JP2007301514A - 水素分離材及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低温から高温に至る温度領域において、優れた水素の選択透過性及び大きい透過速度を有し、しかも水素脆化や膜の破壊を生じることなく安定した性能を示す耐久性のあるパラジウム系水素分離膜を提供する。
【解決手段】多孔質基材に担持された安定化ジルコニア粒子とアルミナ粒子との混合焼結体層と、その中の粒子間隙に充填されたパラジウム金属又はパラジウム合金層からなる水素分離材であって、安定化ジルコニアゾルとアルミナゾルとの混合物にバインダーを加えて、混合ゾルを調製し、これを多孔質基材の表面に塗布したのち、５００〜８００℃において焼成して、混合焼結体層を形成させ、次いでこの混合焼結体層の少なくとも一部に核種を分散させたのち、無電解めっき処理によりパラジウム金属又はパラジウム合金を焼結体層中の粒子間隙に充填することにより製造する。
【選択図】図１

Description

本発明は、多孔質基材上に担持された焼結体層とその層内に充填されたパラジウム金属又はパラジウム合金からなる水素分離材及びその製造方法に関するものである。

多成分混合ガス又は混合液から特定の成分のみを選択的に分離する方法の１つとして分離膜を用いて分離する方法、いわゆる膜分離法が知られている。
そして、水素を選択的に分離するための分離膜、すなわち水素分離膜としてポリイミド、ポリスルホンなどの有機高分子膜やパラジウム膜やパラジウム合金膜などが知られている。

しかしながら、このパラジウム膜やパラジウム合金膜は、機械的強度が低く、単独では自己保形性を有しないため、通常はこの膜を多孔質ガラス、多孔質セラミックス又は多孔質酸化アルミニウムに支持させて強度を補強した複合材料として用いるか（特許文献１参照）、或いは耐熱性多孔質基材の表面に無電解めっきによりパラジウム被覆を設けた複合材料として用いている（特許文献２参照）。

このような水素分離材料としては、例えば水素分離能を有する金属中に、熱膨張率が多孔質基体と水素分離能を有する金属との中間の値をもつ無機材料粒子を分散させた水素分離膜を多孔質基体上に支持させたもの（特許文献３参照）、多孔質支持体とこれに担持された水素分離金属とからなり、水素分離金属が多孔質支持体の細孔よりも微細化され、その細孔の内部で塞ぐ状態で担持されている気体中の水素を選択的に透過する水素分離用複合材料（特許文献４参照）、金属多孔質基材と、その基材表面の細孔内に埋入された金属又はセラミックス微粒子からなる埋込材と、その埋込材が埋入された基材表面上に形成されたパラジウム含有水素透過性膜を備えた水素透過構造体（特許文献５参照）、多孔質支持体に含有された穴埋材の上に水素透過膜を成膜させた後、穴埋材を除去することにより形成された水素透過膜を有する水素透過膜ユニット（特許文献６参照）、無機多孔質支持体、その支持体上にめっきしたパラジウム又はパラジウム合金の薄膜及びその薄膜上に化学蒸着したパラジウムからなる水素分離膜（特許文献７参照）、ステンレス鋼、ニッケル粉末とパラジウム又はパラジウム合金粉末とを、シート状に成形した基材部と、その基材部に分散配置され、一方の面に露出したパラジウム又はパラジウム合金が他方の面に露出したパラジウム又はパラジウム合金と連続してなる水素透過部とを備えた水素分離シート（特許文献８参照）、パラジウム粉末のような水素透過性を有する材料と、ステンレス鋼粉末のような水素透過性を有しない材料とを混合して成形した基材シートと、その少なくとも片面にパラジウムのような水素透過性を有する層を備え、一方の面から他方の面に向かって水素透過性を有する材料及び層による連接部が存在し、これにより水素を透過する水素分離シート（特許文献９参照）、多孔質基材、多孔質材料とその細孔内に充填された水素透過性金属例えばパラジウムとからなる金属充填材及びその上に設けられた多孔質保護材から構成された複合膜（特許文献１０参照）などが、これまでに提案されている。

