JP2008009801A - Ｒｆｉｄインレットの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＵＨＦを使ってデータ交換をするＲＦＩＤインレットの製造コストを低減する。
【解決手段】ＲＦＩＤインレット１は、アンテナ２の一部に蛇行パターンを形成することにより、広い周波数帯域（８６０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）で良好な通信特性を得ることが可能となる。アンテナ２に蛇行パターンを形成するには、Ａｌ箔１２の切断線Ｃに沿って複数のスリット１０を所定間隔で配置すると共に、これらのスリット１０を切断線Ｃを跨ぐように配置する。これにより、Ａｌ箔１２を切断線Ｃに沿ってプレス金型で打ち抜いたときに、切断線Ｃの両側に形成されるアンテナ２に蛇行状のパターンが同時に形成される。
【選択図】図１３

Description

本発明は、ＲＦＩＤ(Radio Frequency Identification)インレットの製造技術に関し、特に、ＵＨＦ（極超短波）帯の電波を使用してデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤインレットの製造に適用して有効な技術に関するものである。

ＲＦＩＤとは、半導体チップを実装したアンテナを主体として構成されるインレットを何らかの外装に組み込んだＲＦＩＤタグを物品に取り付けておき、このＲＦＩＤタグとリーダライタ（データの読み書きのための装置）との間でデータ交換を行うことにより物品の自動認識を行う技術である。

上記ＲＦＩＤは、半導体チップ内のメモリ回路にデータを記憶させるため、バーコードを利用したタグなどに比べて大容量のデータを記憶できる利点がある。また、メモリ回路に記憶させたデータは、バーコードに記憶させたデータに比べて不正な改竄が困難であるという利点もある。他方、ＲＦＩＤタグは、バーコードを利用したタグなどに比べてインレットの構造が複雑であることから、その製造コストが高く、これがＲＦＩＤの普及を妨げる一因となっている。

特許文献１（特開２００５−１６５８７９号公報）は、無線タグテープ構造の一例を開示している。この無線タグテープは、所定間隔で連続して配設されたＩＣ回路部と、このＩＣ回路部に接続された第１アンテナ基部と、隣接して配置されたＩＣ回路部の第１アンテナ基部を相互に電気的に接続第２アンテナ基部とを有している。無線タグテープに配設された無線タグ回路のアンテナ部は、切断前においては、隣接して配置された無線タグ回路のアンテナ部と電気的に接続されている。第１アンテナ基部は、ＩＣ回路部に接続された線状エレメントからなる。また、第２アンテナ基部は、無線タグテープの幅方向における端部に連続して形成された線状電極である。第１アンテナ基部である一対の線状エレメントのうち、少なくとも一方は、ＩＣ回路部に接続されていない側の端部において、第２アンテナ基部である線状電極に電気的に接続されている。
特開２００５−１６５８７９号公報

従来のＲＦＩＤは、２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用するものや、１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用する電磁誘導方式のものが一般的であった。しかし、これらのＲＦＩＤは、ＲＦタグとリーダライタとの通信距離が短いため、適用分野が限られていた。

最近、比較的長距離（約３メートル〜８メートル）の通信が可能で、しかも多くのタグを一度に読み取ることができるＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤが認可されたことから、物流管理などの用途に向けた需要増大が期待されている。

しかし、ＲＦＩＤを普及させるためには、製造コスト低減が重要な課題となる。特に、ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤインレットは、２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波や１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用するＲＦＩＤインレットに比べてアンテナの寸法が大きいことから、その分、材料費が高くなってしまう。

また、ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤは、各国の利用可能な周波数帯域の中から特定の周波数が各国で割り当てており、例えば日本では９５０ＭＨｚ、欧州では８６０ＭＨｚ、米国では９１５ＭＨｚの周波数をそれぞれ割り当てている。

