JP5702675B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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Description

開示される発明の一態様は、無線通信機能を有する半導体装置（ＩＤタグともいう）に関する。
近年、ＩＤタグ（ＲＦＩＤタグ、ＩＣタグ、電子タグ、無線タグともいう）とリーダ／ライタ（又はリーダ）との間でデータの交信を行うＲＦＩＤシステムが普及している。このＲＦＩＤシステムは、ＩＤタグ及びリーダ／ライタの各々に備えたアンテナを用いてデータの交信を行うため、ＩＤタグをリーダ／ライタから数ｃｍ乃至数ｍ離しても通信可能であり、また、汚れや静電気等に強いという長所から、工場の生産管理、物流の管理、入退室管理等の様々な分野に利用されるようになってきている。
このＲＦＩＤシステムでデータの通信を行う場合、ＩＤタグ及びリーダ／ライタの双方のアンテナの共振周波数を、送信するキャリア周波数にある程度の精度で合わせ込む必要がある。ここで、アンテナの共振周波数ｆは、アンテナコイルのインダクタンスＬとコンデンサの容量Ｃとを用いて式（１）のように表される。
ｆ＝１／２π√（ＬＣ） （式１）
式（１）より、アンテナコイルのインダクタンスＬ又はコンデンサの容量Ｃのいずれかを増減させることにより共振周波数ｆを所望の値に調整することができる（特許文献１参照）。
逆に、共振周波数ｆが予め定まっている場合、アンテナコイルのインダクタンスＬ及びコンデンサの容量Ｃの積を一定の値にする必要がある。
インダクタンスＬは、コイルの巻数ＮＬの２乗と断面積ＳＬに比例し，コイルの軸方向の長さｄＬに反比例する。すなわちインダクタンスＬは、コイルの巻数ＮＬに大きく依存すると言える。しかしながら、ＩＤタグの面積が決まると、アンテナコイルが占める面積も決まってしまう。つまりアンテナコイルが占める面積が決まってしまうと、コイルの巻数ＮＬも必然的に決まってしまう。そのためコイルの巻数ＮＬにより、共振周波数ｆを所望の値に調整することは難しい。
一方コンデンサの容量Ｃは、電極の面積ＳＣに比例し、電極間の距離ｄＣに反比例する。
ＩＤタグのコンデンサとして、例えば、誘電体の表裏両面に２枚の平行平板導電体材料からなる電極を形成した平行平板コンデンサが挙げられる（特許文献２参照）
特開２００７−３０６６０１号公報 特開２００２−４２０８３号公報
コンデンサの電極に用いられる導電材料は、リーダ／ライタから送信される信号を含む電磁波を遮断する原因となる。そのため、コンデンサの電極の面積が大きいと、当該電磁波が遮断され、半導体装置の応答感度や応答範囲が抑制される原因となる。よってコンデンサの電極の面積は可能な限り縮小する必要がある。
上述のようにコンデンサの容量Ｃは、電極の面積ＳＣに比例し、電極間の距離ｄＣに反比例する。つまり所望の共振周波数ｆを有する半導体装置を形成する場合、コンデンサの電極の面積ＳＣを縮小させるには、電極間の距離ｄＣも短縮させなくてはならない。
以上を鑑み、開示される発明の一様態は、コンデンサの電極間距離を可能な限り短縮することを課題の一とする。
開示される発明の一様態は、コンデンサの電極の面積を可能限り縮小することを課題の一とする。
開示される発明の一様態は、半導体装置の応答感度や応答範囲が抑制されるのを防ぐことを課題の一とする。
開示される発明の一様態では、コンデンサの誘電体の厚さを薄くする。これによりコンデンサの電極間距離を短縮させることが可能である。
開示される発明の一様態は、基材の第１の領域に設けられたアンテナコイルと、当該基材の第２の領域を誘電体とし、当該基材の第２の領域の両面に設けられた電極を有するコンデンサとを有するアンテナにおいて、当該基材の第２の領域の厚さは、当該基材の第１の領域の厚さより薄いことを特徴とする。
開示される発明の一様態は、基材の第１の領域に設けられた第１のアンテナコイルと、当該基材の第２の領域を誘電体とし、当該基材の第２の領域の両面に設けられた電極を有するコンデンサと、半導体集積回路と第２のアンテナコイルを有するチップとを有する半導体装置において、当該基材の第２の領域の厚さは、当該基材の第１の領域の厚さより薄いことを特徴とする。
開示される発明の一様態は、アンテナコイルとコンデンサを有するアンテナの作製方法において、突起部を有するローラを、第１の厚さの基材に押しつけながら回転させ、当該突起部を当該基材の第１の面に押しつけることにより、当該基材に、当該第１の厚さより薄い第２の厚さを有する当該コンデンサの誘電体を形成する。当該基材に開口部を形成し、当該第２の厚さを有する領域の第１の面上、当該開口部の内部、及び当該基材の第１の面上に、第１の導電性材料を形成する。当該基材の第１の面と反対側の第２の面上に、第２の導電性材料を形成し、当該第１の導電材料及び第２の導電性材料を加熱することにより、当該アンテナコイル及び当該コンデンサの電極を形成することを特徴とする。