しかしながら、このようなパラジウム系水素分離膜は、水素の選択透過性がよく、透過速度が大きい点では優れている反面、パラジウム膜自体が２５０℃、２ＭＰａ以下で結晶構造の転移による水素脆化を生じやすいという欠点がある上に、支持体とパラジウム薄膜との間の熱膨張係数の差に基づき、６００℃以上の高温領域では膜の剥離や膜の破壊を生じるという欠点がある。

特開昭６２−２７３０３０号公報（特許請求の範囲その他） 特開平３−１４６１２２号公報（特許請求の範囲その他） 特開２０００−１８９７７１号公報（特許請求の範囲その他） 特開２００２−３３１１３号公報（特許請求の範囲その他） 特開２００２−２３９３５２号公報（特許請求の範囲その他） 特開２００２−３３６６６４号公報（特許請求の範囲その他） 特開２００４−１２２００６号公報（特許請求の範囲その他） 特開２００５−５８８６７号公報（特許請求の範囲その他） 特開２００５−６６４２７号公報（特許請求の範囲その他） 特開２００６−９５５２１号公報（特許請求の範囲その他）

本発明は、低温から高温に至る温度領域において、優れた水素の選択透過性及び大きい透過速度を有し、しかも水素脆化や膜の破壊を生じることなく安定した性能を示す耐久性のあるパラジウム系水素分離膜を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、従来のパラジウムを透過性材料として用いる水素分離材における欠点を克服するために種々研究を重ねた結果、パラジウム又はパラジウム合金と熱膨張係数の差の小さいジルコニアと、支持体との密着性の良好なアルミナに着目し、支持体上にジルコニア粒子とアルミナ粒子との混合物の焼結層を形成させ、この焼結層中の各粒子の間隙にパラジウム又はパラジウム合金を充填することにより、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。

すなわち、本発明は、多孔質基材に担持された安定化ジルコニア粒子とアルミナ粒子との混合焼結体層と、その中の粒子間隙に充填されたパラジウム金属又はパラジウム合金層からなる水素分離材、及び安定化ジルコニアゾルとアルミナゾルとの混合物にバインダーを加えて、混合ゾルを調製し、これを多孔質基材の表面に塗布したのち、５００〜８００℃において焼成して、混合焼結体層を形成させ、次いでこの混合焼結体層の少なくとも一部に核種を分散させたのち、無電解めっき処理によりパラジウム金属又はパラジウム合金を焼結体層中の粒子間隙に充填することを特徴とする水素分離材の製造方法を提供するものである。

本発明において、支持体として用いる多孔質基材は、これまで水素分離膜の支持体として慣用されるもの、すなわち適度の細孔径をもつ耐熱性の多孔質セラミックス又は焼結金属の中から任意に選ぶことができ、特に制限はない。
この多孔質セラミックスの例としては、アルミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、ジルコニア、チタニア、ムライト、コージェライトなどの多孔質体を挙げることができるし、また焼結金属の例としては、ステンレス鋼、ハステロイ合金、インコネル合金、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金などの焼結体を挙げることができる。

多孔質基材としては、そのほか多孔質カーボン、多孔質ガラス、ゼオライトなども用いることができるが、好ましいのはα‐アルミナ多孔質体である。この多孔質基材の厚さは１〜１０ｍｍ、好ましくは２〜５ｍｍ、平均細孔径は０．０５〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍ、多孔度は０．１〜３ｃｍ³／ｇ、好ましくは０．３〜１．５ｃｍ³／ｇの範囲内で選ばれる。
この多孔質基材の形状は、チューブ状、板状のいずれでもよい。

次に、混合焼結体層の成分として用いられる安定化ジルコニアは、イットリウム安定化ジルコニア、スカンジウム安定化ジルコニア、マグネシウム安定化ジルコニア、カルシウム安定化ジルコニアなどであるが、特に好ましいのは、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）である。
また、この安定化ジルコニアとともに混合焼結体層を形成するアルミナとしては、特に支持体を形成する多孔質基材、例えばα‐アルミナとの密着性がよいことから、γ‐アルミナが好ましい。