このように、ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤは、国毎に異なる周波数の電波を使用するので、例えばＡ国でＲＦＩＤタグを取り付けた物品をＢ国に輸出した場合、Ａ国で使用する電波の周波数とＢ国で使用する電波の周波数の差が大きいと、Ｂ国では通信距離が大幅に短くなったり、データの読み取りが困難になったりする。従って、ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤでは、広い周波数帯域で効率よくデータ交換を行うことのできるインレットの開発が重要な課題となる。

本発明の目的は、ＲＦＩＤインレットの製造コストを低減する技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、広い周波数帯域で効率よくデータ交換を行うことのできるＵＨＦ用ＲＦＩＤインレットの製造コストを低減する技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本願の一発明によるＲＦＩＤインレットの製造方法は、以下の工程を有している。
（ａ）所定の間隔で一方向に配列された複数の切断線によって区画される複数のアンテナ形成領域を備えた導体箔を用意する工程と、
（ｂ）前記導体箔のそれぞれの前記アンテナ形成領域に半導体チップを実装する工程と、
（ｃ）前記導体箔のそれぞれの前記アンテナ形成領域に実装された前記半導体チップを樹脂封止する工程と、
（ｄ）前記導体箔をプレス金型で打ち抜くことによって、それぞれが前記切断線を跨ぐ領域に配置され、かつ所定の間隔で前記切断線の延在方向に配列される複数の第１スリットを形成する工程と、
（ｅ）前記工程（ｂ）、前記工程（ｃ）および前記工程（ｄ）が完了した後、前記複数の切断線に沿って前記導体箔を切断し、前記複数の第１スリットのそれぞれを前記複数の切断線のそれぞれの両側の前記アンテナ形成領域に分離することによって、前記導体箔の切断によって得られた複数のアンテナのそれぞれに同時に蛇行パターンを形成する工程。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

ＲＦＩＤインレットのアンテナを構成する導体箔をプレス金型で打ち抜いてアンテナの一部に蛇行パターンを形成する工程が簡略化できるので、ＲＦＩＤインレットの製造コストを低減することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

図１は、本実施の形態のＲＦＩＤインレットを示す全体平面図、図２は、図１の一部（チップ実装領域およびその近傍の整合回路部）を拡大して示す平面図である。

本実施の形態のＲＦＩＤインレット１は、８６０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ帯のＵＨＦ（極超短波）を使ってデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤに適用されるものであり、厚さが５０μｍ程度のＡｌ（アルミニウム）箔からなるアンテナ２と、このアンテナ２の中心部に実装された半導体チップ３とによって構成されている。アンテナ２の外形は長方形であり、寸法は、長手方向が９０ｍｍ、幅方向が２０ｍｍである。本実施の形態のＲＦＩＤインレット１の外観上の特徴は、広い帯域のＵＨＦ（９５２ＭＨｚ〜９５４ＭＨｚ）を効率よく受信できるようにするために、アンテナ２の長手方向の両側の形状を蛇行状にしたことにある。

また、本実施の形態のＲＦＩＤインレット１は、アンテナ２と、このアンテナ２に実装された半導体チップ３のみによって構成されており、アンテナ２を支持する樹脂フィルムなどの媒体を使用していないので、部品点数が極めて少ない。しかも、アンテナ２の材料として、Ｃｕ（銅）やＡｕ（金）のような金属箔よりも原価が安いＡｌ箔を使用しているので、材料原価が極めて低廉であるという特徴がある。

一般に、ＲＦＩＤは、ＲＦタグとリーダライタとで構成され、ＲＦタグは、ＲＦＩＤインレットとこれを物品に取り付ける媒体（ラベル、カードなど）とで構成される。ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤは、２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用するＲＦＩＤや、１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用する電磁誘導方式のＲＦＩＤなどに比べて長距離の通信が可能であり、しかも多くのＲＦタグを同時に読み取ることができるという利点があるので、特に物流管理などの用途に好適なＲＦＩＤである。