開示される発明の一様態において、当該基材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリイミドのいずれか一のフィルムであることを特徴とする。
開示される発明の一様態において、当該第１の導電性材料及び第２の導電性材料のそれぞれは、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びチタン（Ｔｉ）の少なくとも一つを含むことを特徴とする。
開示される発明の一様態では、コンデンサの誘電体の厚さを薄くすることにより、コンデンサの電極間距離を短縮することができる。コンデンサの電極間距離を短縮することにより、コンデンサの電極の面積を縮小させることができる。コンデンサの電極の面積を縮小することができるので、半導体装置の応答感度や応答範囲が抑制されるのを防ぐことができる。
半導体装置の上面図及び断面図。 半導体装置の作製工程を示す断面図。 半導体装置の作製工程を示す断面図。 半導体装置の作製工程を示す断面図。 半導体装置の上面図及びブロック図。 半導体装置の上面図。
以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態を、図１（Ａ）〜図１（Ｂ）、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）、図６を用いて説明する。
図１（Ａ）は半導体装置１００の上面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’の断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す半導体装置１００は、第１の厚さを有する基材１０１、アンテナコイル１０２、及びコンデンサ１０３を含むアンテナ、並びに半導体集積回路チップ１１７を有する。コンデンサ１０３は、誘電体として基材１０１の一部の領域１１３を有し、当該領域１１３の両面には、コンデンサ１０３の電極１１１及び電極１１２が設けられている。アンテナコイル１０２は基材１０１上に設けられ、コンデンサ１０３と電気的に接続されている。半導体集積回路チップ１１７は、半導体基板を用いて形成された回路又は半導体薄膜を用いて形成された回路である。
なお図１（Ｂ）において、アンテナコイル１０２、コンデンサ１０３の電極１１１及び電極１１２は、連続した一つの導電層である。しかしながら、当該導電層のうち、誘電体（基材１０１の一部の領域１１３）の両面に設けられた領域は、コンデンサ１０３の電極（電極１１１及び電極１１２）として機能する。また当該導電層のうち、誘電体と重畳しない領域に設けられた領域は、アンテナコイル１０２として機能する。
コンデンサ１０３の誘電体、すなわち基材１０１の領域１１３の厚さである第２の厚さは、基材１０１のアンテナコイル１０２が形成されている領域の厚さである第１の厚さよりも薄い。コンデンサ１０３の誘電体の厚さを薄くすることにより、コンデンサ１０３の電極１１１及び電極１１２の間の距離を短縮することができる。コンデンサ１０３の電極１１１及び電極１１２の間の距離を短縮することにより、コンデンサ１０３の電極１１１及び電極１１２の面積を縮小させることができる。コンデンサ１０３の電極１１１及び電極１１２それぞれの面積を縮小することができるので、半導体装置１００の応答感度や応答範囲が抑制されるのを防ぐことができる。
基材１０１は、例えばポリエチレンナフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリエーテルサルフォン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）等の可撓性を有するフィルムを用いることができる。
また基材１０１のアンテナコイル１０２が形成されている領域の厚さである第１の厚さは、１μｍ以上３００μｍ以下、さらには１μｍ以上５０μｍ以下が好ましい。このような厚さの基材１０１を用いることで、薄型で湾曲することが可能な半導体装置１００を作製することができる。
基材１０１の領域１１３（コンデンサ１０３の誘電体）の厚さである第２の厚さ、すなわち、コンデンサ１０３の電極１１１と電極１１２の間の距離ｄＣは、アンテナの共振周波数ｆ及びコイルの巻数ＮＬに基づいて決定すればよい。
本実施の形態では、基材１０１として、２５μｍの厚さを有するポリエチレンナフタレートフィルムを用いる。
アンテナコイル１０２、並びにコンデンサ１０３の電極１１１及び電極１１２は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びチタン（Ｔｉ）の少なくとも一つの金属元素を含む導電材料を用いればよい。