そして、この混合焼結体層中の安定化ジルコニアとアルミナとの質量比は９５：５ないし２０：８０、好ましくは７０：３０ないし３０：７０の範囲内で選ばれる。これよりもアルミナの割合が少ないと多孔質基材との密着性が低下するし、またこれよりもアルミナの量が多いとパラジウムとの高温における熱膨張係数の差が大きくなるため、十分な安定性が得られなくなる。この混合焼結体層は、多孔質基材よりも小さい平均細孔率を有するものが好ましく、したがってその平均細孔径は、１〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍの範囲で選ばれる。また、この混合焼結体層の厚さとしては、０．１〜２０μｍ、好ましくは２〜５μｍの範囲が適当である。
この混合焼結体層の平均細孔径がこれよりも小さくなると、水素の透過速度が小さくなりすぎて効率が悪くなるし、またこれよりも平均細孔径が大きくなると膜強度の低下の原因となる。

次に、上記の混合焼結体層中の粒子間隙に充填されるパラジウム金属又はパラジウム合金のうちのパラジウム合金の例としては、パラジウムと銀、金、銅、白金、コバルト、ニッケル及びスズの中から選ばれる少なくとも１種との合金があるが、特に好ましいのはパラジウムと銀との合金である。

本発明の水素分離材を製造するには、先ず安定化ジルコニア例えばイットリウム安定化ジルコニアを調製する。このイットリウム安定化ジルコニアは、ジルコニウムの水溶性塩、例えば、硝酸ジルコニウムとイットリウムの水溶性塩、例えば硝酸イットリウムを質量比９：１の割合で水に溶解する。次に、この水溶液をｐＨ９．０に調整すると沈殿が生成するが、さらに硝酸を加えると、粒径８〜１３．５ｎｍのゾルが得られる。
この際の混合ゾル水溶液中には、分散性を向上し、適度の粘性を与えるために、ポリビニルアルコールやカルボキシメチルセルロースのようなバインダーとポリエチレングリコールのような分散剤をそれぞれ０．５〜１．０質量％程度の濃度で添加するのが望ましい。

次いで、このようにして得たイットウム含有ジルコニアゾルにγ‐アルミナゾルを所定の割合で加え、この混合ゾルを所定の多孔質基材の表面に被着させる。この被着は、混合ゾル中に多孔質基材を浸せきして引き上げる、いわゆるディップコート法によるのが便利である。この際の引き上げは１０〜２０秒間で徐々に行うのが好ましい。
この際の混合ゾル中の安定化ジルコニアゾルとアルミナゾルとの含有割合は、ジルコニア及びアルミナ換算の質量比で９５：５ないし２０：８０、好ましくは７０：３０ないし３０：７０の範囲内で選ばれる。
このようにして、多孔質基材の表面に混合ゾルを被着させたのち、室温で乾燥後、電気炉中４００〜８００℃、好ましくは５００〜７００℃で１〜５時間焼成することにより、多孔質基材の表面に安定化ジルコニアとγ‐アルミナとの混合焼結体層が形成される。

イットリウムで安定化されたジルコニアは、４００〜６００℃における熱膨張係数がパラジウムのそれに近いため、両者が密着した状態での高温安定性は良好であるが、多孔質基材に対する密着性を欠いている。一方、γ‐アルミナは、多孔質基材との密着性は優れているが、パラジウムと熱膨張係数が著しく異なっている。そして、上記のようにイットリウムで安定化されたジルコニアとγ‐アルミナとを所定の割合で配合することにより、密着性及び熱安定性を改善することができ、しかも柔軟性を増大させるという効果が得られる。

