JP2007273270A

JP2007273270A - 電界放出型表示装置およびその製造方法

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Publication number: JP2007273270A
Application number: JP2006097787A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Hirokado; 栄信廣門
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2006-03-31
Filing date: 2006-03-31
Publication date: 2007-10-18

Abstract

【課題】この発明は、制御電極の開口部の加工安定性を確保して大面積化を実現できる電子放出型表示装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】開口部１６１は、制御電極１６の各ラインに、その延設方向（第２方向）に所定ピッチで多数形成され、サブピクセルを規定する。そして、開口部１６１は、制御電極１６の延設方向を長軸とする略長方形の主開口がカソード電極１１の延設方向（第１方向）に等ピッチで複数配置され、カソード電極１１の延設方向を長軸とする略長方形の１つの従開口が複数の主開口の長手方向の中央を連結するように配置されて、形成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示面（蛍光面）の発光均一性を改善する電界放出型表示装置およびその製造方法に関するものである。

一般に、従来の電界放出型表示装置は、カソード電極が形成されたカソード基板と、カソード基板およびカソード電極上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された制御電極と、制御電極および絶縁層を貫通して形成した開口部内に収容されて該開口部の底部に露出したカソード電極上に形成された電子放射物質層と、制御電極の前方に配置され、アノード電極および蛍光体が形成されたアノード基板と、を主に備えて構成されている（例えば、特許文献１，２参照）。この種の従来の電界放出型表示装置では、制御電極の開口部は円形に形成されている。

さらに、制御電極とアノード電極との間に配置され、電子放射物質層から蛍光体へ流れる電子ビームが通過する電子通過孔が形成された遮蔽電極を備えたものがある（例えば、特許文献３参照）。この種の従来の電界放出型表示装置では、制御電極の開口部は上述のものと同様に円形に形成されている。そして、遮蔽電極の各電子通過孔は、その孔の開口範囲内に制御電極の対応する開口部の開口範囲の全体が、ちょうど重なる程度の大きさ（大き過ぎず小さ過ぎない大きさ）の例えば円形に形成されている（例えば、特許文献３の図４参照）。この構成では、各電子放射物質層から制御電極の対応する開口部および遮蔽電極の対応する電子通過孔を通過して対応する蛍光体へ流れる電子ビームの総量は、制御電極の対応する開口部の開口範囲と遮蔽電極の対応する電子通過孔の開口範囲との重なる範囲の大きさに比例する。

また、遮蔽電極（集束電極）として板状の部材を用いて、カソード基板と独立に形成することで工程を簡略化する方法をとることがある（例えば、特許文献４参照）。

また、従来の電界放出型表示装置では、制御電極および絶縁層を貫通する開口部は写真製版プロセスにより形成される。即ち、低解像度手段によって、一連の第１導電層、電界放出層、第２導電層を絶縁基板上に付着させることによって製造され、少なくとも１つのカソード電極を形成する。つぎに、低解像度手段によって、カソード電極上に一連の絶縁層および第３導電層を蒸着し、少なくとも１つのゲート電極を形成する。こうして形成した構造をフォトレジスト層でコーティングする。ついで、フォトレジスト層を高解像度手段によって露光し、少なくとも１つの放出セル・グループを形成し、カソード電極とゲート電極の間のオーバーラップ領域に設置する。セルを完成するために導電層、絶縁層を順次エッチングし、セルにおける電界放出層を露光させ、フォトレジスト層の残留領域を除去することで低コストの技術を用いて電界放出材料、装置を製造することができるとするものである（例えば、特許文献５参照）。

米国特許第３５００１０２号明細書（図１−図４参照）米国特許第４８５７７９９号明細書（図２、図３参照）特開２００２−３２４５０１号公報特開平９−２７４８４５号公報特表２００１−５２１２６７号公報

この種の電界放出型表示装置においては、制御電極部の開口径と、制御電極とカソード電極との間の絶縁層厚さとは、電子放射物質層に作用する電界の一様性と、制御電極とカソード電極との間の耐電圧特性とにより決定される。一般に、絶縁層厚さと制御電極の開口径との比（アスペクト比）が１に近い状態にあれば、制御電極部の開口部の中央の電界と制御電極の開口部の周囲の電界との比が１となり、制御電極の開口内の電界分布が一様になると考えられている。従来の技術では、サブピクセルに相当する制御電極の開口は微細な径の孔が複数集団で配置される形で構成されてきた。

ところで、制御電極および制御電極とカソード電極との間の絶縁層に貫通される開口部がウェットエッチングプロセスで円形に形成される場合、制御電極の開口部の開口径を２０μｍ程度より小さくすると、制御電極とカソード電極との間の絶縁層厚にも依存するが、開口部の形成の際にエッチング液の流れが制御電極とカソード電極との間の絶縁層に貫通される開口部の底まで行き渡り難くなる。その結果、開口部の形状にバラツキが発生し、一様な開口部の形成が困難になる。そのため、制御電極および制御電極とカソード電極との間の絶縁層に貫通される開口部の開口径を大きくせざるを得ず、その結果、開口部を稠密に形成できなくなり、電子ビームの総量が減少するという問題がある。

制御電極の開口部の開口径を２０μｍとすれば、先の考え方から電界分布の一様性を確保するためには、２０μｍの絶縁層厚が必要になる。しかし、絶縁層厚が２０μｍを超えると、膜応力が増大することから、絶縁層を形成することが困難になることに加え、開口形成が困難になることは言うまでもない。一方で制御電極部の開口部の開口径を大きくすると、絶縁層の膜厚にも依存するが、不均一な電界分布が開口部面内で発生する。この電界分布は、開口周囲の電界が最も大きく、開口中央で最も小さくなり、電子源の発光状態が開口周囲のみに限定された状態になる。

また、遮蔽電極を金属板からなる部材で構成することは、カソード基板形成プロセスを簡略化することが出来る利点を有する。簡略化とは、遮蔽電極側の形成プロセスとカソード源付基板の形成工程を分離させることができるということに他ならない。しかし、多数の孔構造を有する金属板を、カソード基板に対して高精度に位置決めしながら固定し、同時にカソード基板上のエミッタ構造に対する絶縁を確保することは容易ではない。例えば、遮蔽電極板に用いる金属板の材料は厚さが５０〜３００μｍ程度であるので、遮蔽電極板構造のハンドリングに伴う変形が生じやすい。また、カソード基板と遮蔽電極板を接着する工程も熱工程を用いることが多い。そのため、ガラスからなる基板と、金属製の遮蔽電極との膨張収縮特性の違いによる位置ずれや応力による変形などにも対処する必要がある。

