JP2007288477A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板が相互に分離された構造で、基板電位を制御できるように構成したロジックコーンと、入力されたトリガ信号に応じて、第1の基板供給線および第2の基板供給線の何れかからロジックコーンに基板電位を供給する基板供給電位切り替え部110を設ける。そして、基板電位制御の対象となっているロジックコーンよりも前段のロジックコーンが出力した信号を前記トリガ信号として基板供給電位切り替え部110に入力する。
【選択図】図1
Description
MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
複数の論理回路からなるロジックコーンを複数有する機能モジュールと、
少なくとも1つの前記ロジックコーンと接続され、接続されたロジックコーンの基板電位を制御する電位切り替え部とを備え、
前記ロジックコーンは、基板が相互に分離された構造を有し、所定の入力信号を受けて動作して、前記入力信号に応じた信号を出力するものであり、
前記電位切り替え部は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンの基板電位を、第1の基板バイアス供給電位および前記第1の基板バイアス供給電位よりも浅い第2の基板バイアス供給電位のうちの何れかに切り替えるように構成されていることを特徴とする。
MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
複数の論理回路からなるロジックコーンを複数有する機能モジュールと、
少なくとも1つの前記ロジックコーンと接続され、接続されたロジックコーンの電源電位を制御する電位切り替え部とを備え、
前記ロジックコーンは、電源が相互に分離された構造を有し、所定の入力信号を受けて動作して、前記入力信号に応じた信号を出力するものであり、
前記電位切り替え部は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンの電源電位を、第1の電源電位および前記第1の電源電位よりも低い第2の電源電位のうちの何れかに切り替えるように構成されていることを特徴とする。
MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
複数の論理回路からなるロジックコーンを複数有する機能モジュールと、
少なくとも1つの前記ロジックコーンと接続され、接続されたロジックコーンの基板電位および電源電位を制御する電位切り替え部とを備え、
前記電位切り替え部は、基板電位を制御する際は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンの基板電位を、第1の基板バイアス供給電位および前記第1の基板バイアス供給電位よりも浅い第2の基板バイアス供給電位のうちの何れかに切り替え、電源電位を制御する際は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンの電源電位を、第1の電源電位および前記第1の電源電位よりも低い第2の電源電位のうちの何れかに切り替えるように構成されていることを特徴とする。
MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
複数の論理回路からなるロジックコーンを複数有する機能モジュールと、
少なくとも1つの前記ロジックコーンと接続され、接続されたロジックコーンのバックゲート電圧を制御する電位切り替え部とを備え、
前記ロジックコーンは、バックゲート電圧を互いに異なる電圧に制御できる構造を有し、所定の入力信号を受けて動作して、前記入力信号に応じた信号を出力するものであり、
前記電位切り替え部は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンのバックゲート電圧を、第1のバックゲート電圧および前記第1のバックゲート電圧よりも低い第2のバックゲート電圧のうちの何れかに切り替えるように構成されていることを特徴とする。
請求項2および請求項3のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
さらに、前記ロジックコーンが出力した信号を前記入力信号として適した電圧に変換するレベルシフタを備えていることを特徴とする。
請求項1の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、
前記第1の基板バイアス供給電位および前記第2の基板バイアス供給電位のうちの何れかを選択するスイッチ回路と、
何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、前記スイッチ回路を切り替えるスイッチ制御回路と、
を備えていることを特徴とする。
請求項2の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、
前記第1の電源電位および前記第2の電源電位のうちの何れかを選択するスイッチ回路と、
何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、前記スイッチ回路を切り替えるスイッチ制御回路と、
を備えていることを特徴とする。
請求項6および請求項7のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記スイッチ回路は、MOSトランジスタを含むものであり、
前記スイッチ回路におけるMOSトランジスタのゲート絶縁膜厚は、前記ロジックコーンを構成するMOSトランジスタのゲート絶縁膜厚よりも厚いことを特徴とする。
請求項6および請求項7のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記スイッチ回路および前記スイッチ制御回路は、MOSトランジスタを含むものであり、
前記スイッチ制御回路におけるMOSトランジスタのゲート絶縁膜厚は、前記スイッチ回路に含まれたMOSトランジスタのゲート絶縁膜厚よりも薄いことを特徴とする。
請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、接続されたロジックコーンの動作が完了した際に、前記の切り替えを行なうように構成されていることを特徴とする。