なお図１（Ａ）において、半導体集積回路チップ１１７は、アンテナコイル１０２と重畳しないように配置されているが、図６に示すように、半導体集積回路チップ１１７をアンテナコイル１０２と重畳するように配置してもよい。
本実施の形態の半導体装置１００の作製方法について以下に述べる。
まず第１の厚さを有する基材１０１を用意する（図２（Ａ）参照）。
次いで、突起部１０８を有するローラ１０７を、基材１０１に押しつけながら回転させ、突起部１０８を基材１０１の第１の面に押しつける。これにより基材１０１に凹部１０６を形成する（図２（Ｂ）参照）。凹部１０６が形成された領域１１３は、基材１０１の厚さが薄くなる。当該基材１０１の厚さが薄くなった領域１１３が、コンデンサ１０３の誘電体となる。また当該基材の厚さが薄くなった領域の厚さが上述の第２の厚さである。なお凹部１０６の形成方法は、突起部１０８を有するローラ１０７を用いずに、レーザビームを照射して行ってもよい。
次いで、基材１０１に開口部１０９を形成する（図２（Ｃ）参照）。開口部１０９は、基材１０１が吸収する波長を有するレーザビームを照射することにより形成する。代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザビームを適宜選択して照射する。
上記のレーザビームを発振することが可能なレーザ発振器としては、ＫｒＦ発振器、ＡｒＦ発振器、ＸｅＣｌ発振器等のエキシマレーザ発振器が挙げられる。また当該レーザ発振器としては、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体を用いた気体レーザ発振器が挙げられる。また当該レーザ発振器としては、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶を用いた固体レーザ発振器、ガラスやルビー等の固体レーザ発振器が挙げられる。固体レーザ発振器においては基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。或いは当該レーザ発振器として、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。
本実施の形態では、基材１０１に波長２６６ｎｍのＵＶレーザビームを照射することにより、形状が直径５０μｍの円である開口部１０９を形成する。開口部１０９は、凹部１０６が形成された基材１０１の第１の面、及び第１の面と反対側の第２の面に対して開口している。開口部１０９の形状は円で無くてもよく、例えば、三角形や四角形でもよい。また開口部の断面の幅も適宜決めることができる。また開口部１０９の数は１個でも２個以上でもよい。このような開口部１０９の形状や個数は、基材１０１の両面に形成される導電性材料が、当該開口部を介して良好な電気的接続が行われるように適宜決定すればよい。
金型形成によるプレス打ち抜き加工やカッターナイフ等を用いて、開口部１０９を形成してもよい。
基材１０１の第２の面に、基材１１５及び接着剤１１４を有する支持基材１１６を、機械的手段或いは人的手段で貼り付ける（図３（Ａ）参照）。
次いで、凹部１０６の内部、開口部１０９の内部、及び基材１０１の第１の面上に、導電性材料１０４を形成する（図３（Ｂ）参照）。なお図３（Ｂ）では凹部１０６の内部が導電性材料１０４で充填されているが、図３（Ｃ）に示すように、凹部１０６の内部が導電性材料１０４で充填されていなくてもよい。
導電性材料１０４として、導電性粒子と有機樹脂を有する材料を用いる。具体的には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性ペーストを用いる。導電性粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）及びチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子、ハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダ、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電層の形成にあたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。
導電性材料１０４は、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、インクジェット法、ロータリースクリーン法などを用いて形成することができる。
本実ｓ施の形態では、導電性材料１０４として、銀ペーストをスクリーン印刷法にて形成する。