ＵＨＦ帯の電波を使用するＲＦＩＤは、国別に利用可能な周波数帯域が割り当てられており、例えば日本には９５０ＭＨｚ、欧州には８６０ＭＨｚ、米国には９１５ＭＨｚの周波数がそれぞれ割り当てられている。そのため、例えばＡ国でＲＦＩＤタグを取り付けた物品をＢ国に輸出した場合、Ａ国で使用している電波の周波数とＢ国で使用している電波の周波数の差が大きいと、Ｂ国では通信距離が大幅に短くなったり、データの読み取りが困難になったりする。

しかし、本実施の形態のＲＦＩＤインレット１は、アンテナ２の一部に図１に示すような蛇行パターンを形成しているので、ＲＦＩＤが利用できる周波数帯域（８６０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）の全域において良好な通信特性を得ることが可能である。これにより、例えばある物品にそのデータを書き込んだＲＦＩＤインレット１を取り付けて日本から欧州に輸出した場合でも、欧州に割り当てられた周波数（８６０ＭＨｚ）での使用を前提に作製されたリーダライタを使用してこの物品に関するデータを読み取ることが可能となる。また、例えば米国でＲＦＩＤインレット１を取り付けた物品が日本に輸入された場合でも、日本に割り当てられた周波数（９５０ＭＨｚ）での使用を前提に作製されたリーダライタを使用してこの物品に関するデータを読み取ることが可能となる。このように、本実施の形態のＲＦＩＤインレット１は、特定の国の国内で流通する物品だけでなく、各国の間で輸出入される物品にも広く適用することができる。

図３は、アンテナ２の中央部に実装された半導体チップ３を拡大して示す平面図、図４は、図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

半導体チップ３は単結晶シリコンからなり、その平面寸法は、一辺が１．１ｍｍ程度の正方形である。図示は省略するが、半導体チップ３の主面には集積回路が形成されている。この集積回路は、ＥＥＰＲＯＭ(Electrically Erasable Programmable ROM)などのメモリ回路、このメモリ回路を制御する制御回路、および送受信回路などからなる。メモリ回路には、ＲＦＩＤインレット１が取り付けられる物品に関する各種データが書き込まれるようになっている。また、メモリ回路に書き込まれたデータを必要に応じて消去し、新たなデータを再書き込みすることもできる。

アンテナ２に実装された半導体チップ３の主面は、ポッティング樹脂４によって封止されている。ポッティング樹脂４は、半導体チップ３の主面に形成された集積回路や、半導体チップ３とアンテナ２との接続部などを保護するための絶縁層である。また、半導体チップ３の主面には、上記集積回路に電気的に接続された２個のＡｕバンプ６ａ、６ｂが形成されている。これらのＡｕバンプ６ａ、６ｂは、半導体チップ３の一辺の近傍に配置され、かつこの一辺に沿って並んで配置されている。Ａｕバンプ６ａ、６ｂは、半導体チップ３の外部端子であり、その一方（Ａｕバンプ６ａ）は電源端子を構成し、他方（Ａｕバンプ６ｂ）はＧＮＤ端子を構成している。Ａｕバンプ６ａ、６ｂは、例えば周知の電解メッキ法を用いて形成されたもので、その高さは、例えば１５μｍ程度である。

上記Ａｕバンプ６ａ、６ｂが配置された一辺に対向する辺の近傍には、半導体チップ３内の集積回路とは電気的に接続されていないダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂが配置されている。ダミーのＡｕバンプ７ａとダミーのＡｕバンプ７ｂとは、上記対向する辺に沿って並んで配置されている。ダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂの径および高さは、前記Ａｕバンプ６ａ、６ｂの径および高さと同じである。

