JP2011116576A - 水素製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原料ガスを改質する触媒機能と水素分離層30等を支持する役割とを有する有底管形状の支持体である改質触媒層50の上に、多孔質体のニッケル成分と水素分離層30のパラジウム成分とが拡散しないようにする、イットリア安定化ジルコニアで形成された反応防止層40を形成する。反応防止層40の上に安定化ジルコニアで形成された多孔質層中に水素透過性金属材料であるパラジウムを充填した水素分離層30を形成する。水素分離層30の表面を保護するために、水素分離層30の上にイットリア安定化ジルコニアで形成された表面保護層20を形成する。このように形成された水素分離筒3の改質触媒層50側から原料ガスを供給すると、原料ガスは改質触媒層50で改質され、さらに水素分離層30において水素を透過して分離し、表面保護層20側へ排出する。
【選択図】図2
Description
このようにすると、有底管形状に形成された支持体に各層が積層されるので、水素製造装置が有底管形状に形成される。有底管形状の場合、管の内面と外面の面積が異なるので、必要な面積が異なる場合に有効である。
ここで、反応防止層(40)はセラミック又はガラスを主成分とするため、サーメットである改質触媒層に比べ熱伝導率が小さい。そのため、改質反応による温度低下の阻害効果をより発揮でき、温度低下による水素透過性能の低下をより緩和できる。
(全体構成)
まず、本実施形態の水素製造装置1の全体構成について説明する。図1は、本発明が適用された水素製造装置1の概略の構造を示す構造図である。
水素分離筒3は、その軸中心の中心孔13に導入された原料ガス(例えばメタンなどの炭化水素ガスと水蒸気の混合ガス)から、水素を選択的に透過させて分離し、水素分離筒3の外周側に供給する部材である。この水素分離筒3については詳細を後述する。
次に図2に基づいて水素分離筒3の構造について説明する。図2は、水素分離筒3の概略の構造を示すための水素分離筒3の一部(図1中Aで示す部分)の断面図である。
水素分離筒3は、(支持体を兼ねる)改質触媒層50と、改質触媒層50の外側表面を覆うように形成された反応防止層40と、反応防止層40上に形成された水素分離層30と、水素分離層30上に形成された表面保護層20とから構成されている。
多孔質層を形成する材料は、充填される水素透過性金属材料と反応しない材料であればよく、例えば、アルミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、マグネシア、ムライト、コージェライト、ジルコニア、安定化ジルコニア、セリア、ランタンクロマイト、ストロンチウムチタネイト、多孔質ガラス等又はこれらの材料の混合物若しくは化合物を用いることができる。
表面保護層20の層厚が0.1μm未満であると、水素分離筒3の表面を保護することができないことがあり、一方、1000μmを越えると、水素透過性金属核形成後に、核を成長させて多孔質内に水素透過性金属の充填を行う際に、液相又は気相からの成長をし難くなり、未充填部が出来やすくなることがあるからである。
次に、図3に基づいて水素分離筒3の製造方法について説明する。図3は水素分離筒3の概略の製造方法を示す図である。
本水素製造装置1で600℃、1次側水素0.1MPaG、二次側水素0MPaGにて水素透過試験を行うと、31cc/min/cm2の水素透過量が得られた。
以上に説明した水素製造装置1の作動について図1に基づき説明する。水素製造装置1では、原料ガスは、内挿管17から中心孔13に供給され、中心孔13から水素分離筒3へ供給される。水素分離筒3に供給された原料ガスは、水素分離筒3の改質触媒層50で改質される。
(水素製造装置1の特徴)
以上のような水素製造装置1では、反応防止層40と表面保護層20との間に水素透過性金属材料(Pd)が充填された水素分離層30を有している。この水素分離層30の水素透過性金属材(Pd)は、水素のみを透過する。
水素分離層30は、多孔質層中に水素透過性金属材料を充填した層となっているので、水素分離層30は、多孔質支持体上に水素透過性金属膜を形成する従来の水素製造装置に比べ圧力に対して強く、水素透過層の剥離や破壊を生じにくい。
[第2実施形態]
第1実施形態と同様の方法で円筒有底管形状の改質触媒層50(多孔質改質触媒層兼支持体)上の多孔質層内部にPdを3μmの厚みで形成した。その後、Pd上にAgをめっき法により1μmの厚みで形成し、熱処理により合金化することにより、厚さ4μmのPd−Ag合金が充填された水素分離層30が得られた。
[第3実施形態]
第1実施形態と同様の方法で、水素分離層30を形成する多孔質層内部にPd核付け処理を施した後、酸処理することにより多孔質層表面のPd核を除去した。多孔質層内部に残ったPd核をめっき法により成長させることにより、多孔質層内の細孔にPdを充填した。その後、めっき法によりAgをPd表面に被覆した後、熱処理によりPdーAgを合金化し、厚さ4μmのPd−Ag合金が充填された水素分離層30とした。
酸化ニッケル、イットリア安定化ジルコニアの各粉末と有機バインダを混合した後、プレス成形法により円筒有底管形状に成形し、外径30mm×長さ300mmの多孔質改質触媒層兼支持体を作製した。
酸化ニッケル、イットリア安定化ジルコニアの各粉末と有機バインダを混合した後、プレス成形法により円筒有底管形状に成形し、外径30mm×長さ300mmの多孔質改質触媒層兼支持体を作製した。以後、第1実施形態と同様の方法を用い、円筒有底管の内周面側の改質触媒層50(多孔質改質触媒層兼支持体)上に反応防止層40、水素分離層30、表面保護層20を形成した。多孔質層内部にPdとAgを同時めっき法により4μmの厚みで形成することにより、水素分離層30とした。
[その他の実施形態]
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、種々の態様を採ることができる。
Claims (10)
- 原料ガスを改質し、水素を生成する触媒機能を有する改質触媒層と、
水素を選択的に透過させ分離する水素分離層と、
前記改質触媒層の触媒と前記水素分離層の水素分離材料との反応を防止する反応防止層と、
前記水素分離層の表面を保護する表面保護層と、
を備えたことを特徴とする水素製造装置。 - 前記改質触媒層は、ニッケル又はルテニウムのうち少なくともいずれかを含むサーメットであることを特徴とする請求項1に記載の水素製造装置。
- 前記水素分離層は、多孔体の細孔内に水素透過性金属が充填された構造であることを特徴とする請求項1〜請求項2の何れかに記載の水素製造装置
- 前記反応防止層において、前記改質触媒層側から前記水素分離層側に向けて、水素透過性金属が担持されている量が増加していくことを特徴とする請求項1〜請求項3の何れかに記載の水素製造装置。
- 前記改質触媒層又は前記反応防止層が支持体であることを特徴とする請求項1〜請求項4の何れかに記載の水素製造装置。
- 前記支持体が有底管形状であることを特徴とする請求項5に記載の水素製造装置。
- 前記水素透過性金属は、パラジウム又はパラジウム合金であることを特徴とする請求項3〜請求項4の何れかに記載の水素製造装置。
- 前記反応防止層及び表面保護層の主成分がセラミックス又はガラスであることを特徴とする請求項1〜請求項7の何れかに記載の水素製造装置。
- 前記セラミックスが安定化ジルコニアであることを特徴とする請求項8に記載の水素製造装置。
- 請求項1〜請求項9の何れかに記載の水素製造装置において、
前記改質触媒層及び前記反応防止層を形成した後、前記反応防止層内に水素透過性金属の核を形成し、その後前記表面保護層形成した後、前記反応防止層内の水素透過性金属核の核成長により前記水素分離層を形成することを特徴とする水素製造装置の製造方法。
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