請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、接続されたロジックコーンよりも前段のロジックコーンが出力した信号に応じて、前記の切り替えを行なうように構成されていることを特徴とする。
請求項11の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、接続されたロジックコーンよりも1つ前段のロジックコーンが出力した信号に応じて、前記の切り替えを行なうように構成されていることを特徴とする。
請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、接続されたロジックコーンよりも前段の複数のロジックコーンが出力した信号に応じて、
前記の切り替えを段階的に行なうように構成されていることを特徴とする。
請求項1、請求項2、および請求項3のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
シリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造の基板で構成されることを特徴とする。
請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、それぞれのロジックコーンと対応して設けられるとともに、前記複数のロジックコーンの配列に平行して配置されていることを特徴とする。
MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
前記MOSトランジスタの活性化状態の遷移に応じて、前記MOSトランジスタの閾値電位または電源電位を変更することを特徴とする。
請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記機能モジュールは、クロック信号に同期して動作するように構成され、
前記ロジックコーンは、前記クロック信号の1サイクル内において、動作が完了するように構成されていることを特徴とする。
(半導体集積回路100の構成)
図1は、本発明の実施形態1に係る半導体集積回路100の構成を示すブロック図である。半導体集積回路100は、同図に示すように、ロジックコーン101〜103、および基板供給電位切り替え部110〜120を備えて構成されている。
上記の半導体集積回路100の動作を図5のタイミングチャートに基づいて説明する。
図6は、本発明の実施形態2に係る半導体集積回路200の構成を示すブロック図である。なお、以下に説明する各実施形態において、前記実施形態1等と同様の機能を有する構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
図8は、本発明の実施形態3に係る半導体集積回路300の構成を示すブロック図である。同図に示すように半導体集積回路300は、ロジックコーン101〜103、レベルシフタ311〜313、および電源供給電位切替え部330・340を備えて構成されている。
上記の半導体集積回路300の動作を図9のタイミングチャートに基づいて説明する。
図11は、本発明の実施形態4に係る半導体集積回路400の構成を示すブロック図である。半導体集積回路400は、各ロジックコーンの基板電位と電源電位の両方を制御する半導体集積回路の例である。
図13は、本発明の実施形態5に係る半導体集積回路500の構成を示すブロック図である。本実施形態は、実施形態2と比べ、ロジックコーンの動作が完了してから、基板バイアスを元の低リーク状態に戻すタイミングの制御の仕方が異なっている。半導体集積回路500は、具体的には図13に示すように、ロジックコーン101〜103、および基板供給電位切り替え部510・520を備えて構成されている。
図15は、本発明の実施形態6に係る半導体集積回路600の構成を示すブロック図である。同図に示すように半導体集積回路600は、ロジックコーン601a〜601d・602a〜602c・603a〜603b・604、および基板供給電位切り替え部610を備えて構成されている。
101〜103 ロジックコーン
110 基板供給電位切り替え部
111 スイッチ制御回路
112〜113 スイッチ回路
120 基板供給電位切り替え部
121 スイッチ制御回路
122〜123 スイッチ回路
200 半導体集積回路
300 半導体集積回路
311〜313 レベルシフタ
330 電源供給電位切替え部
331 スイッチ制御回路
332〜333 スイッチ回路
340 電源供給電位切替え部
341 スイッチ制御回路
342〜343 スイッチ回路
400 半導体集積回路
500 半導体集積回路
510 基板供給電位切り替え部
511 スイッチ制御回路
520 基板供給電位切り替え部
521 スイッチ制御回路
600 半導体集積回路
601a〜601d・602a〜602c・603a〜603b・604 ロジックコーン
610 基板供給電位切り替え部
Claims (17)
- MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
複数の論理回路からなるロジックコーンを複数有する機能モジュールと、
少なくとも1つの前記ロジックコーンと接続され、接続されたロジックコーンの基板電位を制御する電位切り替え部とを備え、
前記ロジックコーンは、基板が相互に分離された構造を有し、所定の入力信号を受けて動作して、前記入力信号に応じた信号を出力するものであり、
前記電位切り替え部は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンの基板電位を、第1の基板バイアス供給電位および前記第1の基板バイアス供給電位よりも浅い第2の基板バイアス供給電位のうちの何れかに切り替えるように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
複数の論理回路からなるロジックコーンを複数有する機能モジュールと、
少なくとも1つの前記ロジックコーンと接続され、接続されたロジックコーンの電源電位を制御する電位切り替え部とを備え、
前記ロジックコーンは、電源が相互に分離された構造を有し、所定の入力信号を受けて動作して、前記入力信号に応じた信号を出力するものであり、
前記電位切り替え部は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンの電源電位を、第1の電源電位および前記第1の電源電位よりも低い第2の電源電位のうちの何れかに切り替えるように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