次に、このようにして多孔質基材表面に担持させた安定化ジルコニアとアルミナとの混合焼結層中の粒子間隙にパラジウム又はパラジウム合金を充填するが、これは、例えば無電解めっき法を用いて行うことができる。
この無電解めっきを行うには、まず混合焼結体層中の粒子表面にパラジウム核種を付着させることが必要である。
この核種は、パラジウム金属の微粒子からなり、無電解めっきに際し、めっき液から、この核種を中心にパラジウム金属を析出させ、成長させる役割を果すものである。
この核種は、安定化ジルコニア粒子とアルミナ粒子からなる混合焼結体層中の粒子表面に、金属パラジウムの微細な粒子として均一に析出させることが重要であるが、これは公知の方法、例えばアメリカ表面処理協会発行、グレン・マロリー（Ｇｌｅｎｎ Ｍａｌｌｏｒｙ）及びジュアン・ハジュー（Ｊｕａｎ Ｈａｊｄｕ）編、「エレクトロレス・プレーティング（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｐｌａｔｉｎｇ）」）に記載されている方法によって行うことができる。
この公知の方法によれば、例えば多孔質基材に担持された安定化ジルコニアとアルミナとの混合焼結体層にパラジウム化合物含有溶液を含浸させ、混合焼結体層中の各粒子表面にパラジウム錯体を均一に保持させたのち、塩化スズやヒドラジンのような還元剤を用いて還元するか、又は水素雰囲気中で焼成することによって行うことができる。上記の含浸に際しては、真空吸引を利用するのが有利である。

この際用いるパラジウム化合物としては、例えば［ＰｄＣｌ₄］^2-、［Ｐｄ（ａｃａｃ）₂］（ただしａｃａｃはアセチルアセトナートイオン）を含む錯体や、酢酸パラジウムなどを挙げることができる。
また、溶媒としては、これらのパラジウム化合物を溶解するものであればよく特に制限はないが、［ＰｄＣｌ₄］^2-のような電荷をもつ錯イオンに用いる場合には水などの極性溶媒が好ましく、［Ｐｄ（ａｃａｃ）₂］や酢酸パラジウムのような中性のものに対しては、アセトニトリル、ベンゼン、テトラヒドロフラン、クロロホルムなどの有機溶媒が好ましい。
本発明においては、混合焼結体層に優先的にパラジウム金属を充填することが好ましいが、上記のようにして混合焼結層中の粒子表面に核種を付着させることにより、容易に実現することができる。

このようにして、パラジウム核種が存在する安定化ジルコニアとアルミナとの混合焼結体層の粒子間隙にパラジウム金属が導入されるが、混合焼結体層を構成する粒子のサイズを小さくすれば、粒子間の間隙は小さくなり、パラジウム金属量を少なくすることができる上に、パラジウムを満たした緻密層は、水素脆性による損傷を受けたとしても原理的に細孔サイズ例えば１０ｎｍサイズよりも大きいピンホールを生じることはないので、充填されたパラジウムのサイズが制限されるため、水素脆性が緩和され、過酷な条件での水素の分離にも対応できることになる。

図１は、このようにして形成された本発明の水素分離材の構造の１例を示す断面模式図であって、多孔質基材Ａの表面に安定化ジルコニア粒子１，…とアルミナ粒子２，…を含み、その粒子間にパラジウム金属３が充填された混合焼結体層Ｂが形成されている。

本発明の水素分離材については、パラジウム核種を均一に分布させた混合焼結体層の上に、所望に応じさらに安定化ジルコニアとアルミナの混合微細粒子層からなる保護層を設けることができる。これは、安定化ジルコニアとアルミナとを含む混合ゾルを、ディップコーティング又はスピンコーティングで塗布し、５００〜８００℃において焼成することによって行うことができる。そして、この保護層は核種が存在しないため、無電解めっきの際にパラジウム金属が充填されることはない。

また、安定化されたジルコニアとアルミナからなる混合焼結体層中の各粒子間の間隙にパラジウム金属を充填する処理を行う際に、表面部分に核種が形成されないような条件を選ぶことにより、上記混合焼結体層の上層部分にパラジウム金属が充填されずに保護層として残るようにして、パラジウム金属の充填層と保護層とを１段階で形成させることもできる。
このようにして、多孔質基材上に二層の複合層を有する水素分離膜が得られる。この保護膜の平均細孔径は１〜２０ｎｍが適当である。

さらに、パラジウム合金を無電解するためのめっき液は、パラジウムの外に、白金、金、銀などの合金成分の金属の塩を単独で又は混合物で含む水溶液に、安定に溶存させるための錯形成剤、還元剤を加えて調製される。この際用いられる金属塩としては、例えば酢酸塩、塩酸塩、硝酸塩、硫酸塩などがある。

