JP2000215792A - 平面型表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平面型表示装置における電界放出型カソード
の高精度の製造を可能にする。 【解決手段】 基板１の面上に、第１の電極１１及び第
１の電極１１上の電子放出部９を形成し、第１の電極１
１及び電子放出部９を含む領域上に絶縁層７を形成し、
この絶縁層７上に第２の電極となる電極層１２１を形成
する工程と、電極層１２１を含む全面上にネガ型のフォ
トレジスト層３０を形成し、電子放出部９をマスクにし
て基板１の背面より紫外線３１を照射してフォトレジス
ト層３０を露光し、現像して電子放出部９に対応する部
分のフォトレジスト層３０１を選択的に除去する工程
と、残ったフォトレジスト層３０１をマスクにして電極
層１２１及び絶縁層７を選択エッチングして電子放出部
９が露出する開口を形成する工程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電界電子放出現象
を利用した平面型表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６は、電界電子放出現象を利用した平
面型表示装置の代表的な構成を示す一部を断面とする斜
視図である。この平面型表示装置１５は、夫々例えばガ
ラス基板によって構成される第１及び第２の基板１及び
２が、補強用のスペーサ３を介して、互に所要の間隔を
保持して対向され、これら相対向する基板１及び２の周
辺部がセラミック等の絶縁性の外周枠１４を介して例え
ばガラスフリットにて気密的に封着されて、両基板１及
び２間に、気密的偏平空間が形成され、第１の基板１側
に電子放出部４が配置され、第２の基板２側に蛍光面５
が形成されて成る。

【０００３】第１の基板１上には、夫々例えばストライ
プ状の複数の第１の電極（いわゆるカソード電極）１１
及び第２の電極（いわゆる電子を引き出すためのゲート
電極）１２が、互に交叉（例えば直交）する方向に平行
配列され、互いの交叉部が絶縁層７を介して電気的に絶
縁されて成る。

【０００４】そして、例えばこれら第１及び第２の電極
１１及び１２の交叉部に対応して、夫々電界放出型カソ
ード４が構成される。これら電界放出型カソード４は、
冷陰極構成を有し、図７Ａ，Ｂに示すように、第１及び
第２の電極１１及び１２の交叉部に、絶縁層７と上層の
第２の電極１２とを貫通する開口８が形成され、この開
口８内において下層の第１の電極１１上に電子放出部
（いわゆるエミッタ）９が配置されて成る。この場合、
交叉部に対応する１画素当たり（カラー蛍光面では、３
つの副画素となる蛍光体Ｒ，Ｇ及びＢで１画素を構成す
るので（１副画素当たり）、複数個の電子放出部９が配
置される。

【０００５】第２の基板２側の蛍光面５上には、薄膜導
電層によるメタルバック層６が形成され、このメタルバ
ック層６に、高電圧の加速電圧が供給される。

【０００６】そして、第１及び第２の電極１１及び１２
の選択された電極間に所要の電圧が印加されることによ
って、この交叉部に配置された電界放出型カソード４の
各電子放出部９から電子を取り出し、これを上述の加速
電圧によって加速させてメタルバック層６を突き抜けて
蛍光面５に衝撃させて、この部分を励起発光させて、目
的とする発光表示、例えば画像表示を行う。

【０００７】ところで、上述の電界放出型カソードは、
回転塗布、印刷、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ（化学気相成
長）等の成膜工程と、フォトレジストマスクを用いたエ
ッチング、リフトオフ等のいわゆるフォトリソグラフィ
工程により形成される。

【０００８】図８及び図９は、従来技術による電界放出
型カソードの作製工程を示す。

【０００９】先ず、図８Ａに示すように、第１の基板１
の一面上にストライプ状の第１の電極１１を形成し、こ
の第１の電極１１上の第２の電極１２との交叉部にリフ
トオフ法又は選択エッチング等により電子放出部４を形
成した後、全面上に絶縁層７を形成し、さらに絶縁層７
上に第１の電極１１と交叉するストライプ状の第２の電
極１２を形成する。そして、第２の電極１２を含む全面
にポジ型のフォトレジスト層１７を形成し、フォトマス
ク１８を介して紫外線１９を照射して電子放出部４に対
応する部分のフォトレジスト層１７のみを選択的に露光
する。１７ａは被露光部、１７ｂは未露光部である。こ
の工程では電子放出部４の中心と、その後形成する第２
の電極１２の開口の中心とが一致するように、予め設け
てある基準マーカを基準にしてフォトマスク１８の位置
調整が行われる。