後述するように、アンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂは、超音波圧着法によって電気的に接続されるが、その際、ダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂも同時にアンテナ２に接続される。Ａｕバンプ６ａ、６ｂは、半導体チップ３の一辺に沿って並んで配置されているので、アンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂとを電気的に接続する際、半導体チップ３がアンテナ２に対して傾いた状態で接続され易く、これがアンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂとの接続信頼性を低下させる原因となる。そこで、Ａｕバンプ６ａ、６ｂが配置された一辺に対向する辺の近傍にダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂを設け、Ａｕバンプ６ａ、６ｂとダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂとを同時にアンテナ２に接続する。これにより、半導体チップ３の傾きが防止されるので、アンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂとの接続信頼性が向上する。このように、ダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂは、アンテナ２とＡｕバンプ６ａ、６ｂとを確実に接続させるために設けられる。

半導体チップ３は、その主面を下に向けた状態でアンテナ２に接続されるので、図３に示すＡｕバンプ６ａ、６ｂやダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂは、半導体チップ３の裏面側に配置されている。図３に示すように、半導体チップ３の電源端子を構成するＡｕバンプ６ａとＧＮＤ端子を構成するＡｕバンプ６ｂとの間の領域のアンテナ２には、Ａｕバンプ６ａとＡｕバンプ６ｂとを分離するための細いスリット８が形成されている。後述するように、スリット８は、アンテナ２を構成するＡｌ箔の一部をプレス金型で打ち抜くことによって形成される。

また、半導体チップ３の近傍のアンテナ２には、「コ」字状のスリット９が形成されている。このスリット９が形成された領域は、主としてアンテナ２のインピーダンスを整合するための整合回路部として機能している。また、アンテナ２の長手方向の両側、すなわち蛇行パターンが形成された領域は、主としてＵＨＦを受信する受信部として機能している。後述するように、スリット９および蛇行パターンは、アンテナ２を構成するＡｌ箔の一部をプレス金型で打ち抜くことによって形成される。

上記のように構成されたＲＦＩＤインレット１のデータを読み出すには、まず、リーダライタのアンテナからＲＦＩＤインレット１に９５０ＭＨｚの電波を送信する。すると、この電波がＲＦＩＤインレット１のアンテナ２によって受信された後、高周波電流に変換され、整合回路を通してＩＣチップに入力される。ＩＣチップはこの交流信号を整流して直流電力を生成し、この電力によって半導体チップ３の集積回路が動作し、メモリ回路に書き込まれたデータが半導体チップ３からアンテナ２に出力される。次に、このデータがアンテナ２から電波に乗ってリーダライタに送信されると、リーダライタは、そのアンテナを通じてこの電波を受信し、メモリ回路に書き込まれたデータを読み取る。

なお、アンテナ２のインピーダンスは、整合回路部に設けられたスリット９の形状、あるいは受信部を構成する蛇行パターンの長さや幅などが変わることによって変動する。従って、スリット９および蛇行パターンの最適な形状や寸法は、図１〜図４に示した形状や寸法に限定されるものではなく、適宜、設計変更される。

次に、上記ＲＦＩＤインレット１の製造方法を説明する。ＲＦＩＤインレット１を製造するには、まず、図５に示すように、ロール状に巻かれた長尺のＡｌ箔１２を用意し、このＡｌ箔１２の一端をプレス金型１３のダイ１４上に位置決めする。ダイ１４の上方には、Ａｌ箔１２を打ち抜くためのパンチ１５が上下動可能に設置されている。Ａｌ箔１２はアンテナ２の材料となるものであり、その厚さは、アンテナ２の厚さ（２０μｍ程度）と同じである。また、Ａｌ箔１２は、その幅がアンテナ２の長手方向の寸法（９０ｍｍ）と同じになるように裁断されている。