また、錯形成剤としては、例えばアンモニアとキレート剤、好ましくはＥＤＴＡとの組合せを挙げることができるが、キレート剤としては、その他にニトリロトリ酢酸、クエン酸、酒石酸などが用いられるし、また還元剤としては、ヒドラジン、塩化第一スズ、グルコースなどが用いられる。
めっき液中の金属濃度としては、０．００１〜０．０２Ｍ、錯形成剤濃度としては、ＥＤＴＡの場合０．０１〜０．５Ｍ、アンモニアの場合５〜１０Ｍが選ばれる。

無電解めっきの際のめっき液の温度としては、通常、室温から９０℃の範囲が用いられるが、一定以上の反応速度を維持し、かつアンモニアの蒸散や使用薬剤の分解を避けるために４０〜７０℃、特に５０〜６０℃で行うのが好ましい。めっきに要する時間は、使用するめっき液の種類、めっき温度、所望の膜厚により左右されるが、通常１〜６時間程度である。
図２に本発明の保護層を有する水素分離材の構造の１例の断面模式図を示す。図中Ａは多孔質基材、１，…は安定化ジルコニア粒子、２，…はアルミナ粒子、３はパラジウム金属、Ｂは混合焼結体層、Ｃは保護層である。

本発明によれば、水素透過性に優れ、しかも室温から６００℃以上の広い温度領域にわたり、安定で剥離や損傷を生じることがない耐久性のある水素分離材が提供される。

次に実施例により本発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。

参考例１
硝酸ジルコニウムと硝酸イットリウムとを質量比９：１の割合で水に溶解したのち、１Ｍ−水酸化ナトリウム水溶液をかきまぜながら加えてｐＨ９．０に調整した。生成した沈殿をろ別し、これに１Ｍ−硝酸水溶液をかきまぜながら加えることにより、濃度９．１７質量％のイットリア含有ジルコニア水性ゾル（以下ＹＳＺゾルと略す）を調製した。
このようにして得たＹＳＺゾル１２．７ｇに、γ‐アルミナとして１０質量％濃度のアルミナ水性ゾル５ｇと水９．５ｇ加え、さらに３．５質量％濃度のポリビニルアルコール水溶液１７．９ｇと、１０質量％濃度のポリエチレングリコール水溶液１．８ｇを加えてよく混合することにより、ＹＳＺとγ‐アルミナを７０：３０の質量比で含む混合ゾルを調製した。

参考例２
参考例１で用いたのと同じＹＳＺゾル９．１ｇと、アルミナ水性ゾル８．２ｇに対し、水９．８ｇを加え、さらに濃度３．５質量％のポリビニルアルコール水溶液１７．９ｇと、濃度１０質量％のポリエチレングリコール１．８ｇを加えてよく混合することにより、ＹＳＺとγ‐アルミナを５０：５０の質量比で含む混合ゾルを調製した。

α‐アルミナ製多孔質チューブ（内径１．６ｍｍ、外径２．０ｍｍ、長さ４０ｍｍ、平均細孔径２μｍ）の中間部分２０ｍｍを残して両端部分をガラスエナメルで被覆したものを多孔質基材として用い、その一端を栓で閉じ、参考例１で得たＹＳＺとγ‐アルミナの質量比７０：３０の混合ゾル（濃度３．７質量％）中に垂直状態で浸漬した。チューブの一端から真空吸引し、内部を真空状態に保ちながら１０秒間浸漬したのち、毎秒１０ｍｍの速さで垂直に引き上げ、混合ゾルから取り出した。次いで室温（約２０℃）において風乾したのち、環状電気炉に装入し、毎分１℃の速度で６００℃まで昇温し、その温度で３時間焼成した。このようにして、α‐アルミナチューブ上に厚さ３μｍの混合焼結体層が形成された。この混合焼結体層の平均細孔径は５ｎｍであった。このものの電子顕微鏡写真を図３に示す。

