JP2007250740A - 光集積素子及び光モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光集積素子1を、一の端面1Aに設けられた複数の入力ポート10のそれぞれに接続される複数の入力光導波路7Aと、出力ポート11に接続される一の出力光導波路7Bと、複数の入力光導波路7Aを伝搬してきた信号光を一の出力光導波路7Bに光結合させる光カプラ8と、複数の入力光導波路7Aのそれぞれに備えられ、表面に電極5Aを有する複数の半導体光増幅器5からなる半導体光増幅器ゲートアレイ6とを備えるものとし、複数の電極5Aから入力ポート10及び出力ポート11を有しない端面1C,1Dまで延びるように、素子表面に形成された複数の信号線12を備えるものとして構成する。
【選択図】図1
Description
しかし、現在使用されている電気ルータ装置(データを電気信号で交換し、伝送する装置)では、処理速度や消費電力の面で大容量化の限界が近づいている。
このため、更なる大容量化が可能な光ルータ装置(データを信号光で交換し、伝送する装置)への期待が高まっている。
例えば図5に示すように、SOAゲートアレイスイッチ50は、複数のSOA51に対する電流注入の有無によって光出力をon/offすることができ、高速(ナノ秒オーダ)でスイッチングを行なうことが可能であるため、高速光スイッチとして非常に有望である。
そして、SOAゲートアレイ素子52の複数のSOA51の全てに信号光が入力された状態で、複数のSOA51のうち一つのSOA51のみに選択的に電流を注入することで(電流が注入されているものをON状態とする)、複数の入力信号光の中からいずれか一の信号光が選択されて、光ファイバアレイ53(ここではレンズファイバアレイ)を構成するいずれか一の光ファイバ、光カプラ54を介して、一の出力信号光が出力されるようになっている。
まず、SOAゲートアレイ素子(チップ)52を、ジャンクション面を上面にしてキャリア上にボンディングする。
そして、図6に示すように、SOAゲートアレイ素子52を構成する複数のSOA51のそれぞれに対して電流注入を行なえるように、素子上面に形成されている各SOA51の電極と、SOAゲートアレイ素子52の側面近傍に実装された配線基板55上に形成されている配線とを、ワイヤーボンディングによって電気的に接続する。
なお、例えば非特許文献1には、SOAゲートアレイの実装方法の一例が記載されている。
Alexis Lestra et al. "Monolithic Integration of Spot-Size Converters with 1.3-μm Lasers and 1.55-μm Polarization Insensitive Semiconductor Optical Amplifiers", IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 3, No. 6, pp1429-1440, December 1997 K.Hamamoto et al. "Insertion-loss-free 1×4 optical switch fabricated using bandgap-energy-controlled selective MOVPE", ELECTRONICS LETTERS, Vol. 32 , No.24, pp2265-2266, 21 November 1996
このようなモジュール化のための実装作業は非常に煩雑である。
特に、チャネル数が増加した場合には、素子両端のレンズアレイ56(又はレンズファイバアレイ)によって挟まれた限られた空間内に多数のワイヤ57を張る必要があるため、ワイヤ間の干渉、ワイヤ57とレンズアレイ56との干渉、ワイヤ57の長尺化によるインダクタンスの増加などが問題となる。
本発明の光モジュールは、上記の光集積素子と、複数のレンズからなるレンズアレイと、複数の配線を有する配線基板とを備え、レンズアレイが、複数のレンズのそれぞれが複数の入力ポートに光学的に接続されるように、光集積素子の一の端面に対向する位置に配置されており、配線基板が、光集積素子の入力ポート及び出力ポートを有しない端面に対向する位置に配置されていることを特徴としている。
また、本発明の光モジュールは、この好ましい態様の光集積素子と、複数のレンズからなるレンズアレイと、複数の配線を有する配線基板とを備え、レンズアレイが、レンズアレイを構成する一のレンズが一の出力ポートに光学的に接続され、かつ、一のレンズ以外のレンズのそれぞれが複数の入力ポートに光学的に接続されるように、光集積素子の一の端面に対向する位置に配置されており、配線基板が、光集積素子の一の端面の反対側の端面に対向する位置に配置されていることを特徴としている。
[第1実施形態]
まず、本発明の第1実施形態にかかる光集積素子及び光モジュールについて、図1〜図3を参照しながら説明する。
本実施形態にかかるSOAゲートアレイスイッチ(光モジュール)は、例えば図1に示すように、実装基板(図示せず)上に、SOAゲートアレイ集積素子(光集積素子)1と、複数の配線を有する配線基板2と、複数のレンズからなるレンズアレイ3とを実装したものとして構成される。
ここでは、光導波路7は、一の端面1Aに設けられた入力ポート10に接続される複数の入力光導波路7A及び出力ポート11に接続される一の出力光導波路7Bを含むものとして構成される。本実施形態では、入力ポート10が設けられている一の端面1Aの反対側の端面1Bに出力ポート11が設けられている。
本実施形態では、SOAゲートアレイ集積素子1の表面には、図1に示すように、SOAゲートアレイ6を構成する複数のSOA5の電極5Aのそれぞれに接続されるように複数の信号線12が形成されている。これらの信号線12は、入力ポート10及び出力ポート11を有しない端面1C,1Dまで延びている。つまり、各信号線12は、SOA5の電極5Aから素子側面(ここでは両側面1C,1D)まで引き出されている。このため、信号線を引出配線ともいう。
ここでは、各SOA5が、それぞれ、素子側面1C,1Dまで引き出されている信号線12を介して、ワイヤ13によって外部の配線基板2に電気的に接続されることになるため、ワイヤ13の長さを短くすることができ、ワイヤ13によるインダクタンスの増加を抑制することができる。
まず、n型のInP基板20上に、n−InPクラッド層21(例えば厚さ200nm)、i−InGaAsP下部SCH層22(例えば厚さ100nm)、i−InGaAsP活性層23(例えば、厚さ50nm、発光波長1.55μm)、i−InGaAsP上部SCH層24(例えば厚さ100nm)、p−InPクラッド層25(例えば厚さ200nm)を、例えば有機金属気相成長(MOCVD;Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法でエピタキシャル成長させる。