この発明は、上述のような問題を解決するためになされたものであり、制御電極の開口部の加工安定性を確保して大面積化を実現できる電子放出型表示装置を得ることを目的とする。
また、遮蔽電極板の位置決め精度を高め、遮蔽電極板の電子通過孔と電子放射物質との位置関係を高精度に確保できる電子放出型表示装置の製造方法を得ることを目的とする。

この発明の電界放出型表示装置は、複数のカソード電極が互いに離間して第１方向に延設されたカソード基板と、前記カソード基板に対向して配設され、アノード電極および蛍光体が形成されたアノード基板と、前記カソード電極と離間して、かつ互いに離間して前記第１方向と直交する第２方向に延設され、前記カソード電極との交差部にサブピクセルを規定する開口部が形成された複数の制御電極と、前記サブピクセルに対応する上記カソード電極上の各部位に形成された電子放射物質層と、前記カソード電極と前記制御電極との間に介装されて両電極間の電気的絶縁性を確保するとともに、前記電子放射物質層を露呈させる開口が形成された第１絶縁層と、前記制御電極のアノード基板側に配設され、前記電子放射物質層から前記制御電極の開口部を通過して前記蛍光体に向かう電子ビームを通過させる電子通過孔が形成された遮蔽電極板と、前記遮蔽電極板の制御電極側に配設されて該遮蔽電極と前記制御電極との間の電気的絶縁性を確保するとともに、前記制御電極の開口部を露呈させる開口が形成された第２絶縁層と、を備えている。そして、前記サブピクセルを規定する前記制御電極の開口部は、前記第１方向および第２方向と平行な断面形状が連続した直線および曲線から選択される線分からなる閉ループに形成された単一の孔であり、かつ、前記第１絶縁層の深さを前記制御電極の開口部の孔寸法で割った数値が１より小さい。

この発明によれば、制御電極の開口部が単一の孔で形成されているので、開口面積を大きくでき、電子放出領域が拡大される。また、第１絶縁層の深さを開口部の孔寸法で割った数値、即ちアスペクト比が１より小さいので、開口面積の大きな開口部を安定して形成することができる。

実施の形態１．
図１および図２はそれぞれこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図であり、図１はカソード電極の延設方向に平行な断面を示し、図２は制御電極の延設方向に平行な断面を示している。図３はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置におけるエミッタ構造を説明する図、図４はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置における遮蔽電極の構成を説明する図、図５はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極と制御電極との配置関係および開口部の形状を説明する上面図、図６はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置における遮蔽電極と制御電極との関係を説明する上面図、図７はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極構成を示す上面図、図８はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置におけるエミッタガイド絶縁層を示す上面図、図９はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置における制御電極形成後の状態をアノード基板側から見た上面図、図１０はこの発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置における遮蔽基板固定後の状態をアノード基板側から見た上面図である。なお、図５、図７ではエミッタガイド絶縁層が省略されている。また、図４では遮蔽電極絶縁層１７が省略されている。

図１および図２において、電界放出型表示装置は、カソード基板１０上に構成されたエミッタ部と、アノード基板２０上に構成された発光体部と、エミッタ部から放射される電子３０（電子ビーム）を収束させる遮蔽電極部と、を備えている。そして、カソード基板１０とアノード基板２０とがエミッタ部と発光体部とを相対するように配置され、遮蔽電極部がエミッタ部と発光体部との間に配置されている。

エミッタ部は、カソード電極１１、エミッタ層である電子放射物質層１５、制御電極１６などから構成されている。カソード基板１０は、絶縁薄膜１２をガラス基板１の一側表面の全面に被覆して形成されている。そして、複数の直線状のカソード電極１１が、互いに離間して平行に所定ピッチでカソード基板１０の一側表面に第１方向に延びるように形成されている。エミッタガイド絶縁層１３は、図８に示されるように、サブピクセルに対応する略長方形の開口１３１が格子状に形成されている。そして、エミッタガイド絶縁層１３が、開口１３１をカソード電極１１上に位置させるように、カソード基板１０上に配設されている。そして、電子放射物質層１５がカソード電極１１の各開口１３１からの露出面に形成されている。ここで、各カソード電極１１の両端部は、図６に示されるように、電子放射物質層１５が存在する表示（画素）領域３０１に超えて、カソード基板１０の両端部の近傍まで引き回されている。

また、複数の直線状の制御電極１６が、互いに離間して平行に所定ピッチで第１方向と直交する第２方向に延びるように、第１絶縁層としての絶縁体層１４を介在させてカソード基板１０上に形成されている。そして、図３に示されるように、制御電極１６のカソード電極１１との交差部にサブピクセルを規定する開口部１６１が形成されている。また、開口部１６１の下部の絶縁体層１４を取り除いて開口が形成され、電子放射物質層１５が露呈されている。
開口部１６１は、制御電極１６の各ラインに、その延設方向（第２方向）に所定ピッチで多数形成されている。そして、開口部１６１は、図５に示されるように、制御電極１６の延設方向を長辺とする略長方形の主開口がカソード電極１１の延設方向（第１方向）に等ピッチで複数配置され、カソード電極１１の延設方向を長辺とする１つの従開口が複数の主開口の長手方向の中央を連結するように配置されて、形成されている。

ここで、従来技術では、サブピクセルに相当する制御電極の開口部は、微細な円形又は長方形の開口の集団で構成されていた。そして、微細な円形の開口を複数形成することは、先述の通りの問題点があり、大面積で、加工性および形状の安定性を両立させるには、開口形状を長方形形状とすることが望ましい。しかし、開口部の開口寸法と制御電極の幅とから、長方形の開口を微細な円形の開口並に配置するには限界がある。このような状況を鑑み、本発明では、長方形の主開口を短辺方向に一定のピッチで配置し、主開口間のスペースに従開口を追加することで、全体の開口面積を増やすことをねらったものである。
なお、開口面積の拡大方法としては、従開口の数を増やすことが考えられるが、無造作に従開口の数を増やすことは、制御電極の開口部の形状破壊につながるため、適切ではない。このことから、主開口と従開口との配置は、具体的構成で後述するように、開口部の形状破壊が発生しない一定の規則を設けている。