次に、このようにして得た混合焼結体層で表面が被覆されたα‐アルミナ製チューブを、内部から真空吸引しながら、酢酸パラジウムの０．６質量％クロロホルム溶液３０ｍｌ中に浸漬し、１５分間保持したのち取り出し、風乾した。
次いで、これをヒドラジンを２Ｍ濃度で含ませた０．２Ｍアンモニア水溶液に１５秒間浸漬して還元し、多孔質チューブの表面にパラジウム核種を析出させた。この際、混合焼結体層表面はパラジウム微粒子の析出により黒変した。このチューブを水で十分に洗浄したのち１１０℃で乾燥するという操作を５回繰り返すことにより、混合焼結体層の粒子表面にパラジウムの核種が析出した多孔質チューブを得た。

このようにして得た混合焼結体層の粒子の表面層にパラジウムの核種が析出した多孔質チューブを、γ‐アルミナ粒子の水性ゾル（濃度３．７質量％）３０ｍｌ中に入れ、チューブ内部を真空吸引しながら１０秒間処理したのち、毎秒１０ｍｍの速度で引き上げた。
次いで、これを風乾し、環状電気炉内に装入し、室温から６００℃まで毎分１℃の速度で昇温したのち、この温度で３時間焼成した。焼成後、毎分２０ｍｌの割合で水素ガスを流しながら、室温まで冷却し、金属パラジウムを析出させることにより、パラジウム核種を金属パラジウムに還元する。

このようにして、パラジウム核種が内部表面に析出した混合焼結体層をもつα‐アルミナ製チューブを、１０ｍＭ濃度の酢酸パラジウム、１５ｍＭ濃度のエチレンジアミンテトラアセテート（ＥＤＴＡ）、１０ｍＭ濃度のヒドラジンを含む４Ｍアンモニア水溶液３０ｍｌに浸漬し、チューブ内部を真空に保持しながら６０℃で２０分間無電解めっき処理した。
次いで、このめっき処理物を水洗したのち、１１０℃において１夜乾燥した。この処理により核種の存在する混合焼結体層の中間層のみにパラジウム金属が充填され、表面部に混合焼結体の保護層を有する構造が形成された。このもののパラジウム金属が充填された混合焼結体層の厚さは２μｍ、パラジウム金属が充填されていない混合焼結体層、すなわち保護層の厚さは１μｍであった。また、この混合焼結体層の平均細孔径は５ｎｍであった。このようにして得られた水素分離材の断面構造の電子顕微鏡写真を図４に示す。

実施例１と同様にして作製したパラジウム核種を内部表面に析出させた混合焼結体層をもつα‐アルミナ製チューブを、２５ｍＭ濃度の酢酸パラジウム、２５ｍＭ濃度のＮａＰＨ₂Ｏ₂を含む０．９Ｍアンモニア水溶液１５ｍｌ中に浸漬し、チューブ内部を真空状態に保ちながら６０℃で３０分間無電解めっき処理した。次いで水洗し、風乾したのち、環状電気炉内に装入し、室温から６００℃まで毎分１℃の速度で昇温し、その温度において水素を通じながら３時間焼成した。次いで、毎分２０ｍｌの水素を流しながら室温まで冷却した。このようにして、混合焼結体層中の粒子間にパラジウム金属が充填した水素分離材を得た。

実施例１と同様にして作製したパラジウム核種を内部表面に析出させた混合焼結体層をもつα‐アルミナ製チューブを、２５ｍＭ濃度の酢酸パラジウム、２５ｍＭ濃度のＮａＰＨ₂Ｏ₂を含む０．９Ｍアンモニア水溶液１５ｍｌに浸漬し、チューブ内部を真空に保ちながら６０℃において１０分間無電解処理した。次いで、このめっき液中に２５ｍＭ濃度の硝酸銀水溶液０．７ｍｌを加え、さらに２０分間無電解めっき処理したのち、水洗、風乾し、環状電気炉中で室温から６００℃まで毎分１℃の速度で昇温した。
次にこの温度において水素を通しながら３時間焼成したのち、毎分２０ｍｌの水素を通しながら室温まで冷却した。混合焼結体層の粒子間パラジウム−銀合金を充填した水素分離材を得た。