次に、図６に示すように、プレス金型１３のダイ１４上に位置決めされたＡｌ箔１２をパンチ１５で打ち抜く。そして、Ａｌ箔１２をダイ１４上に送り出しながら、パンチ１５による打ち抜きを繰り返すことにより、図７に示すように、Ａｌ箔１２に所定の間隔で多数のスリット８を形成する。なお、図７中の破線Ｃは、最終工程において、Ａｌ箔１２を切断金型で切断する部位を示す切断線を示している。隣り合った２つの切断線Ｃの間隔は、１個のアンテナ２の幅方向の寸法（２０ｍｍ）と同じである。すなわち、隣り合った２つの切断線Ｃで区画された領域は、１個のアンテナ２が形成される領域を示している。これらの切断線Ｃは、Ａｌ箔１２が複数のアンテナ形成領域に区画されていることを示す仮想的な線であるが、Ａｌ箔１２の表面に、光学的な手段などによって検出可能な切断線Ｃを形成することも可能である。

特に限定はされないが、上記スリット８の形状は、長方形である。前記図３および図４に示したように、スリット８の幅は、外形寸法が１．１ｍｍ角程度の半導体チップ３よりも狭い。従って、このような微細な幅を有するスリット８の形成に用いるダイ１４およびパンチ１５は、後の打ち抜き工程で使用するダイおよびパンチに比べて打ち抜き精度の高いものが使用される。

次に、図８に示すように、上記スリット８が形成された領域のＡｌ箔１２上に半導体チップ３を実装する。Ａｌ箔１２上に半導体チップ３を実装するには、図９に示すように、ボンディングステージ１７上にＡｌ箔１２を位置決めし、続いて、Ａｌ箔１２上に半導体チップ３を位置決めする。このとき、半導体チップ３は、その主面に形成された２個のＡｕバンプ６ａ、６ｂ（および図９には示さない２個のダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂ）がスリット８を跨ぐように位置決めされる。次に、所定の温度に加熱された超音波接合ツール１８を半導体チップ３の上面に圧着し、熱と超音波振動とを利用してＡｕバンプ６ａ、６ｂ（およびダミーのＡｕバンプ７ａ、７ｂ）とＡｌ箔１２とをＡｕ−Ａｌ接合によって電気的に接続する。

次に、図１０に示すように、Ａｌ箔１２上に実装された半導体チップ３の主面をポッティング樹脂４で封止する。半導体チップ３の主面をポッティング樹脂４で封止するには、図１１に示すように、半導体チップ３の実装が完了したＡｌ箔１２をステージ１９上に位置決めし、続いて、樹脂塗布用ノズル２０などを用いて半導体チップ３の周囲にポッティング樹脂４を供給した後、加熱または紫外線照射などによってポッティング樹脂４を硬化させる。

次に、図１２に示すように、半導体チップ３の近傍のＡｌ箔１２に「コ」字状のスリット９を形成する。Ａｌ箔１２にスリット９を形成するには、例えば前記図５および図６に示したプレス金型１３にパンチおよびダイを取り付け、ダイ上に位置決めしたＡｌ箔１２をパンチで打ち抜く。このスリット９は、アンテナ２のインピーダンスを整合するために形成される。従って、スリット９の形状は「コ」字形に限定されるものではなく、適宜設計変更される。また、スリット９を形成しなくともアンテナ２のインピーダンスを最適化できる場合は、スリット９の形成工程を省くことができる。

次に、図１３に示すように、Ａｌ箔１２に長方形のスリット１０を多数形成する。これらのスリット１０は、アンテナ２の長手方向の両側の形状を蛇行状にするために形成される。これらのスリット１０は、切断線Ｃと直交する方向に延在し、切断線Ｃを跨ぐように配置される。また、これらのスリット１０は、その長手方向の中心が切断線Ｃと重なるように配置される。切断線Ｃのそれぞれにはこのようなスリット１０がその延在方向に沿って所定間隔で複数個配置される。