遮蔽電極部は、カソード電極１１上の制御電極１６とアノード基板２０上の発光体部との間に配置され、電子放射物質層１５から開口部１６１を通過して発光体部へ放射される電子３０が通過する電子通過孔１８１が穿設された遮蔽電極板１８と、遮蔽電極板１８と制御電極１６との間の電気的絶縁を保つために形成された第２絶縁層としての遮蔽電極絶縁層１７と、を備えている。電子通過孔１８１は、図４に示されるように、各サブピクセルに相当する位置に形成された開口部１６１をそれぞれ内包するように形成されている。また、遮蔽電極絶縁層１７は、遮蔽電極板１８の一面側に一体に形成されている。そして、遮蔽電極板１８は、遮蔽電極絶縁層１７を接着剤（図示せず）を介してカソード基板１０に固定されている。また、遮蔽電極板１８は、図６に示されるように、平面視上、画素領域３０１を含む制御電極１６の形成領域を完全に内包するように配置されている。

ここで、図１では、遮蔽電極絶縁層１７と制御電極１６との間に隙間が形成されているが、遮蔽電極板１８と制御電極１６との間の電気的絶縁は遮蔽電極絶縁層１７により確保されているので、遮蔽電極絶縁層１７を制御電極１６に接するようにしてもよい。
また、電子通過孔１８１の一面側（エミッタ部側）の開口角部は、面取りされてアールが付いた形状となっており、遮蔽電極板１８の一面側が露出することなく遮蔽電極絶縁層１７に覆われる。つまり、電子通過孔１８１の一面側の開口角部が直角に近い形状であると、遮蔽電極板１８の電子通過孔１８１の一面側の開口角度の一部で、遮蔽電極絶縁層１７の厚みが局所的に薄くなる。この遮蔽電極絶縁層１７の局所的な薄厚部は制御電極１６と遮蔽電極板１８との間の絶縁破壊の起点になるため好ましくない。そこで、電子通過孔１８１の一面側の開口角部は、直角より緩やかな鈍角の形状に加工されていることが望ましい。

発光体部は、電子放射物質層１５の前方に配置された透明性のアノード基板２０と、アノード基板２０の反表示面側の表面に形成されたブラックマトリクス２１および蛍光体２２と、ブラックマトリクス２１および蛍光体２２を覆うようにアノード基板２０上に形成されたアルミニウムなどのアノード電極としての金属膜２３と、を備える。なお、透明性のアノード電極を、アノード基板２０の表示面上に配置してもよい。
そして、アノード基板２０は、金属膜２３を電子放射物質層１５側にむけてカソード基板１０に対向して配設され、気密に封止される。また、カソード基板１０とアノード基板２０との間は真空排気され、例えば圧力が１×１０^−４Ｐａより低い真空に維持される。さらに、長時間の動作安定性を確保するために、ゲッターが内部に配設されてもよい。

つぎに、このように構成された電界放出型表示装置の動作について説明する。
まず、制御電極１６を走査線として、選択時に電位を下げる。そして、カソード電極１１をデータ線として、選択された制御電極１６に対して正の電圧を印加すれば、電子３０がトンネル効果により電子放射物質層１５から引き出される。また、カソード電極１１の電位を電子放出に必要な電位以下にすれば、電子放射物質層１５からの電子３０の放出はない。
引き出された電子３０は、必ずしも、カソード電極１１の表面に対して垂直な方向に直進するものだけではなく、放射方向の広がりがある。そこで、電子３０は、遮蔽電極板１８の電子通過孔１８１を通過することで、その軌道をやや修正され、アノード基板２０の方向に直進する。この時、金属膜２３には正の高電圧が印加されており、電子３０は加速されて蛍光体２２に衝突する。これにより、蛍光体２２が励起発光する。そして、蛍光体２２からカソード基板１０側に向かう発光は金属膜２３によりアノード基板２０（表示面）側に反射される。

なお、遮蔽電極板１８は、金属膜２３にかかる高電圧によるプラスイオンの衝突や真空放電から電子放射物質層１５などのエミッタ部を保護する機能も有する。また、制御電極１６は、電子放射物質層１５から電子３０を引き出すための引出電極（ゲート電極）として機能する。

つぎに、電界放出型表示装置の構成について具体的に説明する。
まず、絶縁薄膜１２は、例えばＳｉＯ_２などの絶縁材料をガラス基板１の一側表面の全面に、例えばスパッタ成膜して形成される。そして、カソード電極１１は、カソード電極材料を絶縁薄膜１２上にスパッタ成膜し、写真製版工程およびエッチング工程を経て、所定の電極パターンに形成される。この電極パターンは、第１方向に延びる直線状の帯状パターンが所定ピッチで互いに離間して平行に配列されたものである。

ここで、ガラス基板１上に絶縁薄膜１２を形成する目的は、カソード電極材料のガラス基板１との密着性向上、並びにカソード電極１１のパターニング時の断線欠陥抑制のためである。カソード電極材料としては、Ａｇ，Ｃｒ，Ａｌ，Ａｌ−Ｎｄなどの金属膜やＩＴＯ，ＺｎＯ，ＳｎＯ_２などの酸化物導電性膜が用いられ、密着性や焼成に対する耐久性を得るために、それらの材料を適宜組み合わせて多層化する。特に、電子放射物質層１５にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）やカーボンナノファイバー、カーボンナノウォール、グラファイトナノファイバー（ＧＮＦ）など、微細繊維構造を有するカーボン材料を用いる場合は、電気抵抗や密着性、耐熱性の観点から低抵抗材料の金属膜の上に酸化物導電性膜を形成することが好ましい。さらに、カソード基板形成工程における耐熱プロセス構造の観点から、カーボン材料の直下のカソード電極材料は、酸化物導電性膜のみで構成されることがより好ましい。ここでは、カソード電極１１は、金属膜を下層とし、酸化物導電性膜を上層とする２層積層構造に構成され、同一マスクでパターニングされている。つまり、カソード電極１１を構成する下層の金属膜と上層の酸化物導電性膜とは、図７に示されるように、同一形状にパターニングされている。