【００１０】次に、図８Ｂに示すように、現像処理し
て、フォトレジスト層１７の被露光部１７ａを除去し、
開口２０が形成されたフォトレジスト層１７を形成す
る。

【００１１】次に、図９Ｃに示すように、フォトレジス
ト層１７をマスクに、選択エッチングにより、第２の電
極１２及びその下層の絶縁層７を貫通して電子放出部４
が露出するような開口８を形成する。

【００１２】そして、図９Ｄに示すように、フォトレジ
スト層１７を除去して第１の電極１１と第２の電極１２
の交叉部の位置に形成した開口８内に電子放出部９が形
成されてなる電界放出型カソード４を得る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述の従来の電界放出
型カソード４の製造方法においては、図８Ａの工程中の
スパッタ、ＣＶＤ等による絶縁層７の成膜時に発生する
膜応力により基板１の変形、絶縁層７を印刷で形成する
場合には、その印刷によるガラスペーストの熱処理によ
る基板１の伸縮等により、開口形成用のフォトマスク１
８と電子放出部４の位置とに相対的な位置ずれが生じ
る。このため、図９Ｄに示すように、最終的に第２の電
極１２の開口８と電子放出部４との位置ずれが生じたと
きには、電子放出量が変動し、表示むらが発生するとい
う問題が生じる。

【００１４】一方、電子放出部４と第２の電極１２との
距離を短くすると、電子放出電圧が低下する傾向にあ
る。電子放出電圧が低下すれば、表示回路が安価にな
り、消費電力の低い表示装置が実現できるので、高精細
なパターニングが要求されている。

【００１５】しかし、２０インチ型以上の大型の平面表
示装置を製造する露光装置は、フォトマスク１８の損傷
に鑑み、多くがフォトマスク１８をフォトレジスト層１
７から離して露光する、いわゆるプロキシミティ露光を
採用している。プロキシミティ露光は、フォトマスク１
８とフォトレジスト層１７との間に隙間を設ける方式の
ため、基板変形を矯正することができず位置ずれが発生
する事が問題となっていた。また、フォトマスク１８と
フォトレジスト層１７との間に隙間を有するため、高精
細なパターンが得られない欠点があった。

【００１６】高精細なフォトリソグラフィを実現する露
光装置として、ＬＳＩ等の半導体装置の製造分野では、
プロジェクション方式が採用されている。しかし、露光
装置の価格が非常に高価であり、２０インチ型以上の平
面型表示装置用には光学系の制約もあり、現実的ではな
い。

【００１７】第２の電極１２の開口８と電子放出部４の
位置合わせをセルファライメント（自己整合）方式とす
ることにより、絶縁層７の形成時に発生する基板変形、
伸縮による位置ずれの問題が解消する。また、セルファ
ライメント方式によりフォトマスク数が減少し、露光時
の位置調整工程も減少するため、安価な平面型表示装置
の実現が可能となる。セルファライメント方式による電
界放出型カソードの製造例としては、米国ＳＲＩ（Stan
nford Research Institute）のスピント氏等が開発した
回転蒸着法（いわゆるスピント法）が知られている。

【００１８】本発明は、上述の点に鑑み、より高精度の
電界放出型カソードの形成を可能にした平面型表示装置
の製造方法を提供するものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る平面型表示
装置の製造方法は、その電界放出型カソードの製造工程
において、遮光性を有するカソード構成材料をマスクと
した背面露光によるフォトリソグラフィにより、電子放
出部と第２の電極の開口の位置関係を自己整合的に形成
する。

