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KR1020070025713A KR20070094522A (ko) 2006-03-17 2007-03-15 플라즈마 처리 장치, 포커스링, 포커스링 부품 및 플라즈마처리 방법
CN2010101475014A CN101807509B (zh) 2006-03-17 2007-03-16 等离子体处理装置和聚焦环
TW096109199A TWI411034B (zh) 2006-03-17 2007-03-16 A plasma processing apparatus and a method and a focusing ring
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KR1020090008912A KR100959706B1 (ko) 2006-03-17 2009-02-04 플라즈마 처리 장치, 포커스링, 포커스링 부품 및 플라즈마처리 방법
US13/176,407 US20110272100A1 (en) 2006-03-17 2011-07-05 Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component

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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101447394B (zh) * 2007-11-28 2012-01-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种改善半导体制程中加工件背面污染的方法
JP2009187673A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Nec Electronics Corp プラズマ処理装置及び方法
CN102017056B (zh) * 2008-05-02 2013-11-20 东电电子太阳能股份公司 用于衬底的等离子体处理的等离子体处理设备和方法
JP2010045200A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101592061B1 (ko) * 2008-10-31 2016-02-04 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버의 하부 전극 어셈블리
JP2010278166A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置
JP5227264B2 (ja) 2009-06-02 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，プログラム
JP5496568B2 (ja) * 2009-08-04 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2013149635A (ja) * 2010-05-11 2013-08-01 Sharp Corp ドライエッチング装置
JP2013149634A (ja) * 2010-05-11 2013-08-01 Sharp Corp ドライエッチング装置
JP5690596B2 (ja) * 2011-01-07 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及び該フォーカスリングを備える基板処理装置
JP2012169552A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Tokyo Electron Ltd 冷却機構、処理室、処理室内部品及び冷却方法
JP5741124B2 (ja) * 2011-03-29 2015-07-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9412579B2 (en) * 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity
CN105074869A (zh) * 2013-06-26 2015-11-18 应用材料公司 在icp等离子体处理腔室中用于高产出、衬底极端边缘缺陷减少的单环设计
US10047457B2 (en) 2013-09-16 2018-08-14 Applied Materials, Inc. EPI pre-heat ring
JP5767373B2 (ja) * 2014-07-29 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びにこれを実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体
CN104715997A (zh) * 2015-03-30 2015-06-17 上海华力微电子有限公司 聚焦环及具有该聚焦环的等离子体处理装置
JP6570971B2 (ja) * 2015-05-27 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびフォーカスリング
KR102382823B1 (ko) * 2015-09-04 2022-04-06 삼성전자주식회사 에어 홀을 갖는 링 부재 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
JP6607795B2 (ja) * 2016-01-25 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6698502B2 (ja) * 2016-11-21 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
KR102581226B1 (ko) * 2016-12-23 2023-09-20 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP6926225B2 (ja) * 2017-03-31 2021-08-25 マトソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． 処理チャンバにおける工作物における材料堆積防止
KR102063108B1 (ko) * 2017-10-30 2020-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7055040B2 (ja) * 2018-03-07 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置及び処理装置
SG11202009444QA (en) * 2018-04-10 2020-10-29 Applied Materials Inc Resolving spontaneous arcing during thick film deposition of high temperature amorphous carbon deposition
KR102376127B1 (ko) * 2018-05-30 2022-03-18 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
JP2019220497A (ja) * 2018-06-15 2019-12-26 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US11094511B2 (en) * 2018-11-13 2021-08-17 Applied Materials, Inc. Processing chamber with substrate edge enhancement processing
JP7258562B2 (ja) * 2019-01-11 2023-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理方法及びプラズマ処理装置
JP7278160B2 (ja) * 2019-07-01 2023-05-19 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
JP7278896B2 (ja) 2019-07-16 2023-05-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR102175990B1 (ko) * 2020-01-09 2020-11-09 하나머티리얼즈(주) 포커스링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3205878B2 (ja) * 1991-10-22 2001-09-04 アネルバ株式会社 ドライエッチング装置
JP3531511B2 (ja) * 1998-12-22 2004-05-31 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US6344105B1 (en) * 1999-06-30 2002-02-05 Lam Research Corporation Techniques for improving etch rate uniformity
JP2001185542A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法
US6363882B1 (en) * 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
JP2001196357A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JP2002110652A (ja) * 2000-10-03 2002-04-12 Rohm Co Ltd プラズマ処理方法およびその装置
JP4676074B2 (ja) * 2001-02-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及びプラズマ処理装置
US6554954B2 (en) * 2001-04-03 2003-04-29 Applied Materials Inc. Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
TWI234417B (en) * 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
US6887340B2 (en) * 2001-11-13 2005-05-03 Lam Research Corporation Etch rate uniformity
JP4370789B2 (ja) * 2002-07-12 2009-11-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び可変インピーダンス手段の校正方法
US6896765B2 (en) * 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
JP2004200219A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP4640922B2 (ja) * 2003-09-05 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TW200520632A (en) * 2003-09-05 2005-06-16 Tokyo Electron Ltd Focus ring and plasma processing apparatus
KR100578129B1 (ko) * 2003-09-19 2006-05-10 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장치
JP2005303099A (ja) 2004-04-14 2005-10-27 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TWI447802B (zh) * 2004-06-21 2014-08-01 Tokyo Electron Ltd A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a computer-readable recording medium

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