続いて、上記SiO2マスクを用いて、例えばMOVPE法によって、光導波路領域及び光カプラ領域を形成すべく、i−InGaAsPコア層26(例えば、厚さ250nm、発光波長1.3μm)及びp−InPクラッド層27(例えば厚さ200nm)を、バットジョイント成長させる(図3参照)。
次いで、ウエハ表面に例えばSiO2によって光導波路パターン(光導波路領域、光カプラ領域及びSOAゲートアレイ領域を含む)を形成し、これをマスクとして、例えばICP−RIE(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching)法(誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング法)等のドライエッチング法によって、例えば高さ3.0μm程度の導波路メサ構造28を形成する(図2,図3参照)。
その後、SOAゲートアレイ6を構成する各SOA5の活性層23の直上に、一般的な半導体レーザと同様の構造を有する電極5Aを形成する(図2参照)。
このようにして電極5A及び信号線12を形成した後、劈開によってチップ切り出しを行ない、光入出力部となる端面(入力ポートや出力ポートを有する端面1A、1B)に、端面反射によるリップル抑制のため、無反射コーティングを施す。これにより、図1に示すようなSOAゲートアレイ集積素子1が作製される。
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態にかかる光集積素子及び光モジュールについて、図4を参照しながら説明する。
つまり、本実施形態では、図4に示すように、SOAゲートアレイ集積素子1に備えられる出力光導波路7Bが、出力信号光をその伝搬方向を180°変えて入力ポート10が設けられている一の端面1Aへ導くための曲がり導波路を含むものとして構成されている。そして、SOAゲートアレイ集積素子1の入力ポート10が設けられている一の端面1Aに出力ポート11も設けられており、入力ポート10と出力ポート11とが一の端面1Aに沿って直列に並ぶように配置されている。なお、図4では、上述の第1実施形態(図1参照)と同一のものには同一の符号を付している。
そして、レンズアレイ3Aを構成する複数のレンズを介して入力される光が複数の入力ポート10のそれぞれに光結合するとともに、一の出力ポート11からレンズアレイ3Aを構成する一のレンズを介して出力されるようになっている。つまり、単一のレンズアレイ3A(又はファイバアレイ)によって、信号光を入力するための光結合及び信号光を出力するための光結合の全光入出力結合が行なわれるようになっている。
また、本実施形態では、図4に示すように、複数の入力光導波路7Aのそれぞれに設けられているSOAゲートアレイ6を構成する複数のSOA5(前段SOA)と、出力光導波路7Bに設けられているSOA9(後段SOA)とは、SOAゲートアレイ集積素子1の一の端面1Aに沿って一列に並べて配置されている。つまり、信号光の伝搬経路上に直列に配置される前段SOA5と後段SOA9とが、素子長手方向に沿って並列に(即ち、素子幅方向に沿って直列に)並べて配置されている。
また、本実施形態では、複数の信号線12が、SOAゲートアレイ集積素子1の表面に形成され、各SOA5の電極5Aから一の端面1A(光入出力端面)の反対側の端面1B(入力ポート10及び出力ポート11を有しない端面)まで直線状に延びている。つまり、各信号線12は、並列な直線パターンになっている。この場合、各信号線12の長さは同一になり、素子表面に形成される電極・信号線パターンが共通化されている。
本実施形態では、各SOA5の電極5Aに接続される電気配線(信号線及びワイヤ)の長さが等しくなるため、電気配線間の電気的特性のバラツキを非常に低く抑えることができる。
したがって、本実施形態にかかる光集積素子及び光モジュールによれば、上述の第1実施形態のものと同様に、ワイヤ13によるインダクタンスの増加を抑制することができ、また、各SOA5の電極5Aに接続される電気配線間の電気的特性のバラツキを従来のものよりも低く抑えることができるという利点がある。これにより、良好で均一な光結合特性及び高速電気特性の両立を可能にしたSOAゲートアレイスイッチを実現できることになる。
[その他]
なお、上述の各実施形態では、電流狭窄構造として、高抵抗InP埋込層29による半絶縁性埋込ヘテロ構造(SI−BH;Semi-Insulating Buried Heterostructure)を有するものを例に説明しているが、この部分の構造はこれに限られるものではなく、例えば、pn埋込構造(pn−BH;Buried Heterostructure)、リッジ構造、半絶縁性平面埋込ヘテロ構造(SI−PBH;Semi-Insulating Planar Buried Heterostructure)などの電流狭窄構造を用いても良く、このような場合も同様の効果を持つ素子を作製可能である。
さらに、上述の各実施形態では、SOA5の活性層23としてi−InGaAsP活性層を用いたものを例に説明しているが、これに限られるものではなく、例えば、材料・組成、厚さなどを変更しても良いし、MQW(Multiple Quantum Well)構造や量子ドット構造などを採用して様々な機能を付加しても良く、このような場合も同様の効果を持つ素子を作製可能である。また、光導波路や光カプラのコア構造についても同様である。
1A 一の端面
1B 一の端面の反対側の端面
1C,1D 側面(入力ポート及び出力ポートを有しない端面)
2 配線基板
3 レンズアレイ
4 半導体基板
5 SOA
5A 電極
6 SOAゲートアレイ(光スイッチ素子)
7 光導波路
7A 入力光導波路
7B 出力光導波路
8 光カプラ
9 SOA
10 入力ポート
11 出力ポート
12 信号線
13 ワイヤ
20 n型InP基板
21 n−InPクラッド層
22 i−InGaAsP下部SCH層
23 i−InGaAsP活性層
24 i−InGaAsP上部SCH層
25 p−InPクラッド層
26 i−InGaAsPコア層
27 p−InPクラッド層
28 導波路メサ構造
29 高抵抗InP埋込層(SI−InPブロック層)
30 InGaAsP/InGaAsコンタクト層
Claims (6)
- 一の端面に設けられた複数の入力ポートのそれぞれに接続される複数の入力光導波路と、
出力ポートに接続される一の出力光導波路と、
前記複数の入力光導波路を伝搬してきた信号光を前記一の出力光導波路に光結合させる光カプラと、
前記複数の入力光導波路のそれぞれに備えられ、表面に電極を有する複数の半導体光増幅器からなる半導体光増幅器ゲートアレイとを備える光集積素子であって、