応用例
実施例１で得た水素分離材について水素透過試験を行った。すなわち、一端を閉じたチューブをガス導入口と排出口を持つシリンダーに固定し、環状電気炉内に設置し、チューブの外側より水素を加圧下で送った。水素の圧力を変えて、膜を透過した気体を石けん膜流量計（ホリバＳＴＥＣ社製、型式：ＶＰ−Ｕシリーズ）により測定した。水素の透過速度をｙ軸、膜内外のガス圧の差をｘ軸としてプロットしたグラフを図５に示す。
また、水素の代りに窒素を用い、同様に窒素透過試験を行った結果をグラフとして図６に示す。
これらの図から、多孔質基材の中間層空隙にパラジウムを充填しない水素分離材を用いた場合（○）は、水素、窒素のいずれも透過するが、実施例１の中間層空隙にパラジウムを充填した水素分離材を用いた場合（●）は、水素は透過するが窒素は透過しないことが分る。

本発明の水素分離材は、水素透過性能が優れ、かつ耐久性を有するので、メタンや天然ガスの水蒸気改質により生成する高温の水素ガスの分離に利用することができる上に、室温付近での燃料電池用水素の供給にも利用することができる。

本発明の水素分離材の構造の１例を示す断面模式図。 本発明の保護層を有する水素分離材の構造の１例を示す断面模式図。 実施例１で得たα‐アルミナ基材層上に、ＹＳＺとγ‐アルミナとの混合焼結体層からなる被覆層が形成された複合層の断面構造の電子顕微鏡写真図。 実施例１で得た水素分離材の断面構造の電子顕微鏡写真図。 応用例１における水素分離材の水素透過速度と圧力との関係を示すグラフ。 応用例１における水素分離材の窒素透過速度と圧力との関係を示すグラフ。

符号の説明

Ａ 多孔質基材
Ｂ パラジウム充填混合焼結体層
Ｃ 保護層
１ 安定化ジルコニア粒子
２ アルミナ粒子
３ パラジウム金属

Claims (13)

1. 多孔質基材に担持された安定化ジルコニア粒子とアルミナ粒子との混合焼結体層と、その中の粒子間隙に充填されたパラジウム金属又はパラジウム合金からなる水素分離材。
2. 混合焼結体層における安定化ジルコニアとアルミナとの質量比が９５：５ないし２０：８０の範囲にある請求項１記載の水素分離材。
3. 混合焼結体層平均細孔径が１〜１００ｎｍの範囲にある請求項１又は２記載の水素分離材。
4. 混合焼結体層が０．１〜２０μｍの範囲にある請求項１、２又は３記載の水素分離材。
5. 多孔質基材が、多孔質セラミックス又は多孔質金属からなる請求項１ないし４のいずれかに記載の水素分離材。
6. 多孔質セラミックスがα‐アルミナ多孔質体である請求項５記載の水素分離材。
7. 安定化ジルコニアがイットリウム安定化ジルコニアである請求項１ないし６のいずれかに記載の水素分離材。
8. アルミナがγ‐アルミナである請求項１ないし７のいずれかに記載の水素分離材。
9. 混合焼結体層の表面にさらに保護層を有する請求項１ないし８のいずれかに記載の水素分離材。
10. 保護層が安定化ジルコニア粒子とアルミナ粒子との混合焼結体層からなる請求項９記載の水素分離材。
11. 安定化ジルコニアゾルとアルミナゾルとの混合物にバインダーを加えて、混合ゾルを調製し、これを多孔質基材の表面に塗布したのち、５００〜８００℃において焼成して、混合焼結体層を形成させ、次いでこの混合焼結体層の少なくとも一部に核種を分散させたのち、無電解めっき処理によりパラジウム金属又はパラジウム合金を焼結体層中の粒子間隙に充填することを特徴とする水素分離材の製造方法。
12. 混合物中の安定化ジルコニアゾルとアルミナゾルの含有割合が、ジルコニア及びアルミナ換算の質量比で９５：５ないし２０：８０の範囲にある請求項１１記載の水素分離材の製造方法。
13. バインダーがポリビニルアルコール又はカルボキシメチルセルロースである請求項１１又は１２のいずれかに記載の水素分離材の製造方法。