための第2レベル検出部と、
前記基準電圧のレベルと前記接地電圧レベルを電圧変化幅の基準にして前記第1ノードの電圧をバッファリングするためのバッファ部と、
前記バッファ部の電圧を所定レベルにシフトして前記発振検出信号として出力するためのレベルシフタと、
を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体記憶装置。 - セル領域に配置される単位セルを構成するスイッチ用MOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのバルクにバルク電圧を供給するためのバンク用バルク電圧提供部と、
周辺回路部にバルク電圧を供給するための周辺回路用バルク電圧提供部と、
を含み、前記バンク用バルク電圧提供部は、データへのアクセス動作時に前記スイッチ用MOSトランジスタの閾値電圧が低くなるように前記スイッチ用MOSトランジスタに一時的に第1バルク電圧を供給することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1バルク電圧のレベルは、接地電圧レベルであることを特徴とする請求項16に記載の半導体記憶装置。
- 前記バンク用バルク電圧提供部は、前記第1バルク電圧を供給する区間以外の区間では負の電圧レベルの第2バルク電圧を提供することを特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置。
- 前記バンク用バルク電圧提供部は、
前記バンク用バルク電圧を提供するためのバンク用バルク電圧生成部と、
前記バンク用バルク電圧のレベルを検出して、前記バルク電圧生成部から予定されたレベルの前記バンク用バルク電圧が出力されるように制御するためのバンク用バルク電圧レベル検出器と、
を含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体記憶装置。 - チップセットから入力されるアクティブ信号に応じて、バンク用バルク電圧生成部が前記バンク用バルク電圧を出力することができるように制御する制御信号を出力するための命令制御部をさらに含むことを特徴とする請求項7又は19に記載の半導体記憶装置。
- 前記バンク用バルク電圧生成部は、
前記バンク用バルク電圧レベル検出器から提供される発振検出信号に応じて、発振されたクロック信号を提供するためのオシレータと、
前記発振されたクロック信号に応じて、前記バンク用バルク電圧が予定された電圧レベルになることができるように出力端の電荷をポンピングするためのチャージポンプと、
前記制御信号に応じて、前記チャージポンプの出力端を介して、前記セル領域に提供される前記バンク用バルク電圧のレベルが、前記バンク用バルク電圧のレベルを一時的に下げる区間の間接地電圧レベルになるように制御するスイッチ回路部と、
を含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体記憶装置。 - 前記周辺回路用バルク電圧提供部は、
前記周辺回路用バルク電圧を提供するための周辺回路用バルク電圧生成部と、
前記周辺回路用バルク電圧のレベルを検出して、前記周辺回路用バルク電圧生成部から予定されたレベルの前記周辺回路用バルク電圧が出力されるように制御するための周辺回路用バルク電圧レベル検出器と、
を含むことを特徴とする請求項5又は16に記載の半導体記憶装置。 - セル領域に配置される単位セルを構成するスイッチ用MOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのバルクに第1バルク電圧又は第2バルク電圧を選択的に供給するためのバルク電圧提供部と、
前記バルク電圧提供部を制御するための命令制御部と、
を含み、前記バルク電圧提供部は、データへのアクセス動作時に前記スイッチ用MOSトランジスタの閾値電圧が低くなるように前記スイッチ用MOSトランジスタに一時的に第1バルク電圧を供給することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記バルク電圧のレベルを一時的に下げる区間は、前記スイッチ用MOSトランジスタによってデータ信号が伝えられるように与えられた予定された区間であることを特徴とする請求項16又は23に記載の半導体記憶装置。
- 前記バルク電圧のレベルを一時的に下げる区間は、前記スイッチ用MOSトランジスタによって伝えられたデータ信号を検出して増幅するために与えられた予定された区間をさらに含むことを特徴とする請求項4又は24に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1バルク電圧のレベルは接地電圧レベルであることを特徴とする請求項23に記載の半導体記憶装置。
- 前記バルク電圧提供部は、前記第1バルク電圧を供給する区間以外の区間では負の電圧レベルの第2バルク電圧を提供することを特徴とする請求項26に記載の半導体記憶装置。
- 前記バルク電圧提供部は、
前記第1又は第2バルク電圧を提供するためのバルク電圧生成部と、
前記第1又は第2バルク電圧のレベルを検出して、前記バルク電圧生成部から予定されたレベルのバルク電圧が出力されるように制御するためのバルク電圧レベル検出器と、
を含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体記憶装置。 - 前記バルク電圧生成部は、
前記バルク電圧レベル検出器から提供される発振検出信号に応じて、発振されたクロック信号を提供するためのオシレータと、
前記発振されたクロック信号に応じて、前記バンク用バルク電圧が予定された電圧レベルになることができるように出力端の電荷をポンピングするためのチャージポンプと、
前記制御信号に応じて、前記チャージポンプの出力端を介して、前記バルク電圧のレベルが、前記バルク電圧のレベルを一時的に下げる区間の間接地電圧レベルになるように制御するスイッチ回路部と、
を含むことを特徴とする請求項28に記載の半導体記憶装置。 - セル領域に配置される単位セルを構成するスイッチ用MOSトランジスタと、
前記MOSトランジスタのバルクに第1バルク電圧を供給するためのバルク電圧提供部と、
前記バルク電圧提供部の出力端に接続され、前記出力端を第2バルク電圧でスイッチングするスイッチ回路部と、
前記スイッチ回路部を制御するための命令制御部と、
を含み、前記バルク電圧提供部の出力端はデータへのアクセス動作時に前記スイッチ用MOSトランジスタの閾値電圧が低くなるように前記スイッチング回路部と一時的にスイッチングすることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記一時的にスイッチされる区間は、前記スイッチ用MOSトランジスタによってデータ信号が伝えられるように与えられた予定された区間であることを特徴とする請求項30に記載の半導体記憶装置。
- 前記一時的にスイッチされる区間は、前記スイッチ用MOSトランジスタによって伝えられたデータ信号を検出して増幅するために与えられた予定された区間をさらに含むことを特徴とする請求項31に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2バルク電圧のレベルは、接地電圧レベルであることを特徴とする請求項30に記載の半導体記憶装置。
- 前記バルク電圧提供部は、前記第2バルク電圧を供給する区間以外の区間では負の電圧レベルの前記第1バルク電圧を提供することを特徴とする請求項33に記載の半導体記憶装置。
- 前記バルク電圧提供部は、
前記第1バルク電圧を提供するためのバルク電圧生成部と、
前記第1又は第2バルク電圧のレベルを検出して、前記バルク電圧生成部から予定されたレベルのバルク電圧が出力されるように制御するためのバルク電圧レベル検出器と、
を含むことを特徴とする請求項30に記載の半導体記憶装置。 - 前記バルク電圧生成部は、
前記バルク電圧レベル検出器から提供される発振検出信号に応じて、発振されたクロック信号を提供するためのオシレータと、
前記発振されたクロック信号に応じて、前記バンク用バルク電圧が予定された電圧レベルになることができるように出力端の電荷をポンピングするためのチャージポンプと、
を含むことを特徴とする請求項35に記載の半導体記憶装置。 - スイッチ用MOSトランジスタのバルク電圧として第1電圧レベルの第1バルク電圧を提供するステップと、
前記スイッチ用MOSトランジスタのバルク電圧として第2電圧レベルの前記第1バルク電圧を提供するステップと、
単位セルに格納されたデータ信号を、前記スイッチ用MOSトランジスタをターンオンさせてビット線に伝送するステップと、