導電性材料１０４を形成後、第１の加熱工程を行う。当該第１の加熱工程は、導電性材料１０４に含まれる有機樹脂の硬化を行うために行われる。本実施の形態では、第１の加熱工程として、９０℃で１０分間加熱を行った。なお当該第１の加熱工程は、後の工程で、基材１０１の第２の面上に導電性材料１１０を形成するため、導電性材料１０４が剥がれるのを防ぐために行われる。そのため、導電性材料１０４が剥がれる恐れがなければ、当該第１の加熱工程を行わなくてもよい。
次いで、基材１１５及び接着剤１１４を有する支持基材１１６を、基材１０１の第２の面から分離する（図４（Ａ）参照）。
支持基材１１６を分離後、基材１０１の第２の面の上に導電性材料１１０を形成する（図４（Ｂ）参照）。導電性材料１１０は、導電性材料１０４と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。ただし、導電性材料１１０は、開口部１０９に形成された導電性材料１０４と接するように形成する。なお、導電性材料１１０の形成は、導電性材料１０４の形成に用いた方法を用いることができる。
次いで第２の加熱工程を行うことにより、導電性材料１０４及び導電性材料１１０に含まれる有機樹脂を除去し、導電性材料１０４及び導電性材料１１０を低抵抗化する。以上により、導電性材料１０４及び導電性材料１１０から、アンテナコイル１０２、並びにコンデンサ１０３の電極１１１及び電極１１２を形成する。
なお図４（Ｃ）において、開口部１０９中の導電性材料１０４、及び基材１０１の第２の面上に形成された導電性材料１１０が連続しているように描かれている。導電性材料１０４及び導電性材料１１０として同じ材料が用いられる場合は、導電性材料１０４及び導電性材料１１０は連続する。導電性材料１０４及び導電性材料１１０として異なる材料を用いる場合は、必ずしも連続しない。開口部１０９中の導電性材料１０４、及び基材１０１の第２の面上に形成された導電性材料１１０は、アンテナコイル１０２及び電極１１２として機能すればよく、導電性材料１０４及び導電性材料１１０が電気的に接続されていれば、連続していても、連続していなくてもよい。
以上から、基材１０１に設けられたアンテナコイル１０２及びコンデンサ１０３が形成される（図４（Ｃ）参照）。なお図４（Ｃ）と図１（Ｂ）は同じ図面である。
図１（Ａ）に示すように、半導体装置１００は、アンテナ（オンチップアンテナとも記す）が設けられた半導体集積回路チップ１１７と、アンテナコイル１０２（ブースタアンテナとも記す）、及びコンデンサ１０３が設けられた基材１０１とを有している。
半導体集積回路チップ１１７内に設けられる半導体集積回路には、メモリ部やロジック部を構成する複数のトランジスタ等の素子が設けられる。メモリ部やロジック部を構成するトランジスタとして、電界効果型トランジスタが挙げられる。また当該電界効果型トランジスタを用いて、メモリ部の記憶素子を形成してもよい。
図５（Ａ）に、図１（Ａ）に示した半導体集積回路チップ１１７に含まれるアンテナコイル１２４（オンチップアンテナ）と半導体集積回路１２３の拡大図を示す。
図５（Ａ）において、アンテナコイル１２４は巻き数が１である矩形のループアンテナであるが、この構成に限定されない。ループアンテナの形状は矩形を有することに限定されず、輪郭に曲線を有する形状、例えば円形を有していても良い。そして巻き数は１に限定されず、複数であっても良い。ただしアンテナコイル１２４の巻き数が１の場合、半導体集積回路１２３とアンテナコイル１２４の間に生じる寄生容量を低減することができる。
また図５（Ａ）において、アンテナコイル１２４は、半導体集積回路１２３の周囲を取り囲むように配置されており、破線で示す給電点１２８に相当する部分以外は、アンテナコイル１２４は半導体集積回路１２３とは異なる領域に配置されている。
また図５（Ａ）に示す構成に限定されず、図５（Ｂ）に示すように、破線で示す給電点１２８に相当する部分以外において、アンテナコイル１２４が半導体集積回路１２３と少なくとも一部重なるように配置されていても良い。
ただし、図５（Ａ）に示すように、アンテナコイル１２４が半導体集積回路１２３とは異なる領域に配置されていることで、半導体集積回路１２３とアンテナコイル１２４の間に生じる寄生容量を低減することができる。
次に、本実施の形態に係る半導体装置１００の動作について説明する。図５（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示すブロック図の一例である。
図５（Ｃ）に示す半導体装置１００は、ブースタアンテナとしてアンテナコイル１０２、半導体集積回路１２３、及び半導体集積回路チップ１１７を有している。半導体集積回路チップ１１７は、オンチップアンテナとしてアンテナコイル１２４を有している。
リーダ／ライタ１２１から電磁波が送信されると、アンテナコイル１０２が該電磁波を受信することで、アンテナコイル１０２内に交流の電流が生じ、アンテナコイル１０２の周囲に磁界が発生する。そして、アンテナコイル１０２が有するループ状の部分と、ループ状の形状を有するアンテナコイル１２４とが電磁結合することで、アンテナコイル１２４に誘導起電力が生じる。