前記複数の電極から前記光集積素子の前記入力ポート及び前記出力ポートを有しない端面まで延びるように、前記光集積素子の表面に形成された複数の信号線を備えることを特徴とする、光集積素子。 - 前記出力ポートが、前記入力ポートが設けられている一の端面の反対側の端面に設けられていることを特徴とする、請求項1記載の光集積素子。
- 前記出力光導波路が、曲がり導波路を含み、
前記複数の入力ポートと前記出力ポートとが、前記一の端面に沿って直列に並ぶように設けられており、
前記複数の信号線が、同一の長さを有し、前記一の端面の反対側の端面まで延びるように形成されていることを特徴とする、請求項1記載の光集積素子。 - 前記出力光導波路に、出力信号光を増幅するための半導体光増幅器を備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光集積素子。
- 請求項1,2,4のいずれか1項に記載の光集積素子と、
複数のレンズからなるレンズアレイと、
複数の配線を有する配線基板とを備え、
前記レンズアレイが、前記複数のレンズのそれぞれが前記複数の入力ポートに光学的に接続されるように、前記光集積素子の前記一の端面に対向する位置に配置されており、
前記配線基板が、前記光集積素子の前記入力ポート及び前記出力ポートを有しない端面に対向する位置に配置されていることを特徴とする、光モジュール。 - 請求項3又は4記載の光集積素子と、
複数のレンズからなるレンズアレイと、
複数の配線を有する配線基板とを備え、
前記レンズアレイが、前記レンズアレイを構成する一のレンズが前記一の出力ポートに光学的に接続され、かつ、前記一のレンズ以外のレンズのそれぞれが前記複数の入力ポートに光学的に接続されるように、前記光集積素子の前記一の端面に対向する位置に配置されており、
前記配線基板が、前記光集積素子の前記一の端面の反対側の端面に対向する位置に配置されていることを特徴とする、光モジュール。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040872A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイス及びその製造方法、光通信システム |
JP2011029387A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体モジュール |
JP2011060982A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多チャネル光送信光源 |
KR20180090114A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 삼성전자주식회사 | 증폭 도파 장치 및 이를 포함한 증폭 빔 스티어링 장치 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5323553B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-10-23 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光増幅素子 |
JP2014041889A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
CN104538841B (zh) * | 2014-12-19 | 2017-12-22 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种基于阵列波导光栅的混合集成外腔可调激光器 |
WO2017123309A2 (en) * | 2016-01-06 | 2017-07-20 | Northwestern University | Monolithical widely tunable quantum cascade laser devices |
CN109687910B (zh) * | 2019-01-28 | 2023-09-29 | 杭州华宏通信设备有限公司 | 一种基于otn光通信的光模块 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02213180A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-24 | Canon Inc | 光増幅器および光デバイス |
JP2000208862A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Nec Corp | 半導体光集積素子及びその製造方法 |
JP2000357844A (ja) * | 1999-06-17 | 2000-12-26 | Nec Corp | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2001267685A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-09-28 | Lucent Technol Inc | 多重周波数レーザ装置 |
JP2001339117A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-12-07 | Nec Corp | 変調器集積波長選択光源およびその制御方法 |
JP2002171023A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Hitachi Ltd | 集積化光素子及び半導体レーザモジュール並びに光送信機 |
JP2003198051A (ja) * | 2001-03-02 | 2003-07-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジュール |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05158097A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-25 | Hitachi Ltd | 並列光変換装置 |
US6049641A (en) * | 1998-02-24 | 2000-04-11 | Gemfire Corporation | Connection system for optical redundancy |
JP2000040951A (ja) * | 1998-05-18 | 2000-02-08 | Toshiba Corp | 半導体素子、その駆動方法及び駆動装置 |