【００２０】この製法においては、カソード構成材料、
例えば電子放出部又は第２の電極となる開口を有する電
極層をマスクとして基板側からの背面露光によるフォト
リソグラフィにより、電子放出部に対応する位置に第２
の電極の開口が形成され、電子放出部と第２の電極の開
口との位置関係が自己整合的に決まる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明に係る平面型表示装置の製
造方法は、基板の面上に第１の電極及びこの第１の電極
上の電子放出部を形成し、第１の電極及び電子放出部を
含む領域上に絶縁層を形成し、絶縁層上に第２の電極と
なる電極層を形成する工程と、電極層を含む全面上にネ
ガ型のフォトレジスト層を形成し、電子放出部をマスク
にして基板の背面よりフォトレジスト層を露光し、現像
して電子放出部に対応する部分のフォトレジスト層を選
択的に除去する工程と、残ったフォトレジスト層をマス
クにして電極層及び絶縁層を選択エッチングして電子放
出部が露出する開口を形成する工程を有する。

【００２２】本発明に係る平面型表示装置の製造方法
は、基板の面上に第１の電極、絶縁層及び第２の電極と
なる電極層を積層形成し、電極層及び絶縁層の所定の位
置に第１の電極が露出する開口を形成する工程と、開口
内及び電極層上にポジ型のフォトレジスト層を形成し、
電極層をマスクにして基板の背面よりフォトレジスト層
を露光し、現像して開口内のフォトレジスト層を除去す
る工程と、開口内及びフォトレジスト層上を含んで電子
放出材料を被着形成する工程と、フォトレジスト層と共
にその上の電子放出材料をリフトオフして開口内の第１
の電極上に電子放出部を形成する工程と、電極層をパタ
ーニングして第１の電極と交叉し、この交叉部に前記開
口を有する第２の電極を形成する工程とを有する。

【００２３】以下、図面を参照して本発明の実施の形態
を説明するが、本発明は、この形態に限られるものでは
ない。

【００２４】図１及び図２は、本発明の一実施の形態を
示す製造工程図である。本実施の形態においては、先
ず、図１Ａに示すように、例えばガラス基板で構成する
第１の基板１を用意する。このガラス基板としては、露
光用の紫外線が透過しうるガラス基板であり、例えば白
板ガラス（Ｂ−２７０ ＳＣＨＯＴＴ）、青板ガラス
（ソーダライムガラス）、無アルカリガラス（ＯＡ２日
本電気硝子）等のガラス基板を用いることができる。こ
の第１の基板１の一面上に例えばストライプ状の複数の
第１の電極（いわゆるカソード電極）１１を平行配列す
るように形成し、この第１の電極１１上の所定の位置、
即ち後述する第２の電極１２と第１の電極１１との交叉
部に対応する位置に、例えばリフトオフ法又は選択エッ
チング等の方法によって電子放出材料による電子放出部
（いわゆるエミッタ）９を形成する。この電子放出部９
は、例えば図示するように周辺が尖鋭に上方に突出する
王冠状に形成することができる。

【００２５】そして、この電子放出部９及び第１の電極
１１を含む領域上に、絶縁層７を形成し、さらに、絶縁
層７上に第２の電極（いわゆる電子を引き出すためのゲ
ート電極）の下地となるストライプ状の下地電極層１２
１を第１の電極１１と交叉、例えば直交して複数平行配
列するように形成する。

【００２６】第１の電極１１は、露光用の紫外線が透過
しうる材料で形成されるもので、例えばＩＴＯ等の透明
電極材料を用いる。絶縁層７も露光用紫外線が透過しう
る材料で形成される。第２の電極の下地電極層１２１
は、後工程で第２の電極材料を電着成膜するための下地
であり、露光用紫外線が透過しうる材料例えばＩＴＯ等
の透明電極材料、又は極薄金属、即ち、露光用紫外線を
透過しうる厚みの例えばＣｒ，Ｔｉ等の金属材料などで
形成することができる。電子放出部９は、例えばＭｏ，
Ｗ，Ｎｉ等の金属材料、又はカーボン系材料を用い、露
光用紫外線を遮蔽する厚みをもって形成する。