半導体集積回路１２３は上記誘導起電力を用いることで、信号又は電力をリーダ／ライタ１２１から受け取る。半導体集積回路１２３において生成された信号に従って、アンテナコイル１２４に電流を流してアンテナコイル１０２に誘導起電力を生じさせることで、リーダ／ライタ１２１から送られてくる電波の反射波にのせて、リーダ／ライタ１２１に信号を送信することができる。
なお、アンテナコイル１０２は、主にアンテナコイル１２４との間において電磁結合するループ状の部分と、主にリーダ／ライタ１２１からの電波を受信する部分とに分けられる。リーダ／ライタ１２１からの電波を主に受信する部分における、アンテナコイル１０２の形状は、電波を受信できる形であればよい。
本実施の形態に係る半導体装置では、オンチップアンテナを用いており、なおかつ、ブースタアンテナとオンチップアンテナの間における信号又は電力の授受を非接触で行うことができるので、外付けのアンテナを半導体集積回路に接続する場合とは異なり、外力によって半導体集積回路とアンテナとの接続が分断されにくく、該接続における初期不良の発生も抑えることができる。また本実施の形態ではブースタアンテナを用いているので、オンチップアンテナのみの場合とは異なり、オンチップアンテナの寸法又は形状が半導体集積回路の面積の制約を受けにくく、受信可能な電波の周波数帯が限定されず、通信距離を伸ばすことができる、という外付けのアンテナが有するメリットを享受することができる。
なお本実施の形態では、アンテナコイル１０２をブースタアンテナとして用いる例について説明したが、アンテナコイル１０２をオンチップアンテナとしても用いてもよい。アンテナコイル１０２をオンチップアンテナとして用いる場合は、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すアンテナコイル１２４に接続してコンデンサを設ける。当該コンデンサの誘電体となる領域の基材の厚さを、上述の突起部１０８を有するローラ１０７、或いはレーザビームを用いて薄くなるように形成すればよい。
半導体集積回路は、直接可撓性基板に形成することもできる。また、作製基板（例えばガラス基板）より半導体集積回路を他の基板（例えばプラスチック基板）へ転置してもよい。
本実施の形態では、コンデンサの誘電体の厚さを薄くすることにより、コンデンサの電極間距離を短縮することができる。コンデンサの電極間距離を短縮することにより、コンデンサの電極の面積を縮小させることができる。コンデンサの電極の面積を縮小することができるので、半導体装置の応答感度や応答範囲が抑制されるのを防ぐことができる。
１００ 半導体装置
１０１ 基材
１０２ アンテナコイル
１０３ コンデンサ
１０６ 凹部
１０７ ローラ
１０８ 突起部
１０９ 開口部
１１１ 電極
１１２ 電極
１１３ 領域
１１４ 接着剤
１１５ 基材
１１６ 支持基材
１１７ 半導体集積回路チップ
１２１ リーダ／ライタ
１２３ 半導体集積回路
１２４ アンテナコイル
１２８ 給電点

Claims (4)

  1. アンテナコイルとコンデンサを有する半導体装置の作製方法において、
    突起部を有するローラを、第１の厚さの基材に押しつけながら回転させ、
    前記突起部を前記基材の第１の面に押しつけることにより、前記基材に、前記第１の厚さより薄い第２の厚さを有する前記コンデンサの誘電体を形成し、
    前記基材に開口部を形成し、
    前記基材の第１の面とは反対側の第２の面に支持基材を貼り付け、
    前記第２の厚さを有する領域の第１の面上、前記開口部の内部、及び前記基材の第１の面上に、第１の導電性材料を形成し、
    前記支持基材を前記基材の第２の面から分離し、
    前記基材の第２の面上に、第２の導電性材料を形成し、
    前記第１の導電材料及び前記第２の導電性材料を加熱することにより、前記アンテナコイル及び前記コンデンサの電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記第２の導電性材料は、前記第１の導電性材料と同じ材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 請求項１又は２において、
    前記第１の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
    前記突起部は、上面が平坦な形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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