このカソード電極構造は、電子放射物質層１５の直下に酸化物導電性膜があるので、電子放射物質層１５の耐熱性は電子放射物質層１５が金属膜上に直接形成されている場合よりも改善される。これらの金属膜および酸化物導電性膜はスパッタで成膜された薄膜であることが一般的であるが、微粒子をペースト化してスクリーン印刷などの方法で形成したものでも良い。いずれも形成後、フォトレジストを用いて露光、現像後に不要部分を化学エッチングによって除去することで配線パターンが形成される。
具体的には、カソード電極１１は、ＳｉＯ_２をガラス基板１の全面に２０〜１００ｎｍの厚さに成膜して絶縁薄膜１２を形成し、ついで、Ｃｒを絶縁薄膜１２上の全面に１０〜１００ｎｍの厚さに成膜し、さらにＩＴＯをＣｒ膜上の全面に１００〜２００ｎｍの厚さに成膜し、その後同一マスクでＣｒ膜とＩＴＯ膜とをエッチングして形成される。

なお、カソード電極１１の厚みは、カソード上の絶縁層の凹凸を考慮して、１〜２μｍを上限とすべきである。このため、エミッタ部をカソード電極形成後かつ制御電極形成前の過程で形成する場合には、カソード電極形成後に、絶縁材料をウェットエッチングし、開口１３１が格子状に形成されたエミッタガイド絶縁層１３を予め作製し、それらの開口１３１にエミッタ材料を充填する形成方法が好ましい。エミッタガイド絶縁層１３を形成する材料は、フィルム状のガラスなどの絶縁材料をラミネート（貼付け）した後、焼成することで形成される絶縁層が好ましい。印刷・焼成を経て形成された絶縁層はスクリーン版のメッシュ痕が焼成後に、一定の振幅を持った膜の表面ウネリとして残存し、その上に構造体を形成する際に表面ウネリが密着性を損ねる要因となる。表面ウネリはゼロに近いことが理想であるが、許容範囲として０．１μｍより小さい状態であれば密着性を損ねる結果は認められていない。つまり、表面うねりが０．１μｍより小さいならば、印刷・焼成を経て形成された絶縁層でエミッタガイド絶縁層を構成してもよい。

エミッタ材料の充填方法は、スクリーン版を使った印刷法が好ましい。そして、エミッタ材料充填後にエミッタ材料をカソード電極１１表面に固着させるために４００℃から５００℃の温度範囲での焼成工程を経るが、この工程でのエミッタ材料の膜減りを考慮して、エミッタガイド絶縁層１３の深さは設定されている。エミッタガイド絶縁層１３に形成される開口１３１は、図８に示すようにサブピクセルに相当する位置に略長方形で形成されている。
カソード電極１１の幅は表示画素サイズに応じたものになるが、単板のディスプレイ装置として用いる場合、３０〜３００μｍの範囲が実用上適当であり、隣接するカソード電極１１間の距離も静電容量やマイグレーションの観点から、幅と同程度、好ましくは１００μｍ以上が適当である。

制御電極１６とカソード電極１１間の絶縁体層１４は、シリコンラダーポリマーと呼ばれる、(-Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ-)からなるシロキ酸結合を主骨格とした無機ポリマーを用いることが適当である。同無機ポリマーは、エミッタ材料をカソード電極１１の表面に固着後に成膜形成される。さらに、導電性材料が無機ポリマー上に成膜される。そして、導電性材料と無機ポリマーとが同じパターンでエッチングされる。即ち、導電性材料膜が写真製版・エッチングされて帯状の電極パターンの制御電極１６を得る。この時、開口部１６１も同時に形成される。ついで、開口部１６１を有する制御電極１６をマスクとして、無機ポリマーからなる絶縁体層１４がドライエッチングされる。そこで、開口部１６１の下部の絶縁体層１４が除去され、電子放射物質層１５が露出する。同時に、隣り合う制御電極１６間の絶縁体層１４は除去され、即ち絶縁体層１４は制御電極１６と同じパターンとなり、隣り合う制御電極１６間には、図９に示すようにエミッタガイド絶縁層１３の表面が露出した状態になる。

この工程の後、電子放射物質層１５を起毛させる表面処理が行われる。電子放射物質層１５を起毛させる表面処理として、粘着性テープを貼りつけて引き剥がす方法がある。この方法の場合、制御電極１６の開口部１６１が大きい程、テープの剛性の観点から効果的に電子放射物質層１５を起毛させることができる。この観点から、制御電極１６の開口部１６１を単一の孔としてその開口寸法を比較的大きく形成することは利点を有する。
この工程の後、遮蔽電極絶縁層１７の電子放射物質層１５側の表面に接着層を形成してアライメント後、３５０〜４５０℃の温度で過熱することで接着固定し、図１０に示されるように、カソード基板１０と遮蔽電極板１８とを一体化させる。

制御電極１６とカソード電極１１間の絶縁体層１４の厚さは、電子放射物質層１５の厚み（高さ）と開口部１６１の開口寸法によるが、電子放射物質層１５より高い厚みで、５〜１５μｍの範囲が適当である。制御電極１６の開口部１６１のスリット幅（長方形の短辺長さ）は、数μｍから１００μｍ程度が可能であるが、ここでは２０μｍとした。この構成は、０．２５〜０．７５のアスペクト比に相当する。また、主開口と従開口とからなる開口部１６１は、カソード電極１１の幅方向中心に対して対称な形状に形成されることが望ましい。

開口部１６１の主開口と従開口の構成では、カソード電極１１と制御電極１６間の絶縁体層１４の厚さにも依存するが、絶縁体層１４のサイドエッチングによる開口崩れの無いパターンルールを考え、主開口スリット幅と従開口スリット幅は等しくとり、隣接する主開口のスペース部は、主開口幅１に対してスペース部２の比率で配置することが適当である。主開口の制御電極１６のラインに平行な長さ（長方形の長辺長さ）は、制御電極材料の写真製版時の露光アライメント精度を考慮してカソード電極幅に対して５〜１０μｍ程度小さい長さが好ましい。但し、カソード電極１１の線幅が小さく配置される場合は、その寸法に応じて主開口の制御電極１６のラインに平行な長さは、小さく設計されることは言うまでもない。変形例として、主開口の制御電極１６のラインに平行な長さが、従開口の制御電極１６のライン方向の寸法に等しくなる場合も、本構造の範疇に属する。制御電極材料としてはＡｌ膜やＡｌ−Ｓｉ膜が適当であるが、その他の金属材料でも構わない。制御電極材料としてＡｌ膜を用いる場合、膜厚は０．５〜１．０μｍが適当である。