前記スイッチ用MOSトランジスタのバルク電圧として前記第1バルク電圧を提供するステップと、
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の駆動方法。 - 前記ビット線に伝えられたデータ信号を検出して増幅する検出増幅ステップをさらに含み、前記検出増幅ステップで前記スイッチMOSトランジスタのバルク電圧として前記第2電圧レベルの前記第1バルク電圧が提供されることを特徴とする請求項37に記載の半導体記憶装置の駆動方法。
- 前記第1電圧レベルの絶対値より前記第2電圧レベルの絶対値がさらに小さいことを特徴とする請求項38に記載の半導体記憶装置の駆動方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060044892A KR100776749B1 (ko) | 2006-05-19 | 2006-05-19 | 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007311011A JP2007311011A (ja) | 2007-11-29 |
JP2007311011A5 true JP2007311011A5 (ja) | 2010-01-28 |
Family
ID=38821761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006351931A Pending JP2007311011A (ja) | 2006-05-19 | 2006-12-27 | 半導体記憶装置及びその駆動方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7599230B2 (ja) |
JP (1) | JP2007311011A (ja) |
KR (1) | KR100776749B1 (ja) |
CN (1) | CN101075476B (ja) |
TW (1) | TWI334603B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008136047A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sony Corp | 固体撮像装置及び撮像装置 |
US7869176B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-01-11 | Hamilton Sundstrand Corporation | Surge protected power supply |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283865A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
JP2765856B2 (ja) | 1988-06-17 | 1998-06-18 | 株式会社日立製作所 | メモリ回路 |
KR0156542B1 (ko) * | 1988-06-17 | 1998-12-01 | 미다 가쓰시게 | 반도체장치 |
JPH0666443B2 (ja) * | 1988-07-07 | 1994-08-24 | 株式会社東芝 | 半導体メモリセルおよび半導体メモリ |
JP3376204B2 (ja) * | 1996-02-15 | 2003-02-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
KR100223770B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-10-15 | 김영환 | 반도체 장치의 문턱전압 제어회로 |
JPH1186536A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6061267A (en) * | 1998-09-28 | 2000-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Memory circuits, systems, and methods with cells using back bias to control the threshold voltage of one or more corresponding cell transistors |
JP2000124418A (ja) | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Sony Corp | 半導体記憶装置 |
JP3437132B2 (ja) | 1999-09-14 | 2003-08-18 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
DE10012105B4 (de) * | 2000-03-13 | 2007-08-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Auslesen von nichtflüchtigen Halbleiter-Speicheranordnungen |
JP3709132B2 (ja) * | 2000-09-20 | 2005-10-19 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002116237A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体集積回路 |
JP4910259B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2012-04-04 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体集積回路 |
EP1529343A1 (en) * | 2002-08-08 | 2005-05-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Circuit and method for controlling the threshold voltage of transistors |
US6791361B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | Technique for mitigating gate leakage during a sleep state |
JP4388274B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2009-12-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
US6839280B1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Variable gate bias for a reference transistor in a non-volatile memory |
JP4795653B2 (ja) | 2004-06-15 | 2011-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US7375402B2 (en) * | 2004-07-07 | 2008-05-20 | Semi Solutions, Llc | Method and apparatus for increasing stability of MOS memory cells |
-
2006
- 2006-05-19 KR KR1020060044892A patent/KR100776749B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-20 TW TW095148007A patent/TWI334603B/zh active
- 2006-12-27 JP JP2006351931A patent/JP2007311011A/ja active Pending
- 2006-12-29 CN CN2006101564083A patent/CN101075476B/zh active Active
- 2006-12-29 US US11/647,367 patent/US7599230B2/en active Active
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