次に、図１４に示すように、切断金型２１を用い、Ａｌ箔１２を切断線Ｃに沿って切断することにより、アンテナ２を個片化する。このとき、切断線Ｃを跨ぐように形成されていたスリット１０のそれぞれは、切断線Ｃの両側のアンテナ２に２分割される。従って、切断線Ｃの両側のアンテナ２には、同時に蛇行パターンが形成される。なお、ここでは、切断金型２１を用いてＡｌ箔１２を切断したが、切断線Ｃに沿ってＡｌ箔１２を精度よく切断できる手段であれば、いかなる手段を用いてもよい。ここまでの工程により、蛇行パターンを有するアンテナ２と、このアンテナ２に実装された半導体チップ３とからなる本実施の形態のＲＦＩＤインレット１が完成する。

図１５に示すように、完成したＲＦＩＤインレット１は、出荷に先立って粘着テープ２２に貼り付けられる。多数のＲＦＩＤインレット１が貼り付けられた粘着テープ２２はロール状に巻き取られた後、図１６に示すように、出荷箱２３などに収容されて出荷される。

このように、本実施の形態では、複数のスリット１０をＡｌ箔１２の切断線Ｃに沿って所定間隔で配置すると共に、これらのスリット１０を切断線Ｃを跨ぐように配置する。これにより、Ａｌ箔１２を切断線Ｃに沿って切断したときに、この切断線Ｃの両側に形成されるアンテナ２には、蛇行状のパターンが同時に形成される。また、これら複数のスリット１０は、すべて同一の形状であるため、プレス金型でスリット１０を打ち抜き形成する際の金型（パンチおよびダイ）は一種類で済む。これらにより、プレス金型でスリット１０を打ち抜き形成する工程が簡略化されるので、アンテナ２に蛇行パターンを形成するＲＦＩＤインレット１の製造コストを低減することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

プレス金型を使ってＡｌ箔１２に３種類のスリット８、９、１０を形成する際の順序は任意でよい。ただし、半導体チップ３の搭載領域に形成するスリット８は、極めて微細であることから、高い加工精度が要求される。一方、Ａｌ箔１２に形成されるスリットの数が増えてＡｌ箔１２の面積が小さくなると、Ａｌ箔１２の搬送が困難となり、プレス金型のダイとＡｌ箔１２との合わせ精度が低下する。従って、高い加工精度が要求される微細なスリット８を最初に形成した後、他のスリット９、１０を形成することが望ましい。

前記実施の形態では、ＵＨＦを使ってデータを読み書きするＲＦＩＤインレットの製造方法に適用した場合について説明したが、例えば２．４５ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用するＲＦＩＤインレットや、１３．５６ＭＨｚ帯の短波を使用する電磁誘導方式のＲＦＩＤインレットなどの製造方法に適用することもできる。

本発明は、特にＵＨＦ帯の電波を使用してデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤインレットの製造に適用して有用なものである。

本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットを示す全体平面図ある。 図１の一部を拡大して示す平面図である。 図１に示すＲＦＩＤインレットのアンテナに実装された半導体チップの拡大平面図である。 図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すプレス金型の概略構成図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すプレス金型の概略構成図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すＡｌ箔の一部平面図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すＡｌ箔の一部平面図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すチップ実装領域の断面図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すＡｌ箔の一部平面図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すＡｌ箔の一部平面図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すＡｌ箔の一部平面図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すＡｌ箔の一部平面図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示すＡｌ箔の一部斜視図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示す粘着テープの一部斜視図である。 本発明の一実施の形態であるＲＦＩＤインレットの製造方法を示す出荷箱の斜視図である。

符号の説明

１ ＲＦＩＤインレット
２ アンテナ
３ 半導体チップ
４ ポッティング樹脂
６ａ、６ｂ Ａｕバンプ
７ａ、７ｂ ダミーのＡｕバンプ
８、９、１０ スリット
１２ Ａｌ箔
１３ プレス金型
１４ ダイ
１５ パンチ
１７ ボンディングステージ
１８ 超音波接合ツール
１９ ステージ
２０ 樹脂塗布用ノズル
２１ 切断金型
２２ 粘着テープ
２３ 出荷箱
Ｃ 切断線