遮蔽電極板材料としては、低膨張ニッケル合金が適当であり、例えばＮｉ４８−Ｆｅを主成分とした金属板が望ましい。厚さは加工性と機械的強度を考慮して５０〜３００μｍが適当であるが、実用的には１００〜２００μｍが妥当である。

制御電極１６と遮蔽電極板１８との間の遮蔽電極絶縁層１７は、前述の絶縁体層１４に類似しており、シリコンラダーポリマーと呼ばれる無機ポリマーを用いることが適当である。その形成方法は、遮蔽電極板１８のカソード基板側の面を、無機ポリマーを一定の深さ溜めた槽に接触させることで転写形成する。形成時の遮蔽電極板１８の支持は、その外周部に限定される。これは、遮蔽電極板１８のアノード基板２０側の面は、遮蔽電極板１８に形成された電子通過孔１８１が目詰まりしないように、ディッピング時にエアーが抜けるようなフリーな状態で形成される必要があるためである。形成方法上、遮蔽電極板１８の周囲１８２に突起部があると、突起部の近傍の絶縁層厚さが変動する問題を生じるため、突起部を持たない周囲形状、例えば４隅をＲ面取りした長方形型が好ましい。

また、転写工程時に遮蔽電極板１８の外周部が支持されるため、転写時に遮蔽電極絶縁層１７が形成されない領域が遮蔽電極板１８の外周部（支持部）に発生する。遮蔽電極板１８の領域を開口部１６１の存在する制御電極１６の存在範囲を超えて広くすることで、遮蔽電極板１８の露出部は制御電極１６から空間的に離れる。そこで、遮蔽電極板１８の露出部の存在が表示時に問題になることはない。

遮蔽電極絶縁層１７の形成方法としては、無機ポリマーを溜めた槽にディッピングする方法の他に、低融点ガラス粉末にセラミック微粒子のフィラーと溶剤、バインダー樹脂などを混合したガラスペーストを用いる方法や、薄膜形成法によって絶縁材料を成膜する方法もある。制御電極１６と遮蔽電極絶縁層１７の表面との接着についても、同様にガラスペーストを用いることが出来るが、ポリイミドや１００〜１２０℃の温度範囲に融点をもつ無機ポリマーを用いても良い。

アノード基板２０上のブラックマトリクス２１は、表示装置のコントラストを改善し、サブピクセルの輪郭を明確にする機能と、導電性により電子ビームによるチャージアップを防止する機能を備えるものであり、通常グラファイトが用いられる。ブラックマトリクス２１は、厚さ１〜２μｍの一様なグラファイト層を露光、現像により形成される。蛍光体２２は５〜１５ｋＶの電子３０により三原色の赤、青、緑に発光するものが塗り分けられる。赤色蛍光体としてはＹ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ、緑色蛍光体としてはＺｎＳ：Ａｕ，Ｃｕ，ＡｌないしはＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、青色蛍光体としてはＺｎＳ：ＡｇあるいはＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌが適当であり、蛍光体２２の厚さは粒径にも依存するがそれぞれ４〜８μｍが適当である。さらに金属膜２３はＡｌなどの膜を真空蒸着して形成される。金属膜２３としてのＡｌ膜の厚さは５０〜１５０ｎｍが適当である。

動作電圧は、走査線選択時の制御電極１６の電圧を０Ｖとすると、カソード電極１１には発光時に３０〜１５０ｋＶ程度のデータパルスが印加される。この電圧値は、エミッタ材料の電子放出特性と、電子放射物質層１５と制御電極１６との距離に依存する。遮蔽電極板１８は例えば−２５０Ｖ〜２５０Ｖの範囲で、電子３０が集束される最適値を選択すれば良い。蛍光体２２上の金属膜２３には５〜１５ｋＶの高電圧が印加される。

この実施の形態１によれば、絶縁薄膜１２がガラス基板１の全面に被覆されているので、ガラス基板１の表面のキズの凹凸が絶縁薄膜１２により平滑化される。そこで、ガラス基板１の表面のキズの凹凸が原因で発生するカソード電極１１の断線欠陥耐性が向上される。また、カソード電極１１としてガラス基板１との密着性の劣る金属膜を用いても、絶縁薄膜１２が密着改善層の役割を担うことができるので、カソード電極１１を強固にガラス基板１上に形成できる。
また、カソード電極１１が、酸化物導電性膜より低抵抗の導電性膜である金属膜を下層として、酸化物導電性膜を上層として積層して構成されているので、金属膜により配線の低抵抗化が図られるとともに、酸化物導電性膜によりカソード基板形成プロセスでの電子放射物質層１５の受ける熱的な損傷が抑制される。

また、カソード電極１１の始端部および終端部が、電子放射物質層１５が存在する画素存在領域に止まらず、カソード基板１０の両端部に略等しい位置まで引き回されているので、電極パターンのオープン・ショート検査に、一定の配線数の規則（ピッチ、配線幅）での検査針をインデックス送りする検査方式が適用可能となる。そこで、カソード電極１１のオープン・ショート検査を簡易に行うことができる。

また、制御電極１６の開口部１６１は、長軸を制御電極１６のライン方向に平行な主開口と、長軸をカソード電極１１のライン方向に平行な従開口との組合せで形成されている。このような構造にすることにより、主開口のみで開口寸法が大きくなった場合に発生する電界分布の存在で、発光状態が開口周囲のみに限定される場合に、従開口の追加によって、開口部１６１の線積（開口周囲長さ）が増加され、発光領域を増やす効果が期待できる。
また、サブピクセルに相当する開口部１６１が単一の孔で構成されているので、サブピクセルに相当する開口部を微細な孔の集団で構成する従来技術に場合に比べ、孔の面積を大きくできる。そして、アスペクト比が１より小さくので、大面積の開口部１６１の加工安定性を確保することができる。