複数の論理回路からなるロジックコーンを複数有する機能モジュールと、
少なくとも1つの前記ロジックコーンと接続され、接続されたロジックコーンの基板電位および電源電位を制御する電位切り替え部とを備え、
前記電位切り替え部は、基板電位を制御する際は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンの基板電位を、第1の基板バイアス供給電位および前記第1の基板バイアス供給電位よりも浅い第2の基板バイアス供給電位のうちの何れかに切り替え、電源電位を制御する際は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンの電源電位を、第1の電源電位および前記第1の電源電位よりも低い第2の電源電位のうちの何れかに切り替えるように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
複数の論理回路からなるロジックコーンを複数有する機能モジュールと、
少なくとも1つの前記ロジックコーンと接続され、接続されたロジックコーンのバックゲート電圧を制御する電位切り替え部とを備え、
前記ロジックコーンは、バックゲート電圧を互いに異なる電圧に制御できる構造を有し、所定の入力信号を受けて動作して、前記入力信号に応じた信号を出力するものであり、
前記電位切り替え部は、何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、接続されたロジックコーンのバックゲート電圧を、第1のバックゲート電圧および前記第1のバックゲート電圧よりも低い第2のバックゲート電圧のうちの何れかに切り替えるように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2および請求項3のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
さらに、前記ロジックコーンが出力した信号を前記入力信号として適した電圧に変換するレベルシフタを備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、
前記第1の基板バイアス供給電位および前記第2の基板バイアス供給電位のうちの何れかを選択するスイッチ回路と、
何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、前記スイッチ回路を切り替えるスイッチ制御回路と、
を備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、
前記第1の電源電位および前記第2の電源電位のうちの何れかを選択するスイッチ回路と、
何れかのロジックコーンが前記入力信号として出力した信号に応じて、前記スイッチ回路を切り替えるスイッチ制御回路と、
を備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項6および請求項7のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記スイッチ回路は、MOSトランジスタを含むものであり、
前記スイッチ回路におけるMOSトランジスタのゲート絶縁膜厚は、前記ロジックコーンを構成するMOSトランジスタのゲート絶縁膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項6および請求項7のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記スイッチ回路および前記スイッチ制御回路は、MOSトランジスタを含むものであり、
前記スイッチ制御回路におけるMOSトランジスタのゲート絶縁膜厚は、前記スイッチ回路に含まれたMOSトランジスタのゲート絶縁膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、接続されたロジックコーンの動作が完了した際に、前記の切り替えを行なうように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、接続されたロジックコーンよりも前段のロジックコーンが出力した信号に応じて、前記の切り替えを行なうように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項11の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、接続されたロジックコーンよりも1つ前段のロジックコーンが出力した信号に応じて、前記の切り替えを行なうように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、接続されたロジックコーンよりも前段の複数のロジックコーンが出力した信号に応じて、
前記の切り替えを段階的に行なうように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1、請求項2、および請求項3のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
シリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造の基板で構成されることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記電位切り替え部は、それぞれのロジックコーンと対応して設けられるとともに、前記複数のロジックコーンの配列に平行して配置されていることを特徴とする半導体集積回路。 - MOSトランジスタを有する半導体集積回路であって、
前記MOSトランジスタの活性化状態の遷移に応じて、前記MOSトランジスタの閾値電位または電源電位を変更することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1、請求項2、請求項3、および請求項4のうちの何れか1項の半導体集積回路であって、
前記機能モジュールは、クロック信号に同期して動作するように構成され、
前記ロジックコーンは、前記クロック信号の1サイクル内において、動作が完了するように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。
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