Claims (9)

1. （ａ）所定の間隔で一方向に配列された複数の切断線によって区画される複数のアンテナ形成領域を備えた導体箔を用意する工程と、
   （ｂ）前記導体箔のそれぞれの前記アンテナ形成領域に半導体チップを実装する工程と、
   （ｃ）前記導体箔をプレス金型で打ち抜くことによって、それぞれが前記切断線を跨ぐ領域に配置され、かつ所定の間隔で前記切断線の延在方向に配列される複数の第１スリットを形成する工程と、
   （ｄ）前記工程（ｂ）および工程（ｃ）が完了した後、前記複数の切断線に沿って前記導体箔を切断することにより、それぞれが前記導体箔からなるアンテナと、前記アンテナに実装された前記半導体チップとによって構成される複数のＲＦＩＤインレットを得る工程と、
   を含むＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
   前記工程（ｄ）で前記導体箔を切断した際、前記複数の第１スリットのそれぞれが、互いに隣接する２つの前記アンテナ形成領域から得られた２個の前記アンテナに分離されることによって、２個の前記アンテナのそれぞれを構成する前記導体箔に蛇行パターンが同時に形成されることを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
2. 前記導体箔は、アルミニウム箔であることを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
3. 極超短波によってデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤに使用されることを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
4. 前記工程（ｄ）に先だって、前記導体箔をプレス金型で打ち抜くことによって、それぞれの前記アンテナ形成領域に、前記アンテナのインピーダンスを整合するための第２のスリットを形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
5. 前記工程（ｂ）に先だって、前記導体箔をプレス金型で打ち抜くことによって、前記導体箔の前記アンテナ形成領域に第３のスリットを形成し、
   前記工程（ｂ）で前記導体箔の前記アンテナ形成領域に前記半導体チップを実装する際、前記半導体チップに形成された回路の電源端子を構成する第１のバンプ電極と、前記回路のＧＮＤ端子を構成する第２のバンプ電極とを前記第３のスリットを挟んで対向する領域の前記導体箔に接続することを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
6. 導体箔からなるアンテナと、前記アンテナに実装された半導体チップとによって構成されるＲＦＩＤインレットの製造方法であって、
   （ａ）所定の間隔で一方向に配列された複数の切断線によって区画される複数のアンテナ形成領域を備えた導体箔を用意する工程と、
   （ｂ）前記導体箔のそれぞれの前記アンテナ形成領域に半導体チップを実装する工程と、
   （ｃ）前記導体箔のそれぞれの前記アンテナ形成領域に実装された前記半導体チップを樹脂封止する工程と、
   （ｄ）前記導体箔をプレス金型で打ち抜くことによって、それぞれが前記切断線を跨ぐ領域に配置され、かつ所定の間隔で前記切断線の延在方向に配列される複数の第１スリットを形成する工程と、
   （ｅ）前記工程（ｂ）、前記工程（ｃ）および前記工程（ｄ）が完了した後、前記複数の切断線に沿って前記導体箔を切断し、前記複数の第１スリットのそれぞれを前記複数の切断線のそれぞれの両側の前記アンテナ形成領域に分離することによって、前記導体箔の切断によって得られた複数のアンテナのそれぞれに同時に蛇行パターンを形成する工程と、
   を含むことを特徴とするＲＦＩＤインレットの製造方法。
7. 前記導体箔は、アルミニウム箔であることを特徴とする請求項６記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
8. 極超短波によってデータを非接触で読み書きするＲＦＩＤに使用されることを特徴とする請求項６記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。
9. 前記工程（ｂ）は、前記半導体チップの主面に形成した電極と前記導体箔とを超音波圧着法によって電気的に接続する工程を含むことを特徴とする請求項６記載のＲＦＩＤインレットの製造方法。

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