また、遮蔽電極板１８の電子通過孔１８１のカソード基板側の開口角部が面取りされてＲ形状に形成されているので、遮蔽電極絶縁層１７は電子通過孔１８１の開口角部で薄くなることなく被覆形成される。そこで、遮蔽電極絶縁層１７の厚さが電子通過孔１８１の近傍で薄くなることが回避され、遮蔽電極板１８と制御電極１６との間の電気的絶縁が確保される。
また、遮蔽電極板１８が制御電極１６を完全に内包する（覆う）ように配置されているので、異常放電時の制御電極１６の破損を回避することが出来る。

ここで、開口部１６１を構成する主開口および従開口の配置について説明する。
カソード電極１１の電極幅Ｗｃと制御電極１６の電極幅Ｗｇとを比較した場合、複数の主開口は電極幅の広い電極の延設方向と直交する方向に配列される。即ち、Ｗｇ＞Ｗｃであれば、主開口は、制御電極１１の延設方向に平行な長辺と、カソード電極１１の延設方向に平行な短辺とからなる略長方形に形成され、制御電極１１の幅方向に複数配列される。そして、カソード電極１１の延設方向を長辺とする略長方形の従開口が、制御電極１１の幅方向に複数配列された複数の主開口を連結するように形成され、サブピクセルに相当する１つの開口部１６１を構成している。

主開口の個数は、両電極の内の広い方の電極幅と、カソード電極１１と制御電極１６との間の絶縁層の厚さとによって決まる。具体的には、カソード電極１１の電極幅を１００μｍ、制御電極１６の電極幅を５００μｍ、カソード電極１１と制御電極１６との間の絶縁層の厚さを１０μｍとした場合、主開口部は、制御電極１６の電極幅方向に、２０〜３０μｍの開口幅（短辺長さ）で、１５μｍの間隔（＝絶縁層の厚さ×１．５）をもって形成される。そして、これらの複数の主開口は、カソード電極１１の延設方向を長辺とする細長の従開口により連結される。この時、従開口の短辺方向の中心線をカソード電極１１の電極幅方向の中心線に合わせるように従開口を形成することが好ましい。

そして、遮蔽電極板１８の電子通過孔１８１とのアライメント性（電子ビームのフォーカス）を考慮すれば、サブピクセルに相当する開口部１６１は、カソード電極１１の電極幅の中心線に対して対称な開口形状であることが好ましい。従って、閉ループの開口形状であっても、くの字形やＥ形の開口形状は好ましくはない。

実施の形態２．
図１１はこの発明の実施の形態２に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極と制御電極との配置関係および開口部の形状を説明する上面図、図１２はこの発明の実施の形態２に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極構成を示す上面図である。

この実施の形態２では、図１１に示されるように、開口部１６１ａは、長軸をカソード電極１１ａの延設方向とし、短軸を制御電極１６ａの延設方向とする略長方形の開口形状を有し、カソード電極１１ａの幅方向中心に対して対称となるように、制御電極１６ａのサブピクセルに対応する位置に穿設されている。そして、カソード電極１１ａと制御電極１６ａとの間の絶縁体層１４の厚みを１０〜１５μｍとし、開口部１６１ａの長軸寸法を３００μｍとし、短軸寸法を３０μｍとしている。この構成は、０．３〜０．５のアスペクト比に相当する。また、制御電極１６ａの電極幅は５００μｍとし、配列ピッチを６００μｍとしている。

また、図１２に示されるように、カソード電極１１ａは、矩形状の低抵抗の金属膜２５を、ガラス基板１上の絶縁薄膜１２上の隣接する制御電極１６ａ間のスペース部に相当する位置にタイル状に形成し、矩形状の高抵抗の酸化物導電性膜２６を、隣り合う金属膜２５を連結するように形成して、帯状パターンに構成されている。そして、酸化物導電性膜２６がサブピクセルに相当する位置に配設されている。また、カソード電極１１ａの引出部分は上記実施の形態１と同構成となっている。
なお、他の構成は上記実施の形態１と同様に構成されている。

この実施の形態２においても、開口部１６１ａを略長方形の単一の孔に形成しているので、開口部１６１ａは、開口面積の等しい正方形の開口に比べて線積を増加することができ、発光領域を増すことができる。また、アスペクト比が０．３〜０．５であるので、開口部１６１ａの加工安定性を確保することができる。
また、電子放射物質層１５の真下のカソード電極１１ａは、酸化物導電性膜２６のみであるので、カソード基板形成プロセスでの電子放射物質層１５の受ける熱的な損傷が一層抑制される。

実施の形態３．
図１３はこの発明の実施の形態３に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極と制御電極との配置関係および開口部の形状を説明する上面図、図１４はこの発明の実施の形態３に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極構成を示す上面図である。

この実施の形態３では、図１３に示されるように、開口部１６１ｂは、長軸をカソード電極１１ａの延設方向とし、短軸を制御電極１６ｂの延設方向とする略楕円形の開口形状を有し、カソード電極１１ｂの幅方向中心に対して対称となるように、制御電極１６ｂのサブピクセルに対応する位置に穿設されている。そして、カソード電極１１ｂと制御電極１６ｂとの間の絶縁体層１４の厚みを１０〜１５μｍとし、開口部１６１ｂの長軸寸法を３００μｍとし、短軸寸法を３０μｍとしている。この構成は、０．３〜０．５のアスペクト比に相当する。また、制御電極１６ｂの電極幅は５００μｍとし、配列ピッチを６００μｍとしている。

また、図１４に示されるように、カソード電極１１ｂは、高抵抗の酸化物導電性膜２６をガラス基板１上の絶縁薄膜１２上に幅広の帯状パターンに形成し、低抵抗の金属膜２５を酸化物導電性膜２６の幅方向の一辺縁部にのせるように酸化物導電性膜２６の長さ方向に幅細の帯状パターンに形成して、構成されている。
なお、他の構成は上記実施の形態１と同様に構成されている。