【００２７】絶縁層７は、第１の電極１１及び電子放出
部９を含んで全面に形成してもよく、又は下地電極層１
２１下にのみストライプ状に形成するようにしてもよ
い。

【００２８】次に、図１Ｂに示すように、下地電極層１
２１を含んで全面上にネガ型のフォトレジスト層３０を
被着形成した後、第１の基板１の背面より紫外線３１を
照射してネガ型のフォトレジスト層３０を露光する。こ
の背面露光時、電子放出部９が紫外線３１を遮蔽するフ
ォトマスクとなり、電子放出部９に対応する領域のフォ
トレジスト層３０１は露光されず（未露光部）、その他
の領域のフォトレジスト層３０２が露光される（被露光
部）。

【００２９】次に、図１Ｃに示すように、現像処理によ
って、フォトレジスト層３０の露光されない領域３０１
を溶出して除去し、電子放出部９に対応する部分に開口
３０３ａを有するレジストマスク３０３を形成する。

【００３０】次に、図２Ｄに示すように、レジストマス
ク３０３を介して下地電極層１２１及びその下の絶縁層
７を電子放出部９が露出するまで選択的にエッチング除
去し、電子放出部９が露出する開口８を形成する。

【００３１】次に、図２Ｅに示すように、レジストマス
ク３０３を剥離した後、下地電極層１２１上に電着等に
より、例えばＣｕ等の金属材を選択的に成膜して、この
金属電極層１２２と下地電極層１２１とによる第２の電
極（いわゆるゲート電極）１２を形成する。これによっ
て、電界放出型カソード５１を得る。

【００３２】これ以後は、図示せざるも、前述の図６と
同様に、例えばガラス基板で構成する第２の基板２の一
面上に蛍光面５を被着形成し、さらに蛍光面５上にメタ
ルバック層６を形成した後、この第２の基板２と前述の
電界放出型カソード５１を形成した第１の基板１とをス
ペーサ３を介して重ね合わせ、両基板１及び２間の偏平
空間を真空状態にして周辺部を外周枠１４を介して例え
ばガラスフリットにて気密的に封着して目的の平面型表
示装置を得る。

【００３３】本実施の形態に係る平面型表示装置の製
法、特に、その電界放出型カソード５１の製法によれ
ば、第１の基板１の面上に第１の電極１１、電子放出部
４、絶縁層７及び第２の電極の下地電極層１２１を積層
形成した後、図１Ｂの工程でさらにその上の全面にネガ
型のフォトレジスト層３０を被着形成し、遮光性のある
電子放出部９をフォトマスクとした基板１側よりの背面
露光によるフォトリソグラフィにより、開口８を形成す
るので、開口８と電子放出部９との位置関係がセルファ
ライメント（自己整合）で正確に決まる。従って、平面
型表示装置において、絶縁層７の形成時に発生する基板
１の変形、伸縮による開口８と電子放出部４との位置ず
れに起因する表示むらが解消する。

【００３４】背面露光を用いたセルファライメント方式
により、フォトマスク数が減少し、露光時の位置調整工
程も減少するため、製造コストが低下し、安価な平面型
表示装置を提供できる。

【００３５】背面露光によるフォトリソグラフィでは、
マスク（即ち電子放出部）９とフォトレジスト層３０と
の距離が短いので、プロキシミティ露光に比べて高精度
なパターニングが可能になる。高精度なパターニングに
より、電子放出部４と第２の電極１２との距離を短くす
ることが可能となり、電子放出電圧を低下することがで
きる。電子放出電圧が低下すれば、表示回路が安価にな
る。よって、消費電力の低い且つ安価な平面型表示装置
を製造することができる。

【００３６】図３及び図４は、本発明の他の実施の形態
を示す製造工程図である。本実施の形態においては、先
ず、図３Ａに示すように、例えばガラス基板で構成する
第１の基板１の一面上に、例えばストライプ状の複数の
第１の電極（いわゆるカソード電極）１１を平行配列す
るように形成し、さらに、第１の電極１１と電気的に分
離するように絶縁層７を介して第２の電極（いわゆる電
子を引き出すためのゲート電極）となる電極層１２４を
全面にわたって形成した後、通常のフォトリソグラフィ
工程、エッチング工程により第１の電極１１と後述する
第２の電極１２との交叉部に対応する部分に電極層１２
４及びその下の絶縁層７を貫通して第１の電極１１が露
出する開口８を形成する。絶縁層７は第１の電極１１上
を含む全面に形成される。