JP2000121889A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Nec Corp | 光モジュール及び該光モジュールの製造方法 |
US6747793B1 (en) * | 1999-11-15 | 2004-06-08 | Axsun Technologies, Inc. | System with integrated semiconductor optical amplifier array and switching matrix |
US6519062B1 (en) * | 2000-02-29 | 2003-02-11 | The Regents Of The University Of California | Ultra-low latency multi-protocol optical routers for the next generation internet |
US7065300B1 (en) * | 2000-12-14 | 2006-06-20 | Finsiar Corporation | Optical transmitter including a linear semiconductor optical amplifier |
US7046434B1 (en) * | 2000-12-14 | 2006-05-16 | Finisar Corporation | Optical crossbar using lasing semiconductor optical amplifiers |
US6597497B2 (en) * | 2001-10-04 | 2003-07-22 | Shih-Yuan Wang | Semiconductor optical amplifier with transverse laser cavity intersecting optical signal path and method of fabrication thereof |
US7062111B2 (en) * | 2001-11-06 | 2006-06-13 | Grubb Stephen G | Optical communication module with one or more photonic integrated circuit (PIC) chips and an external booster optical amplifier for photonic integrated circuits (PICs) |
US20050089027A1 (en) * | 2002-06-18 | 2005-04-28 | Colton John R. | Intelligent optical data switching system |
JP4090402B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2008-05-28 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体光増幅器及びそれを用いた光モジュ−ル |
JP4069111B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2008-04-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体レーザ装置 |
JP4632833B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
-
2006
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02213180A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-24 | Canon Inc | 光増幅器および光デバイス |
JP2000208862A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Nec Corp | 半導体光集積素子及びその製造方法 |
JP2000357844A (ja) * | 1999-06-17 | 2000-12-26 | Nec Corp | 光半導体素子およびその製造方法 |
JP2001267685A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-09-28 | Lucent Technol Inc | 多重周波数レーザ装置 |
JP2001339117A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-12-07 | Nec Corp | 変調器集積波長選択光源およびその制御方法 |
JP2002171023A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Hitachi Ltd | 集積化光素子及び半導体レーザモジュール並びに光送信機 |
JP2003198051A (ja) * | 2001-03-02 | 2003-07-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジュール |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040872A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイス及びその製造方法、光通信システム |
JP2011029387A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体モジュール |
JP2011060982A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多チャネル光送信光源 |
KR20180090114A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 삼성전자주식회사 | 증폭 도파 장치 및 이를 포함한 증폭 빔 스티어링 장치 |
KR102626918B1 (ko) * | 2017-02-02 | 2024-01-18 | 삼성전자주식회사 | 증폭 도파 장치 및 이를 포함한 증폭 빔 스티어링 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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