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  1. 第１のアンテナ回路と、第２のアンテナ回路と、ブースターアンテナと、信号処理回路と、バッテリーと、を有し、
    前記第１のアンテナ回路は、前記信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を送受信するものであり、
    前記第２のアンテナ回路は、前記バッテリーを充電するための信号を受信するものであり、
    前記第１のアンテナ回路は、前記信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を、前記ブースターアンテナを介して送受信する、又は前記第２のアンテナ回路は、前記バッテリーを充電するための信号を、前記ブースターアンテナを介して受信することを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、前記第１のアンテナ回路が受信する信号の周波数をＭ（Ｍは正の数）、前記第２のアンテナ回路が受信する信号の周波数をｍ（ｍは正の数）としたとき、０．５ｍ＜Ｍ＜１．５ｍ、かつｍ≠Ｍの関係を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 第１のアンテナ回路と、第２のアンテナ回路と、ブースターアンテナと、信号処理回路と、バッテリーと、を有し、
    前記第１のアンテナ回路は、前記信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を、前記ブースターアンテナを介して送受信するものであり、
    前記第２のアンテナ回路は、前記バッテリーに充電するための信号を、前記ブースターアンテナを介して受信するものであることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項３において、前記第１のアンテナ回路が受信する信号の周波数をＭ（Ｍは正の数）、前記第２のアンテナ回路が受信する信号の周波数をｍ（ｍは正の数）としたとき、０．５ｍ＜Ｍ＜１．５ｍ、かつｍ≠Ｍの関係を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 第１のアンテナ回路と、第２のアンテナ回路と、ブースターアンテナと、信号処理回路と、バッテリーと、を有し、
    前記第１のアンテナ回路は、前記信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を送受信するものであり、
    前記第２のアンテナ回路は、前記バッテリーを充電するための信号を受信するものであり、
    前記第１のアンテナ回路は前記信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を、前記ブースターアンテナを介して送受信する、又は前記第２のアンテナ回路は前記バッテリーを充電するための信号を、前記ブースターアンテナを介して受信するものであり、
    前記ブースターアンテナは前記第１のアンテナ回路及び前記第２のアンテナ回路の上に設けられ、
    前記バッテリーは、前記ブースターアンテナと、前記第１のアンテナ回路及び前記第２のアンテナ回路との間に設けられることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項５において、前記第１のアンテナ回路が受信する信号の周波数をＭ（Ｍは正の数）、前記第２のアンテナ回路が受信する信号の周波数をｍ（ｍは正の数）としたとき、０．５ｍ＜Ｍ＜１．５ｍ、かつｍ≠Ｍの関係を有することを特徴とする半導体装置。
  7. 第１のアンテナ回路と、第２のアンテナ回路と、ブースターアンテナと、信号処理回路と、バッテリーと、を有し、
    前記第１のアンテナ回路は、前記信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を、前記ブースターアンテナを介して送受信するものであり、
    前記第２のアンテナ回路は、前記バッテリーに充電するための信号を、前記ブースターアンテナを介して受信するものであり、
    前記ブースターアンテナは前記第１のアンテナ回路及び前記第２のアンテナ回路の上に設けられ、
    前記バッテリーは、前記ブースターアンテナと、前記第１のアンテナ回路及び前記第２のアンテナ回路との間に設けられることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項７において、前記第１のアンテナ回路が受信する信号の周波数をＭ（Ｍは正の数）、前記第２のアンテナ回路が受信する信号の周波数をｍ（ｍは正の数）としたとき、０．５ｍ＜Ｍ＜１．５ｍ、かつｍ≠Ｍの関係を有することを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
    前記第１のアンテナ回路は、リーダ／ライタとの間で、前記信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を送受信するものであり、
    前記第２のアンテナ回路は、前記バッテリーに充電するための信号を、アンテナ回路を有する充電器より、受信するものであることを特徴とする半導体装置。
  10. 請求項１乃至９のいずれか一において、前記バッテリーは、前記信号処理回路が有する電源回路に電力を供給するものであることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第１のアンテナ回路及び前記第２のアンテナ回路は、電磁誘導方式により無線信号を送受信することを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バッテリーはリチウム電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、またはキャパシタであることを特徴とする半導体装置。
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