【００３７】ここで、第１の基板１としては、前述と同
様に、後工程の露光用紫外線が透過しうる基板であり、
例えば白板ガラス、青板ガラス、無アルカリガラス等の
ガラス基板を用いることができる。第１の電極１１は、
前述と同様に、露光用紫外線が透過しうる材料で形成さ
れるもので、例えば、ＩＴＯ等の透明電極材料を用いる
ことができる。絶縁層７は、露光用紫外線が透過する又
は不透過のいずれの材料で形成してもよい。第２の電極
となる電極層１２４は、露光用紫外線を遮蔽できる材料
で形成するものであり、例えばＣｒ，Ｔｉ，Ａｕ（上
層）／Ｃｕ（下層）、Ａｕ（上層）／Ｔｉ（下層）等の
金属を用い、露光用紫外線を遮蔽しうる厚みをもって形
成することができる。

【００３８】次に、図３Ｂに示すように、開口８内を含
む全面にポジ型のフォトレジスト層４０を被着形成した
後、第１の基板１の背面より紫外線３１を照射してポジ
型のフォトレジスト層４０を被着形成した後、第１の基
板１の背面より紫外線３１を照射してポジ型のフォトレ
ジスト層４０を露光する。この背面露光時、電極層１２
４が紫外線３１を遮蔽するフォトマスクとなり、電極層
１２４上に対応する領域のフォトレジスト層４０１は露
光されず（未露光部）、開口８内の領域のフォトレジス
ト層４０２のみが露光される（被露光部）。

【００３９】次に、図３Ｃに示すように、現像処理によ
って開口８内の露光されたフォトレジスト層４０２のみ
を溶出して除去し、下層の第１の電極１１が露出する開
口８を出現させる。

【００４０】次に、図４Ｄに示すように開口８以外の露
光されないフォトレジスト層４０１を残した状態で、開
口８内を含む全面に、例えばＭｏ，Ｗ，Ｎｉ等の金属材
料、又はカーボン系材料からなる電子放出材料９Ａを例
えばスピンコート、蒸着、スパッタ等により成膜する。

【００４１】次に、フォトレジスト層４０１の剥離と共
に、その上の不要な電子放出材料９Ａをリフトオフし、
開口８内の第１の電極１１上に電子放出材料９Ａによる
電子放出部９を形成する。次いで、通常のフォトリソグ
ラフィ工程、エッチング工程によって、電極層１２４を
パターニングして第１の電極１１と交叉、例えば直交
し、その交叉部に開口８を有する複数のストライプ状の
第２の電極１２を形成する。これによって、図４Ｅに示
す電界放出型カソード５２を得る。

【００４２】これ以後は、図示せざるも、前述の図６と
同様に、例えばガラス基板で構成する第２の基板２の一
面上に蛍光面５を被着形成し、さらに蛍光面５上にメタ
ルバック層６を形成した後、この第２の基板２と前述の
電界放出型カソード５２を形成した第１の基板１をスペ
ーサ３を介して重ね合わせ、両基板１及び２間の偏平空
間を真空状態にして周辺部を外周枠１４を介して例えば
ガラスフリットにて気密的に封着して目的の平面型表示
装置を得る。

【００４３】本実施の形態に係る平面型表示装置の製
法、特にその電界放出型カソードの製法によれば、第１
の基板１の面上に第１の電極１１、絶縁層７及び第２の
電極となる電極層１２４を形成し、第１及び第２の電極
１１及び１２の交叉部に対応する所定の位置に電極層１
２４及び絶縁層７を貫通する開口８を形成した後、図３
Ｂ，Ｃの工程において、開口８内を含む全面上にポジ型
のフォトレジスト層４０を被着形成し、基板１側よりの
背面露光によるフォトリソグラフィにより開口８を除く
他の領域にフォトレジスト層４０１を残し、その状態で
図４Ｄ，Ｅの工程において電子放出材料９Ａを被着し、
リフトオフして開口８内に電子放出部９を形成するよう
にしたので、開口８と電子放出部９との位置関係がセル
ファライメント（自己整合）で正確に決まる。従って、
平面型表示装置において、絶縁層７の形成時に発生する
基板１の変形、伸縮による開口８と電子放出部４との位
置ずれに起因する表示むらが解消する。