この実施の形態３においても、開口部１６１ｂを略楕円形の単一の孔に形成しているので、開口部１６１ｂは、開口面積を等しい円形の開口に比べて線積を増加することができ、発光領域を増すことができる。また、アスペクト比が０．３〜０．５であるので、開口部１６１ｂの加工安定性を確保することができる。
また、電子放射物質層１５の真下のカソード電極１１ｂは、酸化物導電性膜２６のみであるので、上記実施の形態２と同様に、カソード基板形成プロセスでの電子放射物質層１５の受ける熱的な損傷が一層抑制される。

実施の形態４．
図１５はこの発明の実施の形態４に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極構成を示す上面図である。
この実施の形態４では、図１５に示されるように、カソード電極１１ｃは、矩形状の高低抵抗の酸化物導電性膜２６を、ガラス基板１上の絶縁薄膜１２上のサブピクセルに相当する位置にタイル状に形成し、低抵抗の金属膜２５を各酸化物導電性膜２６の電子放射物質層１５の形成領域を避けて外周縁部にのせるように幅細の帯状パターンに形成して、構成されている。
なお、他の構成は、上記実施の形態２と同様に構成されている。

この実施の形態４においても、電子放射物質層１５の真下のカソード電極１１ｃは、酸化物導電性膜２６のみであるので、上記実施の形態２と同様の効果を奏する。

実施の形態５．
図１６および図１７はそれぞれこの発明の実施の形態５に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図であり、図１６はカソード電極の延設方向に平行な断面を示し、図１７は制御電極の延設方向に平行な断面を示している。

図１６および図１７において、第２絶縁層としての薄膜絶縁層２７が遮蔽電極板１８のカソード基板側表面に形成されている。そして、遮蔽電極板固着用の台座２８が、各隣り合う制御電極１６間に、制御電極１６の延設方向にライン状に形成されている。さらに、遮蔽電極板１８が薄膜絶縁層２７の表面を接着層２９を介して台座２８に接着固定されている。
なお、他の構成は上記実施の形態１と同様に構成されている。

薄膜絶縁層２７は、遮蔽電極板１８のカソード基板側表面に、絶縁材料、例えばＳｉＯ_２をスパッタ成膜して形成される。
台座２８は、絶縁材料を使ってディスペンス法によって、隣接する制御電極１６ライン間を埋めるようにライン状に形成される。この場合、カソード電極１１と制御電極１６との間の絶縁体層１４の厚さと制御電極１６の厚さの和に加え、遮蔽電極板１８と制御電極１６との間の絶縁耐圧を満たす形で、台座２８の高さが設定される。必要とされる絶縁耐圧は、使用される絶縁材料の耐電圧特性にも依存するが、シリコンラダーポリマーと呼ばれる、(−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−)からなるシロキ酸結合を主骨格とした無機ポリマーの場合、５〜１０μｍの厚さでｋＶオーダーの絶縁耐圧を確保できる。接着層２９としては、ポリイミドや１００〜１２０℃の温度範囲に融点をもつ無機ポリマーを用いても良い。

この実施の形態５では、遮蔽電極板１８のカソード基板側の表面の薄膜絶縁層２７の厚を１〜２μｍとし、遮蔽電極板１８自体の変形（反り）を少なくしている。そして、遮蔽電極板１８を各隣り合う制御電極１６間に制御電極１６の延設方向にライン状に形成されている台座２８に支持固定している。そこで、遮蔽電極板１８と制御電極１６との間の間隔を一様に確保することができる。

なお、薄膜絶縁層２７は材料にも依るが、ＳｉＯ_２を絶縁材料とした場合、遮蔽電極板１８の厚さ５０〜３００μｍに対してＳｉＯ_２膜厚が５μｍを超えると膜応力の影響で遮蔽電極板１８に反りが発生した。そこで、薄膜絶縁層２７の膜厚は、膜応力による変形の無い状態の膜厚で形成可能な範囲として１〜２μｍの範囲に設定している。

実施の形態６．
図１８および図１９はそれぞれこの発明の実施の形態６に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図であり、図１８はカソード電極の延設方向に平行な断面を示し、図１９は制御電極の延設方向に平行な断面を示している。
この実施の形態６では、遮蔽電極板１８をカソード基板１０と一体化して形成されている。この実施の形態６では、製造方法に特徴があるので、同方法に限定して以下に説明する。

まず、絶縁薄膜１２がガラス基板１の一側表面の全面に被覆されてカソード基板１０が形成される。ついで、複数の直線状（帯状パターン）のカソード電極１１がカソード基板１０上に形成される。そして、エミッタガイド絶縁層１３がカソード基板１０上に形成され、電子放射物質層１５がエミッタガイド絶縁層１３の開口１３１内に形成される。ついで、絶縁体層１４がカソード基板１０の全面に形成され、さらに制御電極材料が絶縁体層１４上の全面に形成される。そして、制御電極材料をパターニングして、開口部１６１を有する帯状パターンの制御電極１６が形成される。ここまでは、上記実施の形態１と同様である。

ついで、遮蔽電極板１８と制御電極１６との間を絶縁する絶縁材料、即ち第２絶縁層としての絶縁層３２が、制御電極１６および露出する絶縁体層１４上の全面に成膜される。そして、接着層３３がその上層の全面に形成された後、電子通過孔１８１が形成された遮蔽電極板１８がアライメント設置され、接着層３３が加熱硬化され、遮蔽電極板１８がカソード基板１０に一体化される。ついで、遮蔽電極板１８をマスクとしてドライエッチングが行われる。これにより、まず、電子通過孔１８１の下部の接着層３３および絶縁層３２が除去される。そして、接着層３３および絶縁層３２が除去されると、制御電極１６とカソード電極１１との間の絶縁体層１４は、制御電極１６の開口部１６１をマスクとしてドライエッチングされ、電子放射物質層１５が露出される。

ここで、絶縁体層１４および絶縁層３２には、シリコンラダーポリマーと呼ばれる、(−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−)からなるシロキ酸結合を主骨格とした無機ポリマーを使用するのが適当である。また、遮蔽電極板１８の材料には、ドライエッチング時に絶縁体層１４および絶縁層３２のエッチング速度に比較して充分に遮蔽電極用金属部に対するエッチングが進行しない金属材料が選択可能であるが、低膨張ニッケル合金が適当であり、例えばＮｉ４８−Ｆｅを主成分とした板状電極が望ましい。遮蔽電極板１８と制御電極１６上の絶縁層３２とを接着する接着層３３には、ポリイミドや１００〜１２０℃の温度範囲に融点をもつ無機ポリマーを用いるのが好ましい。