【００４４】その他、図１及び図２の実施の形態と同様
に、フォトマスク数の減少、露光時の位置調整工程の減
少による製造コスト低下が図れる。また、マスク（第２
の電極１２となる電極層１２４）とフォトレジスト層４
０間の距離が実質的にないので高精度なパターニングが
可能となること、高精度なパターニングにより電子放出
部９と第２の電極１２間距離を短くでき電子放出電圧を
低下できること、表示回路の低価格化が可能なこと、等
の同様の効果を奏する。さらに、消費電力の低い且つ安
価な平面型表示装置の製造を可能にする。

【００４５】なお、次に、ガラス基板上に形成したＣｒ
膜によるテストパターン（マスクに相当）を用い背面露
光により形成したポジ型のフォトレジストパターン及び
ネガ型のフォトレジストパターンの観察結果を示す。

【００４６】図５Ａ（ＳＥＭ写真）はガラス基板６１上
に形成した５μｍ□と４μｍ□のＣｒ膜テストパターン
６２〔Ｃｒ膜厚：０．２μｍ〕を示す。図５Ｂ（ＳＥＭ
写真）は、図５ＡのＣｒ膜テストパターン６２を用いて
背面露光し、現像した後のポジ型フォトレジストパター
ン６３を示す。使用したポジ型フォトレジストは、クラ
リアント ジャパン製のＡＺＰ４４００、膜厚３．６μ
ｍである。図５Ｃ（ＳＥＭ写真）は、図５ＡのＣｒ膜テ
ストパターン６２を用い背面露光し、現像し後のネガ型
フォトレジストパターン６４を示す。６５は開口であ
る。使用したネガ型フォトレジストは、日本ゼオン製の
ＺＰＮ１１００、膜厚２．５μｍである。

【００４７】図５Ｄ（ＳＥＭ写真）は５μｍ□と４μｍ
□の開口６７を有するＣｒ膜テストパターン６６（図５
Ａの反転パターン）を示す。図５Ｆ（ＳＥＭ写真）は、
図５ＤのＣｒ膜テストパターン６６を用いて背面露光
し、現像した後のポジ型フォトレジストパターン６８を
示す。６９は開口である。使用したポジ型フォトレジス
トは、クラリアントジャパン製のＡＺＰ４４００、膜厚
３．６μｍである。図５Ｇ（ＳＥＭ写真）は、図５Ｄの
Ｃｒ膜テストパターン６６を用いて背面露光し、現像し
た後のネガ型フォトレジストパターン７０を示す。使用
したネガ型フォトレジストは、日本ゼオン製のＺＰＮ１
１００、膜厚２．５μｍである。

【００４８】ポジ型フォトレジストでは、４μｍ□、５
μｍ□のＣｒ膜テストパターン６２，６６を高精度に転
写している事を示している。ネガ型フォトレジストは、
ポジ型フォトレジストに比べて、若干、解像度が低いよ
うであり、４μｍ□の開口パターンが抜けていない。た
だし、プロキシミティ露光に比べて非常に高解像度であ
ることを示している。

【００４９】

【発明の効果】本発明に係る平面型表示装置の製法、特
にその電界放出型カソードの製法によれば、背面露光を
利用して第２の電極及びその下の絶縁層に形成する開口
と第１の電極上の電子放出部との位置合わせをセルファ
ライメント（自己整合）方式とすることにより、絶縁層
の形成時に発生する基板変形、伸縮による位置ずれに起
因する表示むらの発生を解消することができる。

【００５０】セルファライメント方式により、フォトマ
スク数が減少し、露光時の位置調整工程も減少するた
め、製造コストを低下し、安価な平面型表示装置を実現
できる。