この実施の形態６では、熱履歴の無い状態の遮蔽電極板１８を直接、略平坦な下地層に貼り付け固定しているので、厚みの薄い遮蔽電極板１８を高精度にアライメントすることができる。また、遮蔽電極板１８を下地層に貼り付け固定した後に、絶縁体層１４および絶縁層３２に穿孔を形成しているので、絶縁体層１４および絶縁層３２の穿孔工程後に、遮蔽電極板１８の位置ずれや変形を伴う熱処理がない。そこで、遮蔽電極板１８の電子通過孔１８１と絶縁体層１４および絶縁層３２の穿孔との位置関係が高精度に確保される。そして、上記工程の後、エミッタ層を起毛させる表面処理を行なうことでカソード基板形成が完了する。制御電極１６の開口部１６１の形状、並びにカソード電極１１と電子放射物質層１５の配置に関しては、上記実施の形態１と同じであるので、同様の効果が期待できる。

この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置におけるエミッタ構造を説明する図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置における遮蔽電極の構成を説明する図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極と制御電極との配置関係および開口部の形状を説明する上面図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置における遮蔽電極と制御電極との関係を説明する上面図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極構成を示す上面図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置におけるエミッタガイド絶縁層を示す上面図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置における制御電極形成後の状態をアノード基板側から見た上面図である。この発明の実施の形態１に係る電界放出型表示装置における遮蔽基板固定後の状態をアノード基板側から見た上面図である。この発明の実施の形態２に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極と制御電極との配置関係および開口部の形状を説明する上面図である。この発明の実施の形態２に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極構成を示す上面図である。この発明の実施の形態３に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極と制御電極との配置関係および開口部の形状を説明する上面図である。この発明の実施の形態３に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極構成を示す上面図である。この発明の実施の形態４に係る電界放出型表示装置におけるカソード電極構成を示す上面図である。この発明の実施の形態５に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図である。この発明の実施の形態５に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図である。この発明の実施の形態６に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図である。この発明の実施の形態６に係る電界放出型表示装置の構成を示す要部断面図である。

符号の説明

１０カソード基板、１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃカソード電極、１４絶縁体層（第１絶縁層）、１５電子放射物質層、１６、１６ａ、１６ｂ制御電極、１７遮蔽電極絶縁層（第２絶縁層）、１８遮蔽電極板、２０アノード基板、２２蛍光体、２３金属膜（アノード電極）、２５金属膜（導電性膜）、２６酸化物導電性膜、３０電子（電子ビーム）、３２絶縁層（第２絶縁層）、１６１、１６１ａ、１６１ｂ開口部、１８１電子通過孔。

Claims

複数のカソード電極が互いに離間して第１方向に延設されたカソード基板と、
前記カソード基板に対向して配設され、アノード電極および蛍光体が形成されたアノード基板と、
前記カソード電極と離間して、かつ互いに離間して前記第１方向と直交する第２方向に延設され、前記カソード電極との交差部にサブピクセルを規定する開口部が形成された複数の制御電極と、
前記サブピクセルに対応する上記カソード電極上の各部位に形成された電子放射物質層と、
前記カソード電極と前記制御電極との間に介装されて両電極間の電気的絶縁性を確保するとともに、前記電子放射物質層を露呈させる開口が形成された第１絶縁層と、
前記制御電極のアノード基板側に配設され、前記電子放射物質層から前記制御電極の開口部を通過して前記蛍光体に向かう電子ビームを通過させる電子通過孔が形成された遮蔽電極板と、
前記遮蔽電極板の制御電極側に配設されて該遮蔽電極と前記制御電極との間の電気的絶縁性を確保するとともに、前記制御電極の開口部を露呈させる開口が形成された第２絶縁層と、を備え、
前記サブピクセルを規定する前記制御電極の開口部は、前記第１方向および第２方向と平行な断面形状が連続した直線および曲線から選択される線分からなる閉ループに形成された単一の孔であり、かつ、前記第１絶縁層の深さを前記制御電極の開口部の孔寸法で割った数値が１より小さいことを特徴とする電界放出型表示装置。
前記制御電極の開口部は、前記第１方向および第２方向と平行な断面形状が楕円形に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電界放出型表示装置。
前記制御電極の開口部は、前記第１方向および第２方向と平行な断面形状が略長方形に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電界放出型表示装置。
前記制御電極の開口部は、前記第１方向および第２方向と平行な断面形状が長軸を前記第２方向とする略長方形の主開口と長軸を前記第１方向とする略長方形の従開口とで構成されていることを特徴とする請求項１記載の電界放出型表示装置。
前記カソード電極は、酸化物電導性膜と、前記酸化物導電性膜に電気的に接続して形成された該酸化物導電性膜より低抵抗の導電性膜とで構成されており、前記電子放射物質層が前記酸化物導電性膜上に密接して形成されていることを特徴とする請求項１記載の電界放出型表示装置。
前記遮蔽電極板は、突起のない外周形状を有する金属板からなり、平面視上、前記制御電極の開口部形成領域を内包するように前記制御電極のアノード基板側に配設されており、前記電子通過孔は、前記金属板をエッチングして形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電界放出型表示装置。
前記遮蔽電極板の電子通過孔の制御電極側の開口角部が面取り加工されていることを特徴とする請求項６記載の電界放出型表示装置。
前記請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電界放出型表示装置の製造方法であって、
前記カソード基板上に前記複数のカソード電極を形成し、前記電子放射物質を前記カソード電極上に形成する工程と、
前記第１絶縁層を前記電子放射物質および前記カソード電極を覆うように前記カソード基板上に形成する工程と、
導電性材料を前記第１絶縁層を覆うように形成し、その後パターニングして前記開口部を有する前記制御電極を形成する工程と、
前記制御電極を覆うように前記第２絶縁層を形成する工程と、
前記電子通過孔が形成された前記遮蔽電極板を第２絶縁層上に配設する工程と、
前記遮蔽電極板をマスクとして前記第２絶縁層および前記第１絶縁層をエッチングして前記電子放射物質層を露呈させる工程と、
を備えることを特徴とする電界放出型表示装置の製造方法。