【００５１】背面露光によるフォトリソグラフィは、マ
スク（電子放出部又は第２の電極となる電極層に相当す
る）とフォトレジスト層との距離が短いので、プロキシ
ミティ露光に比べて高精度なパターニングが可能とな
る。高精度なパターニングにより電子放出部と第２の電
極との距離を短くすることが可能となり、電子放出電圧
を下げることができる。電子放出電圧が低下することに
より、表示回路を安価に作ることができる。また、低消
費電力で且つ安価な平面型表示装置を提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ａ〜Ｃ 本発明に係る平面型表示装置、特にそ
の電界放出型カソードの製造方法の一実施の形態を示す
工程図である。

【図２】Ｄ〜Ｅ 本発明に係る平面型表示装置、特にそ
の電界放出型カソードの製造方法の一実施の形態を示す
工程図である。

【図３】Ａ〜Ｃ 本発明に係る平面型表示装置、特にそ
の電界放出型カソードの製造方法の他の実施の形態を示
す工程図である。

【図４】Ｄ〜Ｅ 本発明に係る平面型表示装置、特にそ
の電界放出型カソードの製造方法の他の実施の形態を示
す工程図である。

【図５】Ａ〜Ｇ Ｃｒ膜によるテストパターン、及びこ
のテストパターンを用いて背面露光により形成したネガ
型及びポジ型のフォトレジストパターンを示す説明図で
ある。

【図６】電界放出現象を利用した平面型表示装置の一部
を断面とした斜視図である。

【図７】Ａ 図６の平面型表示装置の電界放出型カソー
ドの要部を示す斜視図である。 Ｂ 図７Ａの要部の断面図である。

【図８】Ａ〜Ｂ 従来の電界放出型カソードの製造方法
の工程図である。

【図９】Ｃ〜Ｄ 従来の電界放出型カソードの製造方法
の工程図である。

【符号の説明】

１‥‥第１の基板、２‥‥第２の基板、３‥‥スペー
サ、４，５１，５２‥‥電界放出型カソード、５‥‥蛍
光面、６‥‥メタルバック、７‥‥絶縁層、８‥‥開
口、９‥‥電子放出部（エミッタ）、９Ａ‥‥電子放出
材料、１１‥‥第１の電極（カソード電極）、１２‥‥
第２の電極（ゲート電極）、３１‥‥紫外線、１２１‥
‥第２の電極の下地電極層、１２４‥‥第２の電極とな
る電極層、３０‥‥ネガ型フォトレジスト層、４０‥‥
ポジ型フォトレジスト層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の面上に、第１の電極及び該第１の
   電極上の電子放出部を形成し、前記第１の電極及び前記
   電子放出部を含む領域上に絶縁層を形成し、前記絶縁層
   上に第２の電極となる電極層を形成する工程と、 前記電極層を含む全面上にネガ型のフォトレジスト層を
   形成し、前記電子放出部をマスクにして前記基板の背面
   より前記フォトレジスト層を露光し、現像して前記電子
   放出部に対応する部分の前記フォトレジスト層を選択的
   に除去する工程と、 前記残ったフォトレジスト層をマスクにして前記電極層
   及び前記絶縁層を選択エッチングして前記電子放出部が
   露出する開口を形成する工程とを有することを特徴とす
   る平面型表示装置の製造方法。
2. 【請求項２】 基板の面上に第１の電極、絶縁層及び第
   ２電極となる電極層を積層形成し、前記電極層及び絶縁
   層の所定の位置に前記第１の電極が露出する開口を形成
   する工程と、 前記開口内及び前記電極層上にポジ型のフォトレジスト
   層を形成し、前記電極層をマスクにして前記基板の背面
   より前記フォトレジスト層を露光し、現像して前記開口
   内のフォトレジスト層を除去する工程と、 前記開口内及びフォトレジスト層上を含んで電子放出材
   料を被着形成する工程と、 前記フォトレジスト層と共にその上の電子放出材料をリ
   フトオフして開口内の第１の電極上に電子放出部を形成
   する工程と前記電極層をパターニングして前記第１の電
   極と交叉し、該交叉部に前記開口を有する第２の電極を
   形成する工程とを有することを特徴とする平面型表示装
